除了業(yè)界已經(jīng)采用的高壓 GaN（額定值 >=600V）外，新的中壓 GaN 解決方案（額定值 80V-200V）也日益受到歡迎，可在高壓 GaN 之前無法支持的電源系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的功率密度和效率。
2024-03-15 17:58:13
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）功率GaN的大規(guī)模應用，其實也只有六七年的歷史，從2018手機快速充電器上才正式吹響了普及的號角。目前，從晶體管來看，功率GaN主要的產(chǎn)品是HEMT（高電子遷移率晶體管
2024-02-28 00:13:001843 最高頻率(MHz)：14500最高值輸出
功率(W)：25增益值(dB)：26.0工作效率（％）：16額定電壓(
V)：40
類型：封裝的MMIC封裝類別：法蘭盤技術：
GaN-on-SiC深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司授權經(jīng)銷CREE微波器件，如若需要購CREE產(chǎn)品，請點擊右側客服聯(lián)系我們?。。?/div>
2024-02-27 14:09:50
有功功率是指交流電路中實際消耗的功率，它是電路中的負載元件消耗的功率。在交流電路中，電流和電壓不是同相的，所以有功功率是通過電流和電壓的乘積來計算。 有功功率主要由電阻性元件消耗，包括電阻器、電燈泡
2024-02-27 09:28:33238 ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）繼去年英飛凌收購GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽車芯片大廠瑞薩也收購了功率GaN公司Transphorm。 ? Transphorm在2022
2024-02-26 06:30:001550 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）充電樁市場隨著高壓直流快充的推廣，在一些400kW以上的充電樁中已經(jīng)采用了SiC功率器件。同為第三代半導體的GaN，由于在高頻應用上的優(yōu)勢，一些廠商也在推動GaN進入到
2024-02-21 09:19:283847 BUCK電路元件的耐壓值該如何正確選擇？ 選擇BUCK電路元件的耐壓值是設計和應用電路的重要一環(huán)。耐壓值的選取直接影響到電路的可靠性、性能和壽命。在進行正確的耐壓值選擇時，需要考慮多個因素，包括輸入
2024-01-31 16:11:22121 瑞薩電子近日宣布了一項重大收購，以每股5.10美元的價格收購美國氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm。這次收購總額為3.39億美元，相當于24.34億元人民幣。相比1月10日的收盤價，此次收購溢價約35%。
2024-01-23 15:53:21232 加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳
2024-01-19 15:39:36301 此次交易對Transphorm的估值約為3.39億美元（約合人民幣24.27億元）。此次收購將為瑞薩提供GaN（功率半導體的下一代關鍵材料）的內(nèi)部技術。
2024-01-19 11:32:57129 瑞薩電子與氮化鎵（GaN）器件領導者Transphorm宣布，雙方已達成最終收購協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價格收購Transphorm，這一價格較Transphorm在1月10日的收盤價溢價約35%，總估值約為3.39億美元。
2024-01-17 14:15:33234 偉詮電在氮化鎵（GaN）快充市場迎來了新的機遇，因為日本集成設備制造商（IDM）瑞薩公司近期宣布成功收購美國GaN廠商Transphorm。這對偉詮電來說意味著未來或將邁入瑞薩供應鏈，進一步加強
2024-01-16 18:43:46506 在科技領域的巨浪中，瑞薩電子以35%的溢價宣告了一項重磅收購。1月11日，瑞薩電子正式宣布與氮化鎵（GaN）器件領導者Transphorm達成最終協(xié)議，按照協(xié)議的規(guī)定，瑞薩電子的子公司將以每股
2024-01-12 14:54:25361 全球半導體解決方案供應商 瑞薩 電子與全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”)于今天宣布雙方已達成最終協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，瑞薩子公司將以每股
2024-01-12 14:11:58267 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）與全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布雙方已達成最終協(xié)議
2024-01-11 18:17:32865 新設計工具有助于加速兩輪電動車市場的產(chǎn)品設計，并幫助系統(tǒng)工程師充分利用SuperGaN FET的優(yōu)勢 ? 2023 年 12 月 21 日 －全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商
2023-12-27 17:39:22130 
隨著半導體技術的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢逐漸應用在更多的領域中。高質量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎。
2023-12-27 09:32:54374 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 SGN2729-600H-R型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN2729-600H-R為s波段雷達應用提供高功率、高效率和更高的一致性，覆蓋2.7至2.9 GHz，工作電壓為50V
2023-12-17 10:56:07
專為大功率應用而設計的隔離式柵極驅動器，有助于加速氮化鎵半導體在數(shù)據(jù)中心、可再生能源和電動汽車領域的應用 ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 12 月 7 日 – 全球領先的氮化鎵（GaN
2023-12-12 18:03:10179 小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET *1 ，新產(chǎn)品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機等應用。 R6004END4
2023-12-12 12:10:01222 
SGN2933-600D-R 型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN2933-600D-R提供高功率、高S波段覆蓋2.9至3.3GHz的效率和更大的一致性50V工作和高達脈沖
2023-12-11 13:25:59
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08242 
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28195 
、SL3061芯片介紹
SL3061是一款高性能的功率MOS管芯片，內(nèi)置MOS管，具有2.5A的電流能力，耐壓40V。它采用先進的工藝技術和設計理念，具有高效率、低功耗、高可靠性等優(yōu)點。此外
2023-11-13 15:24:19
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）今年10月，英飛凌以8.3億美元完成對功率GaN公司GaN Systems的收購，成為了功率GaN領域史上最大規(guī)模的一筆收購，這筆收購的價值甚至比2022年整個功率
2023-11-10 00:24:001758 
? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統(tǒng)的未來、氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出
2023-11-07 17:51:23619 
氮化鎵（GaN）功率器件在幾個關鍵性能指標上比硅（Si）具有優(yōu)勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場，能實現(xiàn)更薄的漂移層，同時在較高的擊穿電壓下可以降低導通電阻（Rds（on））。由于
2023-11-06 09:39:293605 
美格納半導體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級結金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 Power Integrations 近日發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC采用了1250V的PowiGaN開關技術。InnoSwitch3-EP 1250V?IC
2023-10-31 16:54:481866 －通孔式小型封裝有助于減小表貼面積和電機電路板尺寸－ ? 中國上海， 2023 年 10 月 26 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件
2023-10-27 16:18:50791 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation?("Toshiba")推出了兩款600V小型智能功率器件(IPD)產(chǎn)品，適用于空調(diào)、空氣凈化
2023-10-27 11:13:00301 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等直流無刷電機驅動應用。
2023-10-27 11:05:54657 
，往往需要更高的耐壓能力，以確保電路的正常運行和安全性。因此，電感器的耐壓值就顯得尤為重要。 1.電感器的耐壓值 通常來說，電感器的耐壓值（常稱電壓強度）是指電器元件在規(guī)定時間下能夠承受的最大電壓值。在電路中，通
2023-10-24 10:04:481450 功率器件：Power Integrations推出的PowiGaN技術是業(yè)界首款GaN-on-Sapphire功率IC，已經(jīng)在手機快充上大量出貨。國內(nèi)蘇州捷芯威也推出了藍寶石基氮化鎵高壓保護開關器件，單管耐壓2000V
2023-10-18 15:59:20
1 電力系統(tǒng)的未來，氮化鎵（GaN）功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）今日宣布，DAH Solar Co., Ltd.的世界首個集成型光伏（PV）系統(tǒng)采用
2023-10-16 16:34:15246 
Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）是強大的GaN功率半導體（下一代電力系統(tǒng)的未來）領域全球領先的企業(yè)。該公司今天推出了三款TOLL封裝的SuperGaN?FET，其導通電
2023-10-12 16:40:56250 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 基于峰岹的FU6813主控芯片和智能功率模塊SPE10S60F-A（600V/10A）的波輪洗衣機控制方案，F(xiàn)U6813是一款集成電機控制引擎(ME)和8051內(nèi)核的高性能電機驅動專用芯片，內(nèi)置高
2023-09-20 17:03:22
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
GaN因其特性，作為高性能功率半導體材料而備受關注，近年來其開發(fā)和市場導入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長GaN晶體）和垂直型（原樣使用GaN襯底）。
2023-09-13 15:05:25657 
單芯片半橋式STDRIVEG600柵極驅動器專為特定的GaN FET驅動要求而設計，具有較短的45ns傳播延遲和低至5V的工作電壓。STDRIVEG600通過較高的共模瞬態(tài)抗擾度、一套集成式保護功能
2023-09-05 06:58:54
Transphorm在公告中表示，他們的氮化鎵將被用于大恒能源的Solar Unit產(chǎn)品線，GaN器件可以實現(xiàn)更小、更輕、更可靠的太陽能系統(tǒng)，同時還能以更低的能耗提供更高的總發(fā)電量。Transphorm還表示，氮化鎵技術在全球光伏領域的市場空間將超過5億美元。
2023-08-30 16:42:34826 
與安川電機公司合作取得的這項成果，充分利用了 Transphorm 常關型平臺的基本優(yōu)勢。 ? ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 8 月 24 日 － 新世代電力系統(tǒng)的未來，氮化鎵（GaN
2023-08-28 13:44:35154 
?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（下稱“Toshiba”）推出了兩款適用于直流無刷電動機應用領域的600V小型智能功率元件(IPD
2023-08-25 11:20:34496 器件描述：漏源電壓（Vdss）：600V 連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：4A(Tc) 柵源極閾值電壓：4.5V @ 50uA 漏源導通電阻：2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散
2023-08-21 10:49:56
Yaskawa企業(yè)技術部基礎研發(fā)管理部經(jīng)理Motoshige Maeda表示：“如果功率半導體器件無法承受短路事件，系統(tǒng)本身可能失效。業(yè)界普遍認為GaN功率晶體管無法滿足像我們這樣的重載電力應用所需的短路要求。
2023-08-14 11:47:32345 650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
供應ID5S609SEC-R1 600V高低側柵極驅動芯片可代換IR2304，提供id5s609芯片資料關鍵參數(shù) ，廣泛應用于中小型功率電機驅動、功率MOSFET或IGBT驅動、半橋功率逆變器
2023-07-20 14:20:134 供應ID7U603SEC-R1 600V半橋MOS柵極驅動IC，提供ID7U603規(guī)格書關鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2023-07-20 14:11:044 供應ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半橋驅動芯片可代換IR2104，提供ID7U603SEC-R1關鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2023-07-20 14:10:05
同時實現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復時間和業(yè)界超低導通電阻，可進一步降低工業(yè)設備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產(chǎn)品陣容中又新增
2023-07-12 12:10:08437 功率元件具有較大的承載能力和較低的內(nèi)阻，以應對較高的功率需求，并保證能量傳輸?shù)男?。例如?b class="flag-6" style="color: red">功率晶體管（如MOSFET、BJT）和功率放大器模塊屬于典型的功率元件。
2023-06-30 16:28:141019 圖1所示電路顯示了一個電路，其中低壓微控制器與高壓域（包括輸出開關及其柵極驅動器）電氣隔離（出于安全原因）。更快的開關速度意味著更快的開關瞬變。例如，GaN功率系統(tǒng)的開關時間通常為5ns（比傳統(tǒng)
2023-06-28 14:33:33275 
測試平臺實物圖
基于GaN器件的半橋電路測試平臺，我們對三安集成的200V 20mΩ GaN EHEMT進行了相關測試。Class D功率電路的核心為逆變電路，而逆變拓撲實則為各種頻率的脈沖調(diào)制波控制下
2023-06-25 15:59:21
GaN在單片功率集成電路中的工業(yè)應用日趨成熟
2023-06-25 10:19:10
GaN功率半導體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半導體集成驅動性能
2023-06-21 13:24:43
GaN功率半導體器件集成提供應用性能
2023-06-21 13:20:16
升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21
用于無線充電應用的高壓GaN功率半導體單級6.78 MHz功率放大器設計
2023-06-21 11:45:06
單片GaN器件集成驅動功率轉換的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
GaN功率IC使能4倍功率密度150W AC/DC變換器設計
2023-06-21 07:35:15
GaN功率集成電路技術:過去，現(xiàn)在和未來
2023-06-21 07:19:58
年 6 月 15 日 – 新世代電力系統(tǒng)的未來, 氮化鎵（GaN）功率轉換產(chǎn)品的全球領先供應商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發(fā)布了一款高性能、低成本的驅動器解決方案。這款設計方案
2023-06-19 17:47:16337 氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半導體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率集成電路的進展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
GaN功率集成電路
2023-06-19 08:29:06
GaN功率集成電路可靠性的系統(tǒng)方法
2023-06-19 06:52:09
Transphorm宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規(guī)格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體，領先同類產(chǎn)品。 該器件
2023-06-16 18:25:04267 
為了滿足數(shù)據(jù)中心快速增長的需求，對電源的需求越來越大更高的功率密度和效率。在本文中，我們構造了一個1.5 kW的LLC諧振變換器模塊，它采用了Navitas的集成GaN HEMT ic，完全符合尺寸
2023-06-16 11:01:43
基于GaN器件的產(chǎn)品設計可以提高開關頻率，減小體積無源器件，進一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關特性，給散熱帶來了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設計、驅動設計和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
基于平面矩陣的高頻高效LLC模塊基于GaN功率集成電路的CPRS變壓器
2023-06-16 06:48:18
線。該器件采用超級結結構，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開關電源和光伏發(fā)電機功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開始批量出貨。 ? ? 通過對柵極設計和工藝進行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的
2023-06-13 16:38:50712 
伏GaN-on-Sapphire功率半導體，領先同類產(chǎn)品。這款產(chǎn)品的發(fā)布展現(xiàn)Transphorm有能力支持未來的汽車電力系統(tǒng)，以及已普遍用于工業(yè)、數(shù)據(jù)通信和可再生能源
2023-06-02 13:54:07395 非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)的效率提升和小型化 全球知名半導體制造商ROHM（以下簡稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT
2023-05-25 00:25:01322 
氮化鎵（GaN）是用于在干擾器中構建RF功率放大器（PA）的主要技術。GaN 具有獨特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場比其他射頻半導體技術高 20 倍。這不僅是GaN的高溫可靠性的原因，也是功率密度能力的原因。因此，GaN使干擾設備能夠滿足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:091057 
電流。另一方面，GaN RF 功率器件具有自加熱特性，并且元件參數(shù)的非線性與信號電平、熱效應和環(huán)境條件之間存在復雜的依賴關系。這些因素往往給準確預測器件大信號性能造成更多困難。
2023-05-24 09:40:011374 
全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)
2023-05-18 16:34:23463 0402元件改成0201甚至01005除了耐壓、精度、貼片工藝 還需要注意哪些細節(jié)
2023-05-05 18:29:34
GaN基功率開關器件能實現(xiàn)優(yōu)異的電能轉換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質結構中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關的核心器件增強型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結構。
2023-04-29 16:50:00793 
有助于配備小型電機的設備減少抗噪聲設計工時和部件數(shù)量，并降低功率損耗 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-04-19 17:50:02407 
您可以通過多種方式控制GaN功率級。LMG5200 GaN 半橋功率級的 TI 用戶指南使用無源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中，我將描述如何使用Hercules微控制器驅動它。圖 1 顯示了用于驅動 LMG5200 的 Hercules 模塊。
2023-04-14 10:07:41962 
供應ups逆變器igbt單管SGT60N60FD1P7 ，提供SGT60N60FD1P7 600v 60a規(guī)格書參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-04-04 10:39:344 供應電機常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A，提供SGTP50V60FD2PU關鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 17:24:105 供應50a 600v igbt 驅動電路SGTP50V60FD2PF，提供SGTP50V60FD2PF關鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 17:15:592 供應全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7，提供SGT20T60SDM1P7關鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:02:491 供應5a、600v耐壓igbt SGTP5T60SD1DFS可代換AOD5B65M1 ，提供SGTP5T60SD1DFS規(guī)格書參數(shù) ，可應用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領域，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
2023-04-03 14:48:131 高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設計高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-00961 參考設計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410
2023-04-03 09:43:321166 
900V耐壓的GaN器件，為汽車、工業(yè)及家電類應用提供優(yōu)質選擇。 伴隨著日益增加的功率需求，負載范圍內(nèi)更高的效率以及不斷升高的供電電壓的市場驅動，汽車、工業(yè)及家電類應用越來越需要高性能、高可靠性
2023-03-30 11:48:45562 NUT/SCREWDRIVERSETW/HANDLE2PC
2023-03-29 21:00:14
TRANSISTOR GAN 600W
2023-03-29 14:25:16
逆變器、全橋驅動逆變器等領域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點■浮動工作電壓可達600V■拉灌電流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的輸入邏輯電平■dV/dt抗干擾能力±5
2023-03-29 09:24:35930 
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