芯片。技術(shù)開始變得民主化、大眾化，世界從此變得不一樣了。
半導(dǎo)體的第三個時代——代工
從本質(zhì)上來看，第三個時代是第二個時代成熟的必然結(jié)果。集成電路設(shè)計和制造的所有步驟都開始變得相當具有挑戰(zhàn)性。建立起
2024-03-13 16:52:37
近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）宣布推出兩款全新的近距離無線點對點收發(fā)器芯片——ST60A3H0和ST60A3H1。這兩款產(chǎn)品的推出，標志著電子
2024-03-12 11:00:10
215 想問一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
描述Qorvo的TGA2595是一款平衡Ka波段功率放大器，采用Qorvo的0.15 um GaN on SiC工藝制造。平衡配置支持低回波損耗，并提高了對非理想負載的魯棒性。工作頻率范圍為27.5
2024-03-06 15:52:16
描述Qorvo的TGA2594是一款Ka波段功率放大器，采用Qorvo的0.15um GaN on SiC工藝制造。工作頻率范圍為27至31GHz，可實現(xiàn)5W飽和輸出功率和28% PAE效率，以及
2024-03-06 15:49:24
描述Qorvo的TGA2565-SM是一款中等功率可變增益放大器，可用作線性Ka頻段應(yīng)用中的驅(qū)動放大器。TGA2565-SM的工作頻率為11至17 GHz，采用Qorvo的pHEMT生產(chǎn)工藝
2024-03-06 15:40:34
描述Qorvo的TGA2535-SM是一款X波段封裝功率放大器。TGA2535-SM的工作頻率為10至12 GHz，采用Qorvo的power pHEMT生產(chǎn)工藝設(shè)計。TGA2535-SM通常在20
2024-03-06 15:38:23
—— 芯片百科 ——描述Qorvo的TGA2527-SM是一款Ku波段封裝功率放大器。TGA2527-SM的工作頻率為12.5至15.5 GHz，采用Qorvo的power pHEMT生產(chǎn)工藝
2024-03-06 15:35:13
，GaN-on-SiC具有更加優(yōu)異的性能；砷化鎵或硅基氮化鎵；包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移效率和更高的導(dǎo)熱系數(shù)。CMPA1D1E025 選用 10 導(dǎo)線；25 mm x 9.9 mm；金屬/陶瓷
2024-02-27 14:09:50
芯片是指將集成電路（Integrated Circuit，簡稱IC）技術(shù)用于制作電子元器件的一種載體，它通常由一塊或多塊半導(dǎo)體薄片構(gòu)成。芯片是現(xiàn)代電子技術(shù)的基礎(chǔ)，被廣泛應(yīng)用于計算機、通信、家電、汽車
2024-01-30 09:54:21531 新聲半導(dǎo)體是一家專業(yè)從事通信領(lǐng)域半導(dǎo)體濾波器芯片和射頻模組產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)制造的高科技公司，產(chǎn)品主要應(yīng)用于無線通訊終端市場。
2024-01-23 13:58:01272 CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
，改善光信號傳輸性能。 SOA的增益特性取決于其結(jié)構(gòu)設(shè)計、工作模式和半導(dǎo)體材料等因素。根據(jù)工作波長、增益帶寬和增益特性的不同，SOA可以分為多個增益波段。下面將詳細介紹SOA的幾個常見增益波段。 C波段增益波段：C波段覆蓋了1530nm到1570nm的范圍，適用于光通信中常用的C波段
2024-01-17 11:07:06232 今天，我們榮幸地為您推薦TriQuint的TGA2595平衡Ka波段功率放大器，一款專為苛刻應(yīng)用而設(shè)計的杰出產(chǎn)品。TGA2595采用TriQuint的0.15 um GaN on SiC工藝制造
2024-01-14 22:09:23
TGA2622-SM：高性能X波段放大器，滿足脈沖應(yīng)用需求華灃恒霖電子，作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片貿(mào)易商，深知在高端應(yīng)用領(lǐng)域，對于高性能、高可靠性的功率放大器的需求日益增長。今天，我們非常榮幸地為您
2024-01-14 21:40:44
TGA2622-SM：高性能X波段放大器，滿足脈沖應(yīng)用需求華灃恒霖電子，作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片貿(mào)易商，深知在高端應(yīng)用領(lǐng)域，對于高性能、高可靠性的功率放大器的需求日益增長。今天，我們非常榮幸地為您
2024-01-14 16:39:06
)于1月9日宣布推出用于量產(chǎn)感知雷達的準量產(chǎn)芯片組。該芯片組由三個芯片組成:發(fā)射器、接收器和處理器,這標志著Arbe的首個高通道陣列“大規(guī)模MIMO”成像雷達芯片組解決方案誕生,將為汽車行業(yè)提供較高的性能,進一步助力道路安全。Arbe目前已經(jīng)完成預(yù)認證測試,正在接受車規(guī)級AEC-Q100認證
2024-01-10 09:35:04183 后，這些芯片也將被同時加工出來。
材料介質(zhì)層參見圖3，芯片布圖上的每一層圖案用不同顏色標示。對應(yīng)每一層的圖案，制造過程會在硅晶圓上制做出一層由半導(dǎo)體材料或介質(zhì)構(gòu)成的圖形。本文把這些圖形層稱之為材料介質(zhì)
2024-01-02 17:08:51
CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。具備前所未有的輸入，能夠在DC-2.0GHz范圍之內(nèi)提供最好的的瞬時寬帶性能。與硅或砷化鎵相比較，CGHV40180具有更加優(yōu)異
2024-01-02 12:05:47
氮化鎵半導(dǎo)體芯片（GaN芯片）和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片在組成材料、性能特點、應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在著明顯的區(qū)別。本文將從這幾個方面進行詳細介紹。 首先，氮化鎵半導(dǎo)體芯片和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片的組成
2023-12-27 14:58:24424 芯片和半導(dǎo)體有什么區(qū)別? 芯片和半導(dǎo)體是信息技術(shù)領(lǐng)域中兩個重要的概念。在理解它們之前，我們需要首先了解什么是半導(dǎo)體。 半導(dǎo)體是一種介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。在半導(dǎo)體中，電流的傳導(dǎo)主要是由電子和空穴
2023-12-25 14:04:451456 FLK017XP型號簡介Sumitomo的FLK017XP
芯片是一種功率
砷化鎵場效應(yīng)管，設(shè)計用于Ku頻段的通用應(yīng)用提供卓越的功率、增益和效率。Eudyna嚴格的質(zhì)量保證計劃確?？煽啃院鸵恢碌男阅?/div>
2023-12-19 12:00:45
FSX027X型號簡介Sumitomo的FSX027X是一種通用砷化鎵場效應(yīng)管，設(shè)計用于介質(zhì)高達12GHz的電源應(yīng)用。這些設(shè)備具有廣泛的動態(tài)適用于中功率、寬帶、線性驅(qū)動放大器或振蕩器。Eudyna
2023-12-19 11:48:16
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術(shù)相比，CGHV96130F內(nèi)部適應(yīng)(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比
2023-12-13 10:10:57
根據(jù)不同的誘因，常見的對半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
TGA4536-SM是一種帶集成功率檢測器的K波段功率放大器。TGA4536-SM的工作頻率為24.2-26.5GHz，采用TriQuint的power pHEMT生產(chǎn)工藝
2023-11-10 09:53:01
TGA2237-SM是一款寬帶分布式放大器，采用TriQuint公司的SiC工藝生產(chǎn)0.25um GaN。TGA2237-SM的工作頻率為0.03–2.5GHz，提供大于10W的飽和
2023-11-10 09:50:21
TGA2595是一款基于TriQuint公司的0.15um GaN-on-SiC工藝制作的平衡Ka波段功率放大器。平衡配置支持低回波損耗，提高了對非理想負載的魯棒性。工作在27.5～31ghz，達到
2023-11-10 09:48:06
氮化鎵（GaN）被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，今天金譽半導(dǎo)體帶大家來簡單了解一下，這個材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12662 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Ka波段基片集成波導(dǎo)帶通濾波器的設(shè)計.pdf》資料免費下載
2023-10-25 11:18:32
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《一種橫向Ka波段寬帶波導(dǎo)-微帶探針過渡的設(shè)計.pdf》資料免費下載
2023-10-23 14:11:432 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是半導(dǎo)體芯片的制作和半導(dǎo)體芯片封裝的詳細資料概述
2023-09-26 08:09:42
·技術(shù)論壇 — 超過30場分論壇，內(nèi)容圍繞電源與能源、電機控制和自動化應(yīng)用·主題演講 — 超過25場主題演講，ST及合作伙伴的企業(yè)高管分享半導(dǎo)體前沿資訊及相關(guān)工業(yè)策略
▌三大行業(yè)應(yīng)用·電源與電能：擁有廣泛
2023-09-11 15:43:36
，在半導(dǎo)體芯片制造過程中，需要保證高質(zhì)量和高效率，而真空環(huán)境的應(yīng)用在半導(dǎo)體芯片制造中已然成為了必須進行的環(huán)節(jié)。 半導(dǎo)體芯片有兩個主要的制造過程，一個是前期的光刻和沉積，另一個是晶圓清洗和烘干。在這兩個制造過程中，真空
2023-09-07 16:04:271038 ASR6505是一種通用的LoRa無線通信芯片組，集成了LoRa無線電收發(fā)器、LoRa調(diào)制解調(diào)器和一個8位CISC MCUASR6505是基于STM 8位MCU與SX1262 的SiP芯片，相對于
2023-08-30 15:34:19
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
以玻璃封裝材料和玻璃通孔技術(shù)為基礎(chǔ)，提出一種新的Ka波段(33 GHz)濾波封裝天線(FPA)，該天線具有寬頻帶和高濾波響應(yīng)特點。
2023-07-06 11:00:26381 
鎵器件大約在2015年推出市場，與具有相同導(dǎo)通電阻和額定電壓的硅功率MOSFET相比，其價格更低 。從那時起，產(chǎn)量繼續(xù)提升、氮化鎵器件的價格持續(xù)下降、氮化鎵技術(shù)不斷改進和芯片進一步更小化。下圖顯示了
2023-06-25 14:17:47
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
半導(dǎo)體芯片是如何封裝的？這是一個很好的問題。半導(dǎo)體芯片通常需要被封裝起來才能使用。封裝工藝的目標是將裸露的芯片保護起來，同時連接它們到外部引腳，以便于在電路板等設(shè)備中使用。
2023-06-21 14:33:561349 采用GaNFast?功率半導(dǎo)體的高效有源箝位反激變換器的設(shè)計考慮
2023-06-21 06:24:22
GaN功率半導(dǎo)體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
芯和半導(dǎo)體于2023年6月13日在圣地亞哥開幕的IEEE MTT國際微波展上，正式發(fā)布其射頻EDA解決方案2023版本及宣傳片。通過差異化的芯片-封裝-系統(tǒng)EDA工具和大規(guī)模量產(chǎn)驗證的集成無源器件
2023-06-17 15:08:21701 通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
的設(shè)計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
行業(yè)標準，成為落地量產(chǎn)設(shè)計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個能將最小能量的數(shù)字信號，轉(zhuǎn)化為無損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。
納微半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
，是復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院博士、復(fù)醒科技創(chuàng)始人&CEO、芯千同集成電路有限公司CEO、上海市新銳創(chuàng)業(yè)企業(yè)獎獲者、上海市互聯(lián)網(wǎng)+大賽銅獎獲得者。他致力于打造半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)學(xué)融合數(shù)字化平臺，平臺
2023-06-01 14:52:23
最近在研究一個無人機電池管理系統(tǒng)，RDDRONE-BMS772。文檔中關(guān)于電池平衡的內(nèi)容不清楚——芯片組是內(nèi)置 FET 還是只是驅(qū)動器？
2023-06-01 07:23:40
ASR6505是基于STM 8位MCU的無線通信芯片組
ASR6505是一種通用的LoRa無線通信芯片組，集成了LoRa無線電收發(fā)器、LoRa調(diào)制解調(diào)器和一個8位CISC MCU
ASR6505
2023-05-31 10:04:08
GaAs的靈敏度比Si材料高1個數(shù)量級、溫漂小1個數(shù)量級，是優(yōu)異的線性磁傳感霍爾材料。芯片特征：● 砷化鎵+ Si混合可編程線性霍爾效應(yīng)IC● 單電源：VDD 3
2023-05-31 10:02:47
、新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G通信射頻等市場的發(fā)展，具有較大的發(fā)展前景；從分立器件原材料看，隨著氮化鎵和碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用，半導(dǎo)體分立器件市場逐步向高端應(yīng)用市場推進。隨著我國分立器件企業(yè)產(chǎn)品
2023-05-26 14:24:29
標準化。半導(dǎo)體芯片PCT老化試驗箱安全裝置：1、鍋內(nèi)安全裝置：鍋門若未關(guān)緊則機器無法啟動。2、安全閥：當鍋內(nèi)壓力超過大工作值自動排氣泄壓。3、雙重過熱保護裝置：當鍋
2023-05-26 10:52:14
第95期什么是寬禁帶半導(dǎo)體？半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:461673 
半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN
2023-05-05 17:46:226166 
TGA2976-SM產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGA2976-SM 是一款寬帶共源共柵放大器，可提供出色的寬帶性能并支持 40-50V 操作。TGA2976-SM 的工作頻率范圍為 0.1 - 3.0
2023-05-04 12:03:10
TGA2975-SM產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGA2975-SM 是一款封裝的 MMIC 功率放大器，工作頻率范圍為 2.7 至 3.5 GHz。TGA2975-SM 通常提供超過 41 dBm
2023-05-04 11:54:44
TGA2830-SM產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGA2830-SM 是一款封裝的 MMIC 功率放大器，工作頻率范圍為 2.7 至 3.5 GHz。TGA2830-SM 通常提供超過 42.5 dBm
2023-05-03 13:28:06
TGA2817-SM產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGA2817-SM 是一款覆蓋 2.9-3.5 GHz 的高功率 S 波段放大器，TGA2817-SM 提供 > 48 dBm 的飽和輸出功率
2023-05-03 10:18:48
TGA2813-SM產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGA2813-SM 是一款封裝的高功率 S 波段放大器，工作頻率范圍為 3.1 至 3.6 GHz。TGA2813-SM 通常提供大于 100 W
2023-05-03 10:09:47
TGA2753-SM產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGA2753-SM 是一款具有集成功率檢測器的 C 波段功率放大器。TGA2753-SM 的工作頻率為 5.9 - 7.1 GHz，采用 Qorvo
2023-05-02 19:45:45
TGA2583-SM產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGA2583-SM 是一款封裝的 MMIC 功率放大器，工作頻率范圍為 2.7 至 3.7 GHz。TGA2583-SM 采用 Qorvo 生產(chǎn)
2023-05-02 19:20:25
TGA2307-SM產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGA2307-SM 是一款封裝功率放大器，采用 Qorvo 生產(chǎn)的 0.25um GaN on SiC 工藝制造。TGA2307-SM 的工作頻率為
2023-05-02 18:07:51
TGA2237-SM產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGA2237-SM 是一種寬帶分布式放大器，采用 Qorvo 生產(chǎn)的 0.25um GaN on SiC 工藝制造。TGA2237-SM 的工作頻率范圍
2023-05-02 17:09:22
TGA4533-SM產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGA4533-SM 是一款 K 波段功率放大器。TGA4533-SM 的工作頻率范圍為 21.2 至 23.6 GHz，采用 Qorvo 的功率
2023-04-23 12:24:40
TGA4532-SM產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGA4532-SM 是一款 K 波段功率放大器。TGA4532-SM 的工作頻率范圍為 17.7 至 19.7 GHz，采用 Qorvo 的功率
2023-04-23 12:18:42
)。TGA3042-SM 的工作頻率為 7 – 10.5 GHz，通常提供 4.5 W 飽和輸出功率，功率附加效率為 38.5%，大信號增益為 23.5 dB。這種寬帶性能的組
2023-04-23 11:01:24
GaAs pHEMT 和 GaN HEMT 生產(chǎn)工藝設(shè)計。TGA2760-SM 通常提供 42 dBm 的飽和輸出功率和 33 dB 的小信號增益。TG2752-SM
2023-04-23 10:44:18
TGA2752-SM產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGA2752-SM 是一款具有集成功率檢測器的 C 波段功率放大器。TGA2752-SM 的工作頻率為 7.1 – 8.5 GHz，采用 Qorvo
2023-04-23 10:37:42
TGA2704-SM產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGA2704-SM 是一種高功率放大器封裝，采用 Qorvo 的生產(chǎn) 0.25um pHEMT GaAs 工藝制造。TGA2704-SM 的工作頻率為
2023-04-23 10:30:38
TGA2624-SM 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGA2624-SM 是一款封裝的高功率 X 波段放大器，采用 Qorvo 生產(chǎn)的 0.25um GaN on SiC 工藝制造
2023-04-21 13:39:56
TGA2622-SM產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGA2622-SM 是一款封裝的高功率 X 波段放大器，采用 Qorvo 生產(chǎn)的 0.25um GaN on SiC 工藝制造。TGA2622-SM
2023-04-21 13:13:36
TGA2621-SM產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGA2621-SM 是一款封裝的 Ku 波段功率放大器，采用 Qorvo 的 TQPHT15 0.15 um GaAs pHEMT 工藝制造
2023-04-21 13:00:49
TGA2535-SM產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGA2535-SM 是一款 X 波段封裝功率放大器。TGA2535-SM 的工作頻率范圍為 10 至 12 GHz，采用 Qorvo 的功率 pHEMT
2023-04-21 12:19:57
TGA2533-SM產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGA2533-SM 是一款 Ku 波段封裝功率放大器。TGA2533-SM 的工作頻率范圍為 12.5 至 15.5 GHz，采用 Qorvo 的功率
2023-04-21 12:10:36
TGA2524-SM產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGA2524-SM 是一款 Ku 波段功率放大器。TGA2524-SM 的工作頻率范圍為 12 至 16 GHz，采用 Qorvo 的功率 pHEMT
2023-04-21 11:53:27
各種毫米波應(yīng)用，包括點對點數(shù)字無線電和其他 K 波段線性增益應(yīng)用。TGA2521-SM 在 17 - 24 GHz 范圍內(nèi)以 1 dB 壓縮提供 23.5 dBm
2023-04-21 11:44:11
TGA2218-SM產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGA2218–SM 是一款封裝的 Ku 波段、高功率 MMIC 放大器，采用 Qorvo 生產(chǎn)的 0.15um GaN on SiC 工藝制造
2023-04-20 12:20:06
SW-209-PIN砷化鎵匹配 GaAs SPST 開關(guān) DC - 3.0 GHz MACOM 的 SW-209-PIN 是一款射頻開關(guān)
2023-04-18 15:19:22
MASW2040砷化鎵MACOM 的 MASW2040 是一款 GaAs MMIC DPDT 開關(guān)芯片。MASW2040 非常適用于需要低功耗的場合。典型應(yīng)用包括無線電和蜂窩
2023-04-18 11:31:22
MASW6030G砷化鎵MACOM 的 MASW6030G 是一款 GaAs MMIC DPDT 開關(guān)芯片。MASW6030G 非常適用于需要低功耗的場合。典型應(yīng)用包括發(fā)送/接收切換、切換矩陣和切換
2023-04-17 17:06:13
TGA2731-SM產(chǎn)品簡介Qorvo 的 TGA2731-SM 是一款適用于 S 波段應(yīng)用的驅(qū)動放大器。TGA2731-SM 的工作頻率范圍為 2.7 至 4.0 GHz，提供 > 30.7
2023-04-16 14:00:12
制造產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移、下游行業(yè)需求的拉動以及國家推出的支持政策，半導(dǎo)體分立器件行業(yè)已經(jīng)進入快速發(fā)展通道。目前，我國已經(jīng)成為全球重要的半導(dǎo)體分立器件制造基地和全球最大的半導(dǎo)體分立器件市場，根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會
2023-04-14 13:46:39
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