嵌入式鐵電存儲器可實現(xiàn)超低功耗微控制器的設(shè)計。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲與處理，是存儲系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22
嗨，我想開發(fā)一個 CAN 連接到賽普拉斯CYW20730芯片的Android應(yīng)用程序。
實際上，一些主動快門 3D 眼鏡使用了這個芯片，我想建立藍牙連接來打開和關(guān)閉眼鏡鏡片。
我下載了您的 2 安卓
2024-03-01 11:58:58
; eviceCount () \" 給了我 0。
當我查看 Windows 設(shè)備管理器時。 在編程之前，該設(shè)備被識別為“賽普拉斯FX3 USB引導(dǎo)加載程序設(shè)備”。 編程后，該設(shè)備被識別為“賽普拉斯FX3
2024-02-26 07:55:15
我只是想知道是否有可能訪問我正在編寫的代碼中的構(gòu)建變量。 到目前為止我還沒找到出路。
起初，這些變量僅用于自動創(chuàng)建我想要的格式的圖像文件。 現(xiàn)在，我想通過發(fā)送給賽普拉斯的控制權(quán)轉(zhuǎn)移來訪問它們。
如果這不可能，你知道其他方法可以做到這一點并滿足我的兩個需求嗎？
2024-02-26 06:36:36
拉普拉斯新能源科技股份有限公司，簡稱“拉普拉斯”，近期成功通過IPO審核，準備在科創(chuàng)板上市。該公司計劃募資18億元，主要用于光伏高端裝備研發(fā)生產(chǎn)總部基地項目、半導(dǎo)體及光伏高端設(shè)備研發(fā)制造基地項目，以及補充流動資金。
2024-02-23 14:16:32
218 目前，我的開發(fā)板使用賽普拉斯3014芯片并使用UVC輸出。 但是，程序運行后，可以在 Windows 系統(tǒng)上識別設(shè)備，但在 Linux 系統(tǒng)上無法識別。 我使用 Ubuntu 作為我的 Linux 系統(tǒng)。 可能是什么問題？ 我需要修改 cyfxdscr 嗎。 c 文件？有人能提供一些建議嗎？
2024-02-23 06:11:56
通過多級存儲器的設(shè)計，存儲器層次結(jié)構(gòu)能夠在存儲容量和訪問速度之間找到一個平衡點。高速緩存存儲器和主存儲器提供了快速的訪問速度，而輔助存儲器則提供了大量的存儲空間。
2024-02-19 13:54:42121 
DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
賽普拉斯的NV-SRAM將標準快速SRAM單元（訪問時間高達20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫訪問速度，并在其整個工作范圍內(nèi)具有20年的數(shù)據(jù)保留。
2024-02-19 10:52:40191 
傅里葉變換和拉普拉斯變換是兩種重要的數(shù)學工具，常用于信號分析和系統(tǒng)理論領(lǐng)域。雖然它們在數(shù)學定義和應(yīng)用上有所差異，但它們之間存在緊密的聯(lián)系和相互依存的關(guān)系。 首先，我們先介紹一下傅里葉變換和拉普拉斯
2024-02-18 15:45:38339 賽普拉斯的芯片，怎么燒錄后綴名為 .ELF 文件？要用什么燒錄器？用什么樣的燒錄軟件？芯片型號：CY8C5268AXI-LP047
2024-02-01 08:25:01
1) 允許一個物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器進行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲器。
2024-01-30 08:18:12
英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，擴展其集成嵌入式糾錯碼（ECC）的抗輻射異步靜態(tài)隨機存取存儲器（RAM）產(chǎn)品線。這款新產(chǎn)品的設(shè)計初衷是為了滿足航空和其他極端環(huán)境中的高性能計算需求。
2024-01-24 17:11:39358 我想使用 DAP 協(xié)議對 TC38x 系列 MCU 的 pFlash/DFlash 進行編程。
是否有任何記錄了 DAP 協(xié)議詳細信息的相關(guān)文檔？ 如何通過 DAP 協(xié)議訪問內(nèi)部存儲器？
提前謝謝了！
2024-01-23 07:51:15
我正在嘗試在 CY8CKIT-046 上運行賽普拉斯/英飛凌的 \" USBFS UART 代碼示例 \"。 將 USB 連接到裝有 Windows 10 的電腦后，我收到了一條
2024-01-22 08:27:13
隨機訪問存儲器（RAM）分為靜態(tài)RAM（SRAM）和動態(tài)RAM（DRAM）。由于動態(tài)存儲器存儲單元的結(jié)構(gòu)非常簡單，所以它能達到的集成度遠高于靜態(tài)存儲器。但是動態(tài)存儲器的存取速度不如靜態(tài)存儲器快。
2024-01-19 15:47:38513 
ADuCM360/1是否支持存儲器到存儲器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
是Volatile RAM（易失性存儲器），又稱為SRAM（Static Random Access Memory，靜態(tài)隨機訪問存儲器）；另一種是Non-volatile RAM（非易失性存儲器），又稱
2024-01-12 17:27:15512 賽普拉斯的NV-SRAM將標準快速SRAM單元（訪問時間高達20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲元件相結(jié)合，可提供快速的異步讀寫訪問速度，并在其整個工作范圍內(nèi)具有20年的數(shù)據(jù)保留。
2024-01-09 10:54:28170 
隨機存取存儲器 (RAM)的名稱源自 CPU 訪問它的方式，CPU對其進行隨機掃描以獲取適當?shù)男畔?，而不是遵循嚴格的指示。這是為了均衡所有存儲的數(shù)據(jù)位之間的訪問時間。
2024-01-06 17:51:33158 
描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲器。它的256K內(nèi)存由8位的32，768個字組成。該器件采用Atmel先進的非易失性CMOS技術(shù)制造，訪問時間高達150 ns，功耗僅為440
2023-12-08 15:05:01
在數(shù)字電子設(shè)備中，存儲器是至關(guān)重要的部分。它負責存儲和檢索數(shù)據(jù)，以支持各種計算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲器市場中，有兩種主要的類型：隨機訪問存儲器 ( RAM ) 和只讀存儲器 ( ROM )。盡管都是存儲器，但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17731 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
易失性存儲和精確的實時時鐘，本文推薦使用國產(chǎn)PB85RS2MC鐵電存儲器用于該存儲系統(tǒng)中。鐵電存儲器PB85RS2MC在系統(tǒng)主要是實現(xiàn)數(shù)據(jù)的非易失性存儲和的實時時
2023-11-27 10:17:05
20世紀70 年代到 90年代中期，動態(tài)隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣它可以隨時響應(yīng)控制輸入信號的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:27378 ，VM）兩大類。例如，人們熟知的閃速存儲器 ( Flash Memory，簡稱 Flash）就屬于 NVM，靜態(tài)隨機存取存儲器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動態(tài)隨機存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 后存儲內(nèi)容會丟失的存儲器稱作易失存儲器（Volatile Memory），存儲內(nèi)容不會丟失的存儲器稱作非易失存儲器（Non-Volatile Memory）。 半導(dǎo)體存儲器分類 1、按功能分為 （1）隨機存取存儲器（RAM）特點：包括DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨
2023-11-15 10:20:01731 
近期，深圳市科學技術(shù)獎勵委員會辦公室發(fā)布了關(guān)于2023年度深圳市科學技術(shù)獎擬獎名單的公示。其中，拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下簡稱“拉普拉斯”）依托“氣態(tài)BCl?特高溫硼擴散系列設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)
2023-11-10 10:37:24183 單片機的存儲器從物理上可劃分為4個存儲空間，其存儲器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
賽普拉斯USB-PD控制器最多能支持多少種電力傳輸對象（PDO）？支持的電源配置文件有哪些？ 賽普拉斯USB-PD控制器是一種用于電源傳輸?shù)钠骷?，它可以實現(xiàn)多種電力傳輸對象（PDO）的支持。在本篇
2023-10-27 14:40:20337 賽普拉斯USB-PD2.0和高通QC快充之間有何不同？ 賽普拉斯USB-PD2.0和高通QC快充是兩種快速充電技術(shù)，它們有著不同的特點和優(yōu)點。 賽普拉斯USB-PD2.0是一種基于USB
2023-10-27 14:40:18434 描述AT28C256是一種高性能的電可擦可編程只讀存儲器。它的256K內(nèi)存由8位的32，768個字組成。該器件采用Atmel先進的非易失性CMOS技術(shù)制造，訪問時間高達150 ns，功耗僅為440
2023-10-26 10:45:10
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
本文將介紹芯片設(shè)計中動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的相關(guān)知識，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:34816 近年來，光伏行業(yè)蓬勃發(fā)展，為業(yè)內(nèi)企業(yè)發(fā)展提供了良好的動力。以拉普拉斯為例，在穩(wěn)定的業(yè)績基礎(chǔ)上，疊加行業(yè)明朗的發(fā)展前景，拉普拉斯提交IPO招股書，擬申請上交所科創(chuàng)板上市，踏出了跨越性的一步
2023-10-19 11:34:04241 近期，光伏電池片制造設(shè)備供應(yīng)商——拉普拉斯積極闖關(guān)科創(chuàng)板IPO，計劃募資18億元用于光伏高端裝備研發(fā)生產(chǎn)總部基地項目、半導(dǎo)體及光伏高端設(shè)備研發(fā)制造基地項目和補充流動資金。 從拉普拉斯IPO招股書披露
2023-10-19 11:20:23296 CYPD5235-96BZXIT，CYPRESS/賽普拉斯，USB Type-C端口控制器CYPD5235-96BZXIT，CYPRESS/賽普拉斯，USB Type-C端口控制器
2023-10-17 16:16:10
存儲器測試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，動態(tài)隨機存取存儲器 16Gb低VDDQ移動低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一種高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
使用，需要增添片外存儲器。因此鐵電存儲器（FRAM）是便攜式醫(yī)療設(shè)備的理想解決方案。1、高寫入耐久度PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存
2023-10-16 10:13:25
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/劉靜）拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下簡稱：拉普拉斯）擬沖刺科創(chuàng)板IPO。不過近日，拉普拉斯IPO因財務(wù)資料過期問題而被迫暫時中止。 此次沖刺科創(chuàng)板IPO，拉普拉斯擬募集
2023-10-12 17:10:012041 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/劉靜）拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下簡稱：拉普拉斯）擬沖刺科創(chuàng)板IPO。不過近日，拉普拉斯IPO因財務(wù)資料過期問題而被迫暫時中止。 此次沖刺科創(chuàng)板IPO，拉普拉斯擬募集
2023-10-12 01:12:002959 
太陽能光伏設(shè)備制造行業(yè)作為技術(shù)密集型行業(yè)，一直以來對技術(shù)的先進性依賴程度比較高。深耕行業(yè)多年，拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下簡稱“拉普拉斯”或“公司”）始終以技術(shù)引領(lǐng)，驅(qū)動企業(yè)前行，成功獲得了
2023-10-10 17:04:00233 怎么隨機存取存儲器ram中的存儲單元
2023-09-28 06:17:04
眾所周知，鐵電存儲器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《8位PIC單片機上的存儲器訪問分區(qū).pdf》資料免費下載
2023-09-25 14:50:20
0 FSMC特性簡介和FSMC框圖外掛存儲器地址映射
AHB接口
NOR/PSRAM控制器
接口信號
支持的存儲器和訪問方式異步傳輸
同步突發(fā)傳輸
NAND/PC card控制器
接口信號
·支持的存儲器和訪問方式NAND操作
.ECC計算
.PC card/Compact Flash操作
2023-09-13 06:54:41
存儲器是計算機中的重要組成部分，用于存儲程序、數(shù)據(jù)和控制信息等。根據(jù)存儲信息的介質(zhì)和訪問方式的不同，存儲器可以分為隨機存儲器（RAM）、只讀存儲器（ROM）和硬盤存儲器等幾類。本文將介紹存儲器的工作原理、分類及結(jié)構(gòu)。
2023-09-09 16:18:272101 如何用拉普拉斯變換分析電路 拉普拉斯變換是通過一種特定的方法將時域中的一個信號轉(zhuǎn)化為復(fù)頻域中的一個函數(shù)，從而使得復(fù)雜的微分方程等可以變得更加簡單、易于求解。因此，它在電路分析中的應(yīng)用非常廣泛，有助于
2023-09-07 16:39:041276 傅里葉變換拉普拉斯變換和z變換的區(qū)別聯(lián)系 傅里葉變換、拉普拉斯變換和z變換是信號處理中重要的數(shù)學工具。傅里葉變換用于將一個連續(xù)時間信號轉(zhuǎn)換為頻域表示；拉普拉斯變換則用于將一個連續(xù)時間信號轉(zhuǎn)換為復(fù)平面
2023-09-07 16:38:581400 拉普拉斯變換公式? 拉普拉斯變換公式是數(shù)學中極其重要的一種變換方式，它的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，包括在信號處理、控制論、微分方程、電路分析和量子力學等領(lǐng)域中都有著廣泛的應(yīng)用。本文將詳細介紹拉普拉斯變換公式
2023-09-07 16:38:534091 拉普拉斯變換的意義 拉普拉斯變換是微積分中的一種重要方法，用于將時間域函數(shù)轉(zhuǎn)換為復(fù)平面的頻域函數(shù)。它是工程和科學中常用的一種數(shù)學工具，尤其是電路理論、信號處理和控制理論中。 拉普拉斯變換的意義可以
2023-09-07 16:35:083588 拉普拉斯變換的頻移特性 拉普拉斯變換是一種重要的數(shù)學工具，在信號處理、控制理論、電路分析等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。在這些應(yīng)用中，頻移是一個常見的操作，即將信號在頻域上移動某個頻率。 拉普拉斯變換是一種復(fù)數(shù)變換
2023-09-07 16:29:43671 新能源汽車的核心技術(shù)是大家熟知的動力電池、電池管理系統(tǒng)和整車控制單元。車載電子控制系統(tǒng)對于存取各類傳感器資料的需求持續(xù)增加，因此對于高性能非易失性存儲技術(shù)的需求也越來越高，因為當系統(tǒng)在進行資料分析
2023-09-01 10:04:52
AMBA靜態(tài)存儲器接口(SMI)是一個示例設(shè)計，它顯示了AMBA系統(tǒng)中外部總線接口(EBI)的基本要求。
它并不打算成為真正系統(tǒng)的“現(xiàn)成”EBI。
這樣的EBI設(shè)計必須考慮到流程、包裝和各種外部延遲
2023-08-21 06:22:01
技術(shù)，每種技術(shù)都具有不同的特性和高級功能。雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步動態(tài)隨機存取存儲器 (SDRAM) 已成為主系統(tǒng)存儲器最主流的存儲器技術(shù)，因為它使用電容器作為存儲元件來實現(xiàn)高密度和簡單架構(gòu)、低延遲和高性能、無限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20413 
本指南介紹事務(wù)性內(nèi)存，它允許自動執(zhí)行代碼，而無需始終實現(xiàn)限制性能的同步方法。
ARM事務(wù)內(nèi)存擴展(TME)是事務(wù)內(nèi)存的ARM實現(xiàn)。
現(xiàn)代復(fù)雜系統(tǒng)在不止一個處理器上執(zhí)行。
對存儲器訪問的管理確保了當
2023-08-17 07:57:59
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的動態(tài)存儲器控制器（DMC）和靜態(tài)存儲器控制器
2023-08-02 14:51:44
PrimeCell靜態(tài)存儲器控制器（SMC）是一款符合高級微控制器總線架構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備，由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
SMC是一個AMBA從模塊，連接到高級高性能
2023-08-02 12:21:46
SC054 ASB靜態(tài)存儲器控制器（SMC）是一款符合高級微控制器總線架構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)外圍設(shè)備，由ARM開發(fā)、測試和許可。SC054 ASB SMC是一個AMBA從模塊，連接到高級系統(tǒng)總線
2023-08-02 07:39:45
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的靜態(tài)存儲器控制器（SMC）。AHB MC有一個
2023-08-02 07:14:25
動態(tài)存儲運行時數(shù)據(jù)在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的推理過程中。
?AXI接口M1用于允許更低帶寬和更高帶寬的內(nèi)存事務(wù)
延遲因此，AXI M1接口可以連接到較慢或較少突發(fā)的存儲器例如閃存或DRAM。內(nèi)存用于運行時的非易失性
2023-08-02 06:37:01
AHB MC是一種符合高級微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開發(fā)、測試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的動態(tài)存儲器控制器（DMC）和靜態(tài)存儲器控制器
2023-08-02 06:26:35
就需要一塊非易失性存儲芯片來儲存這些數(shù)據(jù)。非易失性存儲器一般包括EPROM、EEPROM和FLASH等，它們在系統(tǒng)掉電的情況下仍可保留所存數(shù)據(jù)，但因其技術(shù)都源于R
2023-07-25 10:31:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數(shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲器，分成8字節(jié)大小的存儲塊，每個存儲塊可具有寫保護
2023-07-13 17:01:58
DS28E80為用戶可編程非易失存儲器芯片。與浮柵存儲單元相比，DS28E80采用了耐γ輻射的存儲單元技術(shù)。DS28E80具有248字節(jié)用戶存儲器，分成8字節(jié)大小的存儲塊，每個存儲塊可具有寫保護
2023-07-13 11:31:16
可編程控制器的存儲器由只讀存儲器ROM、隨機存儲器RAM和可電擦寫的存儲器EEPROM三大部分構(gòu)成，主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序及工作數(shù)據(jù)。
2023-07-11 14:26:421719 ，非易失性存儲器在計算機關(guān)閉后存儲數(shù)據(jù)仍保留在計算機中。易失性存儲器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲狀態(tài)。主要分為兩種類型：靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。 1963年，F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28873 存儲器是用來進行數(shù)據(jù)存儲的（指令也是一種數(shù)據(jù)），按使用類型可分為只讀存儲器ROM(Read Only Memory)和隨機訪問存儲器RAM(Random Access Memory)，RAM是其中最為常見的一種形式。
2023-06-27 16:45:30458 
靜態(tài)隨機存儲器(SRAM: Static Random Access Memory) 和動態(tài)隨機存儲器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:181959 
該控制器訪問連接到外部存儲器總線的SDRAM器件。程序和數(shù)據(jù)存儲器共用地址空間；使用單獨的總線分別訪問這兩個存儲器，從而提高性能并允許在同一個周期訪問程序和數(shù)據(jù)。存儲器映射中包含片上RAM、外設(shè)
2023-06-21 12:15:03421 
隨機存儲器可以隨時從任何一個指定地址中讀出數(shù)據(jù)，也可以隨時將數(shù)據(jù)寫入任何一個指定的存儲單元中
2023-06-05 15:49:47785 
16-MBIT（1M X 16）靜態(tài)隨機存儲器
2023-06-01 09:18:00
無論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲，還是單純地瀏覽數(shù)碼照片，你的電腦都會定期進入內(nèi)存獲取指令。沒有隨機存取存儲器（RAM），今天的計算機甚至無法啟動。
2023-05-30 15:19:55313 我們正在構(gòu)建一個設(shè)備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
不懂單片機，最近公司一個外單要轉(zhuǎn)到國內(nèi)生產(chǎn)，發(fā)了一個后綴名是.elf的燒錄文件，請問這個怎么燒錄？要用什么軟件打開？又要用什么樣的燒錄器？
芯片是賽普拉斯的CY8C5268AXI-LP047
2023-05-23 08:53:56
，并把電容放電，藉此來保持數(shù)據(jù)的連續(xù)性。
SRAM：
SRAM利用寄存器來存儲信息，所以一旦掉電，資料就會全部丟失，只要供電，它的資料就會一直存在，不需要動態(tài)刷新，所以叫靜態(tài)隨機存儲器。
3.產(chǎn)品應(yīng)用
2023-05-19 15:59:37
Flash的容量往往較小。NOR設(shè)備在每次寫操作時都必須以塊的方式寫入數(shù)據(jù)。并行NOR閃存利用靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)快速訪問芯片的可尋址區(qū)域，實現(xiàn)了存儲字節(jié)的快速訪問。與NAND Flash相比
2023-05-18 14:13:37
。關(guān)于DMA存儲器到外設(shè)傳輸方式，程序中，首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH中，然后通過DMA的方式傳輸?shù)酱诘臄?shù)據(jù)寄存器，然后通過串口把這些數(shù)據(jù)發(fā)送到電腦的上位機顯示出來。
2023-04-20 16:35:13
PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元，對標富士通和賽普拉斯從原料上能做到不含鉛，無污染。
2023-04-20 11:29:57224 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器
2023-04-19 17:45:462541 本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標地址上（內(nèi)部SRAM），最后對比源數(shù)據(jù)和目標地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準確。
2023-04-17 15:28:08
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
據(jù)保留?無限的讀/寫耐力?無磨損?有競爭力的定價?穩(wěn)定的制造業(yè)供應(yīng)鏈?小尺寸BGA封裝圖1 引腳普通針MR3A16ACMA35是一個8Mb非易失性RAM，組織為512kx16，采用3.3V標稱電源供電
2023-04-07 16:26:28
可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲器容量。快速的寫入速度和無限的耐用性使該存儲器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
我目前正在嘗試防止臨時對稱密鑰在重新啟動后保留在內(nèi)存中。我的巧妙計劃是使用 i.MX RT1064 處理器寄存器（保證在重啟時歸零）對它們進行異或，我在重啟時將其設(shè)置為隨機數(shù)。（這與非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
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