安森美（onsemi）全新推出的EliteSiC功率集成模塊，可為電動(dòng)汽車直流超快速充電樁提供雙向充電功能。
2024-03-21 09:59:25
279 安森美（onsemi）近日宣布成立全新的模擬與混合信號事業(yè)部（AMG），以進(jìn)一步加強(qiáng)其在電源管理和傳感器接口領(lǐng)域的市場地位，并瞄準(zhǔn)價(jià)值193億美元的新增市場。該事業(yè)部由新任命的總裁Sudhir Gopalswamy領(lǐng)導(dǎo)，他將帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)專注于擴(kuò)大安森美的產(chǎn)品組合，并加速公司在汽車、工業(yè)和云端市場的增長。
2024-03-15 09:53:21103 安森美(onsemi)（納斯達(dá)克股票代碼：ON）宣布成立模擬與混合信號事業(yè)部（AMG），并由新任命的事業(yè)部總裁SudhirGopalswamy領(lǐng)導(dǎo)。
2024-03-13 16:09:40129 信號事業(yè)部（AMG），并由新任命的事業(yè)部總裁Sudhir Gopalswamy領(lǐng)導(dǎo)。該事業(yè)部將專注于擴(kuò)大安森美行業(yè)領(lǐng)先的電源管理和傳感器接口產(chǎn)品組合，解鎖價(jià)值193億美元的新增市場，并加速公司在汽車、工業(yè)和云端市場的增長。 ? ? 此外，Simon Keeton晉升為電源方案事業(yè)部（PSG）的總裁。
2024-03-13 14:03:1142 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在過去的2023年，國產(chǎn)SiC功率器件產(chǎn)品迎來了全面爆發(fā)，眾多廠商宣布入局或是推出車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品，尋求打進(jìn)汽車供應(yīng)鏈。而今年春節(jié)后的新一輪新能源汽車降價(jià)
2024-03-13 01:17:002631 
安森美，智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)軍企業(yè)，今日宣布推出SPM31智能功率模塊（IPM），該模塊采用了創(chuàng)新的場截止第7代（FS7）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）技術(shù)。SPM31 IPM以其更高的能效、更小的尺寸和更高的功率密度，顯著降低了總體系統(tǒng)成本，為行業(yè)樹立了新的標(biāo)桿。
2024-03-01 09:53:53163 三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2024年2月27日）宣布，將于2月28日開始提供其新型6.5W硅射頻（RF）高功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）樣品，用于商用手持式雙向無線電（對講機(jī)）的射頻高功率放大器。
2024-02-28 18:18:46910 在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級。
2024-02-23 09:38:53343 
樁中決定充電效率和能量轉(zhuǎn)化的關(guān)鍵元件是IGBT和MOSFET。在各類半導(dǎo)體功率器件中，未來增長最強(qiáng)勁的產(chǎn)品將是MOSFET與IGBT模塊。MOSFET和IGBT區(qū)別以
2024-02-19 12:28:04191 
2024 年 1 月 22 日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 于2023年新增64家供應(yīng)商，產(chǎn)品代理陣容進(jìn)一步擴(kuò)大
2024-01-24 17:07:13107 功率MOSFET是一種廣泛應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換器的高性能開關(guān)器件。它具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性等特點(diǎn)，因此在各種高壓、高頻、高效率的電源系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。 結(jié)構(gòu)
2024-01-17 17:24:36294 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FP6151內(nèi)置內(nèi)部功率MOSFET產(chǎn)品手冊》資料免費(fèi)下載
2024-01-15 14:47:23
0 2024年1月8日--領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)，宣布推出九款全新 EliteSiC 功率集成模塊 (PIM)，可為電動(dòng)汽車 (EV) 直流超快速充電樁和儲能系統(tǒng) (ESS) 提供雙向充電功能。
2024-01-08 18:04:37464 此外，安森美全面的PIM產(chǎn)品陣容覆蓋了市場關(guān)鍵的拓?fù)漕愋?，且允許設(shè)計(jì)師們運(yùn)用PLECS模型自助生成工具生成PLECS模型。該產(chǎn)品組合中配備的ElitePower仿真工具為應(yīng)用仿真的有效工具。
2024-01-08 14:35:51183 太陽誘電使用具有高直流飽和特性的金屬磁性材料，擴(kuò)充了具有小型化、薄型化優(yōu)勢的多層型金屬功率電感器 MCOIL?LSCN 系列的產(chǎn)品陣容。
2024-01-06 15:13:52544 
本文將通過圖文及視頻的形式為各位介紹太陽誘電功率電感器產(chǎn)品陣容、特點(diǎn)&優(yōu)勢、基礎(chǔ)信息等。
2024-01-05 12:20:28142 
V 功率 MOSFET 的半導(dǎo)體制造商，采用全新系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化的OptiMOS 7 MOSFET 技術(shù)。新產(chǎn)品創(chuàng)建行業(yè)新基準(zhǔn)，我們使客戶能夠在低輸出電壓的 DC-DC 轉(zhuǎn)換領(lǐng)域邁出新的一步, 釋放更優(yōu)秀系統(tǒng)效率和性能，賦能未來。
2023-12-29 12:30:49362 
遷移率晶體管）。為什么同是第三代半導(dǎo)體材料，SiC和GaN在功率器件上走了不同的道路？為什么沒有GaN MOSFET產(chǎn)品？下面我們來簡單分析一下。 ? GaN 和SiC 功率器件的襯底材料區(qū)別 ? 首先我們從襯底材料來看看SiC和GaN功率器件的區(qū)別，一般而言，SiC功率器件是在
2023-12-27 09:11:361219 如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-12-06 18:22:24522 
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 據(jù)介紹，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-04 16:49:11519 功率MOSFET在電力電子設(shè)備中應(yīng)用十分廣泛，因其故障而引起的電子設(shè)備損壞也比較常見。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，對于MOSFET的進(jìn)一步推廣應(yīng)用具有重要意義。
2023-12-04 15:57:241113 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
問題1：在功率MOSFET管應(yīng)用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負(fù)載開關(guān)的功率MOSFET管導(dǎo)通時(shí)間計(jì)算，通常取多少比較好？相應(yīng)的PCB設(shè)計(jì)，銅箔面積布設(shè)多大散熱會(huì)比較好？漏極、源極銅箔面積大小是否需要一樣？有公式可以計(jì)算嗎？
2023-12-03 09:30:40408 
功率MOSFET零電壓軟開關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認(rèn)識
2023-11-23 09:06:38407 
MOSFET中文名為金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管或MOS管，可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級的MOSFET器件，通常工作電流大于1A。
2023-11-03 09:38:34196 
功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹MOSFET參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對實(shí)際
2023-10-26 08:02:47373 
在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
2023-10-25 10:43:16765 
和小功率MOSFET類似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個(gè)大類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 
Littelfuse宣布推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品 IXTY2P50PA。這個(gè)創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計(jì)能滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 汽車電子MOSFET發(fā)展的一個(gè)最終方向是提高感測、控制和保護(hù)功率開關(guān)的性能。功率器件正集成到智能化車載系統(tǒng)中?，F(xiàn)在在最低功率級別，MOSFET可以與功率器件上的感測元件一起使用。
2023-10-20 11:44:58148 
體積也在不斷擴(kuò)大，因此為了在機(jī)身內(nèi)部的有限空間中裝載部件，要求電源電路的小型化。在這樣的電源電路中，需要具有能夠支持大電流化的小型、薄型的功率電感器。
2023-10-20 10:33:05169 
眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率，且開關(guān)速度優(yōu)異?？梢哉f具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)簡單，可靠性得到進(jìn)一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢 相同功率等級的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02268 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 在過去的十幾年中，大功率場效應(yīng)管引發(fā)了電源工業(yè)的革命，而且大大地促進(jìn)了電子工業(yè)的發(fā)展。由于MOSFET管具有更快的開關(guān)速度,電源開關(guān)頻率可以做得更高,可以從50kHz提高到200kHz 甚至
2023-09-28 06:33:09
MOSFET功率損耗的詳細(xì)計(jì)算
2023-09-28 06:09:39
-與本公司以往產(chǎn)品相比體積減少約3成，有助于智能手機(jī)的電源電路小型化- ? ? 太陽誘電株式會(huì)社開始了多層型金屬功率電感器MCOIL? LSCN系列“LSCND1412HKTR24ME
2023-09-26 10:56:06502 
如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-09-18 16:54:35590 
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
2023年9月14日，為進(jìn)一步擴(kuò)大其網(wǎng)絡(luò)化制播（Networked Live）解決方案的產(chǎn)品陣容，索尼今天發(fā)布了兩款新產(chǎn)品
2023-09-14 14:17:55517 1 功率分立產(chǎn)品概述
2 IGBT 產(chǎn)品系列
3 HV MOSFET 產(chǎn)品系列
4 SiC MOSFET 產(chǎn)品系列
5 整流器及可控硅產(chǎn)品系列
6 能源應(yīng)用
2023-09-07 08:01:40
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431202 
功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開關(guān)電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計(jì)算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個(gè)30A單相的分布計(jì)算示例，詳細(xì)說明了上述概念。
2023-09-06 09:14:32446 
功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產(chǎn)品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業(yè)電源中的應(yīng)用和總結(jié)八個(gè)部分。
2023-09-05 06:13:28
閃爍噪聲，也稱為1/f噪聲，是由于導(dǎo)體接觸點(diǎn)電導(dǎo)的隨機(jī)漲落引起的。在低頻區(qū)域，這種噪聲功率譜密度與頻率成反比，因此，它對電路的影響可能更加顯著。
在RF振蕩器中，閃爍噪聲尤其可能占主導(dǎo)地位。這可
2023-09-01 16:59:12
功率半導(dǎo)體自20世紀(jì)50年代開始發(fā)展起來，至今形成以二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等為代表的多世代產(chǎn)品體系。新技術(shù)、新產(chǎn)品的誕生拓寬了原有產(chǎn)品和技術(shù)的應(yīng)用范圍，適應(yīng)更多終端產(chǎn)品的需求，MOSFET同樣衍生出GaN，SiC新型材料的產(chǎn)品去覆蓋更高功率密度、更高電壓、以及高開關(guān)速度的應(yīng)用場景。
2023-08-31 14:14:071044 
明星產(chǎn)品不容錯(cuò)過（查看第一日精彩報(bào)道 ） 1200 V M3S EliteSiC MOSFET 第7代IGBT(FS7 IGBT) 用于電動(dòng)汽車主驅(qū)逆變器的VE-Trac系列 25 kW電動(dòng)汽車充電
2023-08-31 11:40:01386 
雪崩強(qiáng)度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過VDSS的電壓，但是MOSFET的性能沒有被破壞。此時(shí)施加在其上的能量稱為雪崩能量[Avalanche energy]，流過的電流稱為雪崩電流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保證雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24501 
為了劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更多功率的器件，開關(guān)、電阻器和 MOSFET 并聯(lián)連接。
2023-08-29 11:47:48302 
功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)
2023-08-24 09:13:06552 
計(jì)劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來，雙方已在廣泛的產(chǎn)品領(lǐng)
2023-07-20 18:01:24663 
證交所股票代碼：BWA)，擴(kuò)大碳化硅（SiC）方面的戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價(jià)值超10億美元。博格華納計(jì)劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來，雙方
2023-07-19 11:15:03421 
同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復(fù)時(shí)間和業(yè)界超低導(dǎo)通電阻，可進(jìn)一步降低工業(yè)設(shè)備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產(chǎn)品陣容中又新增
2023-07-12 12:10:08437 及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項(xiàng)目等。 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計(jì)、封裝測試、銷售為主的半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管
2023-07-06 16:45:02520 
研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項(xiàng)目等。 ? 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計(jì)、封裝測試、銷售為主的半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
產(chǎn)品陣容（IE850 for RH850）和可選產(chǎn)品
2023-07-05 19:10:500 安森美 準(zhǔn)諧振反激控制器 產(chǎn)品介紹：NCP1342準(zhǔn)諧振反激控制器是一種高度集成的高頻PWM(脈寬調(diào)制)控制器，旨在簡化高性能脫機(jī)功率變換器的設(shè)計(jì)。NCP1342控
2023-07-05 15:44:15
安森美65W氮化鎵PD充電器芯片 產(chǎn)品介紹：NCP1342準(zhǔn)諧振反激控制器是一種高度集成的高頻PWM(脈寬調(diào)制)控制器，旨在簡化高性能脫機(jī)功率變換器的設(shè)計(jì)。NCP13
2023-07-05 15:24:23
MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對應(yīng)GTR的截止區(qū)）;飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的放大區(qū)）;非飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的飽和區(qū)）。功率MOSFET在開關(guān)狀態(tài)下工作，即截止區(qū)域和不飽和區(qū)之間的轉(zhuǎn)換
2023-07-04 16:46:37975 
安森美 NCV8415自保護(hù)低側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器是三端保護(hù)的智能分立FET，適用于嚴(yán)苛的汽車環(huán)境。NCV8415元件具有各種保護(hù)特性，包括用于Delta熱關(guān)斷、過電流、過溫、ESD和用于過壓保護(hù)的集成漏極-柵極鉗位。該器件還通過柵極引腳提供故障指示。下面AMEYA360電子元器件采購網(wǎng)詳細(xì)介紹。
2023-07-04 16:24:15266 
產(chǎn)品陣容（IE850 for V850E2M）和可選產(chǎn)品
2023-06-30 20:30:150 ，需要更多的制造測試能力。除了成熟的半導(dǎo)體ATE供應(yīng)商之外，許多公司正在開發(fā)產(chǎn)品以滿足功率MOSFET測試需求。
2023-06-30 11:26:16878 
功率MOSFET的UIS雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導(dǎo)通損壞和VGS尖峰誤觸發(fā)導(dǎo)通損壞。
2023-06-29 15:40:541276 
功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三個(gè)管腳，分別為柵極（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。
2023-06-27 17:41:20369 
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC
2023-06-25 14:35:02377 
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC
2023-06-16 14:40:01389 
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT
2023-06-16 14:39:39538 
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。
2023-06-16 14:38:03228 
UTC 10N65-ML是一款高壓功率MOSFET，它結(jié)合了先進(jìn)的溝槽MOSFET，設(shè)計(jì)具有更好的特性，如快速開關(guān)時(shí)間、低柵極電荷、低導(dǎo)通狀態(tài)電阻和高崎嶇雪崩特性。這種功率MOSFET通常用于開關(guān)電源和適配器的高速開關(guān)應(yīng)用。?
2023-06-14 16:45:450 高速公路服務(wù)區(qū)的重要基礎(chǔ)設(shè)施，確保電動(dòng)汽車在日常駕駛和長途旅行中有地方充電。 安森德ASDsemi SJ MOSFET系列產(chǎn)品，通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，采用先進(jìn)的工藝制造技術(shù)，進(jìn)一步提高了產(chǎn)品性能，具有
2023-06-13 16:30:37
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC
2023-06-08 20:45:02281 
PRISEMI芯導(dǎo)產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-06-06 10:02:58824 
功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個(gè)管腳，分別為柵極（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
我們將討論設(shè)計(jì)MOSFET功率放大器電路時(shí)必須考慮的各種參數(shù)，還分析了雙極結(jié)型晶體管（BJT）和MOSFET特性之間的差異，并了解了為什么MOSFET更適合功率放大器應(yīng)用并使其更有效。
2023-06-05 09:07:19737 
ROHM在PMDE封裝二極管的產(chǎn)品陣容中又新增14款新機(jī)型，可滿足車載、工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)電子設(shè)備等各種應(yīng)用的小型化需求。PMDE封裝是ROHM自有的小型封裝，具有與普通SOD-323封裝相同的焊盤圖案
2023-05-25 00:15:03432 
分享功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路方案大全，希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
這款簡單的MOSFET功率音頻放大器電路具有TL071C和2個(gè)MOSFET（IRF9530和IRF530），可在45Ω揚(yáng)聲器上提供高達(dá)8W的功率，在70Ω揚(yáng)聲器上提供高達(dá)4W的功率。該原理圖
2023-05-23 16:50:331164 
同步整流技術(shù)就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進(jìn)行整流,所以,研究同步整流技術(shù),就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-05-18 09:10:06421 
近日羅姆新推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch MOSFET產(chǎn)品（40V/60V/80V/100V/150V），備受各個(gè)廠家的青睞。本文將為各位工程師呈現(xiàn)該系列產(chǎn)品
2023-05-17 13:35:02471 
MOSFET 和 二極管 ，用于可擴(kuò)展的電動(dòng)汽車（EV）充電樁。雙方此項(xiàng)合作使得Kempower能采用包括安森美EliteSiC產(chǎn)品在內(nèi)的各種功率半導(dǎo)體技術(shù)，開發(fā)電動(dòng)汽車充電方案套件。這些器件將用于 有源
2023-05-17 12:15:02249 
TDK提供有一般等級和車載等級的NTC熱敏電阻。 原文標(biāo)題：NTC熱敏電阻產(chǎn)品陣容 文章出處：【微信公眾號：TDK中國】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
2023-05-16 15:20:02360 
功率MOSFET的雪崩強(qiáng)度限值是衡量器件針對于感性負(fù)載在開關(guān)動(dòng)作應(yīng)用中的重要參數(shù)。 清楚地理解雪崩強(qiáng)度的定義，失效的現(xiàn)象及評估的方法是功率MOSFET電路設(shè)計(jì)必備的能力。 本文將以下面三個(gè)方面進(jìn)行探討。
2023-05-15 16:17:451133 
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)手冊中會(huì)有一個(gè)看似復(fù)雜的SOA（Safe Operation Area）圖片，這個(gè)安全工作區(qū)域圖告訴我們只有MOSFET工作在曲線內(nèi)才是安全可靠的。如下面的Nexperia的NMOS管PHB32N06LT的SOA圖。
2023-05-15 16:16:311174 
數(shù)據(jù)手冊就是電子元件的使用說明書，在電路設(shè)計(jì)之前，十分有必要通讀數(shù)據(jù)手冊，并了解
產(chǎn)品的重要性能參數(shù)。在
MOSFET的數(shù)據(jù)手冊中極限值表格中的總
功率損耗Ptot就是一個(gè)十分有趣的參數(shù)。說它有趣是因?yàn)?/div>
2023-05-15 16:10:25626 
）。安森美將為極氪提供EliteSiC碳化硅（SiC）功率器件，以提高其智能電動(dòng)汽車（EV）的能效，從而提升性能，加快充電速度，延長續(xù)航里程。 極氪將采用安森美的 M3E 1200V ?EliteSiC MOSFET ，以配合其不斷擴(kuò)大的高性能純電車型產(chǎn)品陣容，實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的電氣和機(jī)械性能及可靠性。這
2023-05-11 20:16:29276 
功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實(shí)現(xiàn)？怎樣實(shí)現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
我正在通過 WiFi 將 ESP32 連接到 WiFi 路由器。我在兩端都使用了非常高增益的天線，它們并排放置。避免損壞 ESP-32 上的 RF 引腳。我想知道 ESP-32 的 RF 引腳 (LNA_IN) 上的最大輸入功率。
2023-04-25 07:08:12
UF2840GRF 功率 MOSFET 晶體管 5W，100-500 MHz，28VRF 功率 MOSFET 晶體管 5W，100-500 MHz，28V 特征N
2023-03-31 10:39:17
安森美（Emerson）是一家跨國工業(yè)制造和技術(shù)公司，其產(chǎn)品線涵蓋了控制、自動(dòng)化、機(jī)電設(shè)備、獨(dú)立氣動(dòng)產(chǎn)品以及流量、壓力、溫度、液位等傳感器等領(lǐng)域。
2023-03-30 17:55:07549 安森美收購了哪些公司 安森美產(chǎn)品線優(yōu)勢有哪些 安森美On Semiconductor Corporation于1999年根據(jù)特拉華州法律注冊成立。該公司及其子公司從事節(jié)能電子驅(qū)動(dòng)創(chuàng)新業(yè)務(wù)。公司
2023-03-29 17:54:283054 
這些關(guān)鍵市場運(yùn)營包括制造廠、銷售辦事處及設(shè)計(jì)中心。 安森美員工在每天的工作中不懈尋求靈感，致力于通過高質(zhì)量、高價(jià)值的產(chǎn)品和服務(wù)，助力各方利益相關(guān)者們實(shí)現(xiàn)增值。 安森美半導(dǎo)體總部在美國亞利桑那州斯科茨代爾，在全球有員工約33，000人，2022年全年收
2023-03-29 16:21:523015 安森美功放管解讀 安森美功放管怎么樣 安森美功放管優(yōu)缺點(diǎn) 功放管主要用于傳導(dǎo)電流。功放管作為一種功率放大器，用來放大電流和電壓，從而增強(qiáng)信號的強(qiáng)度。它可以加強(qiáng)輸出電流和電壓，使信號發(fā)出更加強(qiáng)大的功率
2023-03-29 16:09:5815076 的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動(dòng)器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應(yīng)用）兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200
2023-03-29 15:06:13
安森美半導(dǎo)體怎么樣？安森美是哪國的？ 有人問小編安森美半導(dǎo)體怎么樣？安森美是哪國的？其實(shí)行業(yè)內(nèi)人士都知道美國公司安森美半導(dǎo)體實(shí)力很強(qiáng)悍，安森美是美國公司；并且在納斯達(dá)克上市。 安森美是哪國
2023-03-28 18:37:265891 安森美功放管怎么樣 安森美對管是美國的名牌優(yōu)質(zhì)大功率管。 安森美管是一種功率放大器，用來放大電流和電壓，從而增強(qiáng)信號的強(qiáng)度。它可以加強(qiáng)輸出電流和電壓，使信號發(fā)出更加強(qiáng)大的功率，從而使音響器件發(fā)出更好
2023-03-27 14:21:344011 已全部加載完成
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