有了全面的提升。 ? 性能全方面提升 ? 英飛凌在2017年正式推出了第一代溝槽柵SiC MOSFET，即CoolSiC MOSFET G1。在CoolSiC MOSFET G1中，英飛凌采用溝槽
2024-03-19 18:13:18
1431 
FS4001H系列DFN1x1-6小封裝單節(jié)鋰電充電芯片在穿戴產(chǎn)品小電池充電中的應(yīng)用隨著科技的快速發(fā)展，穿戴式電子產(chǎn)品已成為我們?nèi)粘Ｉ畹闹匾M成部分。智能手表、健康追蹤器、無線耳機等穿戴產(chǎn)品，以其
2024-03-12 19:15:20
Diodes 公司推出一款符合汽車規(guī)格* 的新型線性 LED 驅(qū)動器，讓用戶能獨立控制三個通道的亮度和色彩。
2024-03-12 14:38:31640 【2024 年 03月 11日美國德州普拉諾訊】 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出一款符合汽車規(guī)格* 的新型線性 LED 驅(qū)動器，讓使用者能獨立控制三個通道的亮度
2024-03-12 14:30:46195 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《采用DFN封裝的 TPS63802 2A、高效率、低IQ降壓/升壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-07 10:11:32
0 慧能泰特別推出了HP3000雙通道低側(cè)驅(qū)動器，采用2 mm x 2 mm DFN-8L的超小型封裝形式，支持高達35 V的供電耐壓。
2024-02-21 09:23:00329 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DFN2020MD-6；SMD卷軸包，7“；Q2/T3產(chǎn)品方向包裝信息.pdf》資料免費下載
2024-02-20 10:04:500 IRL540NSPBF-VB是VBsemi品牌推出的N溝道場效應(yīng)晶體管（N-Channel MOSFET），具有TO263封裝。以下是詳細參數(shù)說明和應(yīng)用簡介：**詳細參數(shù)
2024-02-19 15:15:57
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DFN2020-6；SMD卷軸包SOT1220-3包裝信息.pdf》資料免費下載
2024-02-05 09:29:481 Diodes公司近日宣布推出三款符合汽車標準的新型雙通道高側(cè)電源開關(guān)，分別為ZXMS82090S14PQ、ZXMS82120S14PQ和ZXMS82180S14PQ。這些新品進一步豐富了其IntelliFET自我保護型MOSFET產(chǎn)品組合，為汽車行業(yè)帶來了更強大的電源管理解決方案。
2024-02-03 11:03:25347 【 2024 年 1 月 31 日美國德州普拉諾訊】 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出首款符合汽車標準的雙通道高側(cè)電源開關(guān) — ZXMS82090S14PQ
2024-02-01 18:01:201090 
DFN封裝是一種先進的電子元件封裝工藝，與SMD封裝相比，DFN封裝提供了更高的靈活性和穩(wěn)定性。
2024-01-28 17:24:551388 整流二極管。 DK5V100R10VN采用PDFN5*6封裝。 主要特點 ? 適用于反激 PSR、SSR 應(yīng)用 ? 超低 VF
2024-01-27 16:58:41
Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916，采用了創(chuàng)新的雙面散熱 DFN 5 x 6 封裝。這一創(chuàng)新型封裝為 AOS 產(chǎn)品賦予了卓越的散熱性能，使其在長期惡劣的運行條件下仍能保持穩(wěn)定的性能。
2024-01-26 18:25:151382 了一款 100V MOSFET—— AONA66916 ，該器件采用AOS創(chuàng)新型雙面散熱DFN 5 x 6 封裝?？蛻粝到y(tǒng)研發(fā)人員一直以來把 AOS 產(chǎn)品作為其方案設(shè)計的重要組件之一，幫助客戶實現(xiàn)各種高性能應(yīng)用
2024-01-25 15:18:42617 
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 將 AH371xQ 系列高電壓霍爾效應(yīng)鎖存器加入產(chǎn)品組合。
2024-01-05 13:52:22334 英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
保護機制包括逐周期峰值限流、軟啟動、輸出短路保護和過溫保護。SL3041 外圍電路簡單，封裝采用ESOP8
特點： ● 3A輸出峰值電流 ● 10V至100V寬工作電壓范圍 ● 內(nèi)置功率MOSFET
2023-12-21 15:27:51
應(yīng)用的80V 和 100V MOSFET，這兩款車規(guī)級器件是TO-Leadless (TOLL) 封裝。AOS TOLL 封裝旨在優(yōu)化功率半導體器件成為電動汽車發(fā)展中的重要組件，尤其是在兩輪和三輪及其
2023-12-14 16:55:24949 (ON)）：1.8mΩ @ 10V, 2.5mΩ @ 4.5V, 20Vgs- 閾值電壓（Vth）：2V- 封裝：DFN8(5X6)應(yīng)用簡介：SIR802DP-T1-GE3-VB
2023-12-14 15:34:43
：IFNNY）順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率
2023-12-12 18:04:37494 
科晟MOS，主打水泵風扇按摩椅電機浴霸自動馬桶掃地機氣泵等等
KORSUN MOSFET的優(yōu)勢主要表現(xiàn)在以下幾個方面：
1、高效性能：KORSUN MOSFET采用先進的制程技術(shù)，具有良好的開關(guān)性能
2023-12-11 15:23:29
集成電路封裝的歷史，其發(fā)展主要劃分為三個階段。第一階段，在二十世紀七十年代之前，以插裝型封裝為主。包括最初的金屬圓形（TO型）封裝，后來的陶瓷雙列直插封裝（CDIP）、陶瓷-玻璃雙列直插封裝
2023-12-11 01:02:56
FDMC8026S（VBQF1310）是一款電源應(yīng)用型MOSFET產(chǎn)品，采用N溝道結(jié)構(gòu)，封裝為DFN8（3X3封裝）。其參數(shù)包括：工作電壓30V、最大電流40A、靜態(tài)導通電阻RDS(ON)為11m
2023-12-06 15:24:44
基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出一款低功耗、高性能且符合 MIPI D-PHY 1.2 協(xié)議的信號 ReDriver。
2023-11-30 14:04:49370 為了擴大QSiC SiC模塊的選擇范圍，SemiQ推出了一系列采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET，可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-26 16:40:46862 阻為47mΩ，4.5V時為56mΩ。閾值電壓為-1V，采用SOT23封裝，便于安裝和布局。AO3401 MOSFET在電子領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用，尤其在以下領(lǐng)域：電源管理
2023-11-23 11:58:58
；
第三種：SOP封裝，也叫小外形封裝（Small Outline Package），引腳從封裝兩側(cè)引出呈L字形狀，是表面貼裝型封裝之一，由SOP衍生出SOJ,J形引腳小外形封裝，TSOP薄小外形封裝
2023-11-22 11:30:40
充電，對電池起到保護作用。其他功能包括芯片使能輸入，狀態(tài)指示輸出端等。FS4067采用8管腳的SOP8封裝。
特點
●輸入電壓范圍: 2. 7V到6.5V
●可調(diào)設(shè)置至3A的輸出充電電流
●工作電流
2023-11-21 12:14:43
我公司現(xiàn)擁有6SE7036-0EK6型315KW 的西門子變頻器，其使用說明書沒有，請各位老師能否賜給（電子版）？6SE7085-0QX60型使用說明書能否適用6SE7036-0EK6型？謝謝
2023-11-21 07:04:24
Wolfspeed 采用 TOLL 封裝的碳化硅 MOSFET 產(chǎn)品組合豐富，提供優(yōu)異的散熱，極大簡化了熱管理。
2023-11-20 10:24:00319 
為了擴大QSiC SiC模塊的選擇范圍，SemiQ推出了一系列采用SOT-227封裝的1,200V MOSFET，可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-16 17:18:25570 無過熱危險的情況下實現(xiàn)充電速率最大化的熱調(diào)節(jié)功能? ESOP8/DFN2x2-8/DFN2x3-8/DFN3x3-8封裝? 符合RoHS標準描述PC3221是一款適用于單節(jié)鋰電池的完整恒流/恒壓
2023-11-08 10:12:35
1.9Vth (V) 封裝類型 DFN8 (5X6)應(yīng)用簡介 SIR422DPT1GE3是一款N溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應(yīng)用。具有較高的
2023-11-03 13:55:28
DFN2020B-6L, MOSFET
2023-11-01 14:59:17
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
阻為47mΩ，4.5V時為56mΩ。閾值電壓為-1V，采用SOT23封裝，便于安裝和布局。AO3401 MOSFET在電子領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用，尤其在以下領(lǐng)域：電源管理
2023-10-26 16:21:10
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 概述：
YB5082是一款工作于3 .0V到6 .5V的PFM升壓型雙節(jié)鋰電池充電控制集成電路。YB5082 采用恒流和恒壓模式(Quasi-CVTM)對電池進行充電管理， 內(nèi)部集成有基準電壓源
2023-10-12 15:36:55
（UVLO）；
前緣沖裁（LEB）；
逐周期過電流保護（OCP）；
輸出開路/短路保護（OVP/OSP）；
熱折返保護（TFP）；
超溫保護（OTP）；
SO-7封裝；
應(yīng)用
電源可調(diào)光LED燈；
脫機LED電源驅(qū)動程序；
2023-10-12 15:09:18
采用超緊湊型DFN2020(D)-6封裝，并集成BJT和電阻，加倍節(jié)省空間
2023-09-27 14:36:141020 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DFN2020MD-6:帶有側(cè)邊可濕焊盤的無引腳封裝.pdf》資料免費下載
2023-09-27 10:06:111 采用超緊湊型DFN2020(D)-6封裝，并集成BJT和電阻，加倍節(jié)省空間 ? 奈梅亨， 2023 年 9 月 27 日： 基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布新推出全新
2023-09-27 09:19:43340 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費下載
2023-09-26 15:36:081 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出一款適用于各種車用 LED 產(chǎn)品應(yīng)用的升壓/單端初級電感轉(zhuǎn)換器 (SEPIC) 控制器。
2023-09-26 14:13:26586 基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出首批 80 V 和 100 V 熱插拔專用 MOSFET(ASFET)，該系列產(chǎn)品采用緊湊型 8x8 mm
2023-09-22 09:08:10385 DMP4047LFDE 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMP4047LFDE 這款新一代 40V P 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同時保持卓越的開關(guān)性能
2023-09-14 19:46:59
本技術(shù)筆記為采用 HLGA 表面貼裝封裝的 MEMS 傳感器產(chǎn)品提供 PCB設(shè)計和焊接工藝的通用指南。
2023-09-13 08:03:50
DMP1245UFCL 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMP1245UFCL 該器件采用熱效率和空間效率 高的 X1-DFN1616-6 封裝，提供高性能、低 R DS(ON) P 溝道
2023-09-11 16:25:01
和功率水平。這些快速恢復硅基功率MOSFET的器件適用于工業(yè)和汽車應(yīng)用，提供廣泛的封裝選項，包括長引線TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封裝。
2023-09-08 06:00:53
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。
2023-09-07 09:59:32731 
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業(yè)標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431202 
本技術(shù)筆記為采用 HLGA 表面貼裝封裝的 MEMS 傳感器產(chǎn)品提供 PCB 設(shè)計和焊接工藝的通用指南。
2023-09-05 08:27:53
本技術(shù)筆記為采用 LGA 表面貼裝封裝的 MEMS 傳感器產(chǎn)品提供通用焊接指南。
2023-09-05 07:45:30
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡化了設(shè)計、節(jié)省了空間，并增強了節(jié)能型動力系統(tǒng)、驅(qū)動器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600 
PL8311是寶礫微電子推出的一款36V，1.5A單片式降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器。 PL8311集成了36V 250mΩ高側(cè)和36V，140mΩ低側(cè)MOSFET，可在4.5V至36V寬工作輸入電壓范圍內(nèi)提供
2023-08-23 17:07:49
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:21557 
KUU推出采用DFN5*6-8L無鉛塑料封裝的N-SGTMOSFET產(chǎn)品KM4110N-568。產(chǎn)品使用先進的屏蔽柵溝槽（ShieldGateTrench）技術(shù)，同時降低了器件導通電阻Ronsp
2023-08-19 08:30:24391 
包括輸出短路保護(OSP) ，逐周期峰值電流限制，熱調(diào)節(jié)，熱停機，輸入 UVLO，輸出 OVP 等
雙輸出平均電流限制與穩(wěn)定的 CC 環(huán)
QFN5x5-32封裝
典型應(yīng)用：
汽車啟停系統(tǒng)
工業(yè)PC電源
USB電源傳輸
線路圖示：
2023-08-16 11:33:09
產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
OC5822 是一款內(nèi)置功率 MOSFET的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。OC5822在 6-60V 寬輸入電源范圍內(nèi)實現(xiàn) 1.5 A 最大輸出電流，并且具有出色的線電壓和負載調(diào)整率。OC5822 采用
2023-07-29 14:13:39
QFN、DFN封裝是一種先進的封裝形式，即雙框架芯片封裝。它具有小體積、高密度、熱導性好等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于集成電路封裝領(lǐng)域。QFN、DFN封裝工藝包括以下幾個步驟：芯片切割：使用劃片機等設(shè)備將芯片
2023-07-24 09:30:23950 
通過AEC-Q101認證且可承受的接面溫度高達175°C，強茂P溝道MOSFET是汽車設(shè)計工程師理想的選擇，可實現(xiàn)簡化電路而又不犧牲性能。提供DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L和TO-252AA多種封裝。
2023-07-20 15:57:45526 深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1碳化硅二極管，耐壓650V 6A DFN5*6封裝，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷 美浦森推出的碳化硅二極管具有更高的過電壓安全裕量，可提升全負載條件下
2023-07-05 16:00:20
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷MSM06065G1 品牌：美浦森 封裝：DFN5*6
2023-07-05 15:54:11
DMN2020UFCL產(chǎn)品簡介 DIODES 的 DMN2020UFCL這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (R DS(ON) )，同時保持卓越的開關(guān)性能
2023-06-30 23:20:16
1ns
DFN10封裝有使能引腳，待機時靜態(tài)功耗低至7uA
SOP8、HSOP8、DFN10、DFN8封裝
結(jié)溫范圍-40°C~150°C
NSD1224典型應(yīng)用框圖納芯微NSD1224半橋驅(qū)動性能優(yōu)異
2023-06-27 15:14:07
、2 A VS-2EAH02xM3、3 A VS-3EAH02xM3和5 A VS-5EAH02xM3，這些器件采用薄型易于吸附焊錫的側(cè)邊焊盤DFN3820A封裝。這四款新器件為商業(yè)、工業(yè)和車載應(yīng)用提供節(jié)省空間的高效解決方案，每種產(chǎn)品都有
2023-06-26 15:19:16372 
Vishay 新型 Power DFN 系列?DFN3820A 封裝 汽車級 200V、400V 和 600V 器件高度僅為 0.88 mm 采用可潤濕側(cè)翼封裝 改善熱性能并提高效率 Vishay
2023-06-21 07:35:00509 
ZXTP56060FDBQ 產(chǎn)品簡介DIODES 的 ZXTP56060FDBQ（雙路 PNP，60V，2A，DFN2020-6 (SWP)）這種雙極結(jié)型晶體管（BJT）設(shè)計用于滿足汽車
2023-06-13 11:49:21
ZXTP56020FDBQ 產(chǎn)品簡介DIODES 的 ZXTP56020FDBQ（雙路 PNP，20V，2A，DFN2020-6 (SWP)）這種雙極結(jié)型晶體管（BJT）設(shè)計用于滿足汽車
2023-06-13 11:37:27
最新一代面向汽車應(yīng)用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
2023-06-06 11:01:361026 
PRISEMI芯導產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-06-06 10:02:58824 
TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點，已經(jīng)在電動自行車、電動摩托車、鋰電保護、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。
2023-05-26 09:52:42393 
保護和過溫保護。
SL3041 外圍電路簡單，封裝采用ESOP8
特點
3A輸出峰值電流
10V至100V寬工作電壓范圍
內(nèi)置功率MOSFET
110KHZ固定開關(guān)頻率
軟啟動
輸出短路保護
2023-05-24 16:39:12
“ 引言 ” 近年來，為了更好地實現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機能效的強制性規(guī)定應(yīng)運而生。經(jīng)改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴散焊技術(shù)
2023-05-23 17:14:18618 
TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點，已經(jīng)在電動自行車、電動摩托車、鋰電保護、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。
2023-05-13 17:38:521981 
Vishay 推出三款新系列汽車級表面貼裝標準整流器，皆為業(yè)內(nèi)先進的薄型可潤濕側(cè)翼 DFN3820A 封裝器件。
2023-04-28 09:09:53390 
溫濕度傳感器DFN封裝芯片管腳焊點保護防振動補強用底部填充膠應(yīng)用由漢思新材料提供客戶的產(chǎn)品是DFN封裝IC芯片（雙邊無引腳扁平封裝）的溫濕度傳感器，尺寸為2.5*2.5*0.9(長寬高)客戶需要
2023-04-17 16:10:03495 
Diodes公司(Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出碳化硅(SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。
2023-04-13 16:30:16215 KUU推出采用DFN3.3*3.3-8L無鉛塑料封裝的P-TrenchMOSFET產(chǎn)品K060P03M。DFN3.3*3.3-8L無鉛塑料封裝占位面積僅有3.3*3.3mm，高度僅為0.65mm
2023-04-12 14:43:41472 OC5822 是一款內(nèi)置功率 MOSFET的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。OC5822在6-60V 寬輸入電源范圍內(nèi)實現(xiàn) 1.5 A最大輸出電流，并且具有出色的線電壓和負載調(diào)整率。OC5822 采用
2023-04-07 16:52:54
電流限制和熱關(guān)斷等保護功能。0C5864 采用 SOT23-6 封裝,且外圍元器件少。效率高達90%固定 500kHz 頻率熱關(guān)斷逐周期過流保護寬輸入電壓范圍：5.5~60V采用 SOT23-6 封裝應(yīng)用電表分布式電源系統(tǒng)電池充電器線性穩(wěn)壓器的預調(diào)節(jié)器
2023-04-07 16:43:02
IC REG LDO 1.2V 0.6A DFN2020-6
2023-04-06 15:42:41
IC REG LDO 2V 0.6A DFN2020-6
2023-04-04 22:25:28
IC REG LDO ADJ 0.3A DFN2020-6
2023-04-04 22:24:27
KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進的溝槽工藝技術(shù)來取得能夠和SOT-523等大上許多封裝
2023-04-04 16:10:39987 MOSFET P-CH 250V 0.26A DFN2020-6
2023-03-29 10:14:36
MOSFET P-CH 250V 0.26A DFN2020-6
2023-03-29 09:57:23
MOSFET 2 P-CH 20V 4.5A DFN2020-6
2023-03-27 13:52:41
IC REG LDO 1.8V 0.6A DFN2020-6
2023-03-23 17:06:50
IC REG LDO 1.5V 0.3A DFN2020-6
2023-03-23 17:06:38
IC REG LDO 1.8V 0.3A DFN2020-6
2023-03-23 17:06:38
IC REG LDO 3V 0.3A DFN2020-6
2023-03-23 17:06:38
IC REG LDO 1.5V 0.3A DFN2020-6
2023-03-23 17:06:27
IC REG LDO 2V 0.3A DFN2020-6
2023-03-23 17:06:27
IC REG LDO 3V 0.3A DFN2020-6
2023-03-23 17:06:27
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