Qorvo QPD1028和QPD1028L 750W碳化硅基氮化鎵晶體管Qorvo QPD1028和QPD1028L 750W碳化硅基氮化鎵晶體管是分立式碳化硅基氮化鎵HEMT（高電子遷移率晶體管
2024-02-26 23:23:18
晶體管是一種半導(dǎo)體器件，泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場效應(yīng)管、晶閘管、可控硅等。晶體管具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能，可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。
2024-02-26 17:24:44
620 
？
再者在場效應(yīng)管這種單極性導(dǎo)電半導(dǎo)體中，為什么只是有一種離子導(dǎo)電，而非兩種離子，不像晶體管那種兩種離子導(dǎo)電，請問這是為什么？同樣對于場效應(yīng)管也有上面的問題？
2024-02-21 21:39:24
雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor，BJT），也被稱為半導(dǎo)體三極管或三極管，是一種具有三個終端的電子器件。它由三部分摻雜程度不同的半導(dǎo)體組成，這三部分分別是發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。這種晶體管的工作方式涉及電子和空穴兩種載流子的流動，因此被稱為雙極性的。
2024-02-19 15:15:05290 
晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。它是現(xiàn)代電器的最關(guān)鍵的元件之一，廣泛應(yīng)用于各種數(shù)字和模擬功能中，包括放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和振蕩器等。晶體管由半導(dǎo)體材料制成，最常見的是鍺和硅。
2024-02-18 14:28:05327 
是，最大輸出電流時產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場效應(yīng)管可以無需任何外接元件而直接并聯(lián)，因為其漏極電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場效應(yīng)管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請問這個單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性？
2024-01-21 13:25:27
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
晶體管也就是俗稱三極管，其本質(zhì)是一個電流放大器，通過基射極電流控制集射極電流。
1、當(dāng)基射極電流很小可以忽略不計時，此時晶體管基本沒有對基射極電流的放大作用，此時可以認(rèn)為晶體管處在關(guān)斷狀態(tài)
2、當(dāng)基
2024-01-18 16:34:45
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
氮化鎵是一種化合物，化學(xué)式為GaN，由鎵（Ga）和氮（N）兩種元素組成。它是一種化合物晶體，由原子晶體構(gòu)成。 氮化鎵具有堅硬的晶體結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，是一種重要的半導(dǎo)體材料。它具有寬帶
2024-01-10 10:23:011020 氮化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料，屬于六方晶系晶體。在過去的幾十年里，氮化鎵作為一種有著廣泛應(yīng)用前景的材料，受到了廣泛關(guān)注和研究。本文將會詳盡地介紹氮化鎵的晶體結(jié)構(gòu)、性質(zhì)以及應(yīng)用領(lǐng)域。 首先，我們來介紹
2024-01-10 10:03:21941 氮化鎵半導(dǎo)體并不屬于金屬材料，它屬于半導(dǎo)體材料。為了滿足你的要求，我將詳細(xì)介紹氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì)、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展方向等方面的內(nèi)容。 氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì) 氮化鎵（GaN）是一種
2024-01-10 09:27:32396 IGBT）是一種半導(dǎo)體器件，它將MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和BJT（雙極型晶體管）的優(yōu)點集于一身，具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、高電流密度等優(yōu)點。IGBT廣泛應(yīng)用于電力電子、軌道交通
2024-01-03 15:14:22268 
CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。具備前所未有的輸入，能夠在DC-2.0GHz范圍之內(nèi)提供最好的的瞬時寬帶性能。與硅或砷化鎵相比較，CGHV40180具有更加優(yōu)異
2024-01-02 12:05:47
材料不同。傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片是以硅為基材，采用不同的工藝在硅上加工制造，而氮化鎵半導(dǎo)體芯片則是以氮化鎵為基材，通過化學(xué)氣相沉積、分子束外延等工藝制備。氮化鎵是一種全化合物半導(dǎo)體材料，具有較寬的能隙，電子遷移率高以及較高的飽
2023-12-27 14:58:24424 鎵（GaN）半導(dǎo)體： 氮化鎵是一種二元復(fù)合半導(dǎo)體（由氮和鎵元素構(gòu)成），具有較大的禁帶寬度（3.4電子伏特）。它是一個具有六方晶系結(jié)構(gòu)的材料，并且具有較高的熱穩(wěn)定性和寬溫度范圍的應(yīng)用特性。 碳化硅（SiC）半導(dǎo)體： 碳化硅是
2023-12-27 14:54:18325 2023年12月15日，中國-意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)簡化電源設(shè)計，實現(xiàn)最新的生態(tài)設(shè)計目標(biāo)。
2023-12-15 16:44:11462 【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術(shù)相比，CGHV96130F內(nèi)部適應(yīng)(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比
2023-12-13 10:10:57
[半導(dǎo)體前端工藝：第一篇] 計算機、晶體管的問世與半導(dǎo)體
2023-11-29 16:24:59193 
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
氮化鎵（GaN）被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，今天金譽半導(dǎo)體帶大家來簡單了解一下，這個材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12662 
氮化鎵功率半導(dǎo)體器件的先鋒企業(yè) Transphorm說明了如何利用其Normally-Off D-Mode平臺設(shè)計充分發(fā)揮氮化鎵晶體管的優(yōu)勢，而E-Mode設(shè)計卻必須在性能上做出妥協(xié)
2023-10-24 14:12:26526 根據(jù)專利摘要，該公開是關(guān)于半導(dǎo)體元件及其制造方法的。半導(dǎo)體器件包括電裝效應(yīng)晶體管。電場效應(yīng)晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導(dǎo)體溝道。漏極和源極分別位于氧化物半導(dǎo)體通道的兩端。
2023-10-11 14:23:08417 
專業(yè)圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
晶體管是通常用于放大器或電控開關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計算機、移動電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運行的基本構(gòu)件。
2023-09-27 10:59:402314 
Nexperia(安世半導(dǎo)體)的高功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢、產(chǎn)品及封裝等內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperia(安世半導(dǎo)體)氮化鎵產(chǎn)品的成熟的工藝。
2023-09-25 08:19:00395 
介紹：
晶體管是一種用于放大或切換電子信號和電力的半導(dǎo)體器件。它是一種三端口半導(dǎo)體器件，這些引腳分別標(biāo)記為集電極（C）、基極（B）和發(fā)射極（E）?，F(xiàn)在，我將展示如何使用萬用表檢查晶體管。
2023-09-21 13:48:18832 
2023 年 9 月 11 日，中國 – 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-19 11:07:01190 氮化鎵是一種無機物質(zhì)，化學(xué)式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具有直接帶隙的半導(dǎo)體。自1990年起常用于發(fā)光二極管。這種化合物的結(jié)構(gòu)與纖鋅礦相似，硬度非常高。氮化鎵具有3.4電子伏特的寬能隙，可用
2023-09-13 16:41:45857 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 近日，意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護(hù)的更高要求。
2023-09-12 09:01:31457 2023 年 9 月 6 日，中國 ——意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護(hù)的更高要求。
2023-09-07 10:12:13183 氮化鎵（GaN）- 寬帶隙（WBG）材料? GaN HEMT-高電子遷移率晶體管，代表著電力電子技術(shù)的重大進(jìn)步? 用于更高的工作頻率? 提高效率? 與硅基晶體管相比，功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-28 17:03:082026 
特性、場效應(yīng)管和晶體管的導(dǎo)電特性、半導(dǎo)體材料的應(yīng)用等。 半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性與其能帶結(jié)構(gòu)有關(guān)。根據(jù)泡里原理，電子首先填充能量最低的能帶。在半導(dǎo)體中，電子的行為可以通過幾個能帶來描述：價帶、導(dǎo)帶和禁帶
2023-08-27 15:55:201120 CGH40010FCGH40010F 是 Wolfspeed（CREE） 開發(fā)的一款無與倫比的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。適用于A類、AB類和線性放大器，能處理多種波形
2023-08-26 15:40:57
晶體管是一種半導(dǎo)體元器件，它由三個層疊在一起的材料構(gòu)成，分別是 P 型半導(dǎo)體、N 型半導(dǎo)體和 P 型半導(dǎo)體。其中 NPN 和 PNP 型晶體管是最常用的兩種。晶體管有三個電極，分別是基極、發(fā)射極和集電極。
2023-08-25 17:17:47651 晶閘管和晶體管區(qū)別是什么？ 晶閘管和晶體管都屬于半導(dǎo)體器件的范疇，它們的出現(xiàn)都徹底改變了電子行業(yè)的發(fā)展。但是，晶閘管和晶體管之間存在著一些關(guān)鍵的區(qū)別，這些區(qū)別在分析它們的工作原理、特點、應(yīng)用等方面
2023-08-25 15:47:411278 晶體管的工作原理介紹? 晶體管是一種電子器件，它是現(xiàn)代電子設(shè)備的基礎(chǔ)，如計算機、手機、電視等。晶體管是一個半導(dǎo)體器件，它可以放大或開關(guān)電流信號。晶體管的工作原理是由三個不同類型的材料組成：N型半導(dǎo)體
2023-08-25 15:35:141791 晶體管和芯片的關(guān)系介紹 晶體管和芯片是現(xiàn)代電子技術(shù)中最重要的兩個概念，二者有密不可分的關(guān)系。晶體管是一種半導(dǎo)體材料制造的電子器件，而芯片則是晶體管等電子器件及相關(guān)電路的集成體。 一、晶體管 晶體管
2023-08-25 15:29:372440 Bardeen、Walter Brattain于1947年發(fā)明并獲得諾貝爾物理學(xué)獎。它的原理是基于半導(dǎo)體物理學(xué)中的PN結(jié)，PN結(jié)是n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體結(jié)合形成的界面，具有一個類似于電容的特性。應(yīng)用電壓后，PN結(jié)中的少數(shù)載流子（電子或空穴）會沿著不同的方向移動，從而改變電流。通過控制
2023-08-25 15:21:051513 氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
、胸腔晶體管、雙極交接晶體管、金屬-氧化半導(dǎo)體外效晶體管和隔熱雙極晶體管的特性和使用。 Power Diode Diode Basics 在電子應(yīng)用中,二極管發(fā)揮簡單的開關(guān)功能,只允許電流向一個方向流動,電極二極管擁有更大的動力、電壓和當(dāng)前處理能力,在電
2023-08-15 17:17:32699 
200-W；4400 - 5000 MHz；50 歐姆輸入/輸出匹配；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV50200F 是一款專為高效率設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高
2023-08-09 09:20:19
180-W；直流 - 2 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無與倫比的輸入
2023-08-07 14:09:28
180-W；直流 - 2 GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無與倫比的輸入
2023-08-07 14:07:15
100-W；直流 CGHV40100 3GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40100 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-07 13:48:33
50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 11:29:17
50-W；直流 – 4.0 GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV40050 是一款無與倫比的產(chǎn)品；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-07 11:25:21
15瓦；直流 - 6.0 GHz；50V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGHV27015S 是一款無與倫比的產(chǎn)品；專為高效率而設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率
2023-08-07 10:21:42
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGH27030 是一款專為高效率而設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT
2023-08-03 17:06:31
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化鎵高電子遷移率晶體管 Wolfspeed 的 CGH27030 是一款專為高效率而設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管
2023-08-03 16:54:07
30-W；直流 – 6.0 GHz；28V；氮化鎵高電子遷移率晶體管Wolfspeed 的 CGH27030 是一款專為高效率而設(shè)計的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)；高增益
2023-08-03 16:27:54
的制造商生產(chǎn)半導(dǎo)體（晶體管是該設(shè)備家族的成員），因此有數(shù)千種不同的類型。有低功率、中功率和高功率晶體管，用于高頻和低頻工作，用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類型的晶體管
2023-08-02 12:26:53
該2通道混音器電路基于2n3904晶體管，該晶體管形成2個前置放大器。2通道混音器電路的第一個前置放大器具有高增益，可用于麥克風(fēng)輸入，第二個前置放大器可用于控制音頻電平的輸入。
這種雙通道
2023-08-01 17:19:21
在半導(dǎo)體行業(yè)的最初幾十年里，新的工藝節(jié)點只需縮小晶體管的物理尺寸并將更多晶體管塞到芯片上即可實現(xiàn)性能、功耗和面積增益，這稱為經(jīng)典縮放。集成電路工作得更好，因為電信號在每個晶體管之間傳播的距離更短。
2023-07-16 15:47:43413 功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年，第一款增強型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅(qū)動電路和電路保護(hù)集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關(guān)性能，有助消除死區(qū)時間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半導(dǎo)體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
2C1A二合一氮化鎵超極充、綠聯(lián)140W 2C1A氮化鎵充電器，英集芯的其它系列快充芯片已被小米、華為、三星等大品牌的產(chǎn)品使用，性能質(zhì)量獲得客戶的高度認(rèn)可。
輸出VBUS開關(guān)管均來自威兆半導(dǎo)體
2023-06-16 14:05:50
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
，以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。
因此，氮化鎵是我們在電視、手機、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術(shù)。在光子學(xué)方面，氮化鎵還被用于藍(lán)光激光技術(shù)（最明顯
2023-06-15 15:50:54
的設(shè)計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，氮化鎵充電器的充電器件運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場，同時提供更快的開關(guān)速度。此外，氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，成為落地量產(chǎn)設(shè)計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個能將最小能量的數(shù)字信號，轉(zhuǎn)化為無損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。
納微半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
晶體管是什么控制型器件 晶體管屬于電流控制電流控制型器件。 晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件（包括二極管、三極管、場效應(yīng)管、晶閘管等，有時特指雙極型器件），具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種
2023-05-30 15:32:362177
場效應(yīng)管是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件，也稱為單極型晶體管。它是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有噪聲小、功耗低、開關(guān)速度快、不存在二次擊穿問題，主要具有信號放大、電子開關(guān)、功率控制等功能，廣泛應(yīng)用
2023-05-26 14:24:29
摘要：柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關(guān)鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面，金屬和半導(dǎo)體的直接接觸會導(dǎo)致界面缺陷和固定電荷，這會降低氮化鎵高電子遷移率晶體管柵控能力。在本項研究中，二維
2023-05-25 16:11:29599 
當(dāng)今市場上有許多晶體管選擇，它們將各種技術(shù)與不同的半導(dǎo)體材料相結(jié)合。因此，縮小哪一個最適合特定設(shè)計的范圍可能會令人困惑。在這些選擇中，GaN晶體管是，但是什么使它們與眾不同呢？
2023-05-24 11:08:30665 晶體管是一種半導(dǎo)體器件，由三個摻雜不同的半導(dǎo)體材料組成，通常是n型半導(dǎo)體、p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體。晶體管具有體積小、重量輕、功耗低、可靠性高等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于電子電路中的放大器、開關(guān)、振蕩器等電路中。
2023-05-17 15:38:338341 晶體管是什么 晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:06:201131 NPT2020PT2020 是一款 48 V 硅基氮化鎵晶體管，工作頻率為 DC 至 3.5 GHz，功率為 50 W，增益為 17 dB。它采用陶瓷封裝，面向軍事和大批量商業(yè)市場。
2023-04-14 15:39:35
有沒有負(fù)觸發(fā)導(dǎo)通正的晶體管呢？哪位大神知道請賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
我在設(shè)計 PCB 時犯了一個錯誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了?！罢！狈绞绞怯?1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個。
2023-03-28 06:37:56
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論