英飛凌科技股份公司，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設(shè)計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29
117 電力晶體管（Giant Transistor——GTR），是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有時也稱為Power BJT。但其驅(qū)動電路復(fù)雜，驅(qū)動功率大。
2024-03-07 17:06:38951 
串接NPN型晶體管的情況。晶體管基極要求注入電流，產(chǎn)生電流的電壓必須高于（Vo+Vbe），約為（Vo+1）。若基極串接一個電阻，則電阻輸入端電壓必須高于（Vo+1）以使電流流過。而最經(jīng)濟易行的方法
2024-03-06 20:49:11
ART1K6FHG功率LDMOS晶體管 這款 1600 W LDMOS RF 功率晶體管基于先進耐用技術(shù) (ART)，旨在涵蓋 ISM、廣播和通信的廣泛應(yīng)用。不匹配的晶體管的頻率范圍為 1
2024-02-29 20:57:46
BLF888B,112Ampleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，0.47 至 0.86 GHz，650 W，20 dB，50 V，LDMOS，SOT-539A零件號： BLF888B
2024-02-29 16:14:13
BLP15H9S30GXYAmpleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，0.001 至 1.5 GHz，30 W，21 dB，50 V，SOT1483-1，LDMOS零件號：
2024-02-29 16:13:32
BLP15H9S100GZAmpleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，0.001 至 1.5 GHz，100 W，19 dB，50 V，SOT1483-1，LDMOSPart
2024-02-29 16:12:46
BLP15H9S30GZAmpleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，0.001 至 1.5 GHz，30 W，21 dB，50 V，SOT1483-1，LDMOSBLP15H9S30GZ制造商
2024-02-29 15:48:14
ART150PEGXYAmpleon 的 RF 功率晶體管RF功率晶體管，0.001至0.65 GHz，150 W，31.2 dB，65 V，LDMOSMMFEB21PP6-預(yù)分
2024-02-29 14:46:47
Ampleon的ART150PE是一款150瓦LDMOS晶體管，采用經(jīng)濟高效的TO270 OMP封裝，采用先進的堅固技術(shù)工藝。它涵蓋了ISM、廣播和通信中的廣泛應(yīng)用。無與倫比的是，該
2024-02-29 14:23:03
C4H27W400AVYAmpleon 的射頻功率晶體管射頻功率晶體管，2.3 至 2.69 GHz，400 W，15 dB，48 V，SOT1275-1
2024-02-29 14:00:41
BLP9G0722-20G 功率LDMOS晶體管20 W 塑料 LDMOS 功率晶體管，適用于頻率為 100 MHz 至 2700 MHz 的基站應(yīng)用。BLP9G0722-20G
2024-02-29 13:46:41
達林頓晶體管（Darlington Transistor）也稱為達林頓對（Darlington Pair），是由兩個或更多個雙極性晶體管（或其他類似的集成電路或分立元件）組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。通過這種結(jié)構(gòu)，第一個雙極性晶體管放大的電流可以進一步被放大，從而提供比其中任意一個雙極性晶體管高得多的電流增益。
2024-02-27 15:50:53508 
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù)的1200V SPM31智能功率模塊 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59344 Qorvo QPD0007 GaN射頻晶體管Qorvo QPD0007 GaN射頻晶體管是單路徑離散碳化硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管 (HEMT)，采用DFN封裝。這些射頻晶體管是單級、不匹配晶體管
2024-02-26 19:46:40
雙極性晶體管是利用兩種離子導(dǎo)電，空穴和自由電子，但是對于一個實際存在的系統(tǒng)，其整體上是呈現(xiàn)電中性的，當(dāng)其中的電子或者空穴移動形成電流時，與之對應(yīng)的空穴或者電子為什么不會一起隨著移動？
這個問題困擾
2024-02-21 21:39:24
是，最大輸出電流時產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場效應(yīng)管可以無需任何外接元件而直接并聯(lián)，因為其漏極電流具有負溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場效應(yīng)管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
我在切換晶體管時遇到了一個問題。我正在嘗試讓 LED 通過晶體管閃爍。當(dāng)我從評估板（即 MSP-EXP430G2ET）獲取電源 （3.3V） 時，該程序有效。但是當(dāng)我使用外部電源 （8.33V） 為
2024-01-22 06:00:31
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個PN結(jié)構(gòu)成的具有負阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請問這個單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶體管在基極和集電極之間并聯(lián)電容有什么作用？是為了米勒電容嗎、？但是米勒電容對三極管的開通有害的時候，為什么還要并聯(lián)電容？電容不是越并越大，加大了等效米勒電容？
2024-01-19 22:39:57
相比較，GaN具有更加優(yōu)異的性能；包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移效率和更高的導(dǎo)熱系數(shù)。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷
2024-01-19 09:27:13
三極管功率會先上升后下降，因為電壓降在下降而電流在上升。功率最大點在中間位置。
3、當(dāng)基射極電流增大到一定水平，集射極電壓降低到不能再降的程度時，晶體管進入飽和，此時無論基射極電流如何增大，集射極電流也
2024-01-18 16:34:45
傳統(tǒng)的雙極晶體管是一種電流驅(qū)動型放大器，對其信號放大特性的分析以小注入電流為主，即在共發(fā)射極工作狀態(tài)時，輸入很小的基極電流就能控制輸出端的集電極電流而獲得很大的功率增益。
2024-01-15 10:35:03371 
對于一個含有晶體管，場效應(yīng)管，運放的電路，該如何求解他的輸入電阻和輸出電阻，舉例而言，在含有晶體管的電路射極跟隨器中，求解輸出電阻時，為什么要考慮基極的電阻和偏置電路的電阻，此時不應(yīng)該在基極是二極管
2024-01-10 17:17:56
英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BSH201場效應(yīng)功率晶體管英文資料.pdf》資料免費下載
2023-12-26 10:08:45
0 2GHz ）的功能。QPD1425/QPD1425L GaN射頻功率晶體管在高漏極偏置工作條件下提供功率和效率優(yōu)化。該晶體管采用行業(yè)標準氣腔封裝，支持脈沖和連續(xù)波操作
2023-12-20 16:12:52
晶體管的問世，是20世紀的一項重大發(fā)明，是微電子革命的先聲。晶體管出現(xiàn)后，人們就能用一個小巧的、消耗功率低的電子器件，來代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管的發(fā)明又為后來集成電路的降生吹響了號角。
2023-12-13 16:42:31427 
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
為什么要功率放大？ 當(dāng)一個放大電路比如說晶體管放大電路當(dāng)電壓放大時，由歐姆定律負載上的電流不就變大了嗎？這個我不太理解在功率放大電路中。希望有人給我講一下 謝謝！
2023-11-23 07:36:14
我在進行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結(jié)到環(huán)境的熱阻JA的數(shù)據(jù)，我需要結(jié)到外殼的熱阻Jc的數(shù)據(jù)，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數(shù)目是多少？
2023-11-21 06:54:43
在電源與充電樁等高功率應(yīng)用中，通常需要專用驅(qū)動器來驅(qū)動最后一級的功率晶體管？ 電源與充電樁等高功率應(yīng)用通常需要專用驅(qū)動器來驅(qū)動最后一級的功率晶體管，主要是出于以下幾個方面的考慮。 首先，最后一級
2023-10-22 14:47:33409 用于L波段雷達的600 W ldmos功率晶體管的頻率范圍為1.2 GHz至1.4 GHz。
2023-10-19 16:55:490 專業(yè)圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
該晶體管功率放大器電路僅使用準互補放大器配置中的四個晶體管，即可以低成本向 4 歐姆負載提供 90W 的功率。
2023-08-10 15:29:341000 
650V硅上GaN增強模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)
2023-08-07 17:22:17964 
高功率射頻LDMOS FET；400瓦；48V；859 – 960 兆赫PTRA094858NF 是一款 400 瓦 Doherty LDMOS 晶體管，適用于 859 至 960 MHz 頻段的多
2023-08-03 09:11:08
的制造商生產(chǎn)半導(dǎo)體（晶體管是該設(shè)備家族的成員），因此有數(shù)千種不同的類型。有低功率、中功率和高功率晶體管，用于高頻和低頻工作，用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類型的晶體管
2023-08-02 12:26:53
該2通道混音器電路基于2n3904晶體管，該晶體管形成2個前置放大器。2通道混音器電路的第一個前置放大器具有高增益，可用于麥克風(fēng)輸入，第二個前置放大器可用于控制音頻電平的輸入。
這種雙通道
2023-08-01 17:19:21
MRF300AN/MRF300BN射頻功率LDMOS晶體管規(guī)格書，這些設(shè)備被設(shè)計用于HF和VHF通信，工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療（ISM）以及廣播和航空航天應(yīng)用程序。這些設(shè)備非常堅固，表現(xiàn)出高性能高達250MHz。
2023-07-28 17:45:470 MRF427 NPN硅射頻功率晶體管規(guī)格書
2023-07-24 14:27:530 MRF428射頻功率晶體管規(guī)格書。主要設(shè)計用于高電壓應(yīng)用，作為2.0至30 MHz的高功率線性放大器。適用于船舶和基站設(shè)備?！ひ?guī)定的50伏、30 MHz特性-輸出功率=150 W（PEP）最小增益=13 db效率=45%·150 W時的互調(diào)失真
2023-07-24 14:26:520 MRF422射頻功率晶體管規(guī)格書
2023-07-24 14:24:070 產(chǎn)品發(fā)射區(qū)結(jié)構(gòu)設(shè)計為梳狀結(jié)構(gòu)。晶體管版圖中發(fā)射區(qū)半寬度選擇為30μm。
2023-07-05 11:23:34360 
TTL晶體管開關(guān)電路按驅(qū)動能力分為小信號開關(guān)電路和功率開關(guān)電路。按晶體管連接方式分為發(fā)射極接地（PNP晶體管發(fā)射極接電源）和射手跟隨開關(guān)電路。
2023-07-03 10:12:181936 
高效的400-800V充電和轉(zhuǎn)換與GaNFast功率集成電路和GeneSiC溝槽輔助平面柵場效晶體管
2023-06-16 10:07:03
引言: 在當(dāng)今科技迅猛發(fā)展的時代，高效能的功率電子器件對于各個領(lǐng)域的應(yīng)用至關(guān)重要。潤新微電子的RX65T125HS1B功率晶體管作為一款先進的產(chǎn)品，憑借其出色的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為了眾多工程師
2023-06-12 16:48:161016 潤新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 產(chǎn)品特點： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34686 微波晶體管按功能分類可分為微波低噪聲晶體管和微波大功率晶體管，低噪聲晶體管和大功率晶體管被用于設(shè)計低噪聲放大器和功率放大器。
2023-06-09 10:59:271639 
我正在尋找摩托羅拉收音機 VHF 射頻末級中使用的這些舊射頻晶體管的數(shù)據(jù)表，有人可以幫我嗎？
2023-05-30 07:40:02
Nexperia | 為什么使用雙極性晶體管驅(qū)動功率LED？
2023-05-24 12:15:48341 
柵型場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。
2023-05-20 15:19:12583 
晶體管是什么 晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:06:201131 單結(jié)晶體管隨著電容的充電放電是如何形成自激振蕩脈沖的？
2023-04-26 15:07:51
差分放大電路輸入共模信號時
為什么說RE對每個晶體管的共模信號有2RE的負反饋效果
這里說的每個晶體管的共模信號是指什么信號 是指輸入信號 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負的反饋
2023-04-25 16:15:31
為什么使用雙極性晶體管驅(qū)動功率LED？
2023-04-24 09:09:55413 
我在 AWR 中模擬 LDMOS MRFE6VS25N 時遇到問題。我使用 12 和 13 版本 64 位，但模型只有 32 位。我如何使用我的 AWR 軟件模擬這個晶體管？
2023-04-23 09:07:17
雙極結(jié)晶體管電路輸入振幅變大為什么會導(dǎo)致失真呢？是什么原因呢？
2023-04-21 16:13:13
我正在尋找零件號“PCAL6408ABSHP”中有關(guān)工藝節(jié)點和晶體管數(shù)量的信息。NXP 網(wǎng)站上是否有一個位置可以找到 NXP 部件號的此類信息？
2023-04-19 09:27:44
西門子S7-200電源怎么看是繼電器輸出還是晶體管輸出呢？
2023-04-18 10:08:03
西門子CPUSR30可以增加晶體管擴展模塊控制步進電機嗎？
2023-04-17 14:13:13
PH1617-2MACOM 的 PH1617-2 是一款射頻晶體管，頻率為 1.6 至 1.7 GHz，功率 33.01 dBm，功率（W）2 W，增益 10 dB，功率增益（Gp）10 dB。標簽
2023-04-14 16:34:12
NPT2010MACOM 的 NPT2010 是一款射頻晶體管，頻率 DC 至 2.2 GHz，功率 50 dBm，功率（W）100 W，飽和功率 50.5 dBm，增益 17 dB。標簽：法蘭
2023-04-14 15:36:07
PH2856-160MACOM 的 PH2856-160 是一款射頻晶體管，頻率 2.856 GHz，功率 44.55 dBm，功率（W）28.51 W，Duty_Cycle 0.1，增益 7.5
2023-04-14 15:28:02
PH2729-8.5MMACOM 的 PH2729-8.5M 是一款射頻晶體管，頻率為 2.7 至 2.9 GHz，功率 39.29 dBm，功率（W）8.49 W，占空比 0.1，增益 8.1
2023-04-14 15:20:34
MRF16006MACOM 的 MRF16006 是一款射頻晶體管，頻率為 1.6 至 1.64 GHz，功率 37.78 dBm，功率（W）6 W，增益 7.4 dB，電源電壓 28 V。標簽
2023-04-14 15:14:51
采用晶體管互補對稱輸出時，兩管基極之間有電容相連，為什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
請問BJT工藝的線性穩(wěn)壓源為什么多是PNP型晶體管呢？
2023-03-31 11:56:49
有沒有負觸發(fā)導(dǎo)通正的晶體管呢？哪位大神知道請賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
DU2860U 射頻功率 MOSFET 晶體管 60W，2-175MHz，28V 射頻功率 MOSFET 晶體管 60W，2-175MHz，28V
2023-03-31 10:37:00
UF28150J 射頻功率 MOSFET 晶體管 150W, 100MHz-500MHz, 28V 特征DMOS結(jié)構(gòu)公共源配置寬帶操作的低電容
2023-03-31 10:34:44
DU2840S 射頻功率 MOSFET 晶體管 40W，2-175MHz，28V 射頻功率 MOSFET 晶體管
2023-03-30 18:07:32
NPN硅射頻晶體管
2023-03-28 18:13:13
NPN硅射頻晶體管
2023-03-28 12:54:33
NPN硅射頻晶體管
2023-03-28 12:54:33
我在設(shè)計 PCB 時犯了一個錯誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了。“正?！狈绞绞怯?1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個。
2023-03-28 06:37:56
NPN 硅射頻晶體管
2023-03-24 10:51:28
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