串接NPN型晶體管的情況。晶體管基極要求注入電流，產(chǎn)生電流的電壓必須高于（Vo+Vbe），約為（Vo+1）。若基極串接一個(gè)電阻，則電阻輸入端電壓必須高于（Vo+1）以使電流流過(guò)。而最經(jīng)濟(jì)易行的方法
2024-03-06 20:49:11
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）功率GaN的大規(guī)模應(yīng)用，其實(shí)也只有六七年的歷史，從2018手機(jī)快速充電器上才正式吹響了普及的號(hào)角。目前，從晶體管來(lái)看，功率GaN主要的產(chǎn)品是HEMT（高電子遷移率晶體管
2024-02-28 00:13:00
1843 CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅單晶上根據(jù)氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)；選用 0.25 μm 柵極尺寸制作工藝。與硅相比較
2024-02-27 14:09:50
Qorvo QPD0007 GaN射頻晶體管Qorvo QPD0007 GaN射頻晶體管是單路徑離散碳化硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管 (HEMT)，采用DFN封裝。這些射頻晶體管是單級(jí)、不匹配晶體管
2024-02-26 19:46:40
Qorvo QPD1016L GaN射頻晶體管Qorvo QPD1016L GaN射頻晶體管是一款500W (P3dB) 預(yù)匹配分立式碳化硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管 (GaN on SiC
2024-02-26 19:28:10
雙極性晶體管是利用兩種離子導(dǎo)電，空穴和自由電子，但是對(duì)于一個(gè)實(shí)際存在的系統(tǒng)，其整體上是呈現(xiàn)電中性的，當(dāng)其中的電子或者空穴移動(dòng)形成電流時(shí)，與之對(duì)應(yīng)的空穴或者電子為什么不會(huì)一起隨著移動(dòng)？
這個(gè)問(wèn)題困擾
2024-02-21 21:39:24
晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過(guò)每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請(qǐng)問(wèn)對(duì)于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時(shí)候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時(shí)，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨(dú)立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請(qǐng)問(wèn)這個(gè)單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶體管在基極和集電極之間并聯(lián)電容有什么作用？是為了米勒電容嗎、？但是米勒電容對(duì)三極管的開(kāi)通有害的時(shí)候，為什么還要并聯(lián)電容？電容不是越并越大，加大了等效米勒電容？
2024-01-19 22:39:57
相比較，GaN具有更加優(yōu)異的性能；包含更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)；更高的飽和電子漂移效率和更高的導(dǎo)熱系數(shù)。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷
2024-01-19 09:27:13
晶體管也就是俗稱三極管，其本質(zhì)是一個(gè)電流放大器，通過(guò)基射極電流控制集射極電流。
1、當(dāng)基射極電流很小可以忽略不計(jì)時(shí)，此時(shí)晶體管基本沒(méi)有對(duì)基射極電流的放大作用，此時(shí)可以認(rèn)為晶體管處在關(guān)斷狀態(tài)
2、當(dāng)基
2024-01-18 16:34:45
對(duì)于一個(gè)含有晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管，運(yùn)放的電路，該如何求解他的輸入電阻和輸出電阻，舉例而言，在含有晶體管的電路射極跟隨器中，求解輸出電阻時(shí)，為什么要考慮基極的電阻和偏置電路的電阻，此時(shí)不應(yīng)該在基極是二極管
2024-01-10 17:17:56
Wolfspeed原Cree 的 CGH40045F 是一款45 W、DC - 4 GHz 氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。 CGH40045 采用 28 伏電源軌運(yùn)行，為各種
2024-01-03 12:33:26
CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。具備前所未有的輸入，能夠在DC-2.0GHz范圍之內(nèi)提供最好的的瞬時(shí)寬帶性能。與硅或砷化鎵相比較，CGHV40180具有更加優(yōu)異
2024-01-02 12:05:47
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候，常說(shuō)的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 在最近的IEDM大會(huì)上，英特爾表示，已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成，用于高度集成的48V設(shè)備。
2023-12-14 09:23:06547 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:17312 CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術(shù)相比，CGHV96130F內(nèi)部適應(yīng)(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比
2023-12-13 10:10:57
GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽和漂移速度、高的飽和電子流動(dòng)速度以及較低的電阻
2023-12-07 17:27:20337 作為一種新型功率器件，GaN 器件在電源的高密小型化方面極具優(yōu)勢(shì)。
2023-12-07 09:44:52777 
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
我在進(jìn)行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結(jié)到環(huán)境的熱阻JA的數(shù)據(jù)，我需要結(jié)到外殼的熱阻Jc的數(shù)據(jù)，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數(shù)目是多少？
2023-11-21 06:54:43
TDK東電化 推出新型NTC 熱敏電阻
2023-11-01 15:56:36198 
如何避免晶體管損壞？ 晶體管是半導(dǎo)體器件的一種，應(yīng)用廣泛，可以在計(jì)算機(jī)、電視、手機(jī)等各種設(shè)備中使用。晶體管工作時(shí)非常穩(wěn)定，但是如果不注意使用、維護(hù)，很容易損壞。下面為您介紹幾種避免晶體管損壞的方法
2023-10-31 10:37:46382 ,高電子遷移率晶體管 CMPA0527005F，CREE/科銳CMPA0527005F是封裝的氮化鎵（GaN）高電子基于遷移率晶體管（HEMT
2023-10-17 16:12:54
寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關(guān)GaN非常需要HEMT來(lái)降低功率并簡(jiǎn)化電路和系統(tǒng)架構(gòu)，這是GaN HEMT技術(shù)的主要挑戰(zhàn)之一。凹進(jìn)的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)常關(guān)操作的有用選擇之一。
2023-10-10 16:21:11291 
無(wú)論是在太空還是在地面，這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優(yōu)勢(shì)。
2023-09-28 17:44:221864 
專業(yè)圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
晶體管是通常用于放大器或電控開(kāi)關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運(yùn)行的基本構(gòu)件。
2023-09-27 10:59:402311 
目前傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體器件的性能已逐漸接近其理論極限， 即使采用最新的硅器件和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)?，效率在開(kāi)關(guān)頻率超過(guò) 250 kHz 時(shí)也會(huì)受到影響。 而增強(qiáng)型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長(zhǎng)久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 氮化鎵（GaN）是一種由氮和鎵組成的半導(dǎo)體材料，因其禁帶寬度大于2.2eV，故又稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是在藍(lán)色發(fā)光器件中具有重要應(yīng)用價(jià)值的半導(dǎo)體。。GaN材料的研究和應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是發(fā)展微電子器件和光電子器件的新型半導(dǎo)體材料。
2023-09-07 17:07:551783 
晶體管的工作原理介紹? 晶體管是一種電子器件，它是現(xiàn)代電子設(shè)備的基礎(chǔ)，如計(jì)算機(jī)、手機(jī)、電視等。晶體管是一個(gè)半導(dǎo)體器件，它可以放大或開(kāi)關(guān)電流信號(hào)。晶體管的工作原理是由三個(gè)不同類型的材料組成：N型半導(dǎo)體
2023-08-25 15:35:141791 晶體管和芯片的關(guān)系介紹 晶體管和芯片是現(xiàn)代電子技術(shù)中最重要的兩個(gè)概念，二者有密不可分的關(guān)系。晶體管是一種半導(dǎo)體材料制造的電子器件，而芯片則是晶體管等電子器件及相關(guān)電路的集成體。 一、晶體管 晶體管
2023-08-25 15:29:372440 晶體管和電子管的區(qū)別 晶體管和電子管都是電子器件，它們分別代表了不同的技術(shù)水平。由于晶體管取代了電子管并成為了現(xiàn)代電子技術(shù)的基石，兩者之間的主要差異有助于我們了解晶體管的優(yōu)點(diǎn)。 一、結(jié)構(gòu)差異 晶體管
2023-08-25 15:21:016860 增強(qiáng)型 GaN 晶體管的唯一已知方法（在撰寫本文時(shí)）是使用松下專利方法使用附加的 AlGaN 層。 這意味著涉及這種晶體管類型的任何創(chuàng)新都將依賴于松下，直到研究出其他方法為止。
GaN 器件的研究工作自
2023-08-21 17:06:18
650V硅上GaN增強(qiáng)型功率品體管，采用5mm雙扁平無(wú)引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開(kāi)關(guān)，符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用。
2023-08-16 23:36:51685 
) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶寬能力；這使得 CGHV37400F 非常適合 3.3 – 3.7 GHz S 波段雷達(dá)放大器應(yīng)用。晶體管的輸入匹
2023-08-07 17:27:44
650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無(wú)引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開(kāi)關(guān)
2023-08-07 17:22:17964 
) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力；這使得 CGH31240F 非常適合 2.7 –3.1-GHz；S波段；雷達(dá)放大器應(yīng)用。該晶體管采用陶瓷/金
2023-08-07 17:06:35
電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力；這使得 CGH35240 非常適合 3.1 – 3.5-GHz；S波段；雷達(dá)放大器應(yīng)用。該晶體管采用陶瓷/金屬法
2023-08-07 17:01:21
電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力；這使得 CGH35240 非常適合 3.1 – 3.5-GHz；S波段；雷達(dá)放大器應(yīng)用。該晶體管采用陶瓷/金屬法
2023-08-07 16:58:15
遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力；這使得 CGHV35150 非常適合 2.9 – 3.5 GHz S 波段雷達(dá)放大器應(yīng)用。該晶體管采用陶瓷/金屬法蘭和藥
2023-08-07 16:52:50
遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力；這使得 CGHV35150 非常適合 2.9 – 3.5 GHz S 波段雷達(dá)放大器應(yīng)用。該晶體管采用陶瓷/金屬法蘭和藥
2023-08-07 16:50:51
遷移率晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力；這使得 CGHV35150 非常適合 2.9 – 3.5 GHz S 波段雷達(dá)放大器應(yīng)用。該晶體管采用陶瓷/金屬法蘭和藥
2023-08-07 16:45:32
120-W；2.9 - 3.8 GHz；50V；用于 S 波段雷達(dá)系統(tǒng)的 GaN HEMTWolfspeed 的 CGHV35120F 是一款專為高效率而設(shè)計(jì)的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 16:28:32
波段性能進(jìn)行優(yōu)化的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV35060MP 適用于 2.7 至 3.1 GHz 和 3.1 至 3.8 GHz
2023-08-07 11:31:57
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 CGHV27030S 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），效率高；高增益和寬帶寬能力
2023-08-07 11:15:10
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 CGHV27030S 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），效率高；高增益和寬帶寬能力
2023-08-07 11:13:00
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 CGHV27030S 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），效率高；高增益和寬帶寬能力
2023-08-07 11:08:31
30-W；直流 – 6GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40030 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；專為高效率而設(shè)計(jì)的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 10:57:26
30-W；直流 – 6GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40030 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；專為高效率而設(shè)計(jì)的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 10:50:07
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管CGHV27030S 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），效率高；高增益和寬帶寬能力。CGHV27030S
2023-08-07 10:45:27
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 CGHV27030S 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），效率高；高增益和寬帶寬能力
2023-08-07 10:43:16
30瓦；直流 - 6.0 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 CGHV27030S 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），效率高；高增益和寬帶寬能力
2023-08-07 10:38:36
15瓦；直流 - 6.0 GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV27015S 是一款無(wú)與倫比的產(chǎn)品；專為高效率而設(shè)計(jì)的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率
2023-08-07 10:21:42
25-W；直流 – 15GHz；40V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV1F025S 是無(wú)與倫比的；氮化鎵（GaN）；專為高效率而設(shè)計(jì)的高電子遷移率晶體管
2023-08-07 09:54:13
25-W；直流 – 15GHz；40V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV1F025S 是無(wú)與倫比的；氮化鎵（GaN）；專為高效率而設(shè)計(jì)的高電子遷移率晶體管
2023-08-07 09:51:08
晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力。該設(shè)備可部署為L(zhǎng)；S; C; X 和 Ku 波段放大器應(yīng)用。數(shù)據(jù)表規(guī)格基于 C 頻段 (5.5 – 6.
2023-08-07 09:46:19
晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力。該設(shè)備可部署為L(zhǎng)；S; C; X 和 Ku 波段放大器應(yīng)用。數(shù)據(jù)表規(guī)格基于 C 頻段 (5.5 – 6.
2023-08-07 09:44:15
晶體管 (HEMT)；高增益和寬帶能力。該設(shè)備可部署為L(zhǎng)；S; C; X 和 Ku 波段放大器應(yīng)用。數(shù)據(jù)表規(guī)格基于 C 頻段 (5.5 – 6.
2023-08-07 09:41:27
晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備中至關(guān)重要的組件，而芯片則是晶體管的集成。晶體管是一種用于控制電流的電子器件，它是由半導(dǎo)體材料制成的。晶體管的發(fā)明和發(fā)展對(duì)現(xiàn)代科技的進(jìn)步起到了重要的推動(dòng)作用。
2023-08-04 09:45:301074 如今，開(kāi)發(fā)電子電力器件的難度不斷飆升，如何在滿足綠色低碳和和持續(xù)發(fā)展的要求下既不斷提升效率和功率性能，同時(shí)又不斷降低成本和縮減尺寸呢？ 我們發(fā)現(xiàn)，氮化鎵（GaN）是一種新型寬帶隙化合物，為功率轉(zhuǎn)換
2023-08-03 14:43:28225 調(diào)節(jié)電流或電壓的設(shè)備，充當(dāng)電子信號(hào)的按鈕或門。
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晶體管的類型
晶體管由三層半導(dǎo)體器件組成，每層都能夠移動(dòng)電流。半導(dǎo)體是一種以“半熱敏”方式導(dǎo)電的材料
2023-08-02 12:26:53
Cree 的 CGHV1F006S 是一種無(wú)與倫比的氮化鎵 （GaN） 高電子遷移率晶體管 （HEMT） 專為高效率、高增益和寬而設(shè)計(jì)帶寬功能。該器件可部署為 L、S、C、X 和 Ku 波段放大器
2023-07-28 17:47:26
0 數(shù)字功放大多采用Si MOS管來(lái)充當(dāng)D類放大器的主要開(kāi)關(guān)管，由于Si材料本身的特性限制，針對(duì)Si器件Class D功放性能的提升較為困難，與此同時(shí)，更多基于GaN器件的Class D功放應(yīng)用也正逐漸
2023-06-25 15:59:21
潤(rùn)新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 產(chǎn)品特點(diǎn)： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34686 )晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開(kāi)關(guān)，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的優(yōu)勢(shì)，需要一種具有新規(guī)格要求的新隔離方案。 GaN晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET要快得多，并可降低開(kāi)關(guān)損耗，原因在于： 柵極電容和輸出電容更低。
2023-06-12 10:53:287386 
晶體管是什么控制型器件 晶體管屬于電流控制電流控制型器件。 晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件（包括二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管等，有時(shí)特指雙極型器件），具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種
2023-05-30 15:32:362177 Airfast GaN A3G26D055N是一款55W峰值GaN分立晶體管，采用緊湊型DFN 7 x 6.5 mm超模壓塑封。該器件具有優(yōu)異的輸出，可填充多個(gè)頻段，在48 V下運(yùn)行時(shí)，能效提升超過(guò)50%，增益超過(guò)13 dB。
2023-05-25 10:04:49381 
晶體管是什么器件 晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:12:59831 單結(jié)晶體管隨著電容的充電放電是如何形成自激振蕩脈沖的？
2023-04-26 15:07:51
NPTB00004BGaN 功率晶體管，28 V，5 W DC - 6 GHzNPTB00004B GaN HEMT 是一款針對(duì) DC - 6 GHz 操作優(yōu)化的功率晶體管
2023-04-25 16:42:38
差分放大電路輸入共模信號(hào)時(shí)
為什么說(shuō)RE對(duì)每個(gè)晶體管的共模信號(hào)有2RE的負(fù)反饋效果
這里說(shuō)的每個(gè)晶體管的共模信號(hào)是指什么信號(hào) 是指輸入信號(hào) 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負(fù)的反饋
2023-04-25 16:15:31
頻率操作的硅基 GaN HEMT D 型晶體管。該器件支持 CW 和脈沖操作，峰值輸出功率水平為 2 W (33 dBm)，采用塑料封裝。MAGX-100027-0
2023-04-25 16:12:40
雙極結(jié)晶體管電路輸入振幅變大為什么會(huì)導(dǎo)致失真呢？是什么原因呢？
2023-04-21 16:13:13
我正在尋找零件號(hào)“PCAL6408ABSHP”中有關(guān)工藝節(jié)點(diǎn)和晶體管數(shù)量的信息。NXP 網(wǎng)站上是否有一個(gè)位置可以找到 NXP 部件號(hào)的此類信息？
2023-04-19 09:27:44
西門子S7-200電源怎么看是繼電器輸出還是晶體管輸出呢？
2023-04-18 10:08:03
西門子CPUSR30可以增加晶體管擴(kuò)展模塊控制步進(jìn)電機(jī)嗎？
2023-04-17 14:13:13
采用晶體管互補(bǔ)對(duì)稱輸出時(shí)，兩管基極之間有電容相連，為什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
請(qǐng)問(wèn)BJT工藝的線性穩(wěn)壓源為什么多是PNP型晶體管呢？
2023-03-31 11:56:49
有沒(méi)有負(fù)觸發(fā)導(dǎo)通正的晶體管呢？哪位大神知道請(qǐng)賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
我在設(shè)計(jì) PCB 時(shí)犯了一個(gè)錯(cuò)誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了?！罢！狈绞绞怯?1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個(gè)晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號(hào)與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個(gè)。
2023-03-28 06:37:56
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