JW7109是一款具有可編程導通上升時間的低導通電阻雙通道負載開關，且支持較快的上升斜率，以滿足快速時序的要求。它包含兩個N溝道MOSFET，每個溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個通道可以在
2024-03-18 14:39:12
JW7107S是一款具有可編程導通上升時間的低導通電阻雙通道負載開關。它包含兩個N溝道MOSFET，每個溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個通道可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內工作。 每個
2024-03-18 14:36:43
全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14
102 在電子元件領域不斷創(chuàng)新的Vishay公司，近日宣布推出新系列的浪涌限流正溫度系數（PTC）熱敏電阻——Vishay BCcomponents PTCEL系列。這款新型熱敏電阻以其寬阻值范圍、高電壓處理能力和高能量吸收能力，為汽車和工業(yè)應用中的有源充放電電路帶來了顯著的性能提升。
2024-03-12 10:34:11105 近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 另外，CoolSiC MOSFET產品組合還成功實現(xiàn)了SiC MOSFET市場中的最低導通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統(tǒng)中的可靠性，降低了零件使用數量。
2024-03-10 12:32:41502 如何區(qū)別普通電阻和保險電阻？如何檢驗保險電阻好壞？ 普通電阻和保險電阻是兩種不同的電子元件，下面將詳細介紹如何區(qū)分普通電阻和保險電阻，并說明如何檢驗保險電阻的好壞。 1. 普通電阻和保險電阻的定義
2024-03-05 15:48:06201 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業(yè)、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
碳膜電阻器是將炭在真空高溫條件下分解的結晶炭蒸鍍沉積在陶瓷骨架上制成的,。這種電阻器的電壓穩(wěn)定性好，造價低，在普通電子產品中應用非常廣泛。
2024-01-21 09:58:07136 
抗浪涌電阻和普通電阻的區(qū)別? 抗浪涌電阻和普通電阻雖然都屬于電阻器件，但在功能、結構和特性方面有很大的區(qū)別。本文將詳盡、詳實、細致地從多個方面對這兩種電阻進行比較分析。 1. 功能區(qū)別: 抗浪涌電阻
2024-01-18 16:16:58559 近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0）。該產品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 用萬用表如何檢測普通電阻器？ 萬用表是一種多功能測量工具，用于測量電流、電壓和電阻。它可以用于檢測各種類型的電阻器，包括普通電阻器。在本文中，我們將介紹如何使用萬用表來檢測普通電阻器的詳細步驟
2023-12-20 10:46:24669 功耗，走紅了全球。
今天給大家分享的是 TI 新一代明星CPU——AM62x，它相比上一代AM335x在工藝、外設、性能等多方面都有很大提升。
這里結合米爾電子的“MYC-YM62X核心板及開發(fā)板”給
2023-12-15 18:59:50
惠斯通電橋測電阻的基本原理和方法 惠斯通電橋是一種常用的電阻測量工具，廣泛應用于實驗室和工業(yè)控制領域。本文將詳細介紹惠斯通電橋的基本原理和方法，并說明其測量電阻的優(yōu)勢和局限性。 一、基本原理
2023-12-15 10:55:392754 的工作效率。在這些應用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應用于各種電 路中，制造商要求進一步降低功耗。另一方面，“導通電阻
2023-11-20 01:30:56189 2023 年 11 月 15 日，位于荷蘭奈梅亨 ITEC 的 ADAT3 XF Tagliner 刷新了業(yè)內嵌體貼片機的最高速度和最高精度貼裝記錄。
2023-11-16 16:23:32210 ?2023年11月15日，位于荷蘭奈梅亨ITEC的ADAT3 XF Tagliner刷新了業(yè)內嵌體貼片機的最高速度和最高精度貼裝記錄。 該貼片機每小時可貼裝48,000顆產品，而位置精度和旋轉精度
2023-11-15 09:24:12530 
電子發(fā)燒友網站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列設計更綠色、更小的電源.pdf》資料免費下載
2023-11-13 15:11:29
0 精密電阻和普通電阻的區(qū)別 普通電阻能否代替精密電阻？ 電阻是電子工程中一個常見的元件，它被用來控制電流和電壓。精密電阻和普通電阻是電阻中的兩個主要類別，它們之間的區(qū)別在于精度和穩(wěn)定性。本文將詳細介紹
2023-10-29 11:21:55933 電力MOSFET的反向電阻工作區(qū) 電力MOSFET在很多電子設備中都有廣泛的應用，例如電源、驅動電路、LED控制等。MOSFET是一種基于場效應管的晶體管，其主要功能是根據輸入電壓控制輸出電流。然而
2023-10-26 11:38:19435 MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121367 穩(wěn)壓，不是本帖的討論范圍，我要探究的，是普通電阻與非線性電阻 對運放狀態(tài)的影響。
2023-10-10 23:32:52
? 1、超級結構 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362772 
ZXMN6A11Z 產品簡介DIODES 的 ZXMN6A11Z這款新一代溝槽 MOSFET 具有獨特的結構，結合了低導通電阻和快速開關的優(yōu)點，使其成為高效電源管理應用的理想
2023-09-22 16:56:46
ZXMN6A08G 產品簡介DIODES 的 ZXMN6A08G這款新一代溝槽 MOSFET 具有獨特的結構，結合了低導通電阻和快速開關的優(yōu)點，使其成為高效電源管理應用的理想選擇
2023-09-22 15:24:32
ZXMN2A01F 產品簡介DIODES 的 ZXMN2A01F 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON））并且仍然保持優(yōu)異的開關性能，使其成為高效電源管理
2023-09-21 19:38:29
DMTH4008LFDFW 產品簡介DIODES 的 DMTH4008LFDFW 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON））并且仍然保持優(yōu)異的開關性能，使其
2023-09-19 15:13:45
DMT8008SCT 產品簡介DIODES 的 DMT8008SCT 這款新一代 MOSFET 具有低導通電阻和快速開關的特點，非常適合高效電源管理應用。 產品規(guī)格
2023-09-19 09:59:55
DMT6012LFDF 產品簡介DIODES 的 DMT6012LFDF 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON））同時保持優(yōu)異的開關性能，使其成為高效電源
2023-09-18 15:35:51
DMT6010SCT 產品簡介DIODES 的 DMT6010SCT 這款新一代 MOSFET 具有低導通電阻和快速開關的特點，非常適合高效電源管理應用。 產品規(guī)格
2023-09-18 15:23:40
DMP4065SK3 產品簡介DIODES 的 DMP4065SK3 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (RDS(ON))，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效電源管理
2023-09-15 10:35:06
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
DMP4013SPS 產品簡介DIODES 的 DMP4013SPS 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (RDS(ON))，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效電源管理
2023-09-14 18:21:50
DMP4011SK3 產品簡介DIODES 的 DMP4011SK3 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (RDS(ON))，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效電源管理
2023-09-14 12:04:06
DMP4006SPSW 產品簡介DIODES 的 DMP4006SPSW 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (RDS(ON))，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效電源
2023-09-14 11:27:16
DMP2900UDW 產品簡介DIODES 的 DMP2900UDW 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (RDS(ON))，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效電源
2023-09-12 18:02:23
DMP2040UND 產品簡介DIODES 的 DMP2040UND 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (RDS(ON))，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效電源
2023-09-12 10:31:43
DMP2035UFCL 產品簡介DIODES 的 DMP2035UFCL 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (R DS(ON) )，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效
2023-09-12 10:08:45
DMP1045UFY4 產品簡介DIODES 的 DMP1045UFY4 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (R DS(on) )，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效
2023-09-11 11:43:51
DMP1009UFDF 產品簡介DIODES 的 DMP1009UFDF 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON））并且仍然保持優(yōu)異的開關性能，使其成為高效
2023-09-11 10:55:09
DMNH4005SPS 產品簡介DIODES 的 DMNH4005SPS 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON））同時保持優(yōu)異的開關性能，使其成為高效電源
2023-09-11 09:37:09
DMN68M7SCT 產品簡介DIODES 的 DMN68M7SCT 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON））同時保持優(yōu)異的開關性能，使其成為高效電源管理
2023-09-10 14:08:00
DMN53D0LDW 產品簡介DIODES 的 DMN53D0LDW這種新一代MOSFET的設計目的是將導通電阻（RDS（on）），同時保持卓越的切換性能，是高效電源管理的理想選擇應用程序
2023-09-10 11:14:24
DMN39M1LK3產品簡介DIODES 的 DMN39M1LK3 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON））同時保持優(yōu)異的開關性能，使其成為高效電源管理應用的理想
2023-09-08 11:45:49
DMN3300U 產品簡介DIODES 的 DMN3300U 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通電阻（RDS（on）），同時保持卓越的切換性能，是高效電源管理的理想選擇
2023-09-08 09:35:58
DMN3061S 產品簡介DIODES 的 DMN3061S 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON））同時保持優(yōu)異的開關性能
2023-09-07 12:36:15
DMN3042LFDF 產品簡介DIODES 的 DMN3042LFDF 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON）），同時保持卓越的切換性能
2023-09-07 12:26:05
DMN3023L 產品簡介DIODES 的 DMN3023L 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON）），同時保持卓越的切換性能，是高效電源管理的理想選擇
2023-09-07 10:53:20
DMN3022LFG 產品簡介DIODES 的 DMN3022LFG 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON））并且仍然保持優(yōu)異的開關性能，使其成為高效
2023-09-07 10:44:54
，被稱為“新一代人造太陽”的“中國環(huán)流三號”托卡馬克裝置，于8月25日首次實現(xiàn)100萬安培等離子體電流下的高約束模式運行。這一重大進展再次刷新我國磁約束聚變裝置運行紀錄，標志著我國磁約束核聚變研究向高性能
2023-09-07 10:39:35
DMN3022LDG 產品簡介DIODES 的 DMN3022LDG 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON））并且仍然保持優(yōu)異的開關性能，使其成為高效
2023-09-07 10:38:08
DMN3016LPS 產品簡介DIODES 的 DMN3016LPS 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (RDS(ON))，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效電源
2023-09-06 15:14:29
DMN3016LDV 產品簡介DIODES 的 DMN3016LDV 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON））并且仍然保持優(yōu)異的開關性能，使其成為高效
2023-09-06 13:55:08
DMN3016LDN 產品簡介DIODES 的 DMN3016LDN 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON））并且仍然保持優(yōu)異的開關性能，使其成為高效電源
2023-09-06 13:46:19
DMN3013LDG 產品簡介DIODES 的 DMN3013LDG 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON））并且仍然保持優(yōu)異的開關性能，使其成為高效電源
2023-09-06 13:26:03
DMN3010LK3 產品簡介DIODES 的 DMN3010LK3 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON））并且仍然保持優(yōu)異的開關性能，使其成為高效電源
2023-09-06 13:14:32
DMN3010LFG 產品簡介DIODES 的 DMN3010LFG 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON））并且仍然保持優(yōu)異的開關性能，使其成為高效電源
2023-09-06 13:07:45
DMN3009SK3 產品簡介DIODES 的 DMN3009SK3 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON））并且仍然保持優(yōu)異的開關性能，使其成為高效電源
2023-09-06 12:58:53
DMN29M9UFDF 產品簡介DIODES 的 DMN29M9UFDF 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON））同時保持優(yōu)異的開關性能，使其成為高效電源
2023-09-06 12:08:53
DMN2991UDR4 產品簡介DIODES 的 DMN2991UDR4 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (R DS ( ON ))，同時保持卓越的開關性能，使其成為
2023-09-05 12:50:06
DMN2710UT 產品簡介DIODES 的 DMN2710UT 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (RDS(ON))，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效電源管理
2023-09-05 10:36:54
STM32U599平衡圖顯性能與功耗的新一代產品，內容包含： STM32U5x9 的高性能與高階圖形加速器 、STM32U5的矢量圖形 、STM32U5x9 的低功耗設計 、LPBAM - sensor hub等。
2023-09-05 07:21:11
DMN2710UDWQ 產品簡介DIODES 的 DMN2710UDWQ 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON））同時保持優(yōu)異的開關性能，使其成為高效電源
2023-09-04 10:55:49
DMN2710UDW 產品簡介DIODES 的 DMN2710UDW 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通狀態(tài)降至最低電阻（RDS（ON））同時保持優(yōu)異的開關性能，使其成為高效電源管理
2023-09-04 10:42:07
射頻電阻和普通電阻區(qū)別? 隨著科技的不斷進步和應用范圍的擴大，射頻技術在越來越多領域被廣泛使用。在射頻電路中使用的電阻，被稱為射頻電阻，而普通電路中使用的電阻，被稱為普通電阻。射頻電阻和普通電阻之間
2023-09-02 10:25:431207 SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結MOS，由于MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領域，普通MOSFET導通阻抗大，難以滿足實際應用需要
2023-08-18 08:32:56513 
DMN24H11DS 產品簡介DIODES 的 DMN24H11DS 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通電阻（RDS（on）），同時保持卓越的切換性能，使其成為高效電源管理的理想選擇
2023-07-06 16:27:46
Q A 問： Vishay熱敏電阻的計算工具 (阻值-溫度表) Vishay 熱敏電阻的計算工具為Vishay 的許多 ? NTC 熱敏電 ? 提供了一個電阻-溫度表。此免費工具可下載到任何一臺
2023-07-05 20:05:09295 
DMN2400UV 產品簡介DIODES 的 DMN2400UV 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通電阻（RDS（on）），同時保持卓越的切換性能，使其成為高效電源管理的理想選擇
2023-07-02 20:54:17
DMN2310UFD 產品簡介DIODES 的 DMN2310UFD 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (RDS(ON))，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效電源管理
2023-07-02 20:38:54
DMN2020UFCL產品簡介 DIODES 的 DMN2020UFCL這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (R DS(ON) )，同時保持卓越的開關性能
2023-06-30 23:20:16
DMN2016LFG產品簡介DIODES 的DMN2016LFG這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (R DS(on) )，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效電源管理應用的理想
2023-06-30 16:40:19
DMN2013UFX 產品簡介DIODES 的DMN2013UFX 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (R DS(ON) )，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效電源
2023-06-30 15:50:09
DMN2011UFDE 產品簡介DIODES 的DMN2011UFDE 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (R DS(ON) )，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效
2023-06-30 12:07:37
DMN15H310SK3 產品簡介DIODES 的DMN15H310SK3 這款新一代 MOSFET 具有低導通電阻和快速開關的特點，使其成為高效電源管理應用的理想選擇。
2023-06-30 10:04:22
DMN14M8UFDF 產品簡介DIODES 的DMN14M8UFDF 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (RDS(ON))，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效電源
2023-06-29 23:25:19
DMN10H120SE 產品簡介DIODES 的 DMN10H120SE這種新一代MOSFET具有低導通電阻和快速開關，使其成為高效電源管理的理想選擇應用程序。 產品規(guī)格
2023-06-29 14:43:45
DMN10H099SK3 產品簡介DIODES 的 DMN10H099SK3這款新一代互補 MOSFET 具有低導通電阻和快速開關的特點，使其成為高效電源管理應用的理想選擇。
2023-06-29 14:03:41
DMHT10H032LFJ 產品簡介DIODES 的 DMHT10H032LFJ 這款新一代互補 MOSFET H 橋具有低導通電阻，可通過低柵極驅動實現(xiàn)。 產品規(guī)格
2023-06-28 23:50:13
DMHC4035LSD產品簡介DIODES 的 DMHC4035LSD 這款新一代互補 MOSFET H 橋具有低導通電阻，可通過低柵極驅動實現(xiàn)。 產品規(guī)格 品牌
2023-06-28 23:39:06
DMGD7N45SSD 產品簡介DIODES 的 DMGD7N45SSD 這款新一代互補 MOSFET 具有低導通電阻和快速開關的特點，使其成為高效電源管理應用的理想選擇。
2023-06-28 23:14:57
DMG302PU產品簡介DIODES 的 DMG302PU 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (R DS(ON) )，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效電源管理應用的理想選擇
2023-06-27 16:42:50
DMG301NU 產品簡介DIODES 的 DMG301NU 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (R DS(ON) )，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效電源管理
2023-06-27 16:35:04
DMC4047LSD 產品簡介DIODES 的 DMC4047LSD 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (RDS(ON))，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效電源管理
2023-06-26 22:26:06
DMC4029SSD 產品簡介DIODES 的 DMC4029SSD 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (R DS(ON) )，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效電源
2023-06-26 22:18:58
DMC3060LVT 產品簡介DIODES 的 DMC3060LVT 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (RDS(ON))，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效電源管理
2023-06-26 19:25:28
DMC3028LSDX 產品簡介DIODES 的 DMC3028LSDX 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (RDS(ON))，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效電源
2023-06-26 19:13:29
兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結構所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結構是把柵極構建在結構內部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對兩種不同的結構，對其導通電阻的構成進行簡單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:021448 
Vishay VOMDA1271 器件通過 AEC-Q102 認證 開關速度和開路輸出電壓（8.5V）達到業(yè)內先進水平 Vishay? 推出一款業(yè)內先進的新型汽車級光電壓輸出光耦，用于 MOSFET
2023-06-09 10:10:01426 
Vishay VOMDA1271 器件通過 AEC-Q102 認證 開關速度和開路輸出電壓（8.5V）達到業(yè)內先進水平 Vishay? 推出一款業(yè)內先進的新型汽車級光伏 MOSFET 驅動器
2023-06-08 19:55:02374 
第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的擊穿電壓強度，更低的損耗和
2023-05-29 10:16:48
列產品的參考資料，助力您快速了解產品各項信息。 點擊下載產品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場上更受歡迎
2023-05-17 13:35:02471 
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？柵極電阻的值會在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因
2023-05-16 14:32:26
新產品不僅利用微細化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導通電阻（Ron）*2，相比以往產品，導通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電阻
2023-04-11 15:29:18
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工商網監(jiān)
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