利用 SiC 功率器件開關(guān)頻率高、開關(guān)損耗低等優(yōu)點, 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機逆變器模塊, 對軟硬件進行設(shè)計。
2024-03-13 14:31:46
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為滿足快速發(fā)展的電動汽車行業(yè)對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計與開發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03376 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1.5A 輸出電流高功率密度降壓/升壓轉(zhuǎn)換器TPS631000數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-07 10:23:21
0 ? 在處理激光光學時，功率和能量密度是需要理解的兩個重要概念。這兩個術(shù)語經(jīng)常互換使用，但含義不同。表1定義了與激光光學相關(guān)的功率密度、能量密度和其他相關(guān)術(shù)語。 表1：用于描述激光束和其他電磁輻射
2024-03-05 06:30:22167 
側(cè)輸出電壓和輸電電流，分別計算各采集時間點(每分鐘)輸出功率和輸出效率，為直觀展現(xiàn)逆變器效率，可將不同負載情況下轉(zhuǎn)換效率擬合得到輸出效率分布趨勢圖，同時可根據(jù)不同負載率工況的轉(zhuǎn)換效率計算出逆變器平均
2024-02-22 15:15:01
變頻器的輸入功率因數(shù)比輸出功率因數(shù)高的原因是什么？
在變頻器輸出達到額定電流輸出的時候，變頻器的功率因數(shù)也是比較低的，以37KW為例，37000/380/75/1.732=0.75，為什么變頻器在
2024-02-22 11:24:15
今天測試一臺大功率的逆變器，380V500KW，上電先是用可調(diào)直流源，調(diào)整欠壓點為250V，直流電源輸出設(shè)定為350V，電流輸出設(shè)定為0.2，0.5，2，5A，分別設(shè)定為如上數(shù)值時，直流源的輸出功率
2024-02-18 19:52:20
適用SiC逆變器的各要素技術(shù)(SiCpower module,柵極驅(qū)動回路,電容器等)最優(yōu)設(shè)計與基準IGBT對比逆變器能量損失減少→EV續(xù)駛里程提升(5%1)
2024-01-26 10:25:44144 
逆變器的主要參數(shù)包括輸入電壓、輸出電壓、輸出頻率、最大輸出功率、效率、波形失真率、負載調(diào)整率、負載調(diào)整率、過載能力和保護功能等。 最大交流功率：指逆變器能夠提供的最大功率。通常，逆變器的命名
2024-01-23 10:39:30470 至關(guān)重要的作用。傳統(tǒng)的光伏并網(wǎng)逆變器通常采用IGBT器件，但由于該種器件的開關(guān)速度受到電導調(diào)制效應(yīng)影響，使得逆變器的開關(guān)頻率難以提高，這就限制了光伏逆變器效率和功率密度的提升。與傳統(tǒng)的 Si 器件相比
2024-01-19 09:43:03457 
相比較，GaN具有更加優(yōu)異的性能；包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移效率和更高的導熱系數(shù)。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷
2024-01-19 09:27:13
小米超級電機V8s最大馬力為578PS，峰值功率達425kW，峰值扭矩635N·m，最高效率達98.11%，具有全球領(lǐng)先的電機功率密度，高達10.14kW/kg。
2024-01-10 16:13:41115 
iC逆變器是一種新型的電力電子器件，具有高效率、高頻率、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于電動汽車、可再生能源、電力系統(tǒng)等領(lǐng)域。制造SiC逆變器需要遵循一定的流程，以確保產(chǎn)品的性能和可靠性。以下是制造
2024-01-10 14:55:44137 
。以下是設(shè)計SiC逆變器的一般流程： 需求分析：首先需要明確SiC逆變器的應(yīng)用需求，包括輸入電壓范圍、輸出電壓頻率、功率等級、工作溫度范圍等。這些需求將決定SiC逆變器的基本參數(shù)和性能指標。 拓撲結(jié)構(gòu)設(shè)計：根據(jù)需求分析，選擇合適的
2024-01-10 14:42:56190 2024年1月4日，致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布其旗下品佳推出基于英飛凌（Infineon）XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS MOSFET的3.3KW高功率密度雙向相移全橋方案。
2024-01-05 09:45:01227 
近日，迪龍新能源（Dilong New Energy）推出了一款輸出功率可達12kW的大功率DC/DC變換器，該變換器型號為DE12KS32A-560S400CA，可應(yīng)用于光伏儲能系統(tǒng)中。
2024-01-03 11:37:54415 事通訊設(shè)備產(chǎn)品規(guī)格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管最低頻率(MHz)：0最高頻率(MHz)：2000最高值輸出功率(W)：200增益值(分貝)：24.0效率（％）：70額定電壓(V)：27類型：封裝分立晶體管封裝類別：法蘭盤、丸狀技術(shù)應(yīng)用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
第三代功率半導體碳化硅SiC具有高耐壓等級、開關(guān)速度快以及耐高溫的特點，能顯著提高電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)的效率、功率密度和可靠性。
2023-12-28 16:08:18686 
一臺高壓電機額定功率5100KW,那它實際上能輸出多少功率？
輸出功率也就是有功功率，這個應(yīng)該跟功率因數(shù)有關(guān)。
那它最大輸出功率也不會超出5100KW,它的總功率也就是5100KW.
我如果讓電機
2023-12-27 07:22:49
，60W GaN MMIC HPA最低頻率(MHz)：13400最高頻率(MHz)：15500最高值輸出功率(W)：60額定電壓(V)：28模式：封裝的MMIC封裝類別：法蘭盤、模具技術(shù)性：GaN-on-SiC
2023-12-26 09:52:16
AP9523高功率密度5V/2.5A模塊電源方案
2023-12-25 13:36:42235 
在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計和優(yōu)化中，功率密度是一個不容忽視的指標。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:07276 
據(jù)介紹，該技術(shù)利用SiC電源開關(guān)以提高效率，并提供更高的功率密度、功率轉(zhuǎn)換和安全合規(guī)性，預計將于 2027 年 1 月投產(chǎn)。
2023-12-20 11:40:50134 
隨著電動汽車（EVs）的銷售量增長，整車OBC（車載充電器）的性能要求日益提高。原始設(shè)備制造商正在尋求最小化這些組件的尺寸和重量以提高車輛續(xù)航里程。因此，我們將探討如何設(shè)計、選擇拓撲結(jié)構(gòu)，以及如何通過GaN HEMT設(shè)備最大化OBCS的功率密度。
2023-12-17 11:30:00617 
，GaN具有更好的性能；包括更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導率。與GaAs晶體管相比，GaN HEMT還具有更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96130F使用金屬/陶瓷法蘭封裝可以實現(xiàn)
2023-12-13 10:10:57
功率密度的提高及器件小型化等因素使熱量的及時導出成為保證功率器件性能及可靠性的關(guān)鍵。
2023-12-13 09:39:26302 
：
功率Kw
密度kg/dm3
流量l/s
揚程m
重力加速度9.8m/s2
2、例如：水泵流量為7000l/min，揚程為25m，泵的效率為0.83。
則水泵的軸功率為：
P=1.0*（7000/60
2023-12-11 08:05:20
5.5kw電機空載電流為額定電流的50%左右，那么是不是說電機此時的功率也是50%左右呢？
空載光電機轉(zhuǎn)，輸出的扭矩也是額定的50%？
如何知道功率因數(shù)？
我現(xiàn)在想通計算不同負載下的電機輸出功率。
另外我想問一下效率η在不同工況下的值是一樣的嘛？
2023-12-11 07:15:55
MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用，推薦使用瑞森半導體SiC MOS系列，簡化逆變電路拓撲結(jié)構(gòu)并提高功率密度
2023-12-08 12:00:21558 
MOS管在三相逆變器上的應(yīng)用,推薦使用瑞森半導體SiC MOS系列,簡化逆變電路拓撲結(jié)構(gòu)并提高功率密度
2023-12-08 10:57:48197 
二極管射頻測試電路是用來測試射頻信號的電路，它的輸出功率可以通過測量電路中的電壓和電流來計算得出。
2023-12-08 09:11:57214 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度.doc》資料免費下載
2023-12-06 14:39:00308 功率半導體冷知識：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
模塊系列新添全新工業(yè)標準封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓撲設(shè)計并基于新推出的增強型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。該封裝使SiC能夠應(yīng)用于250 kW以上的中等功率等級應(yīng)用，而傳統(tǒng)
2023-12-05 17:03:49446 
采用IGBT7高功率密度變頻器的設(shè)計實例
2023-12-05 15:06:06364 
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28195 
AD9788中輸出功率在匹配50歐姆的情況下最高輸出功率是多少，為什么提高載波nco的頻率會導致輸出功率變小，變小的因素是什么 變小的幅度是多少？
2023-12-01 06:52:40
通過GaN電機系統(tǒng)提高機器人的效率和功率密度
2023-11-29 15:16:27220 
最近用ADI的AD9788芯片，采用標準數(shù)字正交上變頻功能。輸入時鐘800MHz，輸出信號150MHz，四倍插值，采樣率200MHz?，F(xiàn)在輸出信號功率非常小，只有大約-35dBm左右，請問大家有沒有用過這個芯片，輸出功率大約是多少？如何調(diào)整輸出功率變大？謝謝！
2023-11-27 09:22:33
提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:38279 
非互補有源鉗位可實現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計
2023-11-23 09:08:35284 
隨著汽車行業(yè)逐步縱深電氣化，我們已經(jīng)創(chuàng)造出了顯著減少碳排放的可能性。然而，由此而來的是，增加的電子設(shè)備使得汽車對電力運作的需求日益攀升，這無疑對電源網(wǎng)絡(luò)提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在電源管理設(shè)計中的關(guān)鍵切換功能，成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:06672 
提高功率密度和縮小電源并不是什么新鮮事。預計這一趨勢將持續(xù)下去，從而實現(xiàn)新的市場、應(yīng)用和產(chǎn)品。這篇博客向設(shè)計工程師介紹了意法半導體（ST）的電源解決方案如何采用寬帶隙（WBG）技術(shù)，幫助
2023-11-16 13:28:337015 
中，正逐漸引入 SiC 器件以及更高的母線電壓，提升充電功率。這一趨勢也對隔離式偏置供電電源的設(shè)計提出了新的要求，對此，MPS 推出 LLC 變壓器驅(qū)動芯片以及隔離式偏置電源模塊解決方案，助力高功率密度的充電系統(tǒng)設(shè)計。 演講大綱： 1. 隔離式偏置電源的挑戰(zhàn) 2. LLC 變壓器
2023-11-15 12:15:01202 
備份
微型儲能
能量收集
DDR電源備份
EDLC串聯(lián)超級電容器模塊
Supercapacitor
與徑向超級電容器和紐扣式超級電容器相比，該產(chǎn)品能夠在高能量和功率密度的情況下滿足高達7.5V
2023-11-06 14:18:58
我設(shè)想輸出功率起碼，100瓦以上。而現(xiàn)在的輸出功率不到20W，求大神指導，是哪里的配置不對。限制了輸出功率。
EG2014IC技術(shù)文檔，拓撲圖
2023-10-26 22:39:31
模塊的高效率、高功率密度和高可靠性的挑戰(zhàn)需要通過持續(xù)的模塊改進來支持。阻斷電壓為 1700V 和 3300V 的全 SiC MOSFET 模塊已從研究階段成功開發(fā)到量產(chǎn)，并滿足最高的牽引質(zhì)量、可靠性和性能標準。 封裝和芯片移位 近年來，下一代高功率
2023-10-24 16:11:30382 
網(wǎng)分的射頻輸出功率如何設(shè)置？改動射頻輸出功率，對測試參數(shù)有什么影響？ 網(wǎng)分器是一種常用的高頻器件，它可以將輸入的高頻信號分成兩個或多個輸出端口，用于進行不同的測試或應(yīng)用。網(wǎng)分器的射頻輸出功率是指在
2023-10-20 14:44:20557 點擊 “東芝半導體”，馬上加入我們哦！ 碳化硅（SiC）是第3代半導體材料的典型代表，具有高禁帶寬度、高擊穿電場和高功率密度、高電導率、高熱導率等優(yōu)越的物理性能，應(yīng)用前景廣闊。 目前，東芝的碳化硅
2023-10-17 23:10:02268 
未來對電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進一步提高。輸出功率應(yīng)適應(yīng)不同終端客戶的不同項目。同時，變流器仍需具有成本競爭力。本文展示了新型4.5kV功率模塊如何在鐵路、中壓驅(qū)動或電力系統(tǒng)等應(yīng)用中滿足這些變流器要求。
2023-10-17 10:50:31395 
） 功率密度高的模塊 采用Si3N4陶瓷的低熱阻設(shè)計 低寄生電感的模塊設(shè)計設(shè)計 400A 650V NPC-I 拓撲 采用G5T技術(shù)平臺芯片（對標S5） 0 2 應(yīng)用價值 通過HV-H3TRB的可靠性實驗 芯片技術(shù)平臺升級（5代）
2023-10-12 19:25:01489 
在元件層面，硅 IGBT 比 SiC 同類產(chǎn)品便宜得多，并且不會很快從電力應(yīng)用中消失。但一級制造商和原始設(shè)備制造商表示，將高功率密度碳化硅應(yīng)用到逆變器設(shè)計中，可以降低系統(tǒng)級成本，因為需要更少的組件，從而節(jié)省了空間和重量。
2023-10-08 15:24:59595 
主體結(jié)構(gòu)采用SPM的結(jié)構(gòu)，極槽布置布置采用：12極18槽，最高轉(zhuǎn)速20000rpm，功率密度52.43kW/L，磁鋼型蛤采用：N50，硅鋼材料采用：Arnon 5
2023-10-08 10:48:51201 
電力電子產(chǎn)品設(shè)計人員致力于提升工業(yè)和汽車系統(tǒng)的功率效率和功率密度，這些設(shè)計涵蓋多軸驅(qū)動器、太陽能、儲能、電動汽車充電站和電動汽車車載充電器等。
2023-09-26 10:00:04166 
10kw-13kw單相組串式光伏太陽能逆變器
2023-09-20 15:20:41318 
; 0.98 @ 100% 負載? iTHD < 5% @ 100% 負載? 保持時間: 10ms? 功率密度高達 40W/inch^3? 峰值涌入電流 < 30A
2023-09-07 06:00:23
賽晶科技表示，為電動汽車應(yīng)用量身定做的HEEV封裝SiC模塊，導通阻抗低至1.8mΩ（@25℃），可用于高達250kW電驅(qū)系統(tǒng)，并滿足電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)對高功率、小型化和高可靠性功率的需求。
2023-09-02 09:42:41316 
，比如近幾年，單電機的功率越來越大，功率密度越來越高，每一次性能上的提升都是材料、散熱、電路控制方面的進步。 ? 此前《中國制造2025重點領(lǐng)域技術(shù)路線圖》中的目標是，到2025年和2030年，國內(nèi)乘用車驅(qū)動電機20s有效比功率分別要達到≥
2023-08-19 02:26:001870 
依靠簡單的經(jīng)驗法則來評估電源模塊密度的關(guān)鍵因素是遠遠不夠的，例如電源解決方案開關(guān)頻率與整體尺寸和密度成反比；與驅(qū)動系統(tǒng)密度的負載相比，功率密度往往以不同的速率變化；因此合理的做法是將子系統(tǒng)和相關(guān)器
2023-08-18 11:36:27264 電源的壓力，主要有兩點： 水漲船高的功率： 服務(wù)器GPU和CPU功耗加劇使得其功率密度直逼100W/inch3； 愈發(fā)苛刻的效率： 國家雙碳目標，歐盟2023年實現(xiàn)鈦金效率的新法規(guī)要求，使得服務(wù)器電源需要向更高效率的方向演進。 兩手都要抓，兩手都要硬。
2023-08-03 14:07:33597 
600kW 三相逆變器展示了通過使用六個 Wolfspeed XM3 半橋功率模塊獲得的系統(tǒng)級功率密度和效率。重量和體積僅為標準62mm模組的一半；XM3 封裝可最大限度地提高功率密度，同時最大
2023-08-02 09:55:24
這款 200kW 三相逆變器展示了通過使用 Wolfspeed 的新型 XM3 功率模塊平臺獲得的一流系統(tǒng)級功率密度和效率。XM3功率模塊平臺針對高密度SiC MOSFET進行了優(yōu)化；低電感足跡；這
2023-08-02 09:49:23
這款 250kW 三相逆變器展示了通過使用 Wolfspeed 的新型 XM3 功率模塊平臺獲得的一流系統(tǒng)級功率密度和效率。XM3功率模塊平臺針對高密度SiC MOSFET進行了優(yōu)化；低電感足跡；這
2023-08-02 09:44:13
這款 300kW 三相逆變器展示了通過使用 Wolfspeed 的新型 XM3 功率模塊平臺獲得的一流系統(tǒng)級功率密度和效率。XM3功率模塊平臺針對高密度SiC MOSFET進行了優(yōu)化；低
2023-08-02 09:39:38
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高功率密度200W游戲適配器TM PFC+HB LLC轉(zhuǎn)換器.pdf》資料免費下載
2023-07-31 15:28:514 幾乎每個應(yīng)用中的半導體數(shù)量都在成倍增加，電子工程師面臨的諸多設(shè)計挑戰(zhàn)都歸結(jié)于需要更高的功率密度。
2023-07-11 11:21:34220 
為什么提高功率密度是轉(zhuǎn)換器設(shè)計人員的重要目標？不論是數(shù)據(jù)中心服務(wù)器等能源密集型系統(tǒng)，還是道路上越來越智能的車輛，為其供電的電源轉(zhuǎn)換電路需要能夠在更小的空間內(nèi)處理更大的功率。真的就是那么簡單。
2023-07-08 11:14:00343 GaN功率IC使能4倍功率密度150W AC/DC變換器設(shè)計
2023-06-21 07:35:15
為了滿足數(shù)據(jù)中心快速增長的需求，對電源的需求越來越大更高的功率密度和效率。在本文中，我們構(gòu)造了一個1.5 kW的LLC諧振變換器模塊，它采用了Navitas的集成GaN HEMT ic，完全符合尺寸
2023-06-16 11:01:43
功率密度本設(shè)計實現(xiàn)35W/in3功率密度，滿載94.5%效率@ 90Vac，并通過CE和RE標準足夠的保證金。
2023-06-16 09:04:37
100khz，軟開關(guān)雙向Boost-SRC的開關(guān)頻率在上面400khz，最大工作頻率800khz。PFC電感和變壓器體積明顯減小，功率密度可達3.9kW/L。
2023-06-16 08:59:35
90vac時效率為94.5%，在230vac時效率為95.8%與之前最先進的設(shè)計相比，效率至少提高1%，節(jié)能高達20%。估計外殼尺寸為100cc，功率密度為1.4 W/cc。
2023-06-16 08:06:45
NSP-1600是一款1.6KW單組輸出機殼型交流變直流電源供應(yīng)器, 1U低外型并且具有25W/in'高功率密度。整系列輸入電壓范圍為90~264VAC，并且能提供可滿足大部分工業(yè)需求的直流輸出。
2023-06-14 11:06:00377 
SiC（碳化硅）功率器件以其耐高溫、耐高壓、低開關(guān)損耗等特性，能有效實現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化、輕量化、高功率密度等要求，受到了新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的追捧。
2023-06-09 15:20:53499 
逆變器效率是衡量逆變器性能的重要技術(shù)參數(shù)。逆變器效率是指在規(guī)定條件下，輸出功率與輸入功率之比，以百分數(shù)表示。逆變器效率數(shù)值可反映逆變器自身損耗功率值。一般情況下，光伏逆變器的標稱效率是指純阻負載，80%（個人理解：此處80%指實際輸出容量與額定輸出容量的比值）負載情況下的效率。
2023-06-07 10:07:443753 得益于自適應(yīng)M懸架配置的驅(qū)動系統(tǒng)技術(shù)，i7 M70 xDrive車型后軸電機的功率密度達到了新的水平。該車型后軸電機驅(qū)動模塊采用六相雙逆變器設(shè)計，電機功率密度可達2.41 kW/kg，與i7 xDrive60車型的驅(qū)動模塊相比
2023-05-25 14:32:33497 
氮化鎵（GaN）是用于在干擾器中構(gòu)建RF功率放大器（PA）的主要技術(shù)。GaN 具有獨特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場比其他射頻半導體技術(shù)高 20 倍。這不僅是GaN的高溫可靠性的原因，也是功率密度能力的原因。因此，GaN使干擾設(shè)備能夠滿足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:091057 
牽引逆變器是電動汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件，功率級別可達 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動汽車單次充電后的行駛里程。因此，為了構(gòu)建下一代牽引逆變器系統(tǒng)，業(yè)界廣泛采用碳化硅 (SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 來實現(xiàn)更高的可靠性、效率和功率密度。
2023-05-23 15:09:46385 
和30.500kW/6V輸出時，體積和重量減少6%，磁性元件的功率損耗降低400%。實驗結(jié)果表明，SiC功率器件比硅基功率器件具有卓越的性能，在98 V/5 A輸出的轉(zhuǎn)換器中，500 kHz時的峰值轉(zhuǎn)換器效率接近400.16%。
2023-05-20 16:51:591210 
800 V 架構(gòu)降低了損耗，該行業(yè)還需要尺寸縮小但輸出功率增加的逆變器，實現(xiàn)遠超硅（Si）基技術(shù)（如 IGBT）能力的功率密度。
2023-05-20 16:00:231161 
器件實現(xiàn)更高的功率密度，尤其是 ATDI 的新型 Kodiak 電源平臺，其功率密度高達 40 W/in3。此外，Wolfspeed 具有開發(fā)穩(wěn)定 SiC 解決方案的悠久歷史，能夠幫助 ATDI 提供性能更出色的功率轉(zhuǎn)換器，反之亦可幫助客戶提升工藝控制水平。
2023-05-20 15:46:51436 
在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時也會帶來巨大的性能提升。比如，在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時，GaN（氮化鎵）憑借零反向復原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢，能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27741 
該系列產(chǎn)品使用我司自主技術(shù)研發(fā)，提供3年質(zhì)保，滿足UL/CE/CB認證標準，工作溫度范圍寬、效率高、空載功耗低，具有輸入欠壓保護，輸出過壓、過流、短路保護等功能，擁有小體積高功率密度的優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于工控、電力、儀器儀表、通信等領(lǐng)域，為后端客戶產(chǎn)品開發(fā)運行保駕護航。
2023-05-12 14:17:10450 
又是逆變器實現(xiàn)高傳輸效率、高功率密度的關(guān)鍵器件，目前電動汽車驅(qū)動逆變器絕大部分是基于傳統(tǒng)Si(硅)器件IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)功率模塊的設(shè)計，存在開關(guān)頻率低、損耗大的缺點，外圍配套濾波器體積大，質(zhì)量重，制約了逆變控制器功率密度的提高。
2023-05-11 14:04:531486 
LTM4620 μModule 穩(wěn)壓器是一款真正的高密度電源解決方案。它在高功率密度穩(wěn)壓器領(lǐng)域脫穎而出，因為它管理熱量，這是許多宣稱的高密度解決方案的致命缺陷。它具有兩個高性能穩(wěn)壓器，封裝在卓越
2023-04-14 11:20:21645 
點擊藍字?關(guān)注我們 隨著科技發(fā)展和環(huán)境保護的要求，電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率變得越來越重要。圖騰柱PFC作為提高大功率單相輸入電源的效率和功率密度的重要拓撲也受到了許多人的關(guān)注。那么利用圖騰柱PFC如何在
2023-04-13 00:30:04635 
最大輸入功率：最大輸入功率是指逆變器最多能處理的電能輸入功率。一般來說，太陽能電池板的輸出功率會有限制，而逆變器的最大輸入功率也會有限制，因此需要根據(jù)太陽能電池板輸出功率與逆變器的最大輸入功率進行匹配。
2023-04-09 13:51:311060 作為一種寬帶隙晶體管技術(shù)，GaN正在創(chuàng)造一個令人興奮的機會，以實現(xiàn)電力電子系統(tǒng)達到新的性能和效率。GaN的固有優(yōu)勢為工程師開啟了重新考慮功率密度的方法，這些方法在以前并不可能實現(xiàn)，如今能滿足世界日益增長的電力需求。在這篇文章中，我將探討如何實現(xiàn)。
2023-04-07 09:16:45575 
對于快充而言，充電功率相比較交流充電，具體的充電電壓和電流并沒有限制，從20kW、40kW、60kW到200kW、250kW、350kW都有。只要輸入（電網(wǎng)）和輸出端（車輛）支持，可以做的很大。
2023-04-06 10:44:0913210 交通應(yīng)用中電氣化的趨勢導致了高功率密度電力電子轉(zhuǎn)換器的快速發(fā)展。高開關(guān)頻率和高溫操作是實現(xiàn)這一目標的兩個關(guān)鍵因素。
2023-03-30 17:37:53914 THESPRINGEQUINOXPD快充icU6649滿足輸出功率達27WPD快充最佳應(yīng)用場景，除了手機、筆記本，還有移動電源，當然，隨著功率的增大，更多的場景將會被挖掘。PD快充icU6649
2023-03-30 15:11:32509 
電機控制器整體重量低于7.5kg，厚度76mm，功率密度為34kW/kg，SiC用在車用逆變器上，可以使開關(guān)損耗降低75％（芯片溫度為150°C）。在相同封裝下，全SiC模塊具備更高的電流輸出能力，支持逆變器達到更高功率。
2023-03-30 09:39:251229 功率密度指標評價需要在一定的前提條件下進行，與指標定義、評價對象、運行電壓、工作溫度及其冷卻條件、持續(xù)時間、恒功率調(diào)速范圍等因素密切相關(guān)，不同前提下功率密度量化指標差異巨大。
2023-03-27 14:12:002004 對于電源管理應(yīng)用程序而言，功率密度的定義似乎非常簡單：它指的是轉(zhuǎn)換器的額定（或標稱）輸出功率除以轉(zhuǎn)換器所占體積，如圖1所示。
2023-03-23 09:27:49710 
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