電橋電路柵驅(qū)動(dòng)器和MOSFET柵驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品介紹
2024-03-19 09:43:36
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙高速MOSFET驅(qū)動(dòng)器TPS2811-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-14 09:40:47
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《帶驅(qū)動(dòng)調(diào)節(jié)器的同步降壓MOSFET驅(qū)動(dòng)器TPS2838/39/48/49數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-14 09:32:560 需要一個(gè)生態(tài)村，一個(gè)大生態(tài)村。為了幫助您理解一些首字母縮略詞，DCA 代表設(shè)計(jì)中心聯(lián)盟，VCA 代表價(jià)值鏈聚合器。
臺(tái)積電OIP
半導(dǎo)體一路走來(lái)，走到現(xiàn)在這個(gè)階段，是非常具有挑戰(zhàn)性和令人興奮的。臺(tái)積
2024-03-13 16:52:37
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《雙高效同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器TPS51601A數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:07:200 榮湃半導(dǎo)體近日宣布推出其最新研發(fā)的Pai8265xx系列柵極驅(qū)動(dòng)器，該系列驅(qū)動(dòng)器基于電容隔離技術(shù)，集成了多種保護(hù)功能，專為驅(qū)動(dòng)SiC、IGBT和MOSFET等功率管而設(shè)計(jì)。這款產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著榮湃半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:52248 蓉矽半導(dǎo)體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過(guò)AEC-Q101車規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力，也進(jìn)一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車、光伏逆變等高端應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力。
2024-03-12 11:06:30228 意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 想問一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺(tái)有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
為了在空間受限的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效、實(shí)時(shí)的嵌入式電機(jī)控制系統(tǒng)，MicrochipTechnologyInc.（微芯科技公司）推出基于dsPIC數(shù)字信號(hào)控制器（DSC）的新型集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器系列。該系列器件
2024-03-08 08:22:30114 
圣邦微電子推出 SGM48521Q，一款最小脈沖寬度為 1ns 的 5V、7A/6A 車規(guī)級(jí)低側(cè) GaN 和 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器。
2024-03-07 10:36:27375 
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《輻射硬化全橋N溝道FET驅(qū)動(dòng)器HS-4080AEH 數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-19 09:59:160 CCS產(chǎn)品圖標(biāo)準(zhǔn)版 01、脈沖半導(dǎo)體激光管驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品介紹 AeroDIODE的CCS是一款脈沖半導(dǎo)體激光管驅(qū)動(dòng)器，工作波長(zhǎng)為1064納米。它的輸出電流為0.8 - 2 A(連續(xù))和1.5
2024-01-30 06:31:08144 
? AeroDiode的高速半導(dǎo)體激光管驅(qū)動(dòng)器可生成任意波形脈沖，脈沖分辨率500 ps，動(dòng)態(tài)范圍48dB。它帶有增益開關(guān)峰值抑制和3個(gè)同步的脈沖延遲發(fā)生器。 內(nèi)置3個(gè)脈沖延遲發(fā)生器 該高速驅(qū)動(dòng)器
2024-01-24 06:45:28100 
安建半導(dǎo)體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)，平臺(tái)采用先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供了卓越的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻，從而實(shí)現(xiàn)了高效的能源轉(zhuǎn)換和低能耗操作，不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:49291 
安建半導(dǎo)體推出具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過(guò)獨(dú)特設(shè)計(jì)確保產(chǎn)品的卓越性能和可靠性，在國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅晶圓代工廠流片，產(chǎn)能充裕，供應(yīng)穩(wěn)定，性價(jià)比高。
2024-01-20 17:54:00916 
MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，是電路設(shè)計(jì)中常用的功率開關(guān)器件，為壓控器件；其特點(diǎn)是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流，具備驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)功率小，開關(guān)速度快，工作頻率高、熱穩(wěn)定性高于GTR等優(yōu)點(diǎn)
2024-01-09 10:22:43112 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為N溝道和P溝道兩種類型。本文將對(duì)N溝道和P溝道
2023-12-28 15:47:152273 
電子設(shè)備中。與N溝道MOS管相比，P溝道MOS管的導(dǎo)電溝道由P型半導(dǎo)體材料構(gòu)成，因此其導(dǎo)通條件與N溝道MOS管有所不同。本文將對(duì)P溝道MOS管的導(dǎo)通條件進(jìn)行詳細(xì)介紹。 首先，我們需要了解P溝道MOS
2023-12-28 15:39:311083 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為n溝道和p溝道兩種類型。本文將對(duì)n溝道MOS
2023-12-28 15:28:282843 
SIC MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種新興的功率半導(dǎo)體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應(yīng)用于各種驅(qū)動(dòng)電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49416 PI近日推出全新系列的即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器，新驅(qū)動(dòng)器適配額定耐壓在1700V以內(nèi)的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊
2023-12-14 15:47:04361 Ω @ 10Vgs- 閾值電壓（Vth）：3.5V- 封裝類型：TO252應(yīng)用簡(jiǎn)介：FQD6N40CTM-VB是一款高耐壓N溝道MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），
2023-12-13 17:18:09
一、產(chǎn)品介紹 基于國(guó)內(nèi)外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)，半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大；對(duì)于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè)，IGBT/SiC MOSFET的應(yīng)用廣泛，而驅(qū)動(dòng)電源作為專為IGBT/SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2023-12-13 16:36:19131 
根據(jù)不同的誘因，常見的對(duì)半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時(shí)，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過(guò)電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 據(jù)介紹，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-04 16:49:11519 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 基于國(guó)內(nèi)外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)，半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大；對(duì)于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè)，IGBT/SiC MOSFET的應(yīng)用廣泛，而驅(qū)動(dòng)電源作為專為IGBT/SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器提供驅(qū)動(dòng)能力的來(lái)源，市場(chǎng)潛力巨大。
2023-12-01 09:47:42211 
MOS結(jié)構(gòu)加上一對(duì)背靠背的PN結(jié)，就構(gòu)成一個(gè)MOSFET。如果MOS結(jié)構(gòu)在零柵壓時(shí)半導(dǎo)體表面不是反型的，此時(shí)由于PN結(jié)的反向截止效果，源漏之間不會(huì)導(dǎo)通。當(dāng)外加?xùn)艍菏?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體表面反型時(shí)，源漏之間就有
2023-11-30 15:54:49398 
Transistor（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）的縮寫。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。這里我們以增強(qiáng)型MOS為例分析。
場(chǎng)效應(yīng)管是由源極，漏極，柵極組成，由于襯底的摻雜不同可分為N溝道和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管。（溝道
2023-11-28 15:53:49
解一下什么是溝道。溝道是在半導(dǎo)體材料中形成的電子流的通道。通過(guò)在材料中創(chuàng)建和控制溝道，我們能夠控制電流的流動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的功能。在常見的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field-Effect Transistor, FET）中，溝道是連接源極和漏極的部分。 p溝道和
2023-11-23 09:13:422314 硬件面試中有遇到過(guò)這樣的事嗎？通常讓你畫一個(gè)增強(qiáng)型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
在電力電子領(lǐng)域，為了最大限度地降低開關(guān)損耗，通常希望開關(guān)時(shí)間短。然而快速開關(guān)同時(shí)隱藏了高壓瞬變的危險(xiǎn)，這可能會(huì)影響甚至損壞處理器邏輯。因此，必須設(shè)計(jì)更高性能的開關(guān)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng) 。 目前，寬帶隙半導(dǎo)體
2023-11-17 18:45:01326 
型晶體管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道類型和柵極驅(qū)動(dòng)電壓的不同，可以分為N溝道-增強(qiáng)型MOSFET、N溝道-耗盡型MOSFET、P溝道-增強(qiáng)型MOSFET、P溝道-耗盡型MOSFET四種類型。
2023-11-07 14:51:15638 
電機(jī)是將電能轉(zhuǎn)換為機(jī)械能的裝置。它還可以被視為將能量從電源傳輸?shù)綑C(jī)械負(fù)載的裝置。電機(jī)所在并使其旋轉(zhuǎn)的系統(tǒng)稱為驅(qū)動(dòng)器，也稱為電力驅(qū)動(dòng)器或電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。每種電機(jī)驅(qū)動(dòng)器都具有獨(dú)特的特性，適用于不同的應(yīng)用和性能需求。選擇適當(dāng)?shù)碾姍C(jī)驅(qū)動(dòng)器對(duì)于確保交通工具的性能和效率至關(guān)重要。
2023-11-04 11:30:00351 
致力于提供高品質(zhì)芯片的國(guó)內(nèi)優(yōu)秀模擬及數(shù)模混合芯片設(shè)計(jì)商上海類比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(下稱“類比半導(dǎo)體”或“類比”)宣布推出重磅新品車規(guī)級(jí)智能高邊驅(qū)動(dòng)HD7xxxQ系列。
2023-10-30 11:45:591426 
的前置驅(qū)動(dòng)器。該設(shè)備可驅(qū)動(dòng)多種 N 溝道的功率 MOSFET，支持的馬達(dá)供電電壓高達(dá) 30V。利用外部三個(gè)霍爾元件輸入信號(hào)實(shí)現(xiàn) 120°換相。其它功能包括固定關(guān)閉時(shí)間的脈寬調(diào)制（PWM）限制浪涌電流、可調(diào)
2023-10-27 09:30:29
圣邦微電子推出 SGM48521，一款 5V，7A/6A，脈寬 1ns 的低側(cè) GaN 和 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器。 該 器件可應(yīng)用于便攜式設(shè)備、智能手機(jī)、工業(yè)和醫(yī)療設(shè)備。 高速單通道低側(cè)驅(qū)動(dòng)器
2023-10-18 15:45:01261 
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 發(fā)現(xiàn)，像 Arduino 或樹莓派這樣的設(shè)備不能直接驅(qū)動(dòng)重負(fù)載。在這種情況下，我們需要一個(gè)“驅(qū)動(dòng)器”，也就是一個(gè)可以接受來(lái)自微控制器的控制信號(hào)，并且具有足夠功率來(lái)驅(qū)動(dòng)負(fù)載的電路。在許多情況下，MOSFET
2023-10-16 09:19:231185 
使用安森美半導(dǎo)體制造的CAT4106集成多通道LED驅(qū)動(dòng)器和高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器，可以設(shè)計(jì)出非常簡(jiǎn)單且高效的LED驅(qū)動(dòng)器，適用于為總功率高達(dá)6瓦的背光應(yīng)用供電。
2023-10-15 10:03:41922 
一個(gè)非常簡(jiǎn)單的6通道低成本LED驅(qū)動(dòng)器電子電路項(xiàng)目可以使用飛思卡爾半導(dǎo)體制造的MCP34845 LED驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行設(shè)計(jì)。
2023-10-15 09:46:37361 
大部分驅(qū)動(dòng)器都是脈沖控制，怎么通過(guò)電壓控制驅(qū)動(dòng)器
2023-10-12 06:00:22
步進(jìn)電機(jī)的半步驅(qū)動(dòng)是由驅(qū)動(dòng)器來(lái)設(shè)置的嗎
2023-10-11 06:52:18
本應(yīng)用筆記介紹了采用表面貼裝封裝的 n 通道雙 MOSFET 的低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。它描述了使用不同電壓應(yīng)用的設(shè)計(jì)，以及自適應(yīng) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，這是驅(qū)動(dòng)雙 n 溝道半橋的第三種方法。
2023-10-05 15:20:00615 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN2R6-80YSF N溝道MOSFET手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-27 09:32:500 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:500 該調(diào)光控制LED驅(qū)動(dòng)器電路采用LM3409P溝道MosFET控制器設(shè)計(jì)，用于降壓（降壓）電流調(diào)節(jié)器。
2023-09-16 17:19:00328 
STEVAL-IPMM15B 是一種緊湊型電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源板，配備 SLLIMM（小型低損耗智能成型模塊）第 2 系列模塊第 2 系列 N 溝道超結(jié) MDmesh? DM2 快速恢復(fù)二極管
2023-09-13 07:17:29
近日，意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)用對(duì)寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護(hù)的更高要求。
2023-09-12 09:01:31457 2023 年 9 月 6 日，中國(guó) ——意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)用對(duì)寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護(hù)的更高要求。
2023-09-07 10:12:13183 供應(yīng)AP2335 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) SOT-23 絲印2335 P溝道 20V7A，是銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP2335規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-08-22 16:24:490 數(shù)明半導(dǎo)體最新推出的SiLM824x系列是一款具有不同配置的隔離雙通道門級(jí)驅(qū)動(dòng)器。SiLM8243和SiLM8244配置為高、低邊驅(qū)動(dòng)，而SiLM8245可提供兩路獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)輸出。該驅(qū)動(dòng)系列可提供
2023-08-15 15:07:47543 
隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效率的要求不斷提高,對(duì)電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對(duì)此趨勢(shì),安森德半導(dǎo)體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，柵極驅(qū)動(dòng)器或“預(yù)驅(qū)動(dòng)器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用，以提供驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的大電流。在選擇驅(qū)動(dòng)器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無(wú)源元件時(shí)，有很多需要考量的設(shè)計(jì)因素。如果對(duì)這個(gè)過(guò)程了解不透徹，將導(dǎo)致實(shí)現(xiàn)方式的差強(qiáng)人意。
2023-08-02 18:18:34807 
這是使用IC MD7120作為MOSFET驅(qū)動(dòng)器的D類功率音頻放大器的電路設(shè)計(jì)。 MD7120 用于驅(qū)動(dòng)在 H 橋開關(guān)兩側(cè)運(yùn)行的四個(gè) N 溝道 MOSFET 晶體管。它由控制器邏輯電路、電平轉(zhuǎn)換器
2023-07-28 16:20:50801 
MIC5891鎖存驅(qū)動(dòng)器是高電壓的，由八個(gè)組成的大電流集成電路CMOS數(shù)據(jù)鎖存器，用于通用頻閃和輸出啟用，以及雙極每個(gè)鎖存器的達(dá)林頓晶體管驅(qū)動(dòng)器。雙極/MOS結(jié)構(gòu)提供極低具有最大接口靈活性的電源閂鎖
2023-07-27 09:47:06
介紹
在設(shè)計(jì)電源開關(guān)系統(tǒng)（例如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器或電源）時(shí)，設(shè)計(jì)人員必須做出重要決定。什么電機(jī)或變壓器符合系統(tǒng)要求？什么是最好的MOSFET或IGBT來(lái)匹配該電機(jī)或變壓器？以及哪種柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:430 意法半導(dǎo)體STHV200超聲波IC單片集成線性驅(qū)動(dòng)器、脈沖驅(qū)動(dòng)器與鉗位電路、開關(guān)和診斷電路，可以簡(jiǎn)化醫(yī)用和工業(yè)用掃描儀設(shè)計(jì)，縮減尺寸，降低物料成本。
2023-07-21 09:32:32172 2023年7月18日，中國(guó)——意法半導(dǎo)體 STHV200超聲波 IC單片集成線性驅(qū)動(dòng)器、脈沖驅(qū)動(dòng)器與鉗位電路、開關(guān)和診斷電路，簡(jiǎn)化醫(yī)用和工業(yè)用掃描儀設(shè)計(jì)，縮減尺寸，降低物料成本。
2023-07-18 18:22:43341 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），由三個(gè)端子-柵極、源極和漏極組成。在MOSFET中，漏極由柵極端的電壓控制，因此MOSFET是一種電壓控制器件。施加在柵極
2023-07-07 10:13:352972 
在H橋電路中實(shí)現(xiàn)P溝道MOSFET可能看起來(lái)既簡(jiǎn)單又誘人，但可能需要一些嚴(yán)格的計(jì)算和參數(shù)才能實(shí)現(xiàn)最佳響應(yīng)。
2023-06-29 15:28:02957 
TFB0527是一個(gè)半橋式柵極驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)部集成了自舉二極管，能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n通道mosfet和igbt。TF半導(dǎo)體的先進(jìn)工藝，使浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器操作到100V的引導(dǎo)
2023-06-28 17:08:12
在這個(gè)設(shè)計(jì)中，我們看到了使用N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)BPS電路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
TFB0504是一個(gè)半橋式柵極驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)部集成了自舉二極管，能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n通道mosfet和igbt。TF半導(dǎo)體的先進(jìn)工藝，使浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器操作到100V的引導(dǎo)
2023-06-27 17:01:42
為滿足汽車市場(chǎng)對(duì)產(chǎn)品可靠性和安全性的需求，數(shù)明半導(dǎo)體近期推出車規(guī)級(jí)高壓、高速MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)芯片SiLM21814-AQ，該產(chǎn)品通過(guò)AEC-Q100認(rèn)證。600V,2.5A/3.5A的高低
2023-06-27 14:56:17510 TF2184是一種高壓、高速柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠在半橋配置中驅(qū)動(dòng)n通道MOSFET和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過(guò)程使TF2184的高側(cè)能夠在引導(dǎo)
2023-06-25 16:25:20
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC
2023-06-25 14:35:02377 
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。 圖 1.1 所示為雙極晶體管。要在集電極中產(chǎn)生電流，必須在基極端子和發(fā)射極端子之間施加電流。
2023-06-25 12:24:00556 
這是使用單個(gè)N溝道MOSFET的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路。在該電路中，直流電機(jī)繼續(xù)沿一個(gè)方向運(yùn)行，直到按下開關(guān)時(shí)它的方向反轉(zhuǎn)。該電路可在不同項(xiàng)目中用作電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。事實(shí)上，它只需要很少的組件，并且可以很容易
2023-06-18 11:14:54512 
? 5月， SNEC第十六屆（2023）國(guó)際太陽(yáng)能光伏與智慧能源大會(huì) 在上海新國(guó)際博覽中心重磅舉行。基本半導(dǎo)體攜旗下 第二代碳化硅MOSFET系列新品 ，以及全系 汽車級(jí)碳化硅功率模塊 、 碳化硅
2023-05-30 16:33:36502 日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）推出了用于自動(dòng)化安全氣囊應(yīng)用的專用 MOSFET (ASFET) 新產(chǎn)品組合，重點(diǎn)發(fā)布的 BUK9M20-60EL 為單 N 溝道 60 V、13 m
2023-05-29 10:35:11372 MOSFET 等類型；從技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)看，采用制程復(fù)雜芯片工藝以及采用氮化鎵等新型材料和與之相匹配的封裝工藝制造具有優(yōu)異性能參數(shù)產(chǎn)品是場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)廠商不斷追蹤的熱點(diǎn)。
廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司(簡(jiǎn)稱
2023-05-26 14:24:29
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。
2023-05-22 09:54:02518 
常規(guī)的雙極晶體管是電流驅(qū)動(dòng)器件，而MOSFET 是電壓驅(qū)動(dòng)器件。
2023-05-22 09:52:08747 
上海數(shù)明半導(dǎo)體有限公司最新推出的雙通道 30V, 5A/5A 的高速低邊門極驅(qū)動(dòng)器 SiLM27624 系列，支持高達(dá) 30V 的輸入電源供電，滿足更高的驅(qū)動(dòng)電壓輸出。
2023-05-17 11:18:21438 
。 ASDM30N35EDFN3X3-8是一款針對(duì)電源開關(guān)和驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用設(shè)計(jì)的N溝道MOSFET。它采用最新的高壓工藝，具有優(yōu)異的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻，能夠提供更高的效率和可靠性，為電子設(shè)備的設(shè)計(jì)和制造提供更好的支持。 這顆芯片的封裝形式為DFN3x3，尺寸僅為3x3mm，可以實(shí)現(xiàn)更小的電路板設(shè)計(jì)
2023-05-09 17:47:42462 概述LTK8833 是一種雙橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，具有兩個(gè) H 橋驅(qū)動(dòng)器，可以同時(shí)驅(qū)動(dòng)兩個(gè)直流有刷電機(jī)、一個(gè)雙極步進(jìn)電機(jī)、電磁閥或其他的電感負(fù)載。每個(gè) H 橋的輸出驅(qū)動(dòng)器模塊由配置為 H橋的 N 溝道功率
2023-05-08 14:18:440 在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路，該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動(dòng)電路。
2023-04-29 09:35:005288 
隨著環(huán)保意識(shí)日益普及EFI（電子控制燃油噴射系統(tǒng)）可以滿足更高標(biāo)準(zhǔn)的法規(guī) ,更高的燃油效率, 更好的性能, 更容易的冷啟動(dòng), 減少維護(hù), 減少排放! ST 意法半導(dǎo)體推出
2023-04-26 16:04:05
TMI8723是一款專為H橋驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。它能夠驅(qū)動(dòng)由四個(gè)高達(dá)40V的N溝道功率MOSFET組成的H橋。TMI8723集成了一個(gè)可調(diào)節(jié)的電荷泵來(lái)產(chǎn)生柵極驅(qū)動(dòng)功率，峰值和源極電流可以是500mA和250mA。同時(shí)，TMI8723可以通過(guò)引腳VDS設(shè)置過(guò)電流點(diǎn)的值。
2023-04-20 15:00:311 您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動(dòng)器，但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器的問題。首先，是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器輸出的應(yīng)用說(shuō)明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特點(diǎn)是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流。根據(jù)其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常又稱為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
，工程師們需要選用合適的柵極驅(qū)動(dòng)器，提高UPS的轉(zhuǎn)換效率和響應(yīng)速度，以滿足不斷增長(zhǎng)的UPS市場(chǎng)需求。高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器是一種電路，用于控制半導(dǎo)體開關(guān)（例如MOSFET或IGBT）的導(dǎo)通和斷開，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的控制和調(diào)節(jié)。正確選擇高速低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
2023-04-11 12:39:14279 
微控制器、微處理器和周邊芯片，以及配套的開發(fā)工具和生態(tài)系統(tǒng)。先楫半導(dǎo)體先后發(fā)布高性能MCU產(chǎn)品 HPM67/64/6300 及HPM6200系列并已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，今年還將有多款產(chǎn)品推出。產(chǎn)品以質(zhì)量為本，所有
2023-04-10 18:39:28
每個(gè) H 橋的輸出驅(qū)動(dòng)器模塊由配置為 H 橋的 N 溝道功率 MOSFET 組成，用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)繞組。每個(gè) H 橋均具備調(diào)節(jié)或限制繞組電流的電路。
2023-04-07 12:26:21311 半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心。這些系統(tǒng)利用許多門控半導(dǎo)體器件，如普通晶體管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作為開關(guān)模式電源（SMPS）、通用電源（UPS）和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的開關(guān)元件。電力電子的現(xiàn)代技術(shù)發(fā)展通常跟隨功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展。
2023-04-04 10:23:45546 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:391001 
IGBT模塊作為汽車電驅(qū)系統(tǒng)最常昂貴的開關(guān)元件。IGBT同時(shí)具有功率MOSFET導(dǎo)通功率小及開關(guān)速度快的性能，以及雙極型晶體管飽和壓降低（導(dǎo)通電阻?。└唠妷汉痛箅娏魈幚砟芰Φ?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體元件
2023-03-23 16:01:54
LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，選用高達(dá) 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個(gè)擔(dān)任全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵，因此使其可以無(wú)限期地堅(jiān)持導(dǎo)通。
2023-03-23 09:46:45514
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