宜普推出氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)EPC2012

　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司(www.epc-co.com)宣布推出第二代增強(qiáng)性能氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)系列中的最新成員——EPC2012。EPC2012具有環(huán)保特性、無(wú)鉛、無(wú)鹵化物以及符合RoHS(有害物質(zhì)限制)條例。

　　EPC2012 FET是一款面積為1.6平方毫米的200VDS器件，RDS(ON)最大值是100mΩ，柵極電壓為5V。這種eGaN FET具有比第一代EPC1012 eGaN器件明顯更高的性能優(yōu)勢(shì)。EPC2012的脈沖額定電流提高至15A(而EPC1012只有12A)，因此在較低柵極電壓時(shí)，其性能得以全面增強(qiáng)，而且由于提高了QGD/QGS比率，EPC2012還具有優(yōu)異的dv/dt抗干擾性能。

　　與具有相同導(dǎo)通電阻的先進(jìn)硅功率MOSFET相比，EPC2012體積小很多，而開(kāi)關(guān)性能卻高出許多倍。受益于eGaN FET性能的應(yīng)用包括高速DC/DC電源、負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器、D類(lèi)音頻放大器、硬開(kāi)關(guān)和高頻電路。

　　“隨著宜普氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管系列產(chǎn)品的不斷擴(kuò)展，氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能標(biāo)桿得以進(jìn)一步提升。另外，這種新一代eGaN產(chǎn)品是業(yè)界首批不含鉛及符合RoHS要求的器件?！惫餐瑒?chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Alex Lidow表示。

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晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別? 晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管是電子設(shè)備中常用的兩種元器件，它們都是半導(dǎo)體器件，用于放大和控制電流的流動(dòng)。雖然它們?cè)谀承┓矫婵赡苡幸恍┫嗨浦?，但它們也有很多明顯的不同點(diǎn)。下面將會(huì)詳細(xì)

2023-08-25 15:29:34

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華為公開(kāi)“集成電路及其制作方法、場(chǎng)效應(yīng)晶體管”專(zhuān)利

根據(jù)專(zhuān)利摘要，本申請(qǐng)?zhí)峁┘呻娐芳夹g(shù)領(lǐng)域，場(chǎng)效應(yīng)晶體管，可以簡(jiǎn)化集成電路的制造過(guò)程，降低生產(chǎn)費(fèi)用。集成電路由設(shè)置在基板和基板上的finfet組成。gaafet和/或forksheet fet;finfet包含第一個(gè)聲道層。

2023-08-23 10:05:13

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氮化鎵芯片未來(lái)會(huì)取代硅芯片嗎？

2000 年代初就已開(kāi)始，但 GaN 晶體管仍處于起步階段。毫無(wú)疑問(wèn)，它們將在未來(lái)十年內(nèi)取代功率應(yīng)用中的硅晶體管，但距離用于數(shù)據(jù)處理應(yīng)用還很遠(yuǎn)。 Keep Tops氮化鎵有什么好處？氮化鎵的出現(xiàn)

2023-08-21 17:06:18

場(chǎng)效應(yīng)管起什么作用場(chǎng)效應(yīng)管類(lèi)型怎么判斷

場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。

2023-08-18 16:01:28

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mosfet和mos管的區(qū)別 MOSFET的工作原理

? MOS FET基本概述 MOSFET由 MOS (Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+ FET (Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管

2023-08-16 09:22:21

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第4代碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管的應(yīng)用

Qorvo （UnitedSiC）近宣布推出采用新型表面貼裝 TOLL 封裝的 750V/5.4mΩ SiC FET，擴(kuò)大了公司的性能地位，并擴(kuò)大了其突破性的第 4 代 SiC FET 產(chǎn)品組合

2023-08-07 14:47:17

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不同類(lèi)型的晶體管及其功能

區(qū)域組成：柵極、源極和漏極。與雙極晶體管不同，FET 是電壓控制器件。柵極處的電壓控制電流從晶體管的源極流向漏極。場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有非常高的輸入阻抗，從幾兆歐 (MΩ) 到更大的電阻值。這種高輸入阻抗

2023-08-02 12:26:53

場(chǎng)效應(yīng)晶體管與微流控器件的集成應(yīng)用分析

Transistors to Microfluidic Devices”的綜述文章，回顧了集成傳感器的主要研究進(jìn)展，并重點(diǎn)介紹了場(chǎng)效應(yīng)晶體管在化學(xué)和生化分析器件開(kāi)發(fā)中的潛在應(yīng)用。

2023-07-28 10:23:32

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一文詳解場(chǎng)效應(yīng)管電流源

FET電流源是一種有源電路，它使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管為電路提供恒定量的電流。但是，為什么還要恒定電流呢？恒流源和吸電流（吸電流與電流源相反）是一種非常簡(jiǎn)單的方法，只需使用單個(gè)FET和電阻即可形成具有恒定電流值的偏置電路或基準(zhǔn)電壓源，例如100uA、1mA或20mA。

2023-07-17 15:52:50

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如何驗(yàn)證 GaN 的可靠性

鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會(huì)好奇GaN是否具有可靠性。

2023-07-13 15:34:27

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MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)基礎(chǔ)

MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的簡(jiǎn)稱(chēng)，有時(shí)候我們也會(huì)簡(jiǎn)寫(xiě)成MOS。下面是一個(gè)典型的MOSFET結(jié)構(gòu)。

2023-07-11 10:56:24

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NP160N055TUKMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管

2023-07-07 18:41:52

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)過(guò)程

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類(lèi)：直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。

2023-07-05 14:57:19

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while(1)到底占了多少CPU功耗呢？這些功耗去哪里了呢？

我們將CPU簡(jiǎn)單看作場(chǎng)效應(yīng)晶體管FET的集合。這么多個(gè)FET隨著每一次的翻轉(zhuǎn)都在消耗者能量。

2023-06-29 17:30:42

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如何判斷場(chǎng)效應(yīng)管工作狀態(tài)

Oxide Semiconductor FET，簡(jiǎn)稱(chēng)MOSFET,1960年誕生）組成。 ? 2 場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)及工作原理 場(chǎng)效應(yīng)管是一種單極型晶體管，與雙極型晶體管BJT都屬于晶體管。在雙極型晶體管中

2023-06-29 09:21:34

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MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)及工作原理

管（ Meta Oxide Semiconductor FET，簡(jiǎn)稱(chēng)MOSFET,1960年誕生）組成。 ? ? ? 2 場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)及工作原理 場(chǎng)效應(yīng)管是一種單極型晶體管，與雙極型晶體管BJT都屬于晶體管。在雙極

2023-06-28 08:39:28

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有關(guān)氮化鎵半導(dǎo)體的常見(jiàn)錯(cuò)誤觀念

功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年，第一款增強(qiáng)型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅(qū)動(dòng)電路和電路保護(hù)集成為單個(gè)器件

2023-06-25 14:17:47

為什么氮化鎵比硅更好？

度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場(chǎng)強(qiáng)度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開(kāi)發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如，一個(gè)典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過(guò)800V

2023-06-15 15:53:16

氮化鎵: 歷史與未來(lái)

，以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。因此，氮化鎵是我們?cè)陔娨暋⑹謾C(jī)、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術(shù)。在光子學(xué)方面，氮化鎵還被用于藍(lán)光激光技術(shù)（最明顯

2023-06-15 15:50:54

什么是氮化鎵（GaN）？

鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，氮化鎵充電器的充電器件運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場(chǎng)，同時(shí)提供更快的開(kāi)關(guān)速度。此外，氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件，可以在更高的溫度下工作。

2023-06-15 15:41:16

什么是氮化鎵功率芯片？

eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專(zhuān)有的AllGaN?工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器，邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或

2023-06-15 14:17:56

后羿hy1908 80V/90A mos管-hy1908場(chǎng)效應(yīng)晶體管參數(shù)

供應(yīng)后羿hy1908 80V/90A mos管，提供hy1908場(chǎng)效應(yīng)晶體管參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>

2023-06-08 14:05:12

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)：平面結(jié)構(gòu)

功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個(gè)管腳，分別為柵極（Gate

2023-06-05 15:12:10

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鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管FinFET

MOSFET是金屬－氧化物－半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）

2023-05-26 17:23:47

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場(chǎng)效應(yīng)管(FET)基本放大電路分析

FET是Field effect transistor的縮寫(xiě)，稱(chēng)為場(chǎng)效應(yīng)管。它是晶體管的一種，也被稱(chēng)為單極晶體管。另一種晶體管是我們常說(shuō)的雙極晶體管。它們的工作原理完全不同。

2023-05-25 17:27:36

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單向晶閘管的檢測(cè)

正常時(shí)陽(yáng)值成為數(shù)下歐以值較小司圍2.2 VMOS場(chǎng)效應(yīng)品體管源極S、漏極D的判定 VMSO場(chǎng)效應(yīng)晶體管的R和R的檢測(cè)

2023-05-24 10:35:15

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絕緣柵雙極型晶體管IGBT結(jié)溫估算

柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。

2023-05-20 15:19:12

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)

　　場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)FET)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電場(chǎng)效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管的控制電流非常小，因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)。

2023-05-17 15:15:37

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的優(yōu)勢(shì)

場(chǎng)效應(yīng)管是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱(chēng)單極型晶體管。

2023-05-16 15:24:34

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的作用

場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點(diǎn)，這就決定了場(chǎng)效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。

2023-05-16 15:20:04

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類(lèi)

場(chǎng)效應(yīng)晶體管是依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場(chǎng)影響而改變其電阻（簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)），使具有放大信號(hào)的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱(chēng)為源和漏。控制橫向電場(chǎng)的電極稱(chēng)為柵。

2023-05-16 15:14:08

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作原理

場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種利用控制輸入電路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出電路電流的半導(dǎo)體器件，并以此命名。因?yàn)樗灰揽堪雽?dǎo)體中的多數(shù)載流子來(lái)導(dǎo)電，所以又稱(chēng)為單極晶體管。場(chǎng)效應(yīng)晶體管英文是Field Effect Transistor，縮寫(xiě)為FET。

2023-05-16 15:02:23

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電力場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和工作原理

功率場(chǎng)效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動(dòng)功率小,開(kāi)關(guān)速度高、無(wú)二次擊穿、安全工作區(qū)寬等特點(diǎn)。由于其易于驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)頻率

2023-05-01 18:36:13

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