電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>科銳推出新型碳化硅肖特基二極管

科銳推出新型碳化硅肖特基二極管

收藏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評(píng)論

查看更多

相關(guān)推薦

碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 (ZnO) 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49

深圳薩微slkor

二極管種類有很多,按照所用的半導(dǎo)體材料,可分為鍺?(Ge)和硅?(Si),現(xiàn)在也有用碳化硅做材料的二極管,美國(guó)的cree和深圳薩微slkor(www.slkoric.com)半導(dǎo)體推出
2024-03-05 14:23:46

二極管篇】二極管特性丨直流、交流、電流、轉(zhuǎn)換時(shí)間

在本教程中,我們將學(xué)習(xí)一些重要的二極管特性。通過(guò)研究這些二極管特性,您將對(duì)二極管的一般工作原理有更好的了解。 常用二極管特性 概述 ⊙電流公式 ⊙直流電阻 ⊙交流電阻 ⊙過(guò)度電容 ⊙擴(kuò)散電容 ⊙存儲(chǔ)
2024-01-25 18:01:01

碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅二極管碳化硅晶體管。由于其出色的性能,碳化硅功率器件在電動(dòng)汽車、可再生能源系統(tǒng)、智能電網(wǎng)、軌道交通等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
2024-01-09 09:26:49379

碳化硅肖特基二極管的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)材料因其出色的物理性能而備受關(guān)注。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中,碳化硅肖特基二極管作為一種重要
2023-12-29 09:54:29186

碳化硅器件領(lǐng)域,中外的現(xiàn)況如何?

導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要是通過(guò)在導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層,得到碳化硅外延片后進(jìn)一步加工制成,品種包括SBD(肖特基二極管)、MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)等,主要用于電動(dòng)汽車、光伏、軌道交通、數(shù)據(jù)中心、充電等基礎(chǔ)建設(shè)。
2023-12-27 10:08:56305

碳化硅二極管的優(yōu)點(diǎn)和局限性分析

碳化硅二極管的優(yōu)點(diǎn)和局限性分析 碳化硅(SiC)二極管是一種新型半導(dǎo)體材料,在高頻電源電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比,碳化硅二極管具有許多優(yōu)點(diǎn)和局限性。下面是對(duì)碳化硅二極管
2023-12-21 11:31:27408

碳化硅的5大優(yōu)勢(shì)

碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 09:47:33455

碳化硅和igbt的區(qū)別

和IGBT的區(qū)別。 1. 結(jié)構(gòu)差異: 碳化硅是一種化合物半導(dǎo)體材料,由碳原子和硅原子組成。它具有非常高的熔點(diǎn)和熱導(dǎo)性,使其在高溫和高功率應(yīng)用中具有出色的性能。碳化硅晶體管的結(jié)構(gòu)通常更復(fù)雜,由多個(gè)寄生二極管組成,因此其電子流動(dòng)路徑更復(fù)
2023-12-08 11:35:531782

光電二極管接到ADL5304,光電二極管偏置需要10V,是否必須雙電源供電?

光電二極管接到ADL5304,光電二極管偏置需要10V,是否必須雙電源供電?
2023-11-24 07:50:26

TOLL Schottky SKY 肖特基二極管,大電流應(yīng)用時(shí)的應(yīng)用注意事項(xiàng)

TOLL Schottky SKY 肖特基二極管,大電流應(yīng)用時(shí)的應(yīng)用注意事項(xiàng)! 48V PD3.1選用肖特基做240W,480W PD電源,48V 10A的注意事項(xiàng)Motive TMBS TOLL封裝肖特基紹 V1.2_頁(yè)面_3.jpg
2023-11-22 10:39:26

LLC電源 輸出次級(jí)側(cè)使用肖特基二極管產(chǎn)品整流

LLC電源 輸出次級(jí)側(cè)使用肖特基二極管產(chǎn)品整流 LLC次級(jí)側(cè)使用肖特基二極管產(chǎn)品,灌膠電源有優(yōu)秀的散熱效果
2023-11-20 21:36:35

GeneSiC的起源和碳化硅的未來(lái)

公司之一, GeneSiC 為政府機(jī)構(gòu)開發(fā)了尖端的碳化硅技術(shù)?, 重點(diǎn)關(guān)注性能和穩(wěn)健性, 并發(fā)布了幾代碳化硅二極管和 MOSFET 技術(shù),額定值高達(dá) 6.5 kV 在各種封裝中以及裸片. 2022年, 納微半導(dǎo)體收購(gòu)了GeneSiC半導(dǎo)體, 創(chuàng)建了業(yè)界唯一一家專注于SiC和GaN的純下一代功率半導(dǎo)體公司
2023-10-25 16:32:01603

穩(wěn)壓二極管并聯(lián)使用有什么問(wèn)題?

穩(wěn)壓二極管并聯(lián)使用,有什么問(wèn)題
2023-10-17 07:18:20

碳化硅二極管器件在電子領(lǐng)域中有何優(yōu)勢(shì)

碳化硅材料的半導(dǎo)體,雖然隨著技術(shù)的發(fā)展,目前碳化硅的成本已經(jīng)下降了不少,但按市場(chǎng)性價(jià)比來(lái)看,同類型的硅材料與碳化硅半導(dǎo)體器件的價(jià)格相差十倍以上。碳化硅單晶可用于制造晶體管(二極管和晶體管)。由于
2023-10-09 17:00:45275

【轉(zhuǎn)帖】華潤(rùn)微碳化硅/SiC SBD的優(yōu)勢(shì)及其在Boost PFC中的應(yīng)用

,有助于滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。 、 SiC的性能優(yōu)勢(shì) 1、SiC SBD可將耐壓提高到3.3kV,極大擴(kuò)展了SBD的應(yīng)用范圍 肖特基二極管
2023-10-07 10:12:26

#電路知識(shí) #二極管 #SiC碳化硅 1分鐘帶你了解碳化硅二極管的優(yōu)勢(shì)!

二極管電路
深圳市浮思特科技有限公司發(fā)布于 2023-09-28 17:01:37

二極管反向恢復(fù)速度怎么測(cè)試?

二極管是單向?qū)?,那么反向恢?fù)時(shí)間是什么,需要怎么測(cè)試
2023-09-27 07:51:57

碳化硅新型功率器件的優(yōu)缺點(diǎn)

碳化硅(SiC)MOS管作為一種新型功率器件,與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,在某些特定條件下具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),但也存在一定的不足。KeepTops告訴你碳化硅MOS管的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
2023-09-26 16:59:07474

混合碳化硅分立器件的特性與優(yōu)點(diǎn)

IGBT分立器件一般由IGBT和續(xù)流二極管(FWD)構(gòu)成,續(xù)流二極管按材料可分為硅材料和碳化硅材料,按照器件結(jié)構(gòu)可分為PIN二極管肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)。材料與結(jié)構(gòu)兩兩組合就形成了4種結(jié)果
2023-09-22 10:26:25205

針對(duì)要求嚴(yán)苛的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用推出先進(jìn)的 650 V 碳化硅二極管

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管,主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應(yīng)用。10 A、650
2023-09-22 09:25:32260

碳化硅SiC功率器件,全球市場(chǎng)總體規(guī)模,前三十大廠商排名及市場(chǎng)份額

本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件,功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊(SiC MOSFET Module),分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管(主要是碳化硅肖特二極管)。
2023-09-08 11:30:451805

二極管電流方向

  二極管的電流方向是從正極流向負(fù)極。   就是從二極管PN結(jié)的P區(qū)流向N區(qū),在電路圖中,二極管“三角形”所指示的方向就是它的正向電流方向。發(fā)光二極管的電流方向與電路的電流方向是一致的。并不矛盾
2023-09-06 17:37:23

功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案

功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案,議程分為:功率分立器件概覽 、 IGBT產(chǎn)品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業(yè)電源中的應(yīng)用和總結(jié)八個(gè)部分。
2023-09-05 06:13:28

不同類型的碳化硅功率器件

目前市場(chǎng)上出現(xiàn)的碳化硅半導(dǎo)體包括的類型相對(duì)較多,常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)、晶體管、晶閘管、結(jié)算場(chǎng)、效應(yīng)晶體管等等這些不同類型的碳化硅器件,單元結(jié)構(gòu)和漂移區(qū)參雜以及厚度之間存在較為明顯的差異。那么下文主要針對(duì)不同類型的碳化硅功率器件的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行分析。
2023-08-31 14:14:22285

安世半導(dǎo)體熱插拔MOSFET與碳化硅二極管入圍年度功率半導(dǎo)體

和管理者。今年,Nexperia(安世半導(dǎo)體)的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產(chǎn)品現(xiàn)已雙雙入圍年度功率半導(dǎo)體! 采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET) 同時(shí)
2023-08-28 15:45:311140

碳化硅 SiC 可持續(xù)發(fā)展的未來(lái) #碳化硅 #SiC #MCU #電子愛好者

工業(yè)控制碳化硅
Asd666發(fā)布于 2023-08-10 22:08:03

碳化硅二極管與硅相比的八大優(yōu)勢(shì)

寬帶隙半導(dǎo)體使許多以前使用硅(Si)無(wú)法實(shí)現(xiàn)的高功率應(yīng)用成為可能。本博客比較了兩種材料的特性,并說(shuō)明了為什么碳化硅二極管(SiC)在多個(gè)指標(biāo)上具有明顯的優(yōu)勢(shì)。
2023-08-04 11:04:17480

CPW6-1200-Z050A是一款二極管

1200 V、50 A、第 6 代裸片 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 Gen 6 系列高電壓、高性能 Z-Rec ?碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用無(wú)封裝裸芯片格式,可
2023-07-31 10:15:57

C6D25170H是一款二極管

??1700V,25A,至247-2包件,第六代離散的斯-肖特基二極管沃爾夫斯派特的1700V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的效率標(biāo)準(zhǔn)高于標(biāo)準(zhǔn)硅溶液,同時(shí)達(dá)到更高的頻率和功率密度。碳化硅肖特基
2023-07-27 10:22:00

C6D10170H是一款二極管

1700V,10A,至247-2包件,第六代離散的斯-肖特基二極管沃爾夫斯派特的1700V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的效率標(biāo)準(zhǔn)高于標(biāo)準(zhǔn)硅溶液,同時(shí)達(dá)到更高的頻率和功率密度。碳化硅肖特基二極管
2023-07-27 10:19:54

C6D05170H是一款二極管

1700V,5A,至247-2包件,第6代離散的斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1700V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的效率標(biāo)準(zhǔn)高于標(biāo)準(zhǔn)硅溶液,同時(shí)達(dá)到更高的頻率和功率密度。碳化硅肖特基二極管可以很
2023-07-27 10:17:56

C4D40120D是一款二極管

1200V型,40A型,至247-3型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障
2023-07-27 10:16:08

C4D40120H是一款二極管

1200V,40A,至247-2包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的C4D40120H是一個(gè)1200V離散碳化硅肖特基二極管(40A),其特點(diǎn)是MPS(合并PIN肖特基)設(shè)計(jì),是更強(qiáng)大和可靠
2023-07-27 10:14:00

C4D30120D是一款二極管

1200V型,30A型,至247-3型包件,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障
2023-07-27 09:58:50

C4D30120H是一款二極管

1200V型,30A型,至247-2型包,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的C4D30120H是一個(gè)1200V離散碳化硅肖特基二極管(30A),其特點(diǎn)是MPS(合并PIN肖特基)設(shè)計(jì),是更強(qiáng)
2023-07-27 09:46:22

E4D20120G是一款二極管

1200V型,20A型,-263-2型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障
2023-07-27 09:44:25

C4D20120A是一款二極管

1200V,20A,到220-2包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管
2023-07-27 09:40:47

C4D20120D是一款二極管

1200V型,20A型,至247-3型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障
2023-07-27 09:34:59

C4D20120H是一款二極管

1200V型,20A型,至247-2型包件,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障
2023-07-27 09:32:48

E4D20120D是一款二極管

1200V型,20A型,至247-3型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障
2023-07-27 09:30:31

C4D15120A是一款二極管

1200V型,15A型,到220-2型包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障
2023-07-27 09:14:59

C4D15120D是一款二極管

1200V型,15A型,至247-3型包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障
2023-07-27 09:11:43

C4D15120H是一款二極管

1200V型,15A型,至247-2型包,第4代離散的SCHHOSTKY二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)
2023-07-27 09:09:11

C4D10120A是一款二極管

1200V型,10A型,到220-2型包件,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管碳化硅 建立一個(gè)強(qiáng)大的組合,提高效率和降低組件價(jià)格
2023-07-26 17:49:42

C4D10120D是一款二極管

1200V型,10A型,至247-3型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障
2023-07-26 17:46:42

C4D10120E是一款二極管

1200V型,10A型,到252-2型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管碳化硅 建立一個(gè)強(qiáng)大的組合,提高效率和降低組件價(jià)格
2023-07-26 17:43:35

C4D10120H是一款二極管

1200V型,10A型,至247-2型包件,第4代離散性肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管碳化硅建立一個(gè)強(qiáng)大的組合,提高效率和降低組件價(jià)格 
2023-07-26 17:41:29

C4D08120A是一款二極管

1200V,8A,到220-2包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管碳化硅 建立一個(gè)強(qiáng)大的組合,提高效率和降低組件價(jià)格
2023-07-26 17:30:11

C4D08120E是一款二極管

1200V,8A,到252-2包件,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管碳化硅 建立一個(gè)強(qiáng)大的組合,提高效率和降低組件價(jià)格
2023-07-26 17:27:50

C4D05120A是一款二極管

1200V,5A,到220-2包件,第4代離散的斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管碳化硅建立一個(gè)強(qiáng)大的組合,提高效率和降低組件價(jià)格,
2023-07-26 17:25:50

C4D05120E是一款二極管

1200V型,5A型,至252-2型包件,第4代分離式肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將高速碳化硅二極管碳化硅建立一個(gè)強(qiáng)大的組合,提高效率和降低組件價(jià)格. 
2023-07-26 17:23:39

C4D02120A是一款二極管

1200V,2A-220-2包件,第4代離散S肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將
2023-07-26 17:19:54

C4D02120E是一款二極管

1200V,2A,至252-2包,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將
2023-07-26 17:17:31

E4D02120E是一款二極管

1200V,2A,至252-2包,第4代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特的1200V離散碳化硅(SIC)肖特基二極管的特點(diǎn)是MPS(合并的PIN肖特基)設(shè)計(jì),這是更強(qiáng)大和可靠的標(biāo)準(zhǔn)肖特基屏障二極管。將
2023-07-26 17:15:10

C3D20060D是一款二極管

600 V、20 A、TO-247-3 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比
2023-07-25 10:50:38

C3D16060D是一款二極管

600 V、16 A、TO-247-3 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比
2023-07-25 10:46:45

C3D10060A是一款二極管

600 V、10 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比
2023-07-25 10:39:12

C3D10060G是一款二極管

600 V、10 A、TO-263-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比
2023-07-25 10:29:01

C3D08060A是一款二極管

600 V、8 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比
2023-07-25 10:24:29

C3D08060G是一款二極管

600 V、8 A、TO-263-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比
2023-07-25 10:21:52

C3D06060A是一款二極管

600 V、6 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比
2023-07-25 10:17:04

C3D06060F是一款二極管

600 V、6 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比
2023-07-25 10:14:55

C3D06060G是一款二極管

600 V、6 A、TO-263-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比
2023-07-25 10:12:16

C3D04060A是一款二極管

600 V、4 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比
2023-07-25 10:09:36

C3D04060F是一款二極管

600 V、4 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比
2023-07-25 10:07:08

C3D04060E是一款二極管

600 V、4 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比
2023-07-25 09:51:09

C3D03060A是一款二極管

600 V、3 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比
2023-07-25 09:21:52

C3D03060F是一款二極管

600 V、3 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比
2023-07-25 09:18:50

C3D03060E是一款二極管

600 V、3 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比
2023-07-24 17:45:09

C3D02060A是一款二極管

600 V、2 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比
2023-07-24 17:42:41

C3D02060F是一款二極管

600 V、2 A、TO-220-F2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比
2023-07-24 17:37:00

C3D02060E是一款二極管

600 V、2 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比
2023-07-24 17:32:22

CSD01060A是一款二極管

 600 V、1 A、TO-220-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基
2023-07-24 17:29:42

CSD01060E是一款二極管

600 V、1 A、TO-252-2 封裝、第 3 代分立 SiC 肖特基二極管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS(合并 PiN 肖特基)設(shè)計(jì),比
2023-07-24 17:23:06

AMEYA360:八英寸碳化硅成中外廠商必爭(zhēng)之地!#碳化硅

碳化硅
jf_81091981發(fā)布于 2023-07-13 11:39:58

MSM06065G1碳化硅二極管,耐壓650V 6A DFN5*6封裝

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1碳化硅二極管,耐壓650V 6A DFN5*6封裝,原裝,庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷 美浦森推出碳化硅二極管具有更高的過(guò)電壓安全裕量,可提升全負(fù)載條件下
2023-07-05 16:00:20

MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管,原裝,庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷MSM06065G1  品牌:美浦森  封裝:DFN5*6
2023-07-05 15:54:11

MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二極管DFN5*6

深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二極管DFN5*6,原裝,庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷 MSM06065G1  品牌:美浦森  封裝:DFN5
2023-07-05 15:50:06

肖特基二極管介紹

二極管
YS YYDS發(fā)布于 2023-06-21 22:45:55

GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管可實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)瞬變

SiC JBS二極管提供卓越的功能,包括但不限于高溫操作,高阻斷電壓和快速開關(guān)能力。本文檔介紹高級(jí)交換與SiC肖特基二極管相比,GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39

具有溫度不變勢(shì)壘高度和理想因數(shù)的GeneSiC 1200V SiC肖特基二極管

本產(chǎn)品說(shuō)明展示了接近理論的理想因素和勢(shì)壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管,設(shè)計(jì)用于工作溫度> 225°C主要應(yīng)用于井下石油鉆井、航空航天和電動(dòng)汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24

碳化硅肖特基二極管的原理及應(yīng)用

碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件,具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應(yīng),即在金屬與半導(dǎo)體接觸處形成一個(gè)肖特基勢(shì)壘,使得半導(dǎo)體中的載流子向金屬一側(cè)偏移,形成整流效應(yīng)。
2023-06-07 17:10:34800

碳化硅肖特基二極管的原理及應(yīng)用

碳化硅肖特基二極管(Silicon Carbide Schottky Diode)是一種高性能半導(dǎo)體器件,具有低開啟電壓、高速開關(guān)、高溫性能等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于電源、驅(qū)動(dòng)、逆變器、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域。
2023-06-04 16:09:002089

碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180

碳化硅二極管是什么

碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性,因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點(diǎn),廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域,如電源、變頻器、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車等。
2023-06-02 14:10:32747

碳化硅功率模組有哪些

碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專業(yè)讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場(chǎng),以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì),感謝各位
2023-05-31 09:43:20390

瀚薪科技完成B輪融資,已出貨碳化硅二極管、MOSFET超3000萬(wàn)顆

根據(jù)公司披露:上海瀚薪具備多年的車規(guī)級(jí)SiC肖特基二極管與SiC MOSFET研發(fā)及量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。量產(chǎn)產(chǎn)品均在各市場(chǎng)龍頭企業(yè)得到認(rèn)可并大批量出貨。碳化硅二極管涵蓋650V、1200V和1700V電壓范圍
2023-05-25 10:34:27903

碳化硅肖特基二極管的基本原理

在典型的二極管中,p-n結(jié)由p型和n型半導(dǎo)體組合而成。然而,肖特基二極管是不同的:使用金屬代替p型半導(dǎo)體。然后,你有一個(gè)被稱為肖特基勢(shì)壘的m-s結(jié),而不是p-n結(jié)(這是這些二極管得名的地方)。
2023-05-24 11:19:54506

麗智芯片肖特基二極管-阻容1號(hào)

本帖最后由 jf_31420921 于 2023-5-23 14:51 編輯 肖特基二極管(Schottky Diode)是一種電子器件,因其具有低電壓降和快速開關(guān)速度而廣泛應(yīng)用于電源電路
2023-05-23 14:47:57

使用SpeedFit 2.0設(shè)計(jì)模擬器快速啟動(dòng)基于碳化硅的設(shè)計(jì)

了解電源中碳化硅 (SiC) MOSFET 和肖特基二極管的在線行為是設(shè)計(jì)過(guò)程中的關(guān)鍵組件。與硅基技術(shù)相比,作為一項(xiàng)相對(duì)較新的技術(shù),可視化這些碳化硅組件的性能可以幫助設(shè)計(jì)人員更輕松地利用這項(xiàng)技術(shù)。
2023-05-20 17:02:261014

碳化硅肖特基二極管B2D60120H1性能優(yōu)勢(shì)

碳化硅的RDS(ON)較低,因而開關(guān)損耗也較低,通常比硅低100倍?;?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅的肖特基二極管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限,成為新能源及電力電子的首選器件。
2023-05-18 12:46:40277

碳化硅肖特基二極管B1D06065KS在PFC電路中的應(yīng)用有哪些?

年來(lái)碳化硅材料應(yīng)用于電子設(shè)備技術(shù)有了長(zhǎng)足的發(fā)展,碳化硅材料比通用硅有更突出的優(yōu)點(diǎn)
2023-05-05 17:00:1195

二極管單向?qū)щ娛侵鸽娏髦荒軓?b class="flag-6" style="color: red">二極管一端流出嗎?

二極管單向?qū)щ娛侵鸽娏髦荒軓?b class="flag-6" style="color: red">二極管一端流出嗎?單向?qū)щ姷挠猛臼鞘裁茨兀?
2023-05-05 09:49:20

正向整流二極管和反向整流二極管作用是否一樣呢?

正向整流二極管和反向整流二極管作用是否一樣呢?
2023-05-05 09:46:10

Nexperia(安世半導(dǎo)體)針對(duì)要求嚴(yán)苛的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用推出先進(jìn)的650 V碳化硅二極管

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管,主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應(yīng)用。10 A、650
2023-04-20 15:55:361319

Nexperia針對(duì)要求嚴(yán)苛的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用推出先進(jìn)的650 V碳化硅二極管

合并PIN肖特基結(jié)構(gòu)可帶來(lái)更高的穩(wěn)健性和效率 ? 奈梅亨, 2023 年 4 月 20 日: 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管
2023-04-20 09:39:30796

碳化硅肖特基二極管B1D06065KS在PFC電路中的應(yīng)用

能力是硅的2~3倍。用碳化硅制成的肖特基二極管具有正溫度系數(shù)及反向恢復(fù)時(shí)間接近零的特點(diǎn),使得在PFC電路(功率因數(shù)校正)上的MOSFET開通損耗減少,效率得到進(jìn)一步的提升。
2023-04-17 16:36:42384

碳化硅SiC MOSFET:低導(dǎo)通電阻和高可靠性的肖特基勢(shì)壘二極管

Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體(MOSFET),其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)排列成格子花紋(check-pattern embedded SBD),以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18

C3D10065E

碳化硅肖特基二極管
2023-03-27 13:51:50

已全部加載完成