CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，CoolSiC技術(shù)的輸出電流能力強(qiáng)，可靠性提高。
2024-03-22 14:08:35
29 英飛凌科技股份公司，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設(shè)計(jì)人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29117 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術(shù)，據(jù)官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181430 
日前，Vishay 宣布，推出適于 IrDA 應(yīng)用的升級(jí)版 TFBS4xx 和 TFDU4xx 系列紅外（IR）收發(fā)器模塊，鏈路距離延長(zhǎng) 20 %，抗 ESD 能力提高到 2 kV。器件支持
2024-03-14 18:17:56580 
瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過(guò)了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在過(guò)去的2023年，國(guó)產(chǎn)SiC功率器件產(chǎn)品迎來(lái)了全面爆發(fā)，眾多廠商宣布入局或是推出車規(guī)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)品，尋求打進(jìn)汽車供應(yīng)鏈。而今年春節(jié)后的新一輪新能源汽車降價(jià)
2024-03-13 01:17:002631 
意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱“東芝”）近日宣布，其最新研發(fā)的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產(chǎn)品特別適用于數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等關(guān)鍵應(yīng)用的開關(guān)電源，展現(xiàn)了東芝在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續(xù)創(chuàng)新。
2024-03-12 10:27:36255 在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出，標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域迎來(lái)了新的里程碑，為行業(yè)的低碳化進(jìn)程注入了強(qiáng)大動(dòng)力。
2024-03-12 09:43:29125 在通用PWM發(fā)電機(jī)中，我可以用任何型號(hào)替換SiC MOSFET嗎？
2024-03-01 06:34:58
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:41976 
在本指南中，您將學(xué)習(xí)如何設(shè)置 Arduino IR發(fā)射器電路。它使您可以控制IR（紅外線）LED，并從Arduino發(fā)送任何遠(yuǎn)程控制代碼。這意味著你可以用它來(lái)控制你的電視或其他任何你喜歡的東西！
2024-02-11 09:44:00235 
Vishay近日宣布推出升級(jí)版的TSOP18xx、TSOP58xx和TSSP5xx系列紅外(IR)接收器模塊，這些模塊經(jīng)過(guò)優(yōu)化，適用于遙控、接近探測(cè)和光幕應(yīng)用。
2024-02-01 14:06:54178 光伏IR相機(jī)是一種特殊的光電設(shè)備，它使用紅外線（IR）技術(shù)來(lái)檢測(cè)和捕捉光伏電池板上的熱圖像。這種相機(jī)的主要功能是檢測(cè)光伏電池板上的熱分布和異常，幫助工程師和科學(xué)家更好地了解光伏電池板的性能和存在的問(wèn)題。
2024-01-23 11:36:23235 
2104全橋驅(qū)動(dòng)電路原理 IR2104是一種高速、低成本的高和低電平電荷泵驅(qū)動(dòng)器。它可通過(guò)邏輯輸入信號(hào)控制兩個(gè)N溝MOSFET或IGBT的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，實(shí)現(xiàn)全橋輸出。IR2104內(nèi)部集成了一個(gè)高壓引發(fā)電荷泵、邏輯電平和電流檢測(cè)電路。其主要包括低側(cè)和高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。 低側(cè)驅(qū)動(dòng)器：
2024-01-05 16:11:041106 英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過(guò)系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
本帖最后由 yy5230 于 2023-12-29 12:02 編輯
AGM Micro發(fā)布兼容STM32的MCU產(chǎn)品系列，推出具有低延遲高靈活性的功能模塊MCU產(chǎn)品系列。AGM的FPGA
2023-12-29 10:52:29
提供驅(qū)動(dòng)能力的來(lái)源，市場(chǎng)潛力巨大。 金升陽(yáng)致力于為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的電源解決方案，基于自主電路平臺(tái)、IC平臺(tái)、工藝平臺(tái)，升級(jí)推出IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅(qū)動(dòng)電源QA-R3G/QAC-R3G系列產(chǎn)品，同時(shí)為結(jié)合充電樁市場(chǎng)應(yīng)用需求，打造了全新的滿足元器件100%國(guó)產(chǎn)化、高可靠的R3代驅(qū)動(dòng)電
2023-12-13 16:36:19131 
：IFNNY）順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢(shì)，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率
2023-12-12 18:04:37494 
IR這個(gè)詞并不是什么縮寫，這里的I就是指電流，R是指電阻，他們放在一起相乘，得出來(lái)的結(jié)果就是電壓。
2023-12-06 14:33:07452 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 BTD25350雙通道隔離，原方帶死區(qū)時(shí)間設(shè)置，副方帶米勒鉗位功能，非常適合充電樁中后級(jí)LLC用SiC MOSFET方案 BTD25350系列雙通道隔離型門極驅(qū)動(dòng)器，峰值輸出電流可達(dá)10A
2023-11-30 09:42:59
為了擴(kuò)大QSiC SiC模塊的選擇范圍，SemiQ推出了一系列采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET，可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-26 16:40:46862 mosfet工作原理 jfet和mosfet的區(qū)別? MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種現(xiàn)代電子器件，常用于電子電路中的開關(guān)和放大器。它的工作原理與JFET（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管）有很大
2023-11-22 17:33:301060 ARK（方舟微）研發(fā)的UltraVt ?超高閾值耗盡型MOSFET包括耐壓70V的DMZ0622E系列、耐壓100V的DMZ(X)1015E系列、耐壓130V的DMZ(X)1315E系列、耐壓130V的DMZ(X)1315EL系列等產(chǎn)品。
2023-11-18 16:00:38454 
為了擴(kuò)大QSiC SiC模塊的選擇范圍，SemiQ推出了一系列采用SOT-227封裝的1,200V MOSFET，可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-16 17:18:25570 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列設(shè)計(jì)更綠色、更小的電源.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-13 15:11:29
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《IR2110芯片在光伏逆變電路中的設(shè)計(jì)應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-06 10:04:290 國(guó)產(chǎn)新風(fēng)尚！WAYON維安針對(duì)PC及PC電源推出MOSFET細(xì)分產(chǎn)品
2023-11-01 15:10:01231 
下面將對(duì)于SiC MOSFET和SiC SBD兩個(gè)系列，進(jìn)行詳細(xì)介紹
2023-11-01 14:46:19736 
的穩(wěn)定可靠運(yùn)行至關(guān)重要。為滿足汽車電子領(lǐng)域?qū)Φ蛽p耗、高可靠性、耐高溫電感的需求，科達(dá)嘉推出了車規(guī)級(jí)熱壓一體成型電感VSEB-H系列。 產(chǎn)品概述 VSEB-H采用創(chuàng)新的T-core預(yù)成型+扁平繞匝底部引線+熱壓工藝。與傳統(tǒng)的電感產(chǎn)品相比，該
2023-10-26 15:45:54895 
PANJIT推出最新超低VF橋式整流器系列。
2023-10-26 15:29:22308 金氧半場(chǎng)效晶體管（MOSFET）憑借其通用性和廣泛用途躋身于最受歡迎的晶體管之列。歐時(shí)電子指南將詳述這類晶體管的工作機(jī)制，并提供關(guān)于使用和選擇恰當(dāng)MOSFET類型的實(shí)用建議。
2023-10-26 10:36:16481 
Littelfuse宣布推出首款汽車級(jí)PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品 IXTY2P50PA。這個(gè)創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計(jì)能滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121367 Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)MAX25405: IR Gesture Sensor with Lens for Automotive Applications Data Sheet相關(guān)產(chǎn)品
2023-10-17 18:44:54
美格納半導(dǎo)體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術(shù)的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。MXT MV MOSFET，代表美格納極限溝槽
2023-10-12 17:15:09736 DC即Direct Current，直流電，電流方向不隨時(shí)間發(fā)生改變；IR Drop中的I指電流，R指電阻，I與R相乘即為電壓，IR Drop就是電壓降；
2023-09-28 11:34:263177 
不予討論。在電路設(shè)計(jì)中，MOSFET管的直流伏安特性、極間電容、溫度特性和開關(guān)速度等是需要考慮的，本文只對(duì)這些方面進(jìn)行討論。
在很大程度上，用MOSFET管設(shè)計(jì)電源比用雙極型晶體管更簡(jiǎn)單。MOSFET
2023-09-28 06:33:09
IR2110使用手冊(cè)
2023-09-12 09:20:129 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。
2023-09-07 09:59:32731 
穩(wěn)定性和效率兼?zhèn)洌酌?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET改變您的產(chǎn)品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常用的半導(dǎo)體器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 
應(yīng)用程序: 使用計(jì)時(shí)器 2 抓取功能獲取 IR 數(shù)據(jù)
BSP 版本: NUC230/240 Series BSP CMSIS v3.01.002
硬件: NuTiny - EVB - NUC240
2023-09-01 07:19:08
思特威5MP高分辨率車規(guī)級(jí)RGB-IR全局快門圖像傳感器從客戶需求出發(fā)，兼?zhèn)淞顺錾谋痴帐饺挚扉T技術(shù)和優(yōu)異的近紅外靈敏度，以性能優(yōu)越的高品質(zhì)成像能力，為車載客戶提供更先進(jìn)的艙內(nèi)視覺(jué)解決方案。其2.2μm小尺寸像素使得傳感器模組更加緊湊，可以更靈活地布置在車輛內(nèi)部。
2023-08-24 10:21:32223 
應(yīng)用程序: 使用計(jì)時(shí)器 2 抓取功能獲取 IR 數(shù)據(jù)
BSP 版本: NUC230/240 Series BSP CMSIS v3.01.002
硬件: NuTiny - EVB - NUC240
2023-08-23 07:16:43
產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效率的要求不斷提高,對(duì)電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對(duì)此趨勢(shì),安森德半導(dǎo)體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
SystemReady IR是一個(gè)基于一組硬件和固件的合規(guī)性認(rèn)證計(jì)劃實(shí)現(xiàn)與通用現(xiàn)成操作系統(tǒng)和管理程序的互操作性的標(biāo)準(zhǔn)。
這些標(biāo)準(zhǔn)包括基本系統(tǒng)體系結(jié)構(gòu)（BSA）和基本引導(dǎo)要求（BBR）規(guī)格和市場(chǎng)特定
2023-08-02 07:45:46
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DGD2103和DGD2104在IR2103和IR2104中的應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 16:11:121 繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月 森國(guó)科正式對(duì)外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ，相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
ISL91110IR 數(shù)據(jù)表
2023-07-12 19:46:020 在這里，將展示如何制作基于Arduino的IR接收器，以解碼來(lái)自TV/DVD遙控器的IR信號(hào)。根據(jù)與遙控器上特定按鈕對(duì)應(yīng)的解碼值，我們將對(duì)Arduino進(jìn)行編程以控制多個(gè)繼電器開關(guān)。
2023-07-10 14:20:43715 
シリコン NチャネルMOSFET シリーズ 電力スイッチング
2023-07-07 19:38:430 ISLA216IR72EV1Z 原理圖 Layers
2023-07-06 20:52:430 ISLA214IR72EV1Z 原理圖s and Layers
2023-07-06 20:52:300 ISLA214P50IR72EV1Z 原理圖s and Layers
2023-07-06 20:52:010 ISLA224IR72EV1Z 原理圖和層
2023-07-06 20:51:300 采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列，進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)更低的RDSON，或者說(shuō)在更小的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12677 
ISL91127IR 數(shù)據(jù)表
2023-06-30 19:40:440 英飛凌科技汽車 MOSFET 產(chǎn)品線高級(jí)副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標(biāo)桿。
2023-06-26 13:10:00302 
據(jù) Omdia 統(tǒng)計(jì)，2021 年全球MCU銷售額達(dá)到 219 億美元，預(yù)計(jì)2026年全球MCU市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 266 億美元，2025 年中國(guó)MCU市場(chǎng)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到約 82 億美元。
2023-06-21 12:34:09299 大部分從事后端設(shè)計(jì)的同行應(yīng)該沒(méi)有接觸過(guò)帶封裝的IR Drop分析（模塊級(jí)別的IR分析不需要考慮封裝），一般只有PA工程師、后端項(xiàng)目經(jīng)理、封裝同事等才會(huì)接觸這一部分內(nèi)容。
2023-06-16 10:05:18674 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Matrix IR非接觸式溫度計(jì)開源設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-16 09:36:380 什么是IR-drop？其實(shí)，IR這個(gè)詞并不是什么縮寫，這里的I就是指電流，R是指電阻，他們放在一起相乘，得出來(lái)的結(jié)果就是電壓。
2023-06-16 09:26:262660 
中國(guó)上海， 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列
2023-06-13 16:38:50712 
本文章將依次介紹如何將Pytorch自訓(xùn)練模型經(jīng)過(guò)一系列變換變成OpenVINO IR模型形式，而后使用OpenVINO Python API 對(duì)IR模型進(jìn)行推理，并將推理結(jié)果通過(guò)OpenCV API顯示在實(shí)時(shí)畫面上。
2023-06-07 09:31:421057 
NSM101x產(chǎn)品系列包含了3個(gè)產(chǎn)品型號(hào)，即NSM1011(單極霍爾開關(guān))、NSM1012（全極霍爾開關(guān)）、NSM1013（霍爾鎖存器）?？紤]不同的開關(guān)點(diǎn)、工作磁極、輸出相位、常規(guī)功耗與低功耗模式、磁鐵材料的溫度補(bǔ)償系數(shù)、封裝形式等多個(gè)維度
2023-06-06 14:56:33659 
【 2023 年 5 月 12 日，德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361026 
PRISEMI芯導(dǎo)產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-06-06 10:02:58824 
深圳市金勝電子科技有限公司旗下工業(yè)級(jí)品牌元存，首次推出車載視頻監(jiān)控固態(tài)硬盤VM300系列， 是一款可廣泛應(yīng)用于多場(chǎng)景車載設(shè)備的SATA固態(tài)硬盤。
2023-06-05 15:35:35365 
MOSFET的種類有哪些 1. Enhancement MOSFET（增強(qiáng)型MOSFET） 2. Depletion MOSFET（耗盡型MOSFET） 3. MOSFET
2023-06-02 14:15:36937 安森德歷經(jīng)多年的技術(shù)積累，攻克了多層外延超結(jié)（SJ）MOSFET技術(shù)，成功研發(fā)出具備自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的超結(jié)（SJ）MOSFET系列產(chǎn)品
2023-06-02 10:23:10796 
納芯微推出全新三線制車規(guī)霍爾效應(yīng)開關(guān)/鎖存器NSM101x系列，為數(shù)字位置檢測(cè)提供高精度的解決方案，可被廣泛應(yīng)用于汽車執(zhí)行器等的位置檢測(cè)。
2023-06-01 13:49:07541 Nexperia | 推出用于自動(dòng)安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）推出了用于自動(dòng)化安全氣囊應(yīng)用的專用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 Marki Microwave 的 IR-0255 是一款射頻混頻器，射頻頻率為 2 至 5.5 GHz，本振頻率為 2 至 5.5 GHz，中頻
2023-05-26 16:01:29
TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點(diǎn)，已經(jīng)在電動(dòng)自行車、電動(dòng)摩托車、鋰電保護(hù)、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。
2023-05-26 09:52:42393 
23日，由全景網(wǎng)主辦、南開大學(xué)參與推出的“全景投資者關(guān)系金獎(jiǎng)”2022年度全國(guó)性評(píng)選正式揭曉，敏芯股份IR團(tuán)隊(duì)?wèi){借優(yōu)異表現(xiàn)榮獲投資者關(guān)系金獎(jiǎng)? 杰出IR團(tuán)隊(duì)獎(jiǎng)項(xiàng)。
2023-05-25 11:00:18476 Marki Microwave 的 IR-0618 是一款射頻混頻器，射頻頻率為 6 至 18 GHz，本振頻率為 6 至 18 GHz，中頻頻率為
2023-05-24 16:48:07
SID-IR系列緊湊型紅外皮秒光纖激光器SID-IR系列緊湊型紅外皮秒光纖激光器集成了創(chuàng)新的電子脈沖產(chǎn)生系統(tǒng)，可提供10皮秒脈沖。重復(fù)頻率從單發(fā)到2 GHz連續(xù)可調(diào)，并且可選多種波長(zhǎng)。SID系統(tǒng)完全
2023-05-24 09:28:59
Boost升壓電路，DC60-DC72大功率用于電動(dòng)車增速使用，MOSFET管燒壞導(dǎo)致短路，這種管子網(wǎng)上找不到啊，可以用什么代替？
LR080N10S3-A
LR080N10S3-D
2023-05-21 11:55:34
近日羅姆新推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch MOSFET產(chǎn)品（40V/60V/80V/100V/150V），備受各個(gè)廠家的青睞。本文將為各位工程師呈現(xiàn)該系列
2023-05-17 13:35:02471 
功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實(shí)現(xiàn)？怎樣實(shí)現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
我正在嘗試使用 ESP-01 驅(qū)動(dòng) MOSFET 來(lái)控制 12V 電源。附上原理圖。這是我的簡(jiǎn)單代碼 -
代碼：全選#include
#define MOSFET 2
#define
2023-05-04 08:52:27
ISL8120IR 數(shù)據(jù)表
2023-04-27 19:45:100 本篇是讀懂MOSFET datasheet系列最終篇，主要介紹MOSFET動(dòng)態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)。 主要包括Qg、MOSFET的電容、開關(guān)時(shí)間等。 參數(shù)列表如下所示。
2023-04-26 17:52:144759 
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列第二篇，主要介紹電性能相關(guān)的參數(shù)。 這部分的參數(shù)是我們經(jīng)常提到并且用到的，相關(guān)的參數(shù)如下表所示。
2023-04-26 17:50:102211 
大部分從事后端設(shè)計(jì)的同行應(yīng)該沒(méi)有接觸過(guò)帶封裝的IR Drop分析（模塊級(jí)別的IR分析不需要考慮封裝），一般只有PA工程師、后端項(xiàng)目經(jīng)理、封裝同事等才會(huì)接觸這一部分內(nèi)容。
2023-04-21 09:31:091573 MOSFET Spice 模型
2023-04-20 11:30:18
光電紅外（EO/IR）系統(tǒng)是一種傳感器技術(shù)，其采用光學(xué)和電子技術(shù)組合來(lái)檢測(cè)、跟蹤和識(shí)別紅外光譜中的物體或目標(biāo)。
2023-04-15 10:10:34870 KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)來(lái)取得能夠和SOT-523等大上許多
2023-04-04 16:10:39987 
之前做過(guò)一個(gè)項(xiàng)目，有個(gè)模塊例化了10次，流片回來(lái)測(cè)試，有9個(gè)正常工作，另外一個(gè)工作不起來(lái)。這時(shí)這個(gè)模塊的負(fù)責(zé)人就來(lái)找我，問(wèn)到：IR仿真時(shí)這10個(gè)模塊結(jié)果是怎樣的？測(cè)試有問(wèn)題那個(gè)是IR最差的那個(gè)
2023-04-03 09:56:581795 您好，我想知道 NXP UCODE 7 芯片內(nèi)部使用的 MOSFET 的 IV 特性，該 MOSFET 開關(guān)用于數(shù)據(jù)輸出鏈中的反向散射。有人可以提供這些數(shù)據(jù)嗎？非常感謝~
2023-03-31 07:53:20
ISL91110IR 數(shù)據(jù)表
2023-03-29 19:38:570 ID7U603是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動(dòng)芯片，可兼容代換IR2104，應(yīng)用領(lǐng)域于中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)、照明鎮(zhèn)流器、半橋驅(qū)動(dòng)
2023-03-29 09:24:35930 
： * * * * --- 控制器 0（1 個(gè)設(shè)備）- -- * * * * 設(shè)備 IR 長(zhǎng)度 Xtensa * * 0 5
2023-03-23 07:08:06
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