電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:20:58
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動(dòng)器的650V 270m? GaN FETLMG3616數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-21 10:19:400 英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，無(wú)疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來(lái)了革命性的進(jìn)步。與上一代產(chǎn)品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36
126 近日，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“揚(yáng)杰科技”）再度刷新業(yè)界認(rèn)知，推出了一款專為光伏儲(chǔ)能充電樁等高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:19558 本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:07187 
IGBT MODULE VCES 650V 50A
2024-03-14 21:24:03
瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過(guò)了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 近日，瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過(guò)了嚴(yán)格的AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:24260 近日，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡(jiǎn)稱“羅姆”）宣布，其650V GaN器件（EcoGaN?）已被臺(tái)達(dá)電子（Delta Electronics, Inc.，以下簡(jiǎn)稱
2024-03-12 10:42:46123 3月8日，瞻芯電子開(kāi)發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38286 
。英飛凌的元件采用 D2PAK 封裝，將超高速 TRENCHSTOP 5 IGBT與碳化硅（SiC）肖特基勢(shì)壘二極管相結(jié)合，在硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中具有完美的性
2024-03-04 11:20:52128 
英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的650V軟特性發(fā)射極控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝，具有2個(gè)引腳，不僅增加了安規(guī)距離，提高了可靠性，而且適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-02-01 10:50:02364 TC387重新安裝DAS，Memtool仍然無(wú)法連接MCU是為什么？
2024-01-22 06:39:45
近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過(guò)了嚴(yán)苛的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，該產(chǎn)品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡(jiǎn)便，損耗更低的特點(diǎn)。
2024-01-16 10:16:24770 
3AC400V變頻異步電機(jī)，連續(xù)工作的允許耐壓值是多少呢？
比如說(shuō)，變頻器的直流母線電壓是650V的狀態(tài)下，3AC400V的電機(jī)能受得了嗎？
2024-01-09 07:20:21
IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)，是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢(shì)，在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:35270 
ECONODUAL 3 WITH TRENCHSTOP IGBT
2023-12-14 16:48:11
ECONODUAL 3 WITH TRENCHSTOP IGBT
2023-12-12 20:54:27
? 2023年11月，安富利團(tuán)隊(duì)?wèi){借強(qiáng)大實(shí)力和多個(gè)領(lǐng)域的優(yōu)異表現(xiàn)，被英飛凌授予了包括“ 年度最佳業(yè)務(wù)合作伙伴 ”、“ 最佳DFAE團(tuán)隊(duì) ”以及多個(gè)事業(yè)部授予的包括“ 最佳突破獎(jiǎng) ”、“ 需求創(chuàng)造
2023-12-12 17:10:01280 
MOS管在直流充電樁上的應(yīng)用，推薦瑞森半導(dǎo)650V/1200V碳化硅MOS系列，600V/650V超結(jié)MOS系列
2023-12-08 11:50:15235 
AD2S1210重新上電后，默認(rèn)激勵(lì)頻率不為10kHz，而是二十幾千赫茲，請(qǐng)問(wèn)是為什么？
2023-12-08 06:43:56
英飛凌IGBT模塊封裝? 英飛凌是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，專注于電力管理、汽車和電動(dòng)汽車解決方案、智能家居和建筑自動(dòng)化、工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療、安全和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。在電力管理領(lǐng)域，英飛凌的IGBT模塊
2023-12-07 16:45:21469 這篇文章是英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體微信公眾號(hào)系列原創(chuàng)文章第205篇，IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析（下）
2023-12-06 11:56:4317 這篇文章是《英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體》系列原創(chuàng)文章的第204篇，IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析（上）
2023-12-06 11:54:3924 650V高壓低功耗非隔離電源芯片，默認(rèn)輸出12V，最大電流2A，具有輸出可設(shè)置3-24V
2023-12-01 19:19:030 英飛凌IGBT模塊命名規(guī)則
2023-11-23 09:09:36527 
英飛凌IGBT單管命名規(guī)則
2023-11-23 09:09:35646 
、Buck-Boost 變換器拓?fù)鋺?yīng)用。 BP8523D 內(nèi)部集成了 650V 高壓 MOSFET、高壓?jiǎn)?dòng)和自供電電路、電流采樣電路、電壓反饋電路以及續(xù)流二極管!采用先進(jìn)的控制技術(shù)，無(wú)需外部 VCC
2023-11-21 10:32:19
英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其TRENCHSTOPIGBT7產(chǎn)品陣容。全新器件配新一代發(fā)射極控制的EC7續(xù)流二極管，以滿足對(duì)環(huán)保和高效電源解決方案日益增長(zhǎng)的需求
2023-11-21 08:14:06255 
IGBT MODULE VCES 650V 150A
2023-11-19 16:14:16
在分立式封裝中，650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可輸出高達(dá)150A的電流。該產(chǎn)品系列電流等級(jí)為40A至150A，有四種不同封裝類型：TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。
2023-11-10 15:36:22265 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備尖端的EC7
2023-11-03 11:40:49644 
IGBT 650V TO247-3
2023-11-01 13:45:06
IGBT MODULE VCES 650V 150A
2023-11-01 10:27:00
IGBT MODULE VCES 650V 150A
2023-11-01 10:27:00
IGBT MODULE VCES 650V 150A
2023-11-01 10:26:36
SP9683高頻準(zhǔn)諧振、集成650V氮化鎵功率器件，30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008 
、電磁爐、工業(yè)電源、逆變焊機(jī)等領(lǐng)域；針對(duì)中大功率產(chǎn)品，芯能也能提供系統(tǒng)化解決方案：650V/450A和1200V/450A EconoDUAL智能IGBT功率模塊、34mm模塊、62mm模塊等產(chǎn)品均
2023-10-16 11:00:14
來(lái)源：半導(dǎo)體芯科技編譯 Magnachip開(kāi)始全面量產(chǎn)用于電動(dòng)汽車PTC加熱器的1200V和650V IGBT。 Magnachip Semiconductor推出了1200V和650V絕緣
2023-09-19 16:04:38306 H7 IGBT器件采用EC7復(fù)合封裝二極管，采用先進(jìn)的發(fā)射極控制設(shè)計(jì)，再加上高速技術(shù)，可滿足對(duì)環(huán)保和高效電源解決方案不斷增長(zhǎng)的需求。
2023-08-29 11:06:42680 Infineon(英飛凌)作為一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商，其IGBT管產(chǎn)品在市場(chǎng)上備受矚目。下面將介紹英飛凌IGBT管前10熱門型號(hào):一、英飛凌IGBT管前10熱門
2023-08-25 16:58:531477 
設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)N通道功率MOSFET或IGBT，其工作電壓最高可達(dá)650V。
特性
?650V無(wú)芯變壓器隔離驅(qū)動(dòng)器IC
?軌到軌輸出
?保護(hù)功能
?浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)
?雙通道欠壓鎖定
?3.3V和5V TTL
2023-08-24 18:21:45
Ω? ? 650V? ?? ? SOP7? ?? ?? ?? ?? ? SIC9773? ?? ?0.9? ?? ?? ?4.5Ω? ? 650V? ?? ? SOP7/DIP7
2023-08-24 09:53:37263 650V硅上GaN增強(qiáng)型功率品體管，采用5mm雙扁平無(wú)引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開(kāi)關(guān)，符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)應(yīng)用。
2023-08-16 23:36:51685 
650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無(wú)引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開(kāi)關(guān)
2023-08-07 17:22:17964 
【 2023 年 8 月 4 日 ， 德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出搭載1200 V TRENCHSTOP? IGBT7芯片的62 mm
2023-08-07 11:12:56417 
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月 森國(guó)科正式對(duì)外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ，相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
開(kāi)關(guān)電源芯片U6773D內(nèi)置5A 650V 的MOS，支持準(zhǔn)諧振降壓型LED恒流、恒壓輸出應(yīng)用，僅需將SEL管腳短接到GND管腳即可。
2023-07-18 15:48:01612 圳市森國(guó)科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:27521 
RJH65T46DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650 V - 40 A - IGBT Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-11 20:19:440 RJP65D03DWA/RJP65D03DWS 數(shù)據(jù)表(650V-15A-IGBT Application:Inverter)
2023-07-11 19:09:560 RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-10 20:42:510 RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-07-10 19:00:430 RJP65T43DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-07 20:26:120 深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷MSM06065G1 品牌：美浦森 封裝：DFN5*6
2023-07-05 15:54:11
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二極管DFN5*6，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷 MSM06065G1 品牌：美浦森 封裝：DFN5
2023-07-05 15:50:06
ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)來(lái)提高電源轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內(nèi)置ESD
2023-06-19 15:09:18273 
用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
引言： 在現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換和電子系統(tǒng)中，高壓MOSFET扮演著重要的角色。其中，CMW65R041DFD是一款備受矚目的650V SJ MOSFET型號(hào)，具備許多引人注目的特點(diǎn)和廣泛應(yīng)用領(lǐng)域。本文將從
2023-06-13 14:06:48364 潤(rùn)新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 產(chǎn)品特點(diǎn)： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34686 /引言/英飛凌TRENCHSTOPIGBT7系列單管具有兩種電壓等級(jí)（650V&1200V）和三個(gè)系列（T7，S7，H7）。其中，H7系列單管針對(duì)光儲(chǔ)、UPS、EVcharger、焊機(jī)
2023-05-31 16:51:27636 2023年5月25日，在杭州舉行的 CAPS2023 功率半導(dǎo)體之“芯“ 頒獎(jiǎng)典禮上， 陸芯科技榮獲了車規(guī)級(jí)IGBT最佳工藝解決方案獎(jiǎng)！ 「車規(guī)級(jí)IGBT最佳工藝解決方案獎(jiǎng)」是弘揚(yáng)表彰在車規(guī)級(jí)功率
2023-05-29 12:44:291085 
Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。
2023-05-24 15:19:34447 
Nexperia | 用于汽車和工業(yè)的650V超快恢復(fù)整流管
2023-05-24 12:16:57300 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)
2023-05-18 16:34:23463 RJH65T46DPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650 V - 40 A - IGBT Application: Power Factor Correction circuit)
2023-05-15 19:08:280 快速IGBT在前端可以快速響應(yīng)，首推汽車級(jí)的器件，能夠滿足電路延時(shí)、信號(hào)降噪和控制算法等方面的需求，英飛凌的IKW4N65F5A,耐壓650v，損耗01mJ，這種元器件基本都可以滿足常規(guī)要求。
2023-05-10 10:31:222346 
的英飛凌出色VCEsat特性TRENCHSTOP技術(shù)高速開(kāi)關(guān)，低EMI輻射針對(duì)目標(biāo)應(yīng)用的優(yōu)化二極管，實(shí)現(xiàn)了低Qrr可選擇較低的柵極電阻（低至5Ω），同時(shí)保持出色的開(kāi)
2023-03-31 10:52:07472 IGBT 650V D2-PAK
2023-03-29 21:25:19
IGBT 650V D2-PAK
2023-03-29 21:25:19
RJP65D03DWA/RJP65D03DWS 數(shù)據(jù)表(650V-15A-IGBT Application:Inverter)
2023-03-29 18:45:330 IGBT 650V TO-247
2023-03-29 15:41:28
IGBT 650V TO-247
2023-03-29 15:41:28
IGBT 650V TO-247
2023-03-29 15:41:28
IGBT 650V TO-247
2023-03-29 15:41:27
IGBT 650V
2023-03-29 15:29:00
IGBT 650V TO-247
2023-03-29 15:23:32
IGBT 650V TO220-3
2023-03-29 15:23:09
IGBT 650V TO220-3
2023-03-29 15:23:08
IGBT 650V 20A TO220
2023-03-29 15:21:59
IGBT 650V 15A TO220
2023-03-29 15:21:57
IGBT 650V 10A TO220
2023-03-29 15:21:55
IGBT 650V 5A TO220
2023-03-29 15:21:55
IGBT 650V 30A TRENCHSTOP TO247-3
2023-03-29 15:19:41
IGBT MODULE 650V 490A
2023-03-29 15:14:43
IGBT MODULE 650V SOT227
2023-03-29 15:14:02
SCR 650V 12A TO220B
2023-03-27 13:27:54
IGBT 650V 40A
2023-03-27 13:21:17
IGBT 650V TO247-3
2023-03-27 13:20:08
40A 650V TRENCHSTOP5 ULTRA FAST
2023-03-27 13:18:46
IGBT 650V TO247-3
2023-03-27 13:16:29
40A 650V TRENCHSTOP5 FAST H5 IGB
2023-03-27 13:16:07
IGBT 650V TO247-3
2023-03-27 13:15:26
IGBT 650V A
2023-03-27 13:14:48
RJH65D27BDPQ-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-24 18:53:250 RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-03-23 19:10:100
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