中國科學(xué)院“先導(dǎo)”項(xiàng)目成果發(fā)布。 根據(jù)中科院計(jì)算所副所長包云崗介紹，第二代“香山”開源高性能RISC-V處理器核，于2022年9月研制完畢，計(jì)劃2023年6月流片。性能超過2018年Arm公司發(fā)布的 Cortex-A76內(nèi)核。 ? 高性能的開源RISC-V內(nèi)核 RISC-V 起源于加州大學(xué)伯克利分校，發(fā)
2023-06-01 01:13:00
2133 柵的設(shè)計(jì)解決了SiC MOSFET中柵極氧化物的可靠性問題，并克服了常見的SiC MOSFET在控制和驅(qū)動(dòng)方面的限制，這加速了SiC MOSFET上車的節(jié)奏。 ? 在第二代產(chǎn)品上，英飛
2024-03-19 18:13:181431 
利用 SiC 功率器件開關(guān)頻率高、開關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對軟硬件進(jìn)行設(shè)計(jì)。
2024-03-13 14:31:4667 
瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 潮，令800V平臺(tái)、SiC電驅(qū)開始打進(jìn)20萬內(nèi)的市場，SiC也進(jìn)一步能夠加速在市場上普及。 ? 最近兩家國內(nèi)廠商又有多款SiC MOSFET產(chǎn)品通過了車規(guī)級認(rèn)證，這將繼續(xù)推動(dòng)SiC功率器件量產(chǎn)上車。 ? 瞻芯電子 ? 瞻芯電子3月8日宣布，由公司開發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)
2024-03-13 01:17:002631 
RK3576處理器
RK3576瑞芯微第二代8nm高性能AIOT平臺(tái)，它集成了獨(dú)立的6TOPS（Tera Operations Per Second，每秒萬億次操作）NPU（神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理單元），用于
2024-03-12 13:45:25
近日，瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過了嚴(yán)格的AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證，這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:24260 全球知名音頻品牌Bose近日宣布推出其全新音頻可穿戴設(shè)備——Bose Ultra開放式耳機(jī)。這款耳機(jī)采用第二代高通?S5音頻平臺(tái)，并支持Snapdragon Sound驍龍暢聽技術(shù)，旨在為用戶帶來無與倫比的高清音頻體驗(yàn)、快速穩(wěn)健的連接性能以及更持久的續(xù)航時(shí)間。
2024-03-11 10:30:28144 3月8日，瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38286 
上海瞻芯電子科技有限公司（簡稱“瞻芯電子”）近期取得了一項(xiàng)重要的技術(shù)突破。該公司推出的兩款第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，分別為650V 40mΩ規(guī)格的IV2Q06040D7Z和650V 60m
2024-03-07 09:43:18222 出首批2款基于第二代碳化硅（SiC）MOSFET芯片技術(shù)的SMPD塑封半橋模塊產(chǎn)品，并順利通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證（AQG324）。
2024-03-07 09:37:27150 近期，科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個(gè)引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:14315 茂睿芯推出第二代CAN FD收發(fā)器MCAN1462，是國內(nèi)首款支持10Mbps通信速率、具有信號改善能力（SIC）的CAN FD收發(fā)器
2024-03-01 10:47:03290 
在通用PWM發(fā)電機(jī)中，我可以用任何型號替換SiC MOSFET嗎？
2024-03-01 06:34:58
SiC MOSFET模塊目前廣泛運(yùn)用于新能源汽車逆變器、車載充電、光伏、風(fēng)電、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域[2-9] ，展示了新技術(shù)的優(yōu)良特性。
2024-02-19 16:29:22206 
英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進(jìn)的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ，旨在滿足高壓應(yīng)用的需求。
2024-02-01 10:51:00381 據(jù)報(bào)道，韓國三星代工廠已經(jīng)開始試制其第二代 3 納米級別工藝技術(shù)的芯片，稱為 SF3。這一發(fā)展標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)的一個(gè)重要里程碑，因?yàn)槿桥c臺(tái)積電競爭下一代先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)主導(dǎo)權(quán)。韓國知名權(quán)威
2024-01-22 16:10:14456 
第二代配網(wǎng)行波故障預(yù)警與定位裝置YT/XJ-001：守護(hù)電力線路的超能"哨兵" 電力，如同現(xiàn)代社會(huì)的血脈，支撐著我們的生活和工作正常運(yùn)行。然而，一旦這條血脈出現(xiàn)故障，生活和工作
2024-01-22 15:11:19135 
據(jù)行業(yè)知情人士透露，SK On最近與現(xiàn)代汽車簽署了一份價(jià)值約萬億韓元的協(xié)議。根據(jù)這份協(xié)議，SK On將成為現(xiàn)代汽車第二代電動(dòng)汽車平臺(tái)項(xiàng)目的首個(gè)合作伙伴，為其提供電池。
2024-01-18 15:57:20233 近日，中科馭數(shù)自研第二代DPU芯片K2在眾多云生態(tài)創(chuàng)新應(yīng)用技術(shù)產(chǎn)品中脫穎而出，成功入選由中國云產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟暨中關(guān)村云計(jì)算產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟發(fā)布的“2023年中國云生態(tài)創(chuàng)新應(yīng)用技術(shù)產(chǎn)品”。這一殊榮既是對中科馭數(shù)第二代DPU芯片K2在行業(yè)領(lǐng)先地位的認(rèn)可，也展現(xiàn)出DPU芯片在云產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵價(jià)值和重要意義。
2024-01-18 09:20:05443 近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過了嚴(yán)苛的車規(guī)級可靠性認(rèn)證，該產(chǎn)品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡便，損耗更低的特點(diǎn)。
2024-01-16 10:16:24770 
高通技術(shù)公司近日宣布推出全新第二代驍龍?XR2+平臺(tái)，這一創(chuàng)新平臺(tái)旨在為MR和VR設(shè)備帶來更出色的性能和體驗(yàn)。第二代驍龍XR2+平臺(tái)具備強(qiáng)大的硬件配置，支持高達(dá)4.3K的單眼分辨率和12路及以上的并行攝像頭，從而為用戶帶來更加清晰、沉浸的MR和VR體驗(yàn)。
2024-01-08 15:22:27396 近日，高通技術(shù)公司再次引領(lǐng)行業(yè)前沿，推出了全新的第二代驍龍XR2+平臺(tái)。這一平臺(tái)的性能顯著提升，其中GPU頻率提升了15%，CPU頻率提升了20%，為MR和VR體驗(yàn)開辟了全新的可能性。
2024-01-05 15:19:51224 近日，高通技術(shù)公司宣布推出全新第二代驍龍?XR2+平臺(tái)，這款平臺(tái)將為XR設(shè)備帶來前所未有的清晰度與流暢度，為工作和娛樂提供無與倫比的沉浸式體驗(yàn)。
2024-01-05 15:13:25255 第二代驍龍XR2+平臺(tái)支持4.3K單眼分辨率和12路及以上并行攝像頭，帶來更清晰沉浸的MR和VR體驗(yàn)。
2024-01-05 09:47:38209 近日，國內(nèi)智能投影品牌希影正式發(fā)布便攜旗艦投影L12 Pro的升級款L12 Pro第二代，并宣布上架華為商城全面開售。 作為希影旗下銷量“扛把子”系列之一，希影L系列此前就深受廣大用戶喜愛，取得了
2024-01-03 17:08:37667 在新榮耀三周年暨榮耀100系列新品發(fā)布會(huì)上，榮耀100 Pro閃耀登場，讓數(shù)字系列再次引領(lǐng)時(shí)尚影像新風(fēng)潮。榮耀100 Pro搭載 第二代驍龍8移動(dòng)平臺(tái) ，將獨(dú)特的美學(xué)設(shè)計(jì)、出色的性能表現(xiàn)、單反級寫真相機(jī)以及創(chuàng)新的智能體驗(yàn)融于一體。本期體驗(yàn)報(bào)告，一起來感受這款時(shí)尚新品從設(shè)計(jì)到體驗(yàn)的全面升級。
2024-01-02 11:43:39456 智繪微電子官方宣布，第二代具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的圖形處理芯片“IDM929”成功實(shí)現(xiàn)了一次性流片成功，并順利點(diǎn)亮！
2023-12-29 10:46:04452 還發(fā)布了第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，不僅兼容15~18V驅(qū)動(dòng)，而且比導(dǎo)通電阻下降25%，其損耗更低、成本更優(yōu)，綜合性能達(dá)到國際一流水平。
2023-12-25 18:42:34559 
1996年及之后生產(chǎn)的所有輕型車量都必須采用第二代隨車診斷系統(tǒng)（OBDⅡI）標(biāo)準(zhǔn)。OBDII的主要目的是降低排放污染，而設(shè)立OBD I（1988年）的主要目的是檢查傳感器或其電路是否有問題。
2023-12-21 16:52:56143 
SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場效應(yīng)晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開關(guān)速度和功率密度，廣泛應(yīng)用于多種電路中。 首先，讓我們簡要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13686 怎么提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)？ 提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)是一個(gè)復(fù)雜的問題，涉及到多個(gè)方面的考慮和優(yōu)化。在本文中，我們將詳細(xì)討論如何提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)，并提供一些
2023-12-21 11:15:52272 SIC MOSFET對驅(qū)動(dòng)電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種新興的功率半導(dǎo)體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應(yīng)用于各種驅(qū)動(dòng)電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49416 今天江蘇宇拓電力科技來為大家說明一下產(chǎn)品介紹：第二代配網(wǎng)行波故障預(yù)警與定位裝置YT/XJ-001 一、產(chǎn)品概述 第二代配網(wǎng)行波故障預(yù)警與定位裝置YT/XJ-001是一種先進(jìn)的故障預(yù)警與定位系統(tǒng)，專為
2023-12-11 09:22:58207 
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:26157 
SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
2023-12-07 14:34:17221 
SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
2023-12-05 17:10:21431 
如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
2023-12-05 16:46:29482 
深入剖析高速SiC MOSFET的開關(guān)行為
2023-12-04 15:26:12293 
易天光通信作為通信行業(yè)的新秀，深耕通信領(lǐng)域近十余載，近期推出了全新升級的第二代100G ZR4 80KM光模塊，將成為未來通信發(fā)展的重要里程碑，為易天和客戶的交流合作打開了一扇突破傳輸距離限制的嶄新大門。
2023-12-01 16:56:56243 
SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
2023-11-30 15:56:02345 
Core2是M5StackCore系列的第二代主機(jī)，它搭載了ESP32芯片和可觸摸屏，具有易于堆疊、可拓展和快速開發(fā)的特性。自2020年發(fā)布至今，Core2在國內(nèi)外市場持續(xù)熱銷受到廣大用戶的喜愛
2023-11-18 08:29:08465 
SiC功率開關(guān)，利用意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的第二代和第三代SiC MOSFET技術(shù)，確保低 RDS(開)值。這些器件
2023-11-14 15:48:49356 據(jù)稱，第二代Vision Pro的項(xiàng)目代號為Project Alaska，設(shè)備標(biāo)識(shí)符為N109，整體外觀與初代Vision Pro接近。盡管它在很大程度上沿用初代設(shè)計(jì)，不過會(huì)調(diào)整揚(yáng)聲器等零件的位置。
2023-11-13 17:05:35476 下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個(gè)系列，進(jìn)行詳細(xì)介紹
2023-11-01 14:46:19736 
泵、空調(diào)等汽車系統(tǒng)，產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)包括高功率密度、設(shè)計(jì)高度緊湊和裝配簡易等，提供四管全橋、三相六管全橋和圖騰柱三種封裝配置，增強(qiáng)了系統(tǒng)設(shè)計(jì)靈活性。 ? 新模塊內(nèi)置1200VSiC功率開關(guān)管，意法半導(dǎo)體第二代和第三代 SiC MOSFET先進(jìn)技術(shù)確保碳化硅開關(guān)管具有很低的導(dǎo)通電阻RDS(o
2023-10-30 16:03:10262 超聲波在日常生活中無處不在，在醫(yī)療領(lǐng)域，借助超聲波可用于洗牙、協(xié)助診斷各種疾病;在汽車領(lǐng)域，利用超聲波可探測障礙物到車輛的距離。本文為大家介紹立功科技第二代超聲波雷達(dá)(AK2)的解決方案。
2023-10-17 15:36:104051 
炬芯科技宣布全新第二代2.4G/BT低延遲無線收發(fā)音頻SoC芯片ATS3031發(fā)布量產(chǎn)，終端品牌產(chǎn)品已經(jīng)上市規(guī)模銷售。
2023-10-07 12:29:17637 越來越嚴(yán)苛，已經(jīng)超出了硅 （Si） 基 MOSFET的能力，因而基于碳化硅 （SiC） 的新型晶體管架構(gòu)應(yīng)運(yùn)而生。 雖然新式器件在所有關(guān)鍵性能指標(biāo)方面都有明顯的優(yōu)勢，但由于各種局限性和應(yīng)用的不確定性，設(shè)計(jì)人員對第一代 SiC器件持謹(jǐn)慎態(tài)度是明智的。第二代器件規(guī)格方面經(jīng)過
2023-10-03 14:40:001643 
產(chǎn)品均搭載高通技術(shù)公司推出的第二代高通S5音頻平臺(tái)，支持Snapdragon Sound驍龍暢聽技術(shù)，帶來包括無損音頻、穩(wěn)健連接和超低時(shí)延等強(qiáng)大特性。
2023-09-22 12:25:341655 白皮書
第二代ClearClock?三次泛音晶體振蕩器
在這份全新的白皮書中，我們討論了最新一代超低抖動(dòng)三次泛音晶體振蕩器的特點(diǎn)、優(yōu)勢、性能和特性，這些振蕩器旨在為各種高速應(yīng)用提供穩(wěn)定準(zhǔn)確的時(shí)鐘信號
2023-09-13 09:51:52
材料領(lǐng)域中，第一代、
第二代、第三代沒有“一代更比一代好”的說法。氮化鎵、碳化硅等材料在國外一般稱為寬禁帶半導(dǎo)體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其混晶材料制成氮化物半導(dǎo)體，或?qū)⒌?、砷化鎵、磷化銦制?/div>
2023-09-12 16:19:271931 
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動(dòng)器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡化了設(shè)計(jì)、節(jié)省了空間，并增強(qiáng)了節(jié)能型動(dòng)力系統(tǒng)、驅(qū)動(dòng)器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
處理速度大幅提升，成像速度是第一代的1.6 倍，內(nèi)存開銷較上一代平臺(tái)降低了75%，計(jì)算平臺(tái)I/O吞吐訪問性能達(dá)到Jetson NX平臺(tái)的1.4倍?；谝陨详P(guān)鍵性能提升，第二代平臺(tái)通用計(jì)算資源有了冗余
2023-08-25 11:42:19229 
談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">SiC MOSFET的短路能力
2023-08-25 08:16:131018 
據(jù)介紹，瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)電壓(Vgs)為15-18V，可提升應(yīng)用兼容性，簡化應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上，第二代SiC MOSFET與第一代產(chǎn)品同為平面柵MOSFET，但進(jìn)一步優(yōu)化了柵氧化層工藝和溝道設(shè)計(jì)，使器件比導(dǎo)通電阻降低約25%，并顯著降低開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率。
2023-08-23 15:38:01703 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LSI第二代6Gb/s超級磁盤陣列SATA+SAS控制器卡常見問題.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-22 15:52:17
0 瞻芯電子依托自建的碳化硅(SiC)晶圓產(chǎn)線，開發(fā)了第二代碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品，其中IV2Q12040T4Z?(1200V 40mΩ?SiC MOSFET)于近日獲得了AEC-Q101
2023-08-21 09:42:121285 
車載充電機(jī)（On-Board Charger，簡稱為OBC）的基本功能是：電網(wǎng)電壓經(jīng)由地面交流充電樁、交流充電口，連接至車載充電機(jī)，給車載動(dòng)力電池進(jìn)行慢速充電?；景雽?dǎo)體第二代SiC碳化硅
2023-08-17 10:07:23
在自己的開發(fā)板移植了蜂鳥E203二代，用IDE測試hello world程序，報(bào)了下面錯(cuò)誤，有大佬能幫忙看看嘛，或者遇到過相關(guān)的救救孩子，太感謝了。
詳細(xì)一點(diǎn)的我寫在這了，發(fā)帖復(fù)制粘貼不了
2023-08-16 07:44:24
第二代數(shù)字OLED尾燈將配備6個(gè)OLED面板，共計(jì)360個(gè)發(fā)光單元，可在每10毫秒生成一個(gè)新圖像，使其具備交互燈功能，使外部燈光作為智能顯示屏，與其他道路使用者互聯(lián)交互。
2023-08-09 16:52:39825 對于SiC功率MOSFET技術(shù)，報(bào)告指出，650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代，單芯片電流可達(dá)200A。提升電流密度同時(shí)，解決好特有可靠性問題是提高技術(shù)成熟度關(guān)鍵。
2023-08-08 11:05:57428 首先，是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。
2023-08-06 10:49:071102 
第二代平臺(tái)支持AI降噪，支持錄音功能，支持視頻表盤，支持第三方應(yīng)用程序，支持WebAssembly技術(shù)，擁有更加豐富的外圍接口資源，更精簡的BOM，更大的內(nèi)存，滿足個(gè)性化需求等等領(lǐng)先優(yōu)勢。在此基礎(chǔ)上，整體的性能更加強(qiáng)勁功耗更低。
2023-08-05 08:31:18672 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《第二代6gb/s MegaRAID控制器卡片和快速路徑軟件.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-02 14:54:490 使用。其中PFC維也納電路AC/DC的開關(guān)頻率40kHz左右，一般使用650V的超結(jié)MOSFET或者650V的IGBT，劣勢是器件多，硬件設(shè)計(jì)復(fù)雜，效率低，失效率
2023-08-02 10:29:00
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布，公司已開始出樣業(yè)界首款 8 層堆疊的 24GB 容量第二代 HBM3 內(nèi)存，其帶寬超過
2023-07-28 11:36:40535 2023年7月，炬芯科技宣布全新第二代智能手表芯片正式發(fā)布。自2021年底炬芯科技推出第一代的智能手表芯片開始便快速獲得了市場廣泛認(rèn)可和品牌客戶的普遍好評。隨著技術(shù)的不斷創(chuàng)新和突破，為了更加
2023-07-25 17:14:201309 2023年7月，炬芯科技宣布全新第二代智能手表芯片正式發(fā)布。自2021年底炬芯科技推出第一代的智能手表芯片開始便快速獲得了市場廣泛認(rèn)可和品牌客戶的普遍好評。隨著技術(shù)的不斷創(chuàng)新和突破，為了更加
2023-07-25 14:04:22387 
2023年7月，炬芯科技宣布全新第二代智能手表芯片正式發(fā)布。自2021年底炬芯科技推出第一代的智能手表芯片開始便快速獲得了市場廣泛認(rèn)可和品牌客戶的普遍好評。隨著技術(shù)的不斷創(chuàng)新和突破，為了更加
2023-07-24 17:16:17839 
USB Implementers Forum 已將 USB 3.0 更新為 USB 3.1。 FLIR 更新了其產(chǎn)品描述來反映此項(xiàng)更改。 ?本頁將介紹 USB 3.1 以及第一代與第二代 USB 3.1 之間的差異及兩者能給機(jī)器視覺開發(fā)人員帶來的實(shí)際益處。
2023-07-14 14:52:23670 
我們不妨稱之為第二代，第一代為單管IGBT控制器，第二代為SIC 控制器，最新的暫稱第三代）進(jìn)行對比兩代控制器的設(shè)計(jì)區(qū)別。
2023-07-06 10:22:06811 
ZMOD4410 數(shù)據(jù)表附錄 - IAQ 第二代：附加特性
2023-07-03 18:35:080 [RZ/Five] RZ/G 系列，第二代用戶手冊概述：硬件
2023-06-30 18:54:160 6月28日，全球頂級移動(dòng)通信盛會(huì)上海MWC正式拉開帷幕。作為領(lǐng)先的全場景智能車芯企業(yè)，芯馳科技攜第二代中央計(jì)算架構(gòu)SCCA2.0，以及全系列高性能、高安全車規(guī)芯片產(chǎn)品和解決方案閃亮登場！ 2023
2023-06-29 11:09:21353 1. 高通第二代驍龍4 芯片發(fā)布，傳由臺(tái)積電轉(zhuǎn)單三星代工 ? 據(jù)外媒報(bào)道，高通公司本月27日正式發(fā)布第二代驍龍4移動(dòng)平臺(tái)（Snapdragon 4 Gen 2），據(jù)傳將從前代的臺(tái)積電6納米工藝平臺(tái)
2023-06-29 10:54:291085 要點(diǎn) — ?? 第二代驍龍4旨在進(jìn)一步推動(dòng)5G等先進(jìn)技術(shù)在全球范圍內(nèi)普及 ?? 滿足消費(fèi)者對入門級產(chǎn)品的需求，提供輕松自如的多任務(wù)處理、先進(jìn)的照片和視頻拍攝以及可靠的連接功能 ??搭載該平臺(tái)的商用
2023-06-27 00:05:011083 
要 點(diǎn) — ?? 擴(kuò)展的第二代高通S3音頻平臺(tái)產(chǎn)品組合，專為藍(lán)牙適配器而打造，包括支持Snapdragon Sound驍龍暢聽技術(shù)。 ?? Snapdragon Sound驍龍暢聽技術(shù)和LE
2023-06-22 09:50:01253 
要求。 本文推薦基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET B2M065120Z用于工業(yè)電源，可以替代英飛凌IMZ120R060M1H，安森美NVH4L070N
2023-06-17 10:59:00
NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器）的使用指南。本文為第二部分，將重點(diǎn)介紹安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的動(dòng)態(tài)特性。
2023-06-16 14:39:39538 
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，如電動(dòng)汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲(chǔ)系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
第二代碳化硅MOSFET系列器件用于光儲(chǔ)一體機(jī)，將會(huì)比上一代器件在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性等方面性能更加出色。
2023-06-12 14:58:36337 經(jīng)典核基于第二代“香山”工程化優(yōu)化，對標(biāo)ARM A76，為工業(yè)控制、汽車、通信等泛工業(yè)領(lǐng)域提供CPU IP核；高性能核則基于第三代“香山”（昆明湖）性能提升，對標(biāo)ARM N2，為數(shù)據(jù)中心和算力設(shè)施等領(lǐng)域提供高性能CPU IP核。
2023-06-08 16:41:26966 
當(dāng)前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類，是按照柵極溝道的形狀來區(qū)分的，平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:074304 
更高性能的第二代UFS 4.0嵌入式閃存設(shè)備已開始送樣(2)。以小封裝尺寸提供快速的嵌入式存儲(chǔ)傳輸速度，適用于各種下一代移動(dòng)應(yīng)用。鎧俠?UFS 產(chǎn)品性能的改進(jìn)使這些應(yīng)用程序能夠利用 5G 的連接優(yōu)勢，從而加快下載速度、減少延遲時(shí)間并改善用戶體驗(yàn)。 鎧俠UFS 4.0產(chǎn)品
2023-06-06 14:30:191526 
的“RISC-V 開源處理器芯片生態(tài)發(fā)展論壇”上，第二代“香山”（南湖架構(gòu)）開源高性能 RISC-V 核心正式發(fā)布。據(jù)介紹，“香山”于 2022 年 6 月啟動(dòng)工程優(yōu)化，同年 9 月研制完畢，計(jì)劃 2023 年 6
2023-06-05 11:51:36
TE Connectivity第二代充電插座系列，涵蓋國標(biāo)、美標(biāo)、歐標(biāo)、日標(biāo)系列，通過革新性結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)，可以為客戶大幅簡化裝配流程，節(jié)省75%以上裝配時(shí)間，產(chǎn)出效率提升4倍以上，并帶來自動(dòng)化生產(chǎn)可能。
2023-06-01 10:49:30615 SiC功率
MOSFET由于其出色的物理特性，在充電樁及太陽能逆變器等高頻應(yīng)用中日益得到重視。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">SiC
MOSFET開關(guān)頻率高達(dá)幾百K赫茲，門極驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)在應(yīng)用中就變得格外關(guān)鍵。因?yàn)樵诙搪?/div>
2023-06-01 10:12:07998 
得益于兩個(gè)并發(fā)數(shù)據(jù)連接，第二代高通雙卡雙通支持更出色的游戲、數(shù)據(jù)、通話和流媒體用戶體驗(yàn) ? ? 多SIM卡功能是智能手機(jī)最早的技術(shù)突破之一，通過支持用戶接入多個(gè)蜂窩網(wǎng)絡(luò)來應(yīng)對連接挑戰(zhàn)。 ? 然而
2023-05-31 16:33:22945 
第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的擊穿電壓強(qiáng)度，更低的損耗和
2023-05-29 10:16:48
據(jù)開芯院首席科學(xué)家包云崗介紹，第二代“香山”于2022年6月啟動(dòng)工程優(yōu)化，同年9月研制完畢，計(jì)劃2023年6月流片，性能超過2018年ARM發(fā)布的Cortex-A76，主頻2GHz@14nm
2023-05-28 08:41:37
在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明 顯的優(yōu)勢。
2023-05-26 09:52:33462 
周(Display Week 2023)，展示面向未來顯示器的第二代LED技術(shù)，包括基于WICOP Pixel技術(shù)的microLED顯示器和有助于用戶保持眼睛健康的低藍(lán)光(LBL)顯示器。
2023-05-25 10:14:05402 Arasan Chip Systems是移動(dòng)和物聯(lián)網(wǎng)SoC半導(dǎo)體IP的領(lǐng)先供應(yīng)商，今天宣布立即推出用于GF 22nm SoC設(shè)計(jì)的第二代MIPI D-PHY IP。
2023-05-19 14:51:22570 Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
第二代準(zhǔn)諧振 PWM 控制器
2023-03-24 14:41:30
第二代準(zhǔn)諧振 PWM 控制器 SOT23-6
2023-03-24 14:01:59
然而不知不覺中，現(xiàn)在這套電驅(qū)系統(tǒng)已經(jīng)升級到了第二代，除了結(jié)構(gòu)上的變化，部分零部件也采用了全新的設(shè)計(jì)，借著這次試駕名爵 eHS 的機(jī)會(huì)，我了解到了第二代 EDU 的一些細(xì)節(jié)信息，下面跟大家分享。
2023-03-24 10:53:312194 已全部加載完成
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