近期，2家臺(tái)灣企業(yè)正在加速推進(jìn)其SiC模塊工廠的建設(shè)
2024-03-18 10:52:32
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利用 SiC 功率器件開(kāi)關(guān)頻率高、開(kāi)關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對(duì)軟硬件進(jìn)行設(shè)計(jì)。
2024-03-13 14:31:4667 
為滿(mǎn)足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來(lái)并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03376 
IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
2024-03-08 10:11:40496 
和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開(kāi)關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時(shí)也給SiC功率器件的互連封裝帶來(lái)了挑戰(zhàn)。
2024-03-07 14:28:43103 
采用多芯片并聯(lián)的SiC功率模塊，會(huì)產(chǎn)生較嚴(yán)重的電磁干擾和額外損耗，無(wú)法發(fā)揮SiC器件的優(yōu)良性能；SiC功率模塊雜散參數(shù)較大，可靠性不高。 （2）SiC功率高溫封裝技術(shù)發(fā)展滯后。
2024-03-04 10:35:49130 
在高壓600V，額定電流10A的壓縮機(jī)電機(jī)控制中，IGBT經(jīng)常燒壞，主要有哪些原因?qū)е滤鼡p壞。
2024-02-22 17:58:38
安全可靠的運(yùn)行帶來(lái)影響。因此針對(duì)基于SiC MOSFET的儲(chǔ)能變流器功率單元，重點(diǎn)研究了其低感設(shè)計(jì)和散熱設(shè)計(jì)方法，并提出了功率單元的整體設(shè)計(jì)方案。通過(guò)優(yōu)化疊層母排的結(jié)構(gòu)，將高壓交流模塊與低壓直流模塊
2024-02-22 09:39:26435 
SiC MOSFET模塊目前廣泛運(yùn)用于新能源汽車(chē)逆變器、車(chē)載充電、光伏、風(fēng)電、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域[2-9] ，展示了新技術(shù)的優(yōu)良特性。
2024-02-19 16:29:22206 
ADRS1000是一款由Addvalue和AVI聯(lián)合開(kāi)發(fā)的直接采樣可重構(gòu)無(wú)線通信模塊（SOM）。
2024-01-03 14:19:29167 
關(guān)鍵技術(shù)-SiC門(mén)驅(qū)動(dòng)回路/電容器
通過(guò)SiC門(mén)驅(qū)動(dòng)回路優(yōu)化設(shè)計(jì)提升性能和強(qiáng)化保護(hù)功能通過(guò)采用電容器P-N BUSBAR疊層設(shè)計(jì)減少寄生電感
2024-01-02 11:36:24116 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候，常說(shuō)的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 摘 要：針對(duì)Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問(wèn)題，給出了Boost電路中功率模塊熱損耗的估算方法，并提供了具體的估算公式。以30kW DC/DC變換器為研究對(duì)象，對(duì)功率模塊
2023-12-14 09:37:05471 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08242 
1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報(bào)告
2023-12-05 14:34:46210 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）近日理想汽車(chē)在招聘信息中披露，公司在新加坡成立功率器件研發(fā)辦公室，目前公開(kāi)四個(gè)技術(shù)崗，包括SiC功率模塊失效分析/物理分析專(zhuān)家、SiC功率模塊工藝專(zhuān)家、SiC功率模塊
2023-12-04 06:47:00820 SiC FET神應(yīng)用，在各種領(lǐng)域提高功率轉(zhuǎn)換效率
2023-11-30 09:46:11151 
2023年11月，日本三菱電機(jī)、安世半導(dǎo)體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開(kāi)發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。
2023-11-25 16:50:53451 雖然是同一電力半導(dǎo)體公司，但是三菱電機(jī)與安世半導(dǎo)體的另一個(gè)焦點(diǎn)、電子電力半導(dǎo)體為中心的“各離散元件的組合”，高性能sic模塊產(chǎn)品的信賴(lài)性的性能提供業(yè)界名聲；onse半導(dǎo)體元件的開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)、認(rèn)證領(lǐng)域具有幾十年的豐富經(jīng)驗(yàn)。目前還提供高品質(zhì)的寬帶配件。
2023-11-24 12:28:54282 SiC驅(qū)動(dòng)器模塊具有較低的功耗、高溫運(yùn)行能力和快速開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)勢(shì)，使其在下一代功率器件中有著廣闊的應(yīng)用前景。SiC驅(qū)動(dòng)器模塊可以用于電動(dòng)車(chē)的電力系統(tǒng)、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、工業(yè)電力電子裝置和航空航天
2023-11-16 15:53:30257 
三菱電機(jī)今天宣布，將與安世半導(dǎo)體建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)面向電力電子市場(chǎng)的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體。
2023-11-15 15:25:52473 
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)發(fā)布了ACEPACK DMT-32系列碳化硅(SiC)功率模塊，采用方便的32引腳雙列直插式模制通孔封裝，適用于汽車(chē)應(yīng)用。針對(duì)車(chē)載充電器 (OBC
2023-11-14 15:48:49356 美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強(qiáng)型第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 本文將詳細(xì)介紹各大主機(jī)廠在SIC/IGBT模塊上的布局，以及現(xiàn)在的產(chǎn)能應(yīng)用情況等，探討車(chē)企大規(guī)模進(jìn)入功率半導(dǎo)體行業(yè)背后的原因，助力車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的健康持續(xù)發(fā)展。
2023-11-02 11:40:30296 
中國(guó)– 意法半導(dǎo)體發(fā)布了ACEPACK?DMT-32系列車(chē)規(guī)碳化硅(SiC)功率模塊，新系列產(chǎn)品采用便捷的 32 引腳雙列直插通孔塑料封裝，目標(biāo)應(yīng)用是車(chē)載充電機(jī)(OBC)、DC/DC直流變壓器、油液
2023-10-30 16:03:10262 －通孔式小型封裝有助于減小表貼面積和電機(jī)電路板尺寸－ ? 中國(guó)上海， 2023 年 10 月 26 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件
2023-10-27 16:18:50791 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation?("Toshiba")推出了兩款600V小型智能功率器件(IPD)產(chǎn)品，適用于空調(diào)、空氣凈化
2023-10-27 11:13:00301 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
2023-10-27 11:05:54657 
1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求
2、車(chē)規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來(lái)模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法
2023-10-27 11:00:52419 
改變功率模塊市場(chǎng)。通過(guò)用寬帶隙碳化硅（SiC）取代標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體中使用的硅，它們有可能將半導(dǎo)體功率模塊的適用性擴(kuò)展到更高功率、更高溫度的用例。 碳化硅不辜負(fù)其高期望，到2026年占據(jù)功率模塊市場(chǎng)25%的份額 ^1^ ，開(kāi)發(fā)人員將不得不克服幾個(gè)挑戰(zhàn)。首先，他們
2023-10-23 16:49:36372 
三菱電機(jī)將投資Coherent的新SiC業(yè)務(wù)； 旨在通過(guò)與Coherent的縱向合作來(lái)發(fā)展SiC功率器件業(yè)務(wù)。 三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2023年10月10日）宣布已與Coherent達(dá)成協(xié)議，將SiC
2023-10-18 19:17:17368 解更多公司，建議查詢(xún)相關(guān)網(wǎng)站。 sic功率半導(dǎo)體技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化 SIC功率半導(dǎo)體技術(shù)的成果轉(zhuǎn)化可以通過(guò)以下途徑實(shí)現(xiàn)： 與現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)合作：尋找現(xiàn)有的使用SIC功率半導(dǎo)體技術(shù)的企業(yè)，與他們合作，共同研究開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品，將技術(shù)轉(zhuǎn)化為商業(yè)化
2023-10-18 16:14:30586 功率分立器件通常用于低功率/低電壓應(yīng)用，其功率從毫瓦級(jí)別到上千瓦，電壓從1伏以下到600伏以上。功率模塊有最大的應(yīng)用范圍，從幾百瓦到兆瓦級(jí)，從48伏到幾千伏，涵蓋消費(fèi)電子、工業(yè)控制、新能源汽車(chē)、交通運(yùn)輸、高鐵、發(fā)電變電輸電儲(chǔ)能等眾多領(lǐng)域。
2023-10-12 12:44:27218 
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686 
的SiC SBD產(chǎn)品，Comp. A是國(guó)際一品牌同規(guī)格SiC SBD產(chǎn)品，而Comp. B是國(guó)際一線品牌的Si FRD。常溫下，在整個(gè)功率范圍內(nèi)，CR Micro和Comp. A的SiC SBD效率相當(dāng)
2023-10-07 10:12:26
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:50
0 基于峰岹的FU6813主控芯片和智能功率模塊SPE10S60F-A（600V/10A）的波輪洗衣機(jī)控制方案，F(xiàn)U6813是一款集成電機(jī)控制引擎(ME)和8051內(nèi)核的高性能電機(jī)驅(qū)動(dòng)專(zhuān)用芯片，內(nèi)置高
2023-09-20 17:03:22
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14351 本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件，功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊（SiC MOSFET Module），分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管（主要是碳化硅肖特二極管）。
2023-09-08 11:30:451805 
據(jù)沃爾沃汽車(chē)集團(tuán)政府消息，臻驅(qū)科技投資由力沃爾沃汽車(chē)科技基金在電子領(lǐng)域；特別是碳化硅電力模塊領(lǐng)域投資的第一個(gè)項(xiàng)目投資直接力量沃爾沃汽車(chē)電子和流域年均功率能力提高和開(kāi)發(fā)效率
2023-09-08 10:58:20306 賽晶科技表示，為電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用量身定做的HEEV封裝SiC模塊，導(dǎo)通阻抗低至1.8mΩ（@25℃），可用于高達(dá)250kW電驅(qū)系統(tǒng)，并滿(mǎn)足電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)對(duì)高功率、小型化和高可靠性功率的需求。
2023-09-02 09:42:41316 
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布， 推出業(yè)界首款 [1] 2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊—“ MG250YD2YMS3
2023-08-31 17:40:07254 
中國(guó)上海， 2023 年 8 月 29 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3
2023-08-29 15:26:55903 
去年，功率 SiC 市場(chǎng)宣布了一系列具有影響力的合作，有趣的是，不僅是在之前看到的晶圓和材料層面，而是在整個(gè)功率 SiC 生態(tài)系統(tǒng)中。
2023-08-25 17:35:49984 
?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（下稱(chēng)“Toshiba”）推出了兩款適用于直流無(wú)刷電動(dòng)機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域的600V小型智能功率元件(IPD
2023-08-25 11:20:34496 范圍內(nèi)控制必要的p型、n型，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:581144 
器件描述：漏源電壓（Vdss）：600V 連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：4A(Tc) 柵源極閾值電壓：4.5V @ 50uA 漏源導(dǎo)通電阻：2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散
2023-08-21 10:49:56
8月3日，致瞻科技與韓國(guó)知名企業(yè)INTECH FA舉行了戰(zhàn)略合作協(xié)議簽署儀式，雙方就加深合作達(dá)成一致，共同致力于將碳化硅功率模塊，新能源車(chē)電驅(qū)和新型高功率密度電源模塊等行業(yè)領(lǐng)先的產(chǎn)品推向韓國(guó)、日本、東南亞、以及北美市場(chǎng)。
2023-08-08 10:44:44336 供應(yīng)ID5S609SEC-R1 600V高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片可代換IR2304，提供id5s609芯片資料關(guān)鍵參數(shù) ，廣泛應(yīng)用于中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)、半橋功率逆變器
2023-07-20 14:20:134 供應(yīng)ID7U603SEC-R1 600V半橋MOS柵極驅(qū)動(dòng)IC，提供ID7U603規(guī)格書(shū)關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-07-20 14:11:044 供應(yīng)ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動(dòng)芯片可代換IR2104，提供ID7U603SEC-R1關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-07-20 14:10:05
RJS6005TDPP-EJ 數(shù)據(jù)表 (600V - 15A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-07-13 18:54:020 RJS6004TDPP-EJ 數(shù)據(jù)表 (600V - 10A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-07-13 18:53:520 RJS6004WDPK 數(shù)據(jù)表 (600V - 20A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-07-13 18:51:450 RJS6005WDPK 數(shù)據(jù)表 (600V - 30A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode )
2023-07-13 18:49:070 同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復(fù)時(shí)間和業(yè)界超低導(dǎo)通電阻，可進(jìn)一步降低工業(yè)設(shè)備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產(chǎn)品陣容中又新增
2023-07-12 12:10:08437 所提出的穩(wěn)壓器的主要技術(shù)功能是穩(wěn)壓。它能夠?qū)?至600Vdc的輸入電壓穩(wěn)定為100至560Vdc，最大電流為800mAdc，最大功耗為100W。該裝置還具有良好的穩(wěn)定性，在恒定輸入電壓0分鐘后穩(wěn)定性小于1.15%，并且抑制輸入紋波大于60dB。
2023-07-07 15:32:081461 
的MOSFET系統(tǒng)快一個(gè)數(shù)量級(jí)）。假設(shè)典型的600V高壓軌，這會(huì)導(dǎo)致（600V/5ns）= 120kV/μs的開(kāi)關(guān)瞬態(tài)。
2023-06-28 14:33:33275 
20+場(chǎng)報(bào)告，涵蓋材料、封裝、應(yīng)用和技術(shù)趨勢(shì)4大板塊。 當(dāng)前各大車(chē)企及Tier1均已布局或采用SiC功率器件與模塊，以提高補(bǔ)電效率和續(xù)航里程，但同時(shí)也帶來(lái)了新的技術(shù)挑戰(zhàn)。如SiC器件導(dǎo)入如何提高效率
2023-06-27 16:06:52586 
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開(kāi)關(guān)能力。本文檔介紹高級(jí)交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
GeneSiC高速高壓SiC驅(qū)動(dòng)大功率創(chuàng)新
2023-06-16 11:08:58
三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2023年6月13日）宣布，將于6月14日開(kāi)始提供工業(yè)設(shè)備用NX封裝全SiC功率半導(dǎo)體模塊的樣品。該模塊降低了內(nèi)部電感，并集成了第二代SiC芯片，有望幫助實(shí)現(xiàn)更高效、更小型、更輕量的工業(yè)設(shè)備。
2023-06-15 11:16:28748 線。該器件采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開(kāi)關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開(kāi)始批量出貨。 ? ? 通過(guò)對(duì)柵極設(shè)計(jì)和工藝進(jìn)行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的
2023-06-13 16:38:50712 
三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2023年6月1日）宣布，其開(kāi)發(fā)出一種集成SBD的SiC-MOSFET新型結(jié)構(gòu)，并已將其應(yīng)用于3.3kV全SiC功率模塊——FMF800DC-66BEW，適用于鐵路、電力系統(tǒng)等大型
2023-06-09 11:20:09365 
近日，賽晶首款車(chē)規(guī)級(jí)SiC模塊——HEEV封裝SiC模塊亮相德國(guó)紐倫堡電子展（PCIM Europe 2023)，引發(fā)國(guó)內(nèi)外與會(huì)專(zhuān)家、客戶(hù)的廣泛關(guān)注。HEEV封裝SiC模塊來(lái)自高效電動(dòng)汽車(chē)模塊平臺(tái)
2023-05-31 16:49:15351 
隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，硅碳化物（SiC）功率模塊逐漸在各領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。SiC功率模塊具有優(yōu)越的電性能、熱性能和機(jī)械性能，為高性能電子設(shè)備提供了強(qiáng)大的支持。本文將重點(diǎn)介紹SiC功率模塊的封裝技術(shù)及其在實(shí)際應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。
2023-04-23 14:33:22840 
碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161468 ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 供應(yīng)ups逆變器igbt單管SGT60N60FD1P7 ，提供SGT60N60FD1P7 600v 60a規(guī)格書(shū)參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-04 10:39:344 供應(yīng)ups逆變器中的igbt管600v 60a SGT60N60FD1P7，是士蘭微IGBT代理，提供SGT60N60FD1P7關(guān)鍵參數(shù) ，可應(yīng)用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-04 10:37:48
供應(yīng)電機(jī)常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A，提供SGTP50V60FD2PU關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 17:24:105 供應(yīng)50a 600v igbt 驅(qū)動(dòng)電路SGTP50V60FD2PF，提供SGTP50V60FD2PF關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 17:15:592 供應(yīng)IGBT 50A 600V 型號(hào)SGTP50V60FD2PF-士蘭微驅(qū)動(dòng)電機(jī)igbt，提供SGTP50V60FD2PF關(guān)鍵參數(shù) ，可應(yīng)用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域， 更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 17:14:31
供應(yīng)igbt伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)管SGT30T60SD3PU 600V、30A，是士蘭微IGBT代理商，提供SGT30T60SD3PU關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 17:07:50
供應(yīng)600v 30a igbt模塊直流充電機(jī)SGT30T60SD1FD代換IGP15T60F，提供SGT30T60SD1FD代換IGP15T60F關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 16:15:051 供應(yīng)IGP15T60F替代料SGT30T60SD1FD 600v 30a PFC電路igbt，提供SGT30T60SD1FD關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 16:13:31
供應(yīng)全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7，提供SGT20T60SDM1P7關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 16:02:491 供應(yīng)士蘭微焊機(jī)IGBT單管 驅(qū)動(dòng)SGT20T60SDM1P7 20A、600V參數(shù)，提供SGT20T60SDM1P7 關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 16:01:10
供應(yīng)SGT20T60SD1F 20A、600V igbt單管開(kāi)關(guān)逆變器，提供SGT20T60SD1F關(guān)鍵參數(shù) ，是士蘭微IGBT代理商，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微 電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 15:40:25
供應(yīng)士蘭微igbt 600V 20a SGT20T60SD1S用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)的igbt晶體管，提供SGT20T60SD1S關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 15:27:47
供應(yīng)士蘭微igbt SGT15T60SD1S 600v 15a單相半橋逆變，提供SGT15T60SD1S igbt關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 15:22:02
供應(yīng)igbt單管逆變焊機(jī)SGTP5T60SD1F 5A、600V 型號(hào)及參數(shù)，提供SGTP5T60SD1F關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 15:05:15
供應(yīng)5a、600v耐壓igbt SGTP5T60SD1DFS可代換AOD5B65M1 ，提供SGTP5T60SD1DFS規(guī)格書(shū)參數(shù) ，可應(yīng)用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 14:48:131 供應(yīng)SGTP5T60SD1D國(guó)產(chǎn) igbt 600v、5a可兼容替代AOD5B65M1 ，提供SGTP5T60SD1D關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 14:43:53
RJS6005TDPP-EJ 數(shù)據(jù)表 (600V - 15A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-03-30 19:24:000 RJS6004TDPP-EJ 數(shù)據(jù)表 (600V - 10A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-03-30 19:23:430 RJS6004WDPK 數(shù)據(jù)表 (600V - 20A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-03-30 19:21:350 RJS6005WDPK 數(shù)據(jù)表 (600V - 30A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode )
2023-03-30 19:18:180 SCR PHASE CTRL MOD 600V 1000A
2023-03-29 18:43:45
IGBT 600V 1000A 2300W D4
2023-03-29 15:14:34
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
逆變器、全橋驅(qū)動(dòng)逆變器等領(lǐng)域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點(diǎn)■浮動(dòng)工作電壓可達(dá)600V■拉灌電流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的輸入邏輯電平■dV/dt抗干擾能力±5
2023-03-29 09:24:35930 
DIODE MODULE 600V 1000A DO200AB
2023-03-28 21:24:04
7寸RGB LCD模塊600*1024 MODULE_100X180MM 24 bit RGB
2023-03-28 13:06:23
Gas Discharge Tube 600V 1000A (1kA) 2 Pole Surface Mount
2023-03-23 00:37:07
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