2024年3月17日，隨著第十五屆中國產學研合作創(chuàng)新大會在北京會議中心的隆重開幕，產學研合作再度成為科技創(chuàng)新的焦點。
2024-03-21 10:15:54
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中國上海，2024 年 3 月 19 日——楷登電子（美國 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布與 Arm 公司合作，提供基于芯粒的參考設計和軟件開發(fā)平臺，以加速軟件定義汽車（SDV）取得創(chuàng)新。
2024-03-19 11:41:16234 CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
采用ADMU4121來驅動氮化鎵半橋電路，采樣的全隔離的驅動方案，但是現(xiàn)在上管的驅動電壓隨輸入電壓的升高而升高，不知道為啥？是因為驅動芯片的原因嗎？上管是將5V的輸入電壓由B0515隔離芯片轉化
2024-01-11 06:43:50
氮化鎵不是充電器類型，而是一種化合物。 氮化鎵（GaN）是一種重要的半導體材料，具有優(yōu)異的電學和光學特性。近年來，氮化鎵材料在充電器領域得到了廣泛的應用和研究。本文將從氮化鎵的基本特性、充電器的需求
2024-01-10 10:20:29252 氮化鎵（GaN）芯片是一種新型的半導體材料，由氮化鎵制成。它具有許多優(yōu)越的特性，例如高電子遷移率、高耐壓、高頻特性和低電阻等，這使得它在許多領域有著廣泛應用的潛力。以下是幾個氮化鎵芯片的應用領域
2024-01-10 10:13:19436 氮化鎵是一種無機化合物，化學式為GaN，它由鎵和氮元素組成。氮化鎵具有許多重要的物理和化學性質，使其在科學研究和工業(yè)應用領域中具有廣泛的應用。 氮化鎵是一種具有低能隙的半導體材料，其晶體結構屬于
2024-01-10 10:05:09345 氮化鎵是一種重要的半導體材料，屬于六方晶系晶體。在過去的幾十年里，氮化鎵作為一種有著廣泛應用前景的材料，受到了廣泛關注和研究。本文將會詳盡地介紹氮化鎵的晶體結構、性質以及應用領域。 首先，我們來介紹
2024-01-10 10:03:21941 氮化鎵（GaN）MOS管，是一種基于氮化鎵材料制造的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。由于氮化鎵具有優(yōu)異的電子遷移率、高電子飽和速度和較高的擊穿電壓能力，使得氮化鎵MOS管在高功率
2024-01-10 09:32:15362 氮化鎵（GaN）MOS管是一種新型的功率器件，它具有高電壓、高開關速度和低導通電阻等優(yōu)點，逐漸被廣泛應用于功率電子領域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢，合理的驅動方法是至關重要的。本文將介紹氮化
2024-01-10 09:29:02412 隨著信息技術和通信領域的不斷發(fā)展，對高性能芯片的需求也越來越大。作為半導體材料中的重要組成部分，氮化鎵芯片因其優(yōu)異的性能在近年來受到了廣泛關注。本文將詳細介紹氮化鎵芯片的基本原理及其應用領域
2024-01-10 09:25:57354 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結構和原理。 一、氮化鎵功率器件結構 氮化鎵功率器件的主要結構是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41667 氮化鎵技術（GaN技術）是一種基于氮化鎵材料的半導體技術，被廣泛應用于電子設備、光電子器件、能源、通信和國防等領域。本文將詳細介紹氮化鎵技術的用途和應用，并從不同領域深入探討其重要性和優(yōu)勢
2024-01-09 18:06:36293 氮化鎵充電寶和普通充電寶是兩種不同類型的便攜式電池充電設備。它們之間的主要區(qū)別在于材料和性能，對比這兩種充電寶可以幫助用戶選擇適合自己需求的產品。 首先，氮化鎵充電寶采用的是氮化鎵材料作為陽極材料
2024-01-09 17:21:323110 A AWA-0213 有源天線創(chuàng)新者套件產品概述雙極化 32 元件毫米波至中頻有源天線創(chuàng)新者套件AWA-0213-PAK 是一款完整的毫米波至中頻雙極化天線設計，適用于毫米波 5G 無線電。該套件
2024-01-02 14:28:36
CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。具備前所未有的輸入，能夠在DC-2.0GHz范圍之內提供最好的的瞬時寬帶性能。與硅或砷化鎵相比較，CGHV40180具有更加優(yōu)異
2024-01-02 12:05:47
氮化鎵（GaN）MOS（金屬氧化物半導體）管驅動芯片是一種新型的電子器件，它采用氮化鎵材料作為通道和底層襯底，具有能夠承受高功率、高頻率和高溫度的特性。GaN MOS管驅動芯片廣泛應用于功率電子
2023-12-27 14:43:23529 Sumitomo 是全球最大的射頻應用氮化鎵 (GaN) 器件供應商之一。住友氮化鎵器件用于通信基礎設施、雷達系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點對點無線電和其他應用。 功率氮化鎵-用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信
2023-12-15 17:43:45
氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設備市場得到廣泛應用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅動器和氮化鎵開關管整合到一個...
2023-11-24 16:49:22350 氮化鎵激光芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)點，被廣泛應用于通信、醫(yī)療、工業(yè)等領域。下面我們將詳細介紹氮化鎵激光芯片的用途。 一、通信領域 氮化鎵激光芯片
2023-11-24 11:23:151092 倍思氮化鎵充電器是一款優(yōu)秀的充電器，具有高效、快速、安全、環(huán)保等優(yōu)點。下面我們將詳細介紹倍思氮化鎵充電器的優(yōu)缺點、使用體驗和與其他產品的比較，幫助您更好地了解這款充電器。 一、倍思氮化鎵充電器的優(yōu)點
2023-11-24 11:18:44561 氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學性能，廣泛應用于電子、通訊、能源等領域。下面我們將詳細介紹氮化鎵的提取過程
2023-11-24 11:15:20718 隨著科技的發(fā)展，電子產品已經(jīng)成為了我們生活中的必需品。而為了保持這些產品的正常運行，需要一種高效、快速、安全的充電方式。氮化鎵充電器就是一種基于氮化鎵半導體材料的先進充電技術。下面我們將詳細介紹氮化
2023-11-24 10:57:461244 
氮化鎵激光器芯片能用酒精擦拭嗎？ 氮化鎵激光器芯片是一種重要的光電子元件，被廣泛應用于激光科技、光通信和生物醫(yī)學等領域。對于氮化鎵激光器芯片的清潔維護非常重要，而酒精擦拭是一種常見的清潔方法。本文
2023-11-22 16:27:52380 氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質制造的芯片，它被廣泛應用于高功率和高頻率應用領域，如通信、雷達、衛(wèi)星通信、微波射頻等領域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:302303 氮化鎵充電器可能會對電池造成損害。在本文中，我們將探討氮化鎵充電器是否會傷害電池，并提供如何選擇氮化鎵充電器的一些建議。 首先，讓我們了解一下為什么有人擔心氮化鎵充電器對電池造成傷害。氮化鎵充電器通常具有較高的輸
2023-11-21 16:15:271663 近日，兆芯與超云數(shù)字技術集團有限公司（簡稱“超云”）在北京正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將 建立長期穩(wěn)定的業(yè)務合作關系， 在技術創(chuàng)新、 產品研發(fā)、 方案搭建、 生態(tài)建設 等方面加強投入與合作 。此次簽約
2023-11-20 18:55:01385 
氮化鎵芯片是一種新型的半導體材料，具有高頻率、高功率、高溫穩(wěn)定性和低損耗等優(yōu)點，被廣泛應用于電力電子器件、光電子器件和微波器件等領域。隨著科技的不斷發(fā)展，氮化鎵芯片的應用前景越來越廣闊，例如在新能源
2023-11-10 14:35:09364 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導體材料，由于其獨特的性質和廣泛的應用，已經(jīng)成為了微電子和光電子領域的重要材料之一。下面將詳細介紹氮化鎵的性質和用途。
2023-11-08 15:59:36215 功能和更大靈活性的需求也不斷增長。因此，我們的公司決定采用RK3588芯片來開發(fā)一款全新的產品，以實現(xiàn)與Jetson Nano引腳的兼容性，同時提供更多性能和功能。
為何選擇RK3588：
卓越的性能
2023-11-02 12:30:06
氮化鎵芯片的選用要從實際應用出發(fā)，結合實際使用場景，選擇最合適的氮化鎵芯片，以達到最佳的性能和效果。明確應用場景。首先要明確使用的具體場景，如音頻、視頻、計算還是其他應用場景。不同的場景對氮化鎵芯片的性能和特點要求不同，因此在選擇氮化鎵芯片時，要充分考慮應用的場景。
2023-10-26 17:02:18411 隨著科技的不斷發(fā)展，充電器的種類和性能也在不斷升級。最近，氮化鎵充電器的出現(xiàn)引起了廣泛關注。那么，氮化鎵充電器是什么?它又是如何比傳統(tǒng)充電器更出色的呢?
2023-10-26 16:17:31307 隨著氮化鎵充電頭的出現(xiàn)，越來越多的人開始關注并選擇使用這種新型的充電設備。那么，氮化鎵充電頭好在哪，為什么這么多人選擇呢？
2023-10-26 15:33:55273 隨著各大手機和筆記本電腦品牌紛紛進入氮化鎵快充市場，氮化鎵功率器件的性能得到進一步驗證，同時也加速了氮化鎵技術在快充市場的普及。目前，快充源市場上氮化鎵主要以三種形式使用，即GaN單管功率器件、內置驅動器的GaN功率芯片以及內置控制器、驅動器和GaN功率器件的封裝芯片。其中，GaN單管功率器件發(fā)展最快
2023-10-23 16:38:59292 隨著科學技術的不斷進步，充電技術也在發(fā)生著前所未有的變革，而隨著其中，氮化鎵充電頭已成為人們關注的新熱點。那么，氮化鎵充電頭的原理是什么呢？KeepTops將為您詳細闡述氮化鎵充電頭的制作、工作原理及應用。
2023-10-20 16:04:061021 
隨著科學技術的不斷進步，電力電子設備的應用越來越廣泛，而氮化鎵（GaN）材料在提高能源效率方面發(fā)揮著重要作用。本文將討論氮化鎵材料的特性，氮化鎵在電力電子設備中的應用，以及氮化鎵解決方案如何實現(xiàn)更高的能效。
2023-10-13 16:02:05344 
在當今的高科技社會中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術領域的明星產品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢在眾多領域得到廣泛應用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學、規(guī)范的測試方案至關重要。
2023-10-08 15:13:23476 
伙伴，誠邁科技憑借出色的研發(fā)能力、創(chuàng)新的場景方案和強大的交付能力榮獲華為“創(chuàng)新合作伙伴獎”。 誠邁科技與華為合作長達十余年，雙方持續(xù)合作推動智能終端產業(yè)的創(chuàng)新與發(fā)展，并于近年來陸續(xù)拓寬合作范疇，在HarmonyOS和OpenHarmony的生態(tài)建設方面展開了多
2023-09-23 11:05:321045 400余項，已獲得授權專利150余項，公司建立了完整、豐富的芯片和模組產品體系，提供從芯片、模組、終端到芯片級解決方案的全棧式產品服務，為中國集成電路產業(yè)高質量發(fā)展提供了自主可控的底層技術支持。
創(chuàng)新
2023-09-22 14:46:30
選擇氮化鎵芯片時，根據(jù)應用的需求，確定所需的性能指標，包括功耗、頻率、工作溫度范圍等。不同型號的氮化鎵芯片有不同的性能特點，需要根據(jù)具體的應用場景選擇合適的型號。考慮芯片的可靠性和穩(wěn)定性，包括壽命
2023-09-20 15:25:13390 
為長生命周期應用延長壽命 美國馬薩諸塞州紐伯里波特，2023年9月 羅徹斯特電子和Semtech合作，為客戶提供廣泛的混合信號解決方案，這些產品不僅包括停產元器件，還有部分當前仍在量產期。羅徹斯特電
2023-09-20 10:27:27441 ，并發(fā)表主題為“新算力 新格局 新未來”的精彩演講。 劉宏兵表示，“AMD通過積極的技術創(chuàng)新，為數(shù)據(jù)中心從核心高性能計算，智能網(wǎng)絡，AI 和邊緣計算，提供了一整套高性能，高能效比的產品和解決方案；為合作伙伴的數(shù)據(jù)中心應用創(chuàng)新提供了更寬廣的空間，也為客
2023-09-15 10:09:20374 30多個行業(yè)的物聯(lián)網(wǎng)場景，未來多款GNSS模組將廣泛賦能全球物聯(lián)網(wǎng)市場，助客戶終端實現(xiàn)快速穩(wěn)定、高精度的定位需求。
未來，雙方將以核心產品技術持續(xù)為相關行業(yè)的定位場景提供安全可靠、專業(yè)高效的服務。憑借
2023-09-13 09:58:17
氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優(yōu)異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強度。這使得氮化鎵功率器具有低導通電阻、高工作頻率和高開關速度等優(yōu)勢，能夠在較小體積下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:56285 的功率型分立器件針對軟開關諧振和硬開關轉換器進行了優(yōu)化，可最大限度提高低功率和高功率應用的系統(tǒng)效率。基于氮化鎵的最新產品具備更高的能源效率，并支持面向廣泛的應用提供更緊湊的電源設計。
2023-09-07 06:49:47
的功率型分立器件針對軟開關諧振和硬開關轉換器進行了優(yōu)化，可最大限度提高低功率和高功率應用的系統(tǒng)效率?；?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵的最新產品具備更高的能源效率，并支持面向廣泛的應用提供更緊湊的電源設計。意法半導體的數(shù)字電源解決方案可以使用專用的評估板、參考設計、技術文檔和eDesignSuite軟件配置器和設計工具來實現(xiàn)
2023-09-06 07:44:16
功率器件在工業(yè)應用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業(yè)電源中的應用和總結八個部分。
2023-09-05 06:13:28
氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導體材料
?氮化鎵材料為第三代半導體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料
2023-09-04 10:16:40541 
CGH40010FCGH40010F 是 Wolfspeed（CREE） 開發(fā)的一款無與倫比的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。適用于A類、AB類和線性放大器，能處理多種波形
2023-08-26 15:40:57
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
能為技術驅動型創(chuàng)業(yè)者以及致力于科技創(chuàng)新的生態(tài)伙伴提供深度產業(yè)鏈接及一站式服務。
我們幫助技術驅動型創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)團隊精準對接技術生態(tài)、對接投資、對接產業(yè)；用前沿科技和生態(tài)為大企業(yè)創(chuàng)新賦能；為城市和產業(yè)園
2023-08-18 14:37:37
; CP1342AMDCDAD1R2G安森美65W氮化鎵快充電源IC 產品介紹：NCP1342準諧振反激控制器是一種高度集成的高頻PWM(脈寬調制)控制器，旨在
2023-07-11 11:31:20
安森美65W氮化鎵PD充電器芯片 產品介紹：NCP1342準諧振反激控制器是一種高度集成的高頻PWM(脈寬調制)控制器，旨在簡化高性能脫機功率變換器的設計。NCP13
2023-07-05 15:24:23
開發(fā)基于物理的模型，從而可用準確地預測到氮化鎵產品在通用操作條件下的安全使用壽命，讓設計人員可以根據(jù)其設計要求，對氮化鎵器件進行評估。
“測試器件至失效”的測試報告結果可瀏覽GaN 可靠性。
誤解3
2023-06-25 14:17:47
目前的永磁電機或稱為直流無刷電機(BLDC)的應用非常廣泛。與其他電機相比，永磁電機可提供每立方英寸更高的扭矩和更優(yōu)越的動態(tài)性能。到目前為止，硅基功率器件在逆變器電子領域中一直占主導地位。可是，它們
2023-06-25 13:58:54
GaN功率半導體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
制作市場提供新的機遇。 ? ? ? 作為AR領域的頭部廠商，谷東科技擁有領先的AR技術和產品研發(fā)能力。通過與萊一德的合作，谷東科技與數(shù)字媒體內容制作行業(yè)深度合作，共同開發(fā)創(chuàng)新的AR應用解決方案。同時，萊一德的內容制作經(jīng)驗和資源
2023-06-23 21:33:26540 氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半導體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
用于AC/DC變換器應用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
GaNFast功率半導體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
INN3365C使用。
貼片Y電容來自四川特銳祥科技股份有限公司，具有體積小、重量輕等特色，非常適合應用于氮化鎵快充這類高密度電源產品中。料號為TMY1102M。
特銳祥專注于被動元器件的研發(fā)、生產及銷售
2023-06-16 14:05:50
電機逆變器功率開關的比較電機逆變器:三相拓撲?IGBT:行業(yè)“主力”開關速度慢，損耗低?MOSFET:更快的開關，更好?氮化鎵:幾乎沒有開關損耗
2023-06-16 11:31:56
納維半導體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應用示例：高密度手機充電器?應用實例：高性能電機驅動器?應用示例；高功率開關電源?結論
2023-06-16 10:09:51
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
1MHz 以上。新的控制器正在開發(fā)中。微控制器和數(shù)字信號處理器（DSP），也可以用來實現(xiàn)目前軟開關電路拓撲結構，而目前廣泛采用的、為1-2 MHz范圍優(yōu)化的磁性材料，已經(jīng)可被使用了。
氮化鎵功率芯片
2023-06-15 15:53:16
，以及基于硅的 “偏轉晶體管 “屏幕產品的消亡。
因此，氮化鎵是我們在電視、手機、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術。在光子學方面，氮化鎵還被用于藍光激光技術（最明顯
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術相比，不僅性能優(yōu)異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉換方面，已經(jīng)達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，氮化鎵充電器的充電器件運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內處理更大的電場，同時提供更快的開關速度。此外，氮化鎵比硅基半導體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
容易使用。通過簡單的“數(shù)字輸入、電源輸出”操作，布局和控制都很簡單。dV/dt 回轉率控制和欠壓鎖定等功能，確保了氮化鎵功率芯片能最大限度地提高“一次性成功”的設計的機會，從而極為有效地縮短了產品上市
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發(fā)的。納微半導體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
氮化鎵用途有哪些 氮化鎵是一種半導體材料，具有優(yōu)良的電學和光學性質，因此廣泛用于以下領域： 1. 發(fā)光二極管(LED)：氮化鎵是LED的主要工藝材料之一，可用于制造藍、綠、白光LED，廣泛應用于照明
2023-06-02 15:34:467174 創(chuàng)業(yè)者還要具備可行的商業(yè)計劃，不能走向市場的產品或技術終究也會失敗，這就要求創(chuàng)業(yè)者需要獨到的市場洞察及運營管理能力，把握時機將產品推向市場。黨的二十大也提出，科技是第一生產力、人才是第一資源、創(chuàng)新是第一
2023-06-01 13:47:41
RFPD3890產品簡介Qorvo 的 RFPD3890 是一款混合功率倍增器放大器模塊。該器件采用 GaAs MESFET、GaAs pHEMT 和 GaN HEMT 芯片，具有高輸出能力，工作
2023-05-24 10:03:06
RFPD3540 產品簡介Qorvo 的 RFPD3540 是一種混合功率倍增器放大器模塊。該器件采用 GaAs HFET 裸片、GaAs pHemt 裸片和 GaN HEMT 裸片，具有
2023-05-24 09:42:04
RFPD3220 產品簡介Qorvo 的 RFPD3220 是一種混合功率倍增器放大器模塊。該器件采用 GaAs pHEMT 裸片和 GaN HEMT 裸片，具有高輸出能力
2023-05-23 21:36:33
氮化鎵是一種新興的半導體材料，具有優(yōu)異的電學、光學和熱學性能。由于其獨特的特性，氮化鎵在各種領域都有廣泛的應用，如LED照明、電力電子、無線通信、智能家居和新能源汽車等。
2023-05-04 10:26:422514 、筆記本電腦、路由器等數(shù)碼產品中?；?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵功率器件，研發(fā)出的快充電源方案，可以為手機、平板電腦、筆記本電腦等提供更高的充電功率，極大提升充電體驗。本文介紹了一款65W氮化鎵（1A2C） PD快充電源方案，該方案采用功成半導體最新
2023-04-21 11:00:201613 
全球累計出貨量已達1億顆，廣泛運用在如智能座艙、智能駕駛、智能網(wǎng)聯(lián)、新能源電動車大小三電系統(tǒng)等，這一重要里程碑凸顯了兆易創(chuàng)新與國內外主流車廠及Tier1供應商的密切合作關系。兆易創(chuàng)新致力于為汽車領域客戶
2023-04-13 15:18:46
RFPD3890產品簡介Qorvo 的 RFPD3890 是一款混合功率倍增器放大器模塊。該器件采用 GaAs MESFET、GaAs pHEMT 和 GaN HEMT 芯片，具有高輸出能力，工作
2023-04-12 09:41:10
您能否提供se05x 產品的 CPE（通用平臺枚舉）。這是為了檢查NIST CVE 數(shù)據(jù)庫中的漏洞。
2023-04-10 09:10:01
智融SW3536是一顆支持1A1C雙USB口輸出的降壓控制器芯片，內置多快充協(xié)議，支持雙口功率盲插，支持雙口獨立限流。內置的同步降壓轉換器支持7A大電流輸出，可使用氮化鎵開關管，以獲得更小的體積
2023-04-04 17:53:37
，可直接用于驅動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優(yōu)化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機功耗
2023-03-28 10:31:57
電壓，可直接用于驅動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優(yōu)化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機
2023-03-28 10:24:46
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