IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
2024-03-18 16:30:39
262 
除了業(yè)界已經(jīng)采用的高壓 GaN（額定值 >=600V）外，新的中壓 GaN 解決方案（額定值 80V-200V）也日益受到歡迎，可在高壓 GaN 之前無法支持的電源系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的功率密度和效率。
2024-03-15 17:58:13819 
為滿足快速發(fā)展的電動汽車行業(yè)對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設計與開發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03376 
高八倍以上的功率密度。 上海2024年3月6日?/美通社/ --?德州儀器 (TI)（NASDAQ 代碼：TXN）今日推出兩個全新的功率轉換器件產(chǎn)品系列，可幫助工程師在更小的空間內實現(xiàn)更高的功率，從而以更低的成本提供超高的功率密度。德州儀器新款 100V 集成氮化鎵 (GaN) 功率級采用熱增強
2024-03-07 16:03:04211 應用提供比之前高八倍以上的功率密度。 ? 中國上海（2024 年 3 月 6 日）– 德州儀器 (TI)（NASDAQ 代碼：TXN）今日推出兩個全新的功率轉換器件產(chǎn)品系列，可幫助工程師在更小的空間內實現(xiàn)更高的功率，從而以更低的成本提供超高的功率密度。德州儀器新款 100V 集成氮化鎵 (GaN) 功
2024-03-06 14:40:5370 
? 在處理激光光學時，功率和能量密度是需要理解的兩個重要概念。這兩個術語經(jīng)?；Q使用，但含義不同。表1定義了與激光光學相關的功率密度、能量密度和其他相關術語。 表1：用于描述激光束和其他電磁輻射
2024-03-05 06:30:22167 
在高壓600V，額定電流10A的壓縮機電機控制中，IGBT經(jīng)常燒壞，主要有哪些原因導致它損壞。
2024-02-22 17:58:38
AP9523高功率密度5V/2.5A模塊電源方案
2023-12-25 13:36:42235 
在電力電子系統(tǒng)的設計和優(yōu)化中，功率密度是一個不容忽視的指標。它直接關系到設備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:07276 
半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上
2023-12-18 09:40:221150 
報告內容包含：
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅動器功能
驅動器演進以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅動器進化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
技術的產(chǎn)品系列，其新封裝形式一定程度上豐富了其市場價值主張。圖1顯示了目前可用的分立產(chǎn)品組合，重點如下：1.采用TO-247PLUS封裝可實現(xiàn)高功率密度，可用于商用車和農(nóng)用車(CAV)
2023-12-11 17:31:13196 
功率半導體冷知識：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
IGBT硅技術在這一功率等級應用的的功率密度已達極限值。相比傳統(tǒng)的62mm IGBT 模塊，其應用范圍現(xiàn)已擴展至太陽能、服務器、儲能、電動汽車充
2023-12-05 17:03:49446 
采用IGBT7高功率密度變頻器的設計實例
2023-12-05 15:06:06364 
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28195 
通過GaN電機系統(tǒng)提高機器人的效率和功率密度
2023-11-29 15:16:27220 
提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:38279 
非互補有源鉗位可實現(xiàn)超高功率密度反激式電源設計
2023-11-23 09:08:35284 
隨著汽車行業(yè)逐步縱深電氣化，我們已經(jīng)創(chuàng)造出了顯著減少碳排放的可能性。然而，由此而來的是，增加的電子設備使得汽車對電力運作的需求日益攀升，這無疑對電源網(wǎng)絡提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在電源管理設計中的關鍵切換功能，成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:06672 
中，正逐漸引入 SiC 器件以及更高的母線電壓，提升充電功率。這一趨勢也對隔離式偏置供電電源的設計提出了新的要求，對此，MPS 推出 LLC 變壓器驅動芯片以及隔離式偏置電源模塊解決方案，助力高功率密度的充電系統(tǒng)設計。 演講大綱： 1. 隔離式偏置電源的挑戰(zhàn) 2. LLC 變壓器
2023-11-15 12:15:01202 
點的非隔離（POL）降壓穩(wěn)壓器用于驅動各種電子負載，如微處理器，F(xiàn)PGA和ASIC的跨系統(tǒng)板。構建POL調節(jié)器的任務是更簡單的，因為現(xiàn)在的降壓比越小。近日，在技術展區(qū)文章“更高功率，效率和密度八分之一磚轉換器”它表明，八分之一磚
2023-11-03 16:20:24213 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空調、空氣凈化器和泵等直流無刷電機驅動應用。
2023-10-27 11:05:54657 
未來對電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進一步提高。輸出功率應適應不同終端客戶的不同項目。同時，變流器仍需具有成本競爭力。本文展示了新型4.5kV功率模塊如何在鐵路、中壓驅動或電力系統(tǒng)等應用中滿足這些變流器要求。
2023-10-17 10:50:31395 
。
功率半導體器件作為電能轉換、驅動、控制等電力電子裝置的基礎和核心，是推動電力電子系統(tǒng)轉換效率、功率密度、體積重量等方面優(yōu)化的關鍵因素之一。
下面以特斯拉來看看功率半導體IGBT的分布，下圖
2023-10-16 11:00:14
主體結構采用SPM的結構，極槽布置布置采用：12極18槽，最高轉速20000rpm，功率密度52.43kW/L，磁鋼型蛤采用：N50，硅鋼材料采用：Arnon 5
2023-10-08 10:48:51201 
和功率密度方面有了很大的提高，但效率已成為一個有待解決的重要問題。另外，早期應用的故障率遠高于預期。高壓LED 照明面臨的主要挑戰(zhàn)是繼續(xù)提高功率密度和效率，并提升可靠性和經(jīng)濟性，以滿足未來應用需求。本文將介紹寬帶隙 （GaN） 技術，以及該技
2023-10-03 14:26:00305 
電力電子產(chǎn)品設計人員致力于提升工業(yè)和汽車系統(tǒng)的功率效率和功率密度，這些設計涵蓋多軸驅動器、太陽能、儲能、電動汽車充電站和電動汽車車載充電器等。
2023-09-26 10:00:04166 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:50
0 。Nexperia在其龐大的產(chǎn)品組合中增加了IGBT，滿足了市場對于高效高壓開關器件不斷增長的需求以及在性能和成本方面的要求。這些器件有助于提高電源轉換和電機驅動應用中的功率密度，包括工業(yè)電機驅動（例如5到20 kW (20 kHz)的伺服電機）、機器人、電梯、機器操作手、工業(yè)自動化、功率逆變
2023-09-19 02:43:54232 了該封裝的功率密度上限。目標應用領域：1200VP7模塊首發(fā)型號有以下兩個：相比于以前的IGBT4或IGBT5產(chǎn)品，新的IGBT7產(chǎn)品進一步拓展了PrimePACK封
2023-09-14 08:16:10430 IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導致的熱應力，良好的熱管理對于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。新能源汽車電機控制器是典型的高功率密度部件，且功率密度隨著對新能源汽車性能需求的提高仍在
2023-08-23 09:33:23906 
，比如近幾年，單電機的功率越來越大，功率密度越來越高，每一次性能上的提升都是材料、散熱、電路控制方面的進步。 ? 此前《中國制造2025重點領域技術路線圖》中的目標是，到2025年和2030年，國內乘用車驅動電機20s有效比功率分別要達到≥
2023-08-19 02:26:001870 
依靠簡單的經(jīng)驗法則來評估電源模塊密度的關鍵因素是遠遠不夠的，例如電源解決方案開關頻率與整體尺寸和密度成反比；與驅動系統(tǒng)密度的負載相比，功率密度往往以不同的速率變化；因此合理的做法是將子系統(tǒng)和相關器
2023-08-18 11:36:27264 。Nexperia在其龐大的產(chǎn)品組合中增加了IGBT，滿足了市場對于高效高壓開關器件不斷增長的需求以及在性能和成本方面的要求。這些器件有助于提高電源轉換和電機驅動應用中的功率密度，包括工業(yè)電機驅動（例如
2023-08-14 16:00:49283 器 件， 兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR 飽和壓降低，載 流密度大，但驅動電流較大；MOSFET 驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密 度小。IGBT 綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流 電壓為 600V 及以上的
2023-08-08 10:14:122 供應ID5S609SEC-R1 600V高低側柵極驅動芯片可代換IR2304，提供id5s609芯片資料關鍵參數(shù) ，廣泛應用于中小型功率電機驅動、功率MOSFET或IGBT驅動、半橋功率逆變器
2023-07-20 14:20:134 供應ID5S609SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT驅動芯片可替代ir2304，提供ID5S609SEC-R1 關鍵參數(shù) ，廣泛應用于中小型功率電機驅動、功率MOSFET
2023-07-20 14:19:19
供應ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半橋驅動芯片可代換IR2104，提供ID7U603SEC-R1關鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2023-07-20 14:10:05
RJH60D5BDPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 37A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-14 09:37:470 RJH60M5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 37A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-14 09:26:090 RJH60M7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-13 20:19:160 RJH60M6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 40A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-13 20:17:310 RJH60T04DPQ-A1 數(shù)據(jù)表 (600V - 30A - IGBT / Application:Current resonance circuit)
2023-07-12 20:22:020 RJP60V0DPM-80 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 20:21:430 RJP60V0DPM 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 20:21:320 RJH60A83RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 10A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:450 RJH60A81RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:310 RJH60A01RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:170 幾乎每個應用中的半導體數(shù)量都在成倍增加，電子工程師面臨的諸多設計挑戰(zhàn)都歸結于需要更高的功率密度。
2023-07-11 11:21:34220 
針對所有的應用，人們越來越注意電動馬達的運作效率；因此，對高效率驅動器的需求變得日益重要。此外，使用馬達驅動的設計，例如電動馬達、泵和風扇，需要降低整體成本，且需要減低這些電動馬達應用中的能耗；因此
2023-07-05 12:00:33299 
V器件系列進軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場，而30A NGW30T60M3DF將打響進軍市場的第一炮。Nexperia在其龐大的產(chǎn)品組合中增加了IGBT，滿足了市場對于高效高壓開關器件不斷增長的需求以及在性能和成本方面的要求。這些器件有助于提高電源轉換和電機驅動應用中的功率密度，包括工業(yè)電機驅
2023-07-05 09:20:27459 
針對所有的應用，人們越來越注意電動馬達的運作效率；因此，對高效率驅動器的需求變得日益重要。此外，使用馬達驅動的設計，例如電動馬達、泵和風扇，需要降低整體成本，且需要減低這些電動馬達應用中的能耗；因此，為電動馬達及其的驅動指定高效率的設計，以適合每項特定應用變得更加重要。
2023-07-01 16:09:02380 
單片GaN器件集成驅動功率轉換的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
GaN功率IC使能4倍功率密度150W AC/DC變換器設計
2023-06-21 07:35:15
功率密度本設計實現(xiàn)35W/in3功率密度，滿載94.5%效率@ 90Vac，并通過CE和RE標準足夠的保證金。
2023-06-16 09:04:37
基于GaN器件的產(chǎn)品設計可以提高開關頻率，減小體積無源器件，進一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關特性，給散熱帶來了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設計、驅動設計和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
90vac時效率為94.5%，在230vac時效率為95.8%與之前最先進的設計相比，效率至少提高1%，節(jié)能高達20%。估計外殼尺寸為100cc，功率密度為1.4 W/cc。
2023-06-16 08:06:45
目前市面上的各種電器大多需要進行AC-DC電源轉換，因此若能提升AC-DC電源轉換效率，將有助于降低家庭的電力消耗與企業(yè)的運營成本，也有利于提升像是儲能系統(tǒng)、電池充電等應用的運作效率。本文將為您介紹功率因數(shù)校正技術的特性，以及由安森美（onsemi）推出的NCP1681 PFC控制器的產(chǎn)品特性與優(yōu)勢。
2023-06-14 10:08:10598 
線。該器件采用超級結結構，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開關電源和光伏發(fā)電機功率調節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開始批量出貨。 ? ? 通過對柵極設計和工藝進行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的
2023-06-13 16:38:50712 
， 兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR 飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET 驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT
2023-06-09 09:45:30583 800 V 架構降低了損耗，該行業(yè)還需要尺寸縮小但輸出功率增加的逆變器，實現(xiàn)遠超硅（Si）基技術（如 IGBT）能力的功率密度。
2023-05-20 16:00:231161 
在功率器件領域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時也會帶來巨大的性能提升。比如，在談論功率密度時，GaN（氮化鎵）憑借零反向復原、低輸出電荷和高電壓轉換率等突出優(yōu)勢，能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27741 
）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR 飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET 驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT 綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為 600V
2023-05-17 15:10:46956 RJH60A83RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 10A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:590 RJH60A81RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:390 RJH60A01RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:270 又是逆變器實現(xiàn)高傳輸效率、高功率密度的關鍵器件，目前電動汽車驅動逆變器絕大部分是基于傳統(tǒng)Si(硅)器件IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)功率模塊的設計，存在開關頻率低、損耗大的缺點，外圍配套濾波器體積大，質量重，制約了逆變控制器功率密度的提高。
2023-05-11 14:04:531486 
能量轉換效率是一個重要的指標，各制造商摩拳擦掌希望在95%的基礎上再有所提升。為了實現(xiàn)這一提升，開始逐漸采用越來越復雜的轉換拓撲，如移相全橋（PSFB）和LLC變換器。而且二極管將逐漸被功耗更低的MOSFET所取代，寬帶隙（WBG）器件更是以其驚人的開關速度被譽為未來的半導體業(yè)明珠。
2023-05-08 09:39:17735 
點擊藍字?關注我們 隨著科技發(fā)展和環(huán)境保護的要求，電力轉換系統(tǒng)效率變得越來越重要。圖騰柱PFC作為提高大功率單相輸入電源的效率和功率密度的重要拓撲也受到了許多人的關注。那么利用圖騰柱PFC如何在
2023-04-13 00:30:04635 
作為一種寬帶隙晶體管技術，GaN正在創(chuàng)造一個令人興奮的機會，以實現(xiàn)電力電子系統(tǒng)達到新的性能和效率。GaN的固有優(yōu)勢為工程師開啟了重新考慮功率密度的方法，這些方法在以前并不可能實現(xiàn)，如今能滿足世界日益增長的電力需求。在這篇文章中，我將探討如何實現(xiàn)。
2023-04-07 09:16:45575 
IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
2023-04-06 11:45:301042 供應ups逆變器igbt單管SGT60N60FD1P7 ，提供SGT60N60FD1P7 600v 60a規(guī)格書參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-04-04 10:39:344 供應電機常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A，提供SGTP50V60FD2PU關鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 17:24:105 供應50A、600V SGTP50V60FD2PU電機逆變器igbt，是士蘭微igbt一級代理商，提供SGTP50V60FD2PU關鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 17:22:26
供應50a 600v igbt 驅動電路SGTP50V60FD2PF，提供SGTP50V60FD2PF關鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 17:15:592 供應IGBT 50A 600V 型號SGTP50V60FD2PF-士蘭微驅動電機igbt，提供SGTP50V60FD2PF關鍵參數(shù) ，可應用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領域， 更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
2023-04-03 17:14:31
供應SGT30T60SD3PU伺服電機控制igbt 600V、30A規(guī)格參數(shù)，提供SGT30T60SD3PU關鍵參數(shù) ，可應用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領域，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
2023-04-03 17:09:042 供應igbt伺服電機驅動管SGT30T60SD3PU 600V、30A，是士蘭微IGBT代理商，提供SGT30T60SD3PU關鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-04-03 17:07:50
供應STGW30M65DF2代料SGT30T60SDM1P7新能源電機igbt管600V、30A參數(shù)，提供SGT30T60SDM1P7關鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:59:562 供應全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7，提供SGT20T60SDM1P7關鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:02:491 供應士蘭微焊機IGBT單管 驅動SGT20T60SDM1P7 20A、600V參數(shù)，提供SGT20T60SDM1P7 關鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:01:10
供應SGT20T60SD1F 20A、600V igbt單管開關逆變器，提供SGT20T60SD1F關鍵參數(shù) ，是士蘭微IGBT代理商，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向驪微 電子申請。>>
2023-04-03 15:40:25
供應士蘭微igbt 600V 20a SGT20T60SD1S用于驅動電機的igbt晶體管，提供SGT20T60SD1S關鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 15:27:47
供應士蘭微igbt SGT15T60SD1S 600v 15a單相半橋逆變，提供SGT15T60SD1S igbt關鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 15:22:02
供應5a、600v耐壓igbt SGTP5T60SD1DFS可代換AOD5B65M1 ，提供SGTP5T60SD1DFS規(guī)格書參數(shù) ，可應用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領域，更多產(chǎn)品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
2023-04-03 14:48:131 RJH60D5BDPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 37A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-31 19:26:480 RJH60M5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 37A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:15:310 RJH60M7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:11:000 RJH60M6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 40A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:09:070 RJH60T04DPQ-A1 數(shù)據(jù)表 (600V - 30A - IGBT / Application:Current resonance circuit)
2023-03-30 18:47:000 RJP60V0DPM-80 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-03-30 18:46:470 RJP60V0DPM 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-03-30 18:46:340 交通應用中電氣化的趨勢導致了高功率密度電力電子轉換器的快速發(fā)展。高開關頻率和高溫操作是實現(xiàn)這一目標的兩個關鍵因素。
2023-03-30 17:37:53914 ID7U603是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT半橋驅動芯片，可兼容代換IR2104，應用領域于中小型功率電機驅動、功率MOSFET或IGBT驅動、照明鎮(zhèn)流器、半橋驅動
2023-03-29 09:24:35930 
IGBT驅動芯片IR2104的使用?！ ⊥ㄟ^用arduino來控制IR2104芯片驅動半橋IGBT功率管，通過上位機串口控制實現(xiàn)輸出不同占空比的偽模擬電壓信號。主要知識點是電路板設計和上位機編程實現(xiàn)
2023-03-27 14:57:37
功率密度指標評價需要在一定的前提條件下進行，與指標定義、評價對象、運行電壓、工作溫度及其冷卻條件、持續(xù)時間、恒功率調速范圍等因素密切相關，不同前提下功率密度量化指標差異巨大。
2023-03-27 14:12:002004 對于電源管理應用程序而言，功率密度的定義似乎非常簡單：它指的是轉換器的額定（或標稱）輸出功率除以轉換器所占體積，如圖1所示。
2023-03-23 09:27:49710 
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