IGBT MODULE 1200V 1200A
2024-03-14 21:24:04
IGBT MODULE 1200V 1200A
2024-03-14 21:24:04
億緯鋰能3月11日宣布，公司與StoreDot Ltd.簽訂了《戰(zhàn)略合作框架協(xié)議書》，旨在充分整合雙方資源及技術(shù)優(yōu)勢(shì)，力促大規(guī)模生產(chǎn)安全的“超高速可充電電池”項(xiàng)目加速落地。
2024-03-13 15:09:38
261 蓉矽半導(dǎo)體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力，也進(jìn)一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車、光伏逆變等高端應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力。
2024-03-12 11:06:30228 全球知名的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo近日宣布，推出四款采用E1B封裝的1200V碳化硅（SiC）模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置，其導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)9.4mΩ。這一創(chuàng)新產(chǎn)品系列專為電動(dòng)汽車充電站、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)電源和太陽能應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
2024-03-06 11:43:19282 智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布推出采用了新的場(chǎng)截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù)的1200V SPM31智能功率模塊 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59344 Picotest 是一家專門從事電源完整性和電源系統(tǒng)測(cè)試定制測(cè)試設(shè)備的公司，推出了一系列超高速瞬態(tài)負(fù)載電流步進(jìn)器，徹底改變了電源完整性、熱設(shè)計(jì)功率 (TDP)、IC 封裝評(píng)估和電源系統(tǒng)測(cè)試的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
2023-11-26 16:44:23877 Picotest 是一家專門從事電源完整性和電源系統(tǒng)測(cè)試定制測(cè)試設(shè)備的公司，推出了一系列超高速瞬態(tài)負(fù)載電流步進(jìn)器，徹底改變了電源完整性、熱設(shè)計(jì)功率 (TDP)、IC 封裝評(píng)估和電源系統(tǒng)測(cè)試的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
2023-11-15 16:26:10323 超高速實(shí)時(shí)運(yùn)動(dòng)控制卡XPCIE1032H硬件介紹、交互原理以及指令說明。
2023-11-10 14:00:30299 
IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
2023-11-01 14:51:09
IGBT MODULE 1200V 5000W
2023-11-01 10:26:39
如何檢測(cè)復(fù)雜的超高速調(diào)制光信號(hào)？ 1. 背景介紹 隨著通信技術(shù)的不斷發(fā)展，越來越多的通信系統(tǒng)采用了超高速調(diào)制光信號(hào)傳輸數(shù)據(jù)。超高速調(diào)制光信號(hào)的傳輸速度非常快，可以達(dá)到每秒數(shù)十億次甚至數(shù)百億次。然而
2023-10-30 11:01:09212 繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證后
2023-10-25 18:28:10422 
2023年10月，凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產(chǎn)品性能優(yōu)異，開關(guān)損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅(qū)動(dòng)，能夠滿足高可靠性、高性能的應(yīng)用需求。
2023-10-20 09:43:26485 
;1200V系列SiC二極管。
陸芯科技的產(chǎn)品（IGBT、SJMOS、SiC）包括芯片、單管和模塊，具有以下技術(shù)優(yōu)勢(shì)：通過優(yōu)化耐壓終端環(huán)，實(shí)現(xiàn)IGBT高阻斷電壓，有效減少芯片面積，達(dá)到工業(yè)級(jí)和汽車級(jí)可靠
2023-10-16 11:00:14
來源：半導(dǎo)體芯科技編譯 Magnachip開始全面量產(chǎn)用于電動(dòng)汽車PTC加熱器的1200V和650V IGBT。 Magnachip Semiconductor推出了1200V和650V絕緣
2023-09-19 16:04:38306 在一篇名為“衍射門控實(shí)時(shí)超高速測(cè)繪攝影”的論文中，Liang與加拿大Concordia大學(xué)和Meta Platforms Inc.的合作者展示了一款新型衍射門實(shí)時(shí)超高速繪圖(DRUM)相機(jī)，可以在每秒480萬幀的單次曝光中捕捉動(dòng)態(tài)事件。
2023-09-16 09:46:111139 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Xilinx FPGA和SoC的超高速設(shè)計(jì)方法指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-14 09:41:06
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《簡(jiǎn)化超高速數(shù)字系統(tǒng)中確定性延遲的設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-14 09:27:370 繼英飛凌1200VIGBT7T7芯片在中小功率模塊產(chǎn)品相繼量產(chǎn)并取得客戶認(rèn)可后，英飛凌最新推出了適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)景的1200VIGBT7P7芯片，并將其應(yīng)用在PrimePACK模塊中，再次刷新
2023-09-14 08:16:10430 
高速電機(jī)的研究主要分為超高速化和大功率化兩個(gè)方面。
國(guó)外對(duì)高速電機(jī)的研究時(shí)間相對(duì)較早，技術(shù)較為成熟，并開始向系列化和產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。
國(guó)內(nèi)在超高速與大功率高速電機(jī)方面的研究已經(jīng)
2023-09-06 11:15:55270 
XPCIE1028超高速實(shí)時(shí)運(yùn)動(dòng)控制卡在六面外觀檢測(cè)高速視覺篩選中的應(yīng)用，結(jié)合正運(yùn)動(dòng)技術(shù)提供的專用篩選機(jī)調(diào)試軟件，可實(shí)現(xiàn)15000+pcs/分鐘的IO觸發(fā)檢測(cè)速度，只需簡(jiǎn)單參數(shù)設(shè)置，搭配圖像采集硬件和視覺處理軟件，即可快速實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)CCD視覺篩選。
2023-08-28 15:17:44661 
型號(hào)：1、IKW40N120H3:Infineon的IKW40N120H3是一款高壓IGBT，適用于高效能和高可靠性的應(yīng)用。它具有1200V的電壓額定值和40A的電流額定值，能夠提供低導(dǎo)通
2023-08-25 16:58:531477 
JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管，產(chǎn)品型號(hào)為 JHY140N120HA。產(chǎn)品外觀和內(nèi)部電路拓?fù)淙缦聢D所示。
2023-08-25 15:40:571056 
超高速視覺篩選機(jī)PCIe實(shí)時(shí)運(yùn)動(dòng)控制卡XPCIE1028
2023-08-22 09:31:24508 
新品用于高速開關(guān)應(yīng)用的1200VEasyDUALCoolSiCMOSFET增強(qiáng)型1代1200VCoolSiCMOSFET的EasyDUAL1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測(cè)
2023-07-31 16:57:59584 增強(qiáng)型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測(cè)NTC，并有使用預(yù)涂的熱界面材料（TIM）版本。
2023-07-28 14:22:44231 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI3EQX7741ST/PI3EQX7742ST源應(yīng)用程序中的超高速轉(zhuǎn)接驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-25 18:28:360 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI3EQX7701超高速USB電源應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-25 16:03:470 供應(yīng)ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動(dòng)芯片可代換IR2104，提供ID7U603SEC-R1關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-07-20 14:10:05
在此方向上，青桐資本項(xiàng)目伙伴「量芯微半導(dǎo)體（GaNPower）」（以下簡(jiǎn)稱「量芯微」）在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)1200V 硅基GaN HEMT的商業(yè)化量產(chǎn)，并于近日與泰克科技（Tektronix Inc.）合作進(jìn)行了器件測(cè)試。
2023-07-19 16:37:301366 
RJH1CM5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:500 RJH1CM6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:350 RJH1CM7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-07-12 19:18:220 RJH1CV7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-12 19:11:330 國(guó)產(chǎn)芯熾SC7508是一款超高速電流反饋型放大器，壓擺率高達(dá)5500V/μs，上升時(shí)間僅為545ps，因而非常適合用作脈沖放大器。
2023-06-20 14:22:53350 
的汽車驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)“充電五分鐘續(xù)航百公里”的效果。 ? 針對(duì)這一需求，士蘭微電子近期推出了一款高性能的汽車驅(qū)動(dòng)模塊——600A/1200V IGBT模塊（B3模塊）, 它能夠提升新能源汽車充電速度和行駛動(dòng)力，為用戶帶來更高的效率和更好
2023-06-20 11:36:48735 本產(chǎn)品說明展示了接近理論的理想因素和勢(shì)壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設(shè)計(jì)用于工作溫度> 225°C主要應(yīng)用于井下石油鉆井、航空航天和電動(dòng)汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
本應(yīng)用筆記介紹了達(dá)拉斯半導(dǎo)體DS89C430和DS89C450超高速微控制器的全新串行端口特性。增加時(shí)鐘倍頻器允許用戶選擇原始頻率四分之一的晶體，以產(chǎn)生相同的波特率并降低EMI。
2023-06-13 16:27:58421 
ROHM羅姆確立了一項(xiàng)超高速驅(qū)動(dòng)控制IC技術(shù)，利用該技術(shù)可更大程度地激發(fā)出GaN等高速開關(guān)器件的性能。近年來，GaN器件因其具有高速開關(guān)的特性優(yōu)勢(shì)而被廣泛采用，然而，如何提高控制IC（負(fù)責(zé)GaN器件的驅(qū)動(dòng)控制）的速度已成為亟需解決的課題。
2023-06-06 15:04:07439 /引言/英飛凌TRENCHSTOPIGBT7系列單管具有兩種電壓等級(jí)（650V&1200V）和三個(gè)系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列單管針對(duì)光儲(chǔ)、UPS、EVcharger、焊機(jī)
2023-05-31 16:51:27636 EiceDRIVER SOI系列誕生了首批1200V SOI半橋產(chǎn)品，用于高功率應(yīng)用，如商用HVAC、熱泵、伺服驅(qū)動(dòng)器、工業(yè)變頻器、泵和風(fēng)機(jī)（高達(dá)10kW）。
2023-05-18 16:18:24315 合作關(guān)系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續(xù)保持緊密合作，全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動(dòng)用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務(wù)執(zhí)行官 CFO 伊野和英 （左） 賽米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02938 
RJH1CM5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:590 RJH1CM6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:480 RJH1CM7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-05-15 20:25:300 RJH1CV7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 20:18:540 中，采用了羅姆的新產(chǎn)品—— 1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續(xù)保持緊密合作，全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動(dòng)用戶的需求。 ROHM Co., Ltd.董事 常務(wù)執(zhí)行官 CFO 伊野和英（左）賽米控丹佛斯 CEO Claus A. Petersen（右） 隨著全球電動(dòng)化技術(shù)的快速發(fā)展，對(duì)功
2023-04-26 15:27:11517 
。此次，賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續(xù)保持緊密合作，全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動(dòng)用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務(wù)執(zhí)行官?CFO 伊野和英 （左） ? 賽米控丹佛斯?
2023-04-26 09:17:51606 
隨著軌道列車運(yùn)行速度的不斷提升，現(xiàn)有的列車信號(hào)傳輸系統(tǒng)容易受到外部因素影響，造成信號(hào)傳輸?shù)牟环€(wěn)定和不準(zhǔn)確。 為減少超高速行駛環(huán)境對(duì)列車信號(hào)傳輸?shù)牟涣加绊懀琓XGA研發(fā)生產(chǎn)的混合型D-sub連接器
2023-04-25 10:18:51479 飛創(chuàng)【超高速·長(zhǎng)行程】直線電機(jī)模組總長(zhǎng)9500mm，有效行程9m，寬230mm，高110mm，額定運(yùn)行速度6m/s，最高運(yùn)行速度8m/s，負(fù)載≤5kg，使用1個(gè)動(dòng)子，水平安裝方式。
2023-04-07 11:22:24701 
雙路超高速大電流外設(shè)驅(qū)動(dòng)器
2023-04-06 21:54:46
USB - A USB 3.0，超高速 插座 連接器 9 位 通孔，垂直
2023-04-04 15:05:00
新品1200VTRENCHSTOPIGBT7H740-140A1200V的TRENCHSTOPIGBT7H7，TO-247封裝分立器件，旨在滿足光伏、不間斷電源和電池充電的應(yīng)用。產(chǎn)品特點(diǎn)得益于著名
2023-03-31 10:52:07472 新品1200VTRENCHSTOPIGBT7S78-120A1200V的TRENCHSTOPIGBT7S7，TO-247封裝分立器件，可快速、方便地替換上一代T2芯片產(chǎn)品系列產(chǎn)品型號(hào)：IGQ120N120S7IGQ100N120S7IGQ75N120S7IKQ120N120CS7IKQ75N120CS7IKZA40N120CS78-120A1200V的TRE
2023-03-31 10:49:58674 USB - A USB 3.0，超高速 插座 連接器 9 位 通孔，直角
2023-03-30 20:36:53
USB - A USB 3.0，超高速 插座 連接器 9 位 通孔，直角
2023-03-30 20:36:47
IGBT PHASELEG 1200V 43A SMPD
2023-03-29 15:28:38
IGBT 1200V 32A 125W SMPD
2023-03-29 15:28:15
IGBT 1200V 32A 125W SMPD
2023-03-29 15:28:11
IGBT MODULE 1200V 150A HEX
2023-03-29 15:14:46
IGBT MODULE 1200V 183A HEX
2023-03-29 15:14:45
IGBT MODULE 1200V 108A HEX
2023-03-29 15:14:42
IGBT MODULE 1200V 325A
2023-03-29 15:14:41
IGBT MODULE 1200V 108A HEX
2023-03-29 15:14:39
IGBT MODULE 1200V 183A QUAD
2023-03-29 15:14:37
IGBT MODULE 1200V 60A
2023-03-29 15:14:35
IGBT MODULE 1200V 84A
2023-03-29 15:14:35
IGBT MODULE 1200V 84A
2023-03-29 15:14:31
IGBT MODULE 1200V 250A
2023-03-29 15:14:30
IGBT MODULE 1200V 30A
2023-03-29 15:14:21
IGBT MODULE 1200V 40A
2023-03-29 15:14:21
IGBT MODULE 1200V 60A
2023-03-29 15:14:21
IGBT MODULE 1200V 30A
2023-03-29 15:14:15
IGBT MODULE 1200V 40A
2023-03-29 15:14:13
IGBT MODULE 1200V 12A HEX
2023-03-29 15:14:12
IGBT MODULE 1200V 40A
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IGBT MODULE 1200V 150A HEX
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IGBT MODULE 1200V 150A HEX
2023-03-29 15:14:11
IGBT MODULE 1200V 30A
2023-03-29 15:14:06
IGBT MODULE 1200V 30A
2023-03-29 15:14:06
IGBT MODULE 1200V 20A HEX
2023-03-29 15:14:05
IGBT MODULE 1200V 28A HEX
2023-03-29 15:14:03
IGBT MODULE 1200V 20A HEX
2023-03-29 15:14:02
IGBT MODULE 1200V 84A
2023-03-29 15:14:01
IGBT MODULE 1200V 12A HEX
2023-03-29 15:13:57
IGBT MODULE 1200V 12A HEX
2023-03-29 15:13:56
IGBT MODULE 1200V ISOPLUS247
2023-03-29 15:13:53
超高速接口靜電防護(hù)
2023-03-28 15:18:27
表面貼裝超高速整流器
2023-03-28 12:54:53
表面貼裝超高速整流器
2023-03-28 12:54:53
給大家解讀超高速電路設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)與廣義信號(hào)完整性(GSI)內(nèi)涵和走勢(shì)。
2023-03-27 08:55:331119 
超高速1T 8051內(nèi)核16路雙模觸控Flash MCU
2023-03-24 13:46:06
超高速1T 8051內(nèi)核16路雙模觸控Flash MCU
2023-03-24 13:41:41
超高速1T 8051內(nèi)核16路雙模觸控Flash MCU
2023-03-24 13:41:40
超高速1T 8051內(nèi)核16路雙模觸控Flash MCU
2023-03-24 13:41:40
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