電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:20:58
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器的650V 270m? GaN FETLMG3616數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:19:400 近日，國內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司（以下簡稱“揚(yáng)杰科技”）再度刷新業(yè)界認(rèn)知，推出了一款專為光伏儲(chǔ)能充電樁等高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:19
558 本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:07187 
瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 3月8日，瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38286 
隨電壓升高而增大，試了幾次仍然是這樣，按理說輸出功率限制后不應(yīng)該明顯增大，而我設(shè)置時(shí)輸出功率達(dá)到了上百瓦進(jìn)而直流源觸發(fā)保護(hù)，斷電后放電測(cè)量IGBT的續(xù)流二極管，二極管壓降正常0.381V，但是測(cè)量
2024-02-18 19:52:20
英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的650V軟特性發(fā)射極控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝，具有2個(gè)引腳，不僅增加了安規(guī)距離，提高了可靠性，而且適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-02-01 10:50:02364 大于過渡電容值，并且與直流電流值成正比。
Cdiff = dQ/dV = [dI(V)/dV]ΓF
存儲(chǔ)時(shí)間
PN結(jié)二極管在正向偏壓配置下就像一個(gè)完美的導(dǎo)體，而在反向偏壓配置下就像一個(gè)完美的絕緣體。在從正向
2024-01-25 18:01:01
近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過了嚴(yán)苛的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，該產(chǎn)品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡便，損耗更低的特點(diǎn)。
2024-01-16 10:16:24770 
IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)，是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢(shì)，在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:35270 
【 2023 年 12 月 19 日，德國慕尼黑訊】 為提高結(jié)溫傳感的精度，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出帶有集成溫度傳感器的全新CoolMOS
2023-12-19 15:22:26900 
650V高壓低功耗非隔離電源芯片，默認(rèn)輸出12V，最大電流2A，具有輸出可設(shè)置3-24V
2023-12-01 19:19:030 光電二極管接到ADL5304，光電二極管偏置需要10V，是否必須雙電源供電？
2023-11-24 07:50:26
、Buck-Boost 變換器拓?fù)鋺?yīng)用。 BP8523D 內(nèi)部集成了 650V 高壓 MOSFET、高壓啟動(dòng)和自供電電路、電流采樣電路、電壓反饋電路以及續(xù)流二極管!采用先進(jìn)的控制技術(shù)，無需外部 VCC
2023-11-21 10:32:19
英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其TRENCHSTOPIGBT7產(chǎn)品陣容。全新器件配新一代發(fā)射極控制的EC7續(xù)流二極管，以滿足對(duì)環(huán)保和高效電源解決方案日益增長的需求
2023-11-21 08:14:06255 
如何設(shè)計(jì)一個(gè)光電二極管帶反偏的放大電路？
我現(xiàn)在有一個(gè)光電二極管，反偏電壓是直流30V，現(xiàn)在我希望做一個(gè)放大電路，放大此光電二極管的輸出，有參考設(shè)計(jì)嗎？
另外希望是低功耗的設(shè)計(jì)，放大器用單電源3V左右，反偏電壓是直流30V，有比較好的推薦電路或芯片嗎？
2023-11-16 07:14:53
二極管濱松的S2386-5K，運(yùn)放AD8615（后來又試了AD8641），負(fù)電源接了-0.3V。
使用光電二極管跨阻放大，光電二極管沒有偏置，使用光伏模式，但后級(jí)輸出是正弦波信號(hào)，參考了ADI官方的一些電路，不知道怎么把正弦信號(hào)轉(zhuǎn)成有效穩(wěn)定的直流信號(hào)
2023-11-14 07:48:26
如圖，我用ADA4817做光電二極管的前置放大。上電后，二極管沒有光輸入，二極管兩端會(huì)有約600mV的直流電壓是什么原因呢？測(cè)量反饋電阻兩端電壓為0，說明沒有電流，是layerout問題嗎，還是這種現(xiàn)象是正常的？可為什么一樣的電路我用AD8616就沒有這種現(xiàn)象。
2023-11-14 07:25:39
AD210芯片的16、17、19 這3個(gè)PIN，內(nèi)部有二極管的鉗位保護(hù)嗎？ 即：對(duì)正15V電源的二極管，對(duì)-15V電源的二極管；是否存在？
外部電路應(yīng)該怎么對(duì)管腳進(jìn)一步保護(hù)呢？
2023-11-13 06:53:50
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備尖端的EC7
2023-11-03 11:40:49644 
SP9683高頻準(zhǔn)諧振、集成650V氮化鎵功率器件，30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008 
穩(wěn)壓二極管并聯(lián)使用，有什么問題
2023-10-17 07:18:20
二極管是單向?qū)?，那么反向恢?fù)時(shí)間是什么，需要怎么測(cè)試
2023-09-27 07:51:57
電阻和二極管檔空表筆顯示300，短路能顯示0，是不是什么元件燒了，二極管也一樣，電阻電流測(cè)量正常
2023-09-27 07:49:45
，大的片狀的是負(fù)極。
也可打開萬用表，將旋鈕撥到通斷檔，將紅黑表筆分別接在兩個(gè)引腳。若有讀數(shù)，則紅表筆一端為正極；若讀數(shù)為“1”，則黑表筆一端為正極。
根據(jù)具體情況，選擇合適的方法判斷二極管的正負(fù)極。
2023-09-06 17:39:55
二極管的電流方向是從正極流向負(fù)極。
就是從二極管PN結(jié)的P區(qū)流向N區(qū)，在電路圖中，二極管“三角形”所指示的方向就是它的正向電流方向。發(fā)光二極管的電流方向與電路的電流方向是一致的。并不矛盾
2023-09-06 17:37:23
2ED020I06-FI是一款高電壓，高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，具有聯(lián)鎖高側(cè)和低側(cè)參考輸出。浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器可以直接供電，也可以通過二極管和電容供電。除了每個(gè)驅(qū)動(dòng)器的邏輯輸入外
2023-08-24 18:21:45
新手求問，單片機(jī)的引腳為什么要接二極管再接5v
2023-08-21 07:05:03
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
650V,50A,至247-3包件,第六代離散的斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能
2023-07-26 17:03:47
650V,50A,至247-2包件,第六代離散的斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能
2023-07-26 16:57:33
650V,30A,至247-3包件,第3代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能
2023-07-26 16:55:34
650V,30A,至247-3包件,第3代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能
2023-07-26 16:48:29
650V,20A,至247-3包件,第3代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能
2023-07-26 16:46:10
650V,20A,至247-3包件,第6代離散的斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能
2023-07-26 16:44:17
650V,20A,至247-3包件,第3代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能
2023-07-26 16:42:20
650V,20A,到220-2包件,第6代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能
2023-07-26 16:16:20
650V,20A,至247-2包件,第六代離散的斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能
2023-07-26 16:14:27
650V,20A,-263-2包件,第6代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能
2023-07-26 16:12:27
650V,20A,至247-3包件,第6代離散的斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能
2023-07-26 16:08:58
650V,16A,到220-2包件,第3代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能
2023-07-26 16:02:10
650V,16A,至247-3包件,第6代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能
2023-07-26 16:00:16
650V,16A,至247-3包件,第3代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能
2023-07-26 15:57:35
650V,16A,至247-3包件,第3代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能
2023-07-26 15:48:48
650V,12A,到220-2包件,第3代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能
2023-07-26 15:46:02
650V,10A,至220個(gè)孤立包,第3代離散硅肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能
2023-07-26 15:43:58
650V,10A,到220-2包件,第6代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能
2023-07-26 15:41:25
650 V, 10 A, TO-252-2 package, Gen 6 Discrete SiC Schottky Diode沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子
2023-07-26 15:18:52
650V,10A,到220-2包件,第3代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能
2023-07-26 15:11:28
650V,10A,至252-2包件,第3代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能
2023-07-26 15:07:54
650V,10A,-263-2包件,第6代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能
2023-07-26 15:01:41
650V,10A,QFN包件,第6代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能(PV
2023-07-26 14:59:31
650V,8A,至220個(gè)孤立包,第3代離散硅肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能(PV
2023-07-26 14:57:15
650V,8A,到220-2包,第六代離散的斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能(PV
2023-07-26 14:51:51
650V,8A,至252-2包件,第6代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能(PV
2023-07-26 14:28:22
650V,8A,到220-2包件,第3代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能(PV
2023-07-26 14:21:52
650V,8A,到252-2包件,第3代離散的肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能(PV
2023-07-26 11:28:16
650V,8A,-263-2包件,第3代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能(PV
2023-07-26 11:22:36
650V,8A,-263-2包件,第6代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能(PV
2023-07-26 11:18:14
650V,8A,QFN包件,第6代離散斯肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能(PV
2023-07-26 11:15:29
650V,6A,至220個(gè)孤立包,第3代離散硅肖特基二極管沃爾夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二極管技術(shù)是為高性能電力電子應(yīng)用而優(yōu)化的,包括服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能(PV
2023-07-26 11:06:05
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月 森國科正式對(duì)外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ，相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
開關(guān)電源芯片U6773D內(nèi)置5A 650V 的MOS，支持準(zhǔn)諧振降壓型LED恒流、恒壓輸出應(yīng)用，僅需將SEL管腳短接到GND管腳即可。
2023-07-18 15:48:01612 點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布， 推出最新一代 [1] 用于工業(yè)設(shè)備的碳化硅 （ SiC ） 肖特基勢(shì)壘二極管 （ SBD
2023-07-13 17:40:02184 
圳市森國科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:27521 
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1碳化硅二極管，耐壓650V 6A DFN5*6封裝，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷 美浦森推出的碳化硅二極管具有更高的過電壓安全裕量，可提升全負(fù)載條件下
2023-07-05 16:00:20
電壓：650V 電流：6A 碳化硅二極管MSL06065G1，碳化硅二極管，耐壓650V，150℃連續(xù)正向電流6A，工作溫度范圍-
2023-07-05 15:54:11
*6 電壓：650V 電流：6A 碳化硅二極管MSL06065G1，碳化硅二極管，耐壓650V，150℃連續(xù)正向電流6A，工作
2023-07-05 15:50:06
續(xù)流二極管到底是什么
2023-06-26 07:55:08
ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)來提高電源轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內(nèi)置ESD
2023-06-19 15:09:18273 
用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開關(guān)能力。本文檔介紹高級(jí)交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
本產(chǎn)品說明展示了接近理論的理想因素和勢(shì)壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設(shè)計(jì)用于工作溫度> 225°C主要應(yīng)用于井下石油鉆井、航空航天和電動(dòng)汽車。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
潤新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 產(chǎn)品特點(diǎn)： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34686 嗨，
任何人都可以幫助我。NodeMCU 上的二極管是什么值？
2023-05-31 06:18:38
做反激60W次級(jí)整流用二極管，Vds尖峰還不到10V用同步整流的話MOS的Vds將近50V，請(qǐng)大神賜教，為什么？怎么解？
2023-05-29 18:32:37
Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管
2023-05-24 12:16:57300 、高速數(shù)字電路、射頻電路等領(lǐng)域。相比于普通的 pn 結(jié)二極管，肖特基二極管的 pn 結(jié)由金屬與半導(dǎo)體材料直接接觸形成，而不是由摻雜半導(dǎo)體 。其工作原理為，當(dāng)肖特基二極管正向偏置時(shí)，電子從金屬側(cè)進(jìn)入半導(dǎo)體中
2023-05-23 14:47:57
n-mos管截止如果在s-d之間加上正向電壓，體二極管會(huì)不會(huì)導(dǎo)通？
2023-05-16 14:30:44
客戶有評(píng)估板。想知道為什么有 4 個(gè)二極管的位置沒有放置。用戶指南 UM11348 v2.2 2020 年 10 月指出“當(dāng)需要對(duì)有源橋進(jìn)行 MOSFET 引腳開路測(cè)試時(shí)，為每個(gè)有源橋 MOSFET 添加一個(gè)并聯(lián)二極管”。有人可以詳細(xì)說明嗎？
2023-05-12 08:20:12
在二極管電路中被鉗位是什么意思？什么時(shí)候會(huì)出現(xiàn)被鉗位呢？
2023-05-05 09:52:03
二極管單向?qū)щ娛侵鸽娏髦荒軓?b class="flag-6" style="color: red">二極管一端流出嗎？單向?qū)щ姷挠猛臼鞘裁茨兀?
2023-05-05 09:49:20
正向整流二極管和反向整流二極管作用是否一樣呢？
2023-05-05 09:46:10
瞬變二極管的特性參數(shù)
①最大反向漏電流ID和額定反向關(guān)斷電壓VWM。
VWM是瞬變二極管最大連續(xù)工作的直流或脈沖電壓，當(dāng)這個(gè)反向電壓加入瞬變二極管的兩極間時(shí)，它處于反向關(guān)斷狀態(tài)，流過它的電流應(yīng)小于
2023-04-25 16:58:23
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