2021 年，JEDEC 宣布發(fā)布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)志著行業(yè)向 DDR5 dual-inline memory modules （DIMM） 的過渡。
2024-03-17 09:50:37
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:58:12
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準(zhǔn)的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:53:030 該內(nèi)存速度高達(dá)5600MT/s，并可同時(shí)兼容5200和4800 MT/s。據(jù)詳情頁(yè)介紹，其工作電壓僅為1.1V，相較于DDR4 3200內(nèi)存，性能提升幅度為1.5倍，且將于本月底開始出貨。
2024-03-13 11:43:0591 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲(chǔ)器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:24:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 10:16:450 DDR5內(nèi)存相對(duì)于DDR4有更高的內(nèi)部時(shí)鐘速度和數(shù)據(jù)傳輸速率，從而提供更高的帶寬。DDR5的傳輸速率可以達(dá)到6400MT/s以上，比DDR4的最高傳輸速率提高了一倍以上。
2024-03-12 11:23:34118 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPS65295完整 DDR4 存儲(chǔ)器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-06 10:17:540 的型號(hào)。 首先，我們來(lái)看一下DDR6內(nèi)存。DDR6是目前市場(chǎng)上最新的內(nèi)存技術(shù)，它在DDR5的基礎(chǔ)上進(jìn)行了一些改進(jìn)。DDR6內(nèi)存的關(guān)鍵特點(diǎn)如下： 1. 帶寬更大：DDR6內(nèi)存的帶寬比DDR5內(nèi)存更大。DDR6內(nèi)存的帶寬可以達(dá)到每秒14.4 GB，而DDR5內(nèi)存的帶寬則為每秒12.8 GB。這意味著DDR6內(nèi)存可
2024-01-12 16:43:052849 硬件世界拉斯維加斯現(xiàn)場(chǎng)報(bào)道：CES 2024大展期間，雷克沙帶來(lái)了豐富的存儲(chǔ)方案，涵蓋SSD、內(nèi)存、存儲(chǔ)卡等，包括頂級(jí)的PCIe 5.0 SSD、DDR5高頻內(nèi)存。
2024-01-12 10:32:27282 
DDR5已經(jīng)開始商用，但是有的產(chǎn)品還才開始使用DDR4。本文分享一些DDR4的測(cè)試內(nèi)容。DDR4 和前代的 DDR3 相比， 它的速度大幅提升，最高可以達(dá)到 3200Mb/s,這樣高速的信號(hào)，對(duì)信號(hào)完整性的要求就更加嚴(yán)格，JESD79‐4 規(guī)范也對(duì) DDR4 信號(hào)的測(cè)量提出了一些要求。
2024-01-08 09:18:24463 
LPDDR5和DDR5是兩種不同類型的內(nèi)存，它們?cè)跁r(shí)序和性能方面有一些差異。盡管它們都是最新一代的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，但它們面向不同的應(yīng)用場(chǎng)景，并且在設(shè)計(jì)上有一些不同。 首先，讓我們來(lái)了解一下LPDDR5
2024-01-04 10:22:061155 在最為重要的內(nèi)存顆粒上，根據(jù)軟件檢測(cè)，這款內(nèi)存采用了編號(hào)為“H5CG48AEBDX018”的SK海力士A-die顆粒，與市面上大部分DDR5 7600、DDR5 8000等高速率內(nèi)存使用的顆粒相同，這也意味著該內(nèi)存可能具備優(yōu)秀的超頻潛力。
2024-01-02 14:37:01192 
由于內(nèi)存接口芯片的大規(guī)模商用要經(jīng)過下游廠商的多重認(rèn)證，還要攻克低功耗內(nèi)存接口芯片的核心技術(shù)難關(guān)，從 DDR4 世代開始，全球內(nèi)存接口芯片廠商僅剩 Rambus、瀾起科技和瑞薩（原 IDT）三家廠商。
2024-01-02 10:36:52194 
在DDR4年代，芝奇與阿斯加特成功完成逆襲，從原先的落落無(wú)名轉(zhuǎn)變?yōu)槿缃袷艿綇V大DIY玩家追捧的內(nèi)存廠商。
2023-12-29 10:41:00247 
對(duì)于DRAM業(yè)務(wù)，這個(gè)公司的主要是低端市場(chǎng)，如小容量DDR4、DDR3等產(chǎn)品，且正在積極投入8Gb DDR4等新型DRAM研發(fā)，以便完善標(biāo)準(zhǔn)接口DRAM產(chǎn)品線，推動(dòng)DRAM業(yè)務(wù)發(fā)展，滿足客戶需求。
2023-12-27 13:58:31247 時(shí)鐘頻率：可通過倍頻技術(shù)升級(jí)的核心頻率。時(shí)鐘頻率可以理解為IO Buffer的實(shí)際工作頻率，DDR2中時(shí)鐘頻率為核心頻率的2倍，DDR3 DDR4中時(shí)鐘頻率為核心頻率的4倍。
2023-12-25 18:18:471188 
）
DDR3內(nèi)存條，240引腳（120針對(duì)每側(cè)）
DDR4內(nèi)存條，288引腳（144針對(duì)每側(cè)）
DDR5內(nèi)存條，288引腳（144針對(duì)每側(cè)）
DDR芯片引腳功能如下圖所示：
DDR數(shù)據(jù)線的分組
2023-12-25 14:02:58
）
DDR3內(nèi)存條，240引腳（120針對(duì)每側(cè)）
DDR4內(nèi)存條，288引腳（144針對(duì)每側(cè)）
DDR5內(nèi)存條，288引腳（144針對(duì)每側(cè)）
DDR芯片引腳功能如下圖所示：
DDR數(shù)據(jù)線的分組
2023-12-25 13:58:55
JESD79-5B DDR5 SDRAM-2022 JEDEC
2023-12-25 09:51:552 JESD79-5B DDR5 SDRAM-2022 JEDEC
2023-12-23 09:24:37
如今，各行業(yè)正在加速向DDR5新紀(jì)元邁進(jìn)，無(wú)論是PC、筆記本電腦還是人工智能，都對(duì)DDR5有強(qiáng)烈的需求。隨著內(nèi)存市場(chǎng)需求的回暖，內(nèi)存芯片供應(yīng)商們已著手在今年第 4 季度全面拉高 DDR5 產(chǎn)能，逐步取代現(xiàn)今的 DDR4。2024年，DDR5作為一款高附加值的DRAM，將繼續(xù)受到業(yè)界各大廠商的青睞。
2023-12-13 14:31:41306 
PCB的DDR4布線指南和PCB的架構(gòu)改進(jìn)
2023-12-07 15:15:58753 追風(fēng)A60采用新一代DDR5內(nèi)存規(guī)格，相較DDR4，性能提升接近1倍。高配6000MHz頻率實(shí)現(xiàn)DDR4 3200MHz的1.6倍傳輸速度和1.9倍傳輸帶寬，讓用戶在使用臺(tái)電內(nèi)存條時(shí)獲得更快速、更流暢的電腦體驗(yàn)。
2023-12-05 15:52:49405 
為滿足對(duì)高效內(nèi)存性能日益增長(zhǎng)的需求，DDR5相比其前身DDR4實(shí)現(xiàn)了性能的大幅提升，具體為傳輸速度更快、能耗更低、穩(wěn)定性提高、內(nèi)存密度更大和存取效率提高等。
2023-12-05 10:50:40211 
DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是一種高帶寬的存儲(chǔ)器，今天主要講述一下DDR4在Layout過程中的一些細(xì)節(jié)。在DDR的設(shè)計(jì)過程中，DDR的Layout是十分重要的環(huán)節(jié)。
2023-11-29 15:39:101470 
對(duì)于ddr5市場(chǎng)的發(fā)展，威剛表示，現(xiàn)階段觀察到需求端春燕來(lái)臨，主要來(lái)自pc，隨著顧客需求的明顯好轉(zhuǎn)和pc內(nèi)存內(nèi)容的提高，明年上半年ddr5將超過ddr4，形成黃金交叉。目前在現(xiàn)貨市場(chǎng)上，ddr5的單價(jià)比ddr4高4-50%，從威強(qiáng)的情況來(lái)看，ddr5比重的上升有助于總利潤(rùn)率。
2023-11-24 10:38:38217 英特爾新一代消費(fèi)型筆電平臺(tái) Meteor Lake 預(yù)計(jì)第四季度問世，搭載的 DRAM 便是由 DDR4 升級(jí)為 DDR5。
2023-11-10 10:29:51279 RK3588 DDR 控制器接口支持 JEDEC SDRAM 標(biāo)準(zhǔn)接口，原理電路16位數(shù)據(jù)信號(hào)如圖8-1所示，地址、控制信號(hào)如圖8-2所示，電源信號(hào)如圖8-3所示。
2023-11-03 09:34:17795 
? 研華推出 SQRAM DDR5 5600 系列工業(yè)內(nèi)存。該系列緊跟計(jì)算機(jī)內(nèi)存全新風(fēng)潮，支持DDR5， 數(shù)據(jù)傳輸速度高達(dá)5600MT/s 。SQRAM 5600 系列的速度快如閃電，帶寬從 8GB
2023-11-02 16:26:56537 
DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來(lái)越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:003885 在集中削減DDR4產(chǎn)量的同時(shí)，主要DRAM芯片制造商正在迅速轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更高的DDR5生產(chǎn)。預(yù)計(jì)到2023年底，他們的DDR5內(nèi)存bit銷售額合計(jì)將占bit銷售額總額的30-40%。
2023-10-29 15:59:48603 
飛騰派是由飛騰攜手中電港螢火工場(chǎng)研發(fā)的一款面向行業(yè)工程師、學(xué)生和愛好者的開源硬件，采用飛騰嵌入式四核處理器，兼容ARM V8架構(gòu)，板載64位 DDR4內(nèi)存，分為2G和4G兩個(gè)版本。主板板載WiFi
2023-10-25 11:44:22
遇到一個(gè)比較有意思的問題。一個(gè)朋友問我說(shuō)：他的電腦內(nèi)存壞了，想換一條新的內(nèi)存，換DDR5內(nèi)存條是不是更好？看了他的配置之后，電腦使用的是DDR4的條子。顯然這是不能換的。
2023-10-10 11:18:13605 
做高速鏈路的小伙伴都知道，Stub總是會(huì)帶來(lái)各種影響，或者導(dǎo)致阻抗突變，或者導(dǎo)致插入損耗曲線上存在諧振，等等。本文介紹了Via stub在DDR4并行鏈路上的表現(xiàn)。下面是論文的全文。
2023-10-09 10:35:30321 
DDR存儲(chǔ)器發(fā)展的主要方向一言以蔽之，是更高速率，更低電壓，更密的存儲(chǔ)密度，從而實(shí)現(xiàn)更好的性能。
2023-10-01 14:03:00488 
摘要：本文將對(duì)DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場(chǎng)景。通過對(duì)比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購(gòu)買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101088 DDR4 3200和3600是內(nèi)存模塊的頻率標(biāo)準(zhǔn)，表示其頻率值，具有以下差異
2023-09-26 15:24:188974 相對(duì)于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過渡，這樣的設(shè)計(jì)可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441478 
DDR電路簡(jiǎn)介 RK3588 DDR 控制器接口支持 JEDEC SDRAM 標(biāo)準(zhǔn)接口，原理電路16位數(shù)據(jù)信號(hào)如圖8-1所示，地址、控制信號(hào)如圖8-2所示，電源信號(hào)如圖8-3所示。電路控制器有如
2023-09-19 11:40:01269 
三星公司計(jì)劃在下半年再次削減DRAM制程的產(chǎn)能，而今年以來(lái)這一減產(chǎn)主要針對(duì)DDR4。業(yè)界普遍預(yù)期，三星的目標(biāo)是在今年年底之前將庫(kù)存水平降至合理水平。這一減產(chǎn)舉措可能會(huì)導(dǎo)致DDR4市場(chǎng)價(jià)格上漲，而目前
2023-09-15 17:42:08996 隨著英特爾和amd將新的pc/筆記本電腦和服務(wù)器平臺(tái)更換為ddr4， ddr4的需求開始減少。因此，三星大幅減少ddr4的生產(chǎn)，轉(zhuǎn)向ddr5，試圖鞏固業(yè)界第一的位置。
2023-09-15 11:40:33555 在全默認(rèn)設(shè)置的情況下，影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800，延遲設(shè)定為40-40-40-76，因此在這個(gè)設(shè)置下它的內(nèi)存性能并不突出，與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當(dāng)。
2023-09-15 10:40:42750 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Teledyne e2v的宇航級(jí)DDR4的硬件設(shè)計(jì)指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-13 17:14:551 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于PDN共振峰的最壞情況數(shù)據(jù)模式分析電源完整性對(duì)FPGA DDR4存儲(chǔ)器接口中的信號(hào)完整性的影響.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-13 09:56:490 瀾起科技還介紹說(shuō)，根據(jù)存儲(chǔ)接口芯片的價(jià)格規(guī)律，一般來(lái)說(shuō)，新一代產(chǎn)品由于技術(shù)和性能升級(jí)，其起銷價(jià)格會(huì)比上一代有所提高，上一代產(chǎn)品的售價(jià)會(huì)逐漸降低。為了保持存儲(chǔ)接口芯片產(chǎn)品的平均售價(jià)，使用了持續(xù)的重復(fù)世代。與ddr4代相比，ddr5內(nèi)存接口芯片的初期銷售價(jià)格大幅上漲。
2023-09-07 14:43:34705 SDRAM有多種標(biāo)準(zhǔn)，包括DDR（Double Data Rate）、DDR2、DDR3和DDR4。每個(gè)標(biāo)準(zhǔn)都具有不同的物理規(guī)格和數(shù)據(jù)傳輸速率。DDR4是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)中使用的最新型號(hào)，它具有更高的頻率和更大的容量。
2023-08-26 11:57:422050 DDR4 3200和DDR4 3600是兩種常見的內(nèi)存頻率規(guī)格，它們?cè)谛阅苌蠒?huì)有一定的差別，但差別大小取決于具體的應(yīng)用場(chǎng)景和系統(tǒng)配置。
2023-08-22 14:45:0528253 LPDDR4X和LPDDR5（低功耗DDR4和DDR5）都是移動(dòng)設(shè)備和嵌入式設(shè)備中最流行的內(nèi)存技術(shù)。它們被廣泛應(yīng)用于智能手
2023-08-21 17:28:2919677 的內(nèi)存速度和更低的功耗。 LPDDR4和LPDDR4X的主要區(qū)別在于功耗上的優(yōu)化。 LPDDR4內(nèi)存 LPDDR4內(nèi)存是一種第四代低功耗DDR內(nèi)存，是DDR4和DDR3的改進(jìn)版本。該內(nèi)存的最大優(yōu)點(diǎn)是速度
2023-08-21 17:16:445949 PH1A100是否支持DDR3,DDR4
2023-08-11 06:47:32
使用DDR4作為外接存儲(chǔ)單元時(shí)，蜂鳥e203的訪問地址為0x40000000,但是經(jīng)過vivado的Block design后使用DDR4，在板子上跑測(cè)試DDR4讀寫程序，報(bào)store訪問異常
2023-08-11 06:17:58
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無(wú)法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512792 以下內(nèi)存設(shè)備：
?雙倍數(shù)據(jù)速率3（DDR3）SDRAM。
?低壓DDR3 SDRAM。
?雙倍數(shù)據(jù)速率4（DDR4）SDRAM。
2023-08-02 11:55:49
代碼或驅(qū)動(dòng)器)的任何人都有用。對(duì)于任何寫入內(nèi)存管理單元(MMMU)的代碼的人來(lái)說(shuō),設(shè)置或管理內(nèi)存管理單元(MMU)尤其相關(guān)。在指南的結(jié)尾,您可以檢查自己的知識(shí)。您將了解不同的內(nèi)存類型及其關(guān)鍵差異,您也將能夠列出可用于特定地址的內(nèi)存屬性。
2023-08-02 09:03:50
內(nèi)存設(shè)備：
?雙倍數(shù)據(jù)速率3（DDR3）SDRAM。
?低壓DDR3 SDRAM。
?雙倍數(shù)據(jù)速率4（DDR4）SDRAM
2023-08-02 08:30:00
隨著制程工藝的進(jìn)步，DRAM內(nèi)存芯片也面臨著CPU/GPU一樣的微縮難題，解決辦法就是上EUV光刻機(jī)，但是設(shè)備實(shí)在太貴，現(xiàn)在還要榨干DUV工藝最后一滴，DDR5內(nèi)存有望實(shí)現(xiàn)單條1TB。
2023-07-31 17:37:07875 
DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片，其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:061877 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 09:50:470 S7-19P還自帶兩個(gè)板載DDR4 SO-DIMM卡插槽，每個(gè)插槽都可以支持最高72位16GB的DDR4，使得該系統(tǒng)的內(nèi)存容量大幅提升。其板載DDR4內(nèi)存的運(yùn)行速率高達(dá)2400Mbps，從而進(jìn)一步保證了數(shù)據(jù)的高速傳輸和處理，為8K60視頻編譯碼芯片的開發(fā)提供了強(qiáng)大的支持。
2023-07-20 15:22:15388 DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。DDR是一種技術(shù)，中國(guó)大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國(guó)臺(tái)灣以及歐美，工程師習(xí)慣用DRAM來(lái)稱呼。
2023-07-16 15:27:103362 
本設(shè)計(jì)筆記顯示了用于工作站和服務(wù)器的高速內(nèi)存系統(tǒng)的雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 同步 DRAM （SDRAM）。使用MAX1864 xDSL/電纜調(diào)制解調(diào)器電源，電路產(chǎn)生等于并跟蹤VREF的終止電壓（VTT）。
2023-06-26 10:34:36549 
（JEDEC Solid State Technology Association）面向低功耗內(nèi)存而制定的通信標(biāo)準(zhǔn)，以低功耗著稱，主要針對(duì)于移動(dòng)端電子產(chǎn)品。相比于DDR來(lái)說(shuō)，L PDDR最大的特點(diǎn)就是功耗更低
2023-06-22 08:40:021807 
★ DDR內(nèi)存條治具六大特點(diǎn) 有哪些呢？
讓凱智通小編為你解答~
①通用性高：只需換顆粒限位框，即可測(cè)試尺寸不同的顆粒；
②操作省力方便：采用手動(dòng)翻蓋滾軸式結(jié)構(gòu)，相比同類產(chǎn)品減少磨損，達(dá)到更高的機(jī)械
2023-06-15 15:45:22
內(nèi)存和外存是計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)的兩種不同形式，兩者雖然都是存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的方式，但是卻有許多區(qū)別。本文將從定義、結(jié)構(gòu)、速度、容量、使用、價(jià)格等方面探討內(nèi)存與外存的關(guān)鍵區(qū)別。
2023-06-10 15:06:004313 和筆記本。內(nèi)存模組的類型決定了所需的內(nèi)存接口芯片和內(nèi)存模組配套芯片。 ? ? ? 內(nèi)存進(jìn)入 DDR5 新世代，標(biāo)準(zhǔn)升級(jí)拉動(dòng)相關(guān)芯片需求。與 DDR4 相比， DDR5 的優(yōu)勢(shì)可簡(jiǎn)單地概括為： （ 1）速度
2023-05-29 14:07:381359 
1 – DDR3 SDRAM JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) JESD79-3F 狀態(tài)圖和圖 2 – DDR4 SDRAM JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) JESD79-4 狀態(tài)圖所示。
2023-05-26 18:02:27995 
我有一塊自制的imx8mp主板，使用DDR4的型號(hào)是：K4ABG165WA-MCWE，單片容量32Gb，主頻3200Mhz，我的主板使用了兩顆芯片，但是使用MX8M_Plus_DDR4_RPA_v9.xlsx無(wú)法完成配置
2023-05-17 06:12:25
你好！我用 DDR4 創(chuàng)建了我的自定義 IMX8MM 板。所有 DDR4 測(cè)試都在 IMX 配置工具中成功通過。
我正在嘗試通過 Yocto 為我的開發(fā)板制作一個(gè) u-boot。我以
2023-05-09 08:03:48
DDR4內(nèi)存模塊支持單個(gè)64位通道(如果考慮ECC，則為72位通道)。相比之下，DDR5內(nèi)存模塊配備了兩個(gè)獨(dú)立的32位通道(40位ECC)。
2023-05-08 10:27:441330 內(nèi)存是數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器以及個(gè)人計(jì)算機(jī)等技術(shù)發(fā)展的重要組成。目前內(nèi)存的發(fā)展是由DDR技術(shù)路線引導(dǎo)，TE Connectivity(以下簡(jiǎn)稱“TE”)經(jīng)歷了DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的迭代
2023-05-06 17:33:421392 
我們有一個(gè)帶有連接到 LS1046A 的 DDR4 內(nèi)存 (DDR4T04G72) 的定制板，目前正在為 DDR 控制器進(jìn)行配置。目前我們對(duì)為什么我們甚至沒有啟動(dòng)和運(yùn)行 DDR 時(shí)鐘 (MCK0
2023-05-06 08:20:49
DWDM系統(tǒng)的光接口是根據(jù)一-些同樣適用于轉(zhuǎn)發(fā)器和400G QSFP-DD DCO可插拔接口的關(guān)鍵屬性定義的。對(duì)于后者，這些屬性由標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)和行業(yè)組織指定，包括OIF 400ZR規(guī)范和OpenZR+多源協(xié)議(MSA)。
2023-04-26 10:23:00347 我有 LS1046AFRWY 板的克隆。高速公路板使用 MT40A512M16JY-083E:B（商業(yè)級(jí)DDR4）。我的克隆使用 MT40A512M16JY-083E IT:B（工業(yè)級(jí) DDR4
2023-04-24 08:08:20
將 DDR4 內(nèi)存添加到 imx8mp
2023-04-20 10:59:17
NXP IMX8M Mini DDR4 校準(zhǔn)
2023-04-20 07:36:55
我正在為我當(dāng)前的項(xiàng)目使用 s32k146。在項(xiàng)目中需要 聲明一個(gè)在程序啟動(dòng)時(shí)不應(yīng)初始化的內(nèi)存段。如何使用 _no_init 屬性實(shí)現(xiàn)此功能。
2023-04-20 07:06:27
DDR5 已占據(jù)整個(gè) DRAM 市場(chǎng)份額的 10%，2024年則將進(jìn)一步擴(kuò)大至 43%。服務(wù)器市場(chǎng)可能最先推廣DDR5，服務(wù)器市場(chǎng)對(duì)高性能有著絕對(duì)的需求。
2023-04-18 11:36:471604 DDR5在服務(wù)器市場(chǎng)的滲透率正在進(jìn)一步提高，進(jìn)入放量期。
2023-04-15 10:23:171778 ........................... 62.3 DDR4 接口原理圖.................72.4 兼容的 JEDEC DDR4 器件
2023-04-14 17:03:27
為了應(yīng)對(duì)相應(yīng)的挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司宣布其高壓MOSFET 適用的 QDPAK 和 DDPAK 頂部冷卻 (TSC) 封裝已成功注冊(cè)為 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。
2023-04-13 16:54:252876 
DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場(chǎng)，直接學(xué)習(xí)DDR3 SDRAM感覺有點(diǎn)跳躍；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對(duì)比。
2023-04-04 17:08:472867 
你能告訴我在哪里可以獲得 i.MX8M Plus 的詳細(xì) DDR4 布局跟蹤路由指南嗎？我在 i.MX8M Plus 硬件開發(fā)人員指南中找不到它。順便問一下，NXP 有帶 DDR4 的 i.MX8M Plus 評(píng)估板嗎？
2023-03-31 07:52:02
通過 JTAG 手動(dòng)初始化 DDR 控制器后，我試圖訪問 DDR 內(nèi)存區(qū)域，但它總是失敗據(jù)我了解，必須使用信任區(qū)地址空間控制器映射區(qū)域，因此我嘗試執(zhí)行 lsdk2012 中的 u-boot 所做
2023-03-29 07:58:56
武漢萬(wàn)象奧科HD-G2UL-CORE核心板支持512MB/1GB DDR4配置，本文檔主要評(píng)估測(cè)試核心板內(nèi)存512MB（DDR4）性能（讀寫速率）。
2023-03-28 18:14:58414 
我一直在研究 BL2 上的 DDR 驅(qū)動(dòng)程序，并注意到 *** 設(shè)置了對(duì)內(nèi)存區(qū)域的訪問，在研究 CW 腳本時(shí)也是如此。是否需要初始化 *** 才能訪問 DDR 內(nèi)存？我知道它不需要 MMU，但它與 TZ 一樣嗎？
2023-03-27 07:13:46
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