以電阻系數(shù)標(biāo)示電導(dǎo)率時(shí)，半導(dǎo)體的電阻系數(shù)介于10-4至108Ωcm區(qū)間，導(dǎo)體的電阻系數(shù)位于10-8至10-4Ωcm區(qū)間，絕緣體的電阻系數(shù)橫跨108至1018Ωcm范圍。
2024-03-19 11:33:03
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半導(dǎo)體開發(fā)出第一個(gè)單片式集成電路時(shí)，事情開始變得非常有趣了?？匆豢聪旅孢@張由計(jì)算機(jī)歷史博物館提供的照片，它展示了一些參與這一開創(chuàng)性工作的早期先驅(qū)（我們稱其為八叛逆）。請(qǐng)注意，照片中的每個(gè)人都穿著夾克，打著
2024-03-13 16:52:37
蓉矽半導(dǎo)體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力，也進(jìn)一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車、光伏逆變等高端應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力。
2024-03-12 11:06:30228 想問一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺(tái)有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
2023年，東芝半導(dǎo)體的功率器件銷售額估計(jì)約為1000億日元，其中35%用于汽車市場(chǎng)，20%用于工業(yè)市場(chǎng)。
2024-03-04 18:10:33301 意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
只有體單晶材料難以滿足日益發(fā)展的各種半導(dǎo)體器件制作的需要。因此，1959年末開發(fā)了薄層單晶材料生長(zhǎng)技外延生長(zhǎng)。那外延技術(shù)到底對(duì)材料的進(jìn)步有了什么具體的幫助呢？
2024-02-23 11:43:59300 
MOSFET，全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種半導(dǎo)體器件。這種晶體管利用控制輸入回路
2024-02-19 16:38:061952 
引言：EV和充電樁將成為IGBT和MOSFET最大單一產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)袌?chǎng)！EV中的電機(jī)控制系統(tǒng)、引擎控制系統(tǒng)、車身控制系統(tǒng)均需使用大量的半導(dǎo)體功率器件，它的普及為汽車功率半導(dǎo)體市場(chǎng)打開了增長(zhǎng)的窗口。充電
2024-02-19 12:28:04191 
在現(xiàn)代電子設(shè)備中，金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）是一種至關(guān)重要的半導(dǎo)體器件。
2024-02-18 16:39:121010 
服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)l AEC-Q101分立器件認(rèn)證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
AEC-Q101認(rèn)證試驗(yàn)廣電計(jì)量在SiC第三代半導(dǎo)體器件的AEC-Q認(rèn)證上具有豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)，為您提供專業(yè)可靠的AEC-Q101認(rèn)證服務(wù)，同時(shí)，我們也開展了間歇工作壽命（IOL）、HAST
2024-01-29 21:35:04
德國(guó)維爾茨堡—德累斯頓卓越集群ct.qmat團(tuán)隊(duì)的理論和實(shí)驗(yàn)物理學(xué)家開發(fā)出一種由鋁鎵砷制成的半導(dǎo)體器件。
2024-01-24 09:48:33172 半導(dǎo)體放電管是一種采用半導(dǎo)體工藝制成的PNPN結(jié)四層結(jié)構(gòu)器件，其伏安特性與晶閘管類似，具有典型的開關(guān)特性。當(dāng)浪涌電壓超過轉(zhuǎn)折的電壓VBO時(shí)，器件被導(dǎo)通，這時(shí)它呈現(xiàn)一般PN結(jié)二極管的正向電壓降（VF
2024-01-04 16:52:07
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體的時(shí)候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 “時(shí)間就是金錢”這句話在半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)測(cè)試中尤為貼切。
2023-12-25 17:21:03285 
派恩杰半導(dǎo)體專注第三代半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域，產(chǎn)品涵蓋碳化硅MOSFET、碳化硅SBD以及氮化鎵HEMT等多個(gè)方向。始創(chuàng)于2018年，公司擁有國(guó)內(nèi)最為全面的碳化硅功率器件產(chǎn)品。
2023-12-18 14:38:17447 MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件。它們?cè)诓煌膽?yīng)用場(chǎng)景中具有不同的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。本文將對(duì)MOSFET和IGBT進(jìn)行詳盡
2023-12-15 15:25:35366 12月14日，第三代半導(dǎo)體行家極光獎(jiǎng)在深圳重磅揭曉，派恩杰半導(dǎo)體榮膺“中國(guó)SiC器件Fabless十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)。
2023-12-15 10:57:45466 半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-12-14 09:25:09451 【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
根據(jù)不同的誘因，常見的對(duì)半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時(shí)，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08242 
功率半導(dǎo)體冷知識(shí)：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 ，如功率二極管、功率晶體管、功率MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）等。它們主要在電源、變頻器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等功率電子領(lǐng)域中使用。 集成電路是將大量電子器件（如晶體管、電阻、電容等）集成在單個(gè)芯片上，形成一個(gè)完整的
2023-12-04 17:00:57682 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 、晶閘管等等，主要用于工業(yè)和電力系統(tǒng)（正因如此，早期才被稱為電力電子器件）后來，隨著以功率MOSFET器件為代表的新型功率半導(dǎo)體器件的迅速發(fā)展，現(xiàn)在功率半導(dǎo)體器件已經(jīng)非常廣泛，在計(jì)算機(jī)、通行、消費(fèi)
2023-12-03 16:33:191134 
三菱電機(jī)公司宣布將與Nexperia B.V.結(jié)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同為電力電子市場(chǎng)開發(fā)硅碳（SiC）功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將利用其廣帶隙半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)和供應(yīng)SiC MOSFET芯片，這些芯片將用于Nexperia開發(fā)SiC分立器件。
2023-11-30 16:14:09165 
按施敏教授的觀點(diǎn)，半導(dǎo)體器件有四個(gè)最基本的結(jié)構(gòu)單元：金半接觸、PN結(jié)、異質(zhì)結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)。所有的半導(dǎo)體器件都可以看作是這四種基本結(jié)構(gòu)的組合，比如BJT由兩個(gè)背靠背的PN結(jié)構(gòu)成，MOSFET由MOS結(jié)構(gòu)和兩對(duì)PN結(jié)構(gòu)成。
2023-11-30 15:56:171033 
電力半導(dǎo)體器件是進(jìn)行電力變換和控制的大功率器件。 可直接用于處理電能的主電路中，實(shí)現(xiàn)電能的變換或控制的電子器件。主要用于整流器、逆變器、斬波器、交流調(diào)壓器等方面，廣泛用于工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)、國(guó)防、交通等各個(gè)領(lǐng)域。
2023-11-28 09:54:16398 
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（ROHM）開發(fā)出一款高輸出功率半導(dǎo)體激光二極管RLD90QZW3，非常適用于搭載測(cè)距和空間識(shí)別用LiDAR的工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的AGV（無人搬運(yùn)車）和服務(wù)機(jī)器人、消費(fèi)電子設(shè)備領(lǐng)域的掃地機(jī)器人等應(yīng)用。
2023-11-28 09:03:32309 
2023年11月，日本三菱電機(jī)、安世半導(dǎo)體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。
2023-11-25 16:50:53451 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。
2023-11-24 15:51:59682 
半導(dǎo)體器件擊穿機(jī)理分析及設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
2023-11-23 17:38:36472 
半導(dǎo)體分立器件是電子元器件中的重要組成部分，它們?cè)陔娮釉O(shè)備中發(fā)揮著重要的作用。本文將介紹半導(dǎo)體分立器件的基本概念、分類、應(yīng)用和發(fā)展趨勢(shì)。
2023-11-23 10:12:56792 
11月13日， 三菱電機(jī)株式會(huì)社（TOKYO：6503）宣布，將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)面向電力電子市場(chǎng)的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將利用其寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)和供應(yīng)SiC MOSFET芯片，Nexperia將用于開發(fā)SiC分立器件。
2023-11-14 10:34:33456 在電子工程和微電子技術(shù)的世界里，半導(dǎo)體器件建模是一個(gè)核心概念。它涉及對(duì)半導(dǎo)體器件如晶體管、二極管等的電氣行為進(jìn)行數(shù)學(xué)和物理描述。這一過程對(duì)于設(shè)計(jì)高效、可靠的電子設(shè)備至關(guān)重要。本文旨在深入探討半導(dǎo)體器件建模的概念、其重要性以及在現(xiàn)代技術(shù)中的應(yīng)用。
2023-11-13 10:48:27515 
半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件與集成電路的基礎(chǔ)電子材料。隨著技術(shù)的發(fā)展以及市場(chǎng)要求的不斷提高，對(duì)于半導(dǎo)體材料的要求也越來越高。因此對(duì)于半導(dǎo)體材料的測(cè)試要求和準(zhǔn)確性也隨之提高，防止由于其缺陷和特性而影響半導(dǎo)體器件的性能。
2023-11-10 16:02:30690 電子電力器件又稱為功率半導(dǎo)體器件，在世界上已經(jīng)得到了極為廣泛的運(yùn)用，主要是作為開關(guān)和放大器來使用。它出現(xiàn)在社會(huì)生活中的各個(gè)方面，如醫(yī)療、教育、能源、環(huán)境和航空航天，甚至涉及到了現(xiàn)代化國(guó)防武器裝備
2023-11-10 10:15:031964 
一、功率器件在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的位置功率半導(dǎo)體器件，簡(jiǎn)稱功率器件，又稱電力電子器件，屬于半導(dǎo)體產(chǎn)品中的分立器件。功率集成電路也就是如下圖的【功率IC】，典型產(chǎn)品有【電源管理芯片】和【各類驅(qū)動(dòng)芯片
2023-11-08 17:10:15822 
對(duì)于半導(dǎo)體器件而言熱阻是一個(gè)非常重要的參數(shù)和指標(biāo)，是影響半導(dǎo)體性能和穩(wěn)定性的重要因素。如果熱阻過大，那么半導(dǎo)體器件的熱量就無法及時(shí)散出，導(dǎo)致半導(dǎo)體器件溫度過高，造成器件性能下降，甚至損壞器件。因此，半導(dǎo)體熱阻測(cè)試是必不可少的，納米軟件將帶你了解熱阻測(cè)試的方法。
2023-11-08 16:15:28686 
半導(dǎo)體材料。 寬禁帶半導(dǎo)體材料適合于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件，正在成為固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的重要材料，在半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 寬
2023-11-03 12:10:02273 
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-11-02 10:29:34807 電力電子器件(Power Electronic Device)，又稱為功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上)電子器件?？梢苑譃榘肟匦?b class="flag-6" style="color: red">器件
2023-10-28 10:02:11304 
如今，半導(dǎo)體元器件已成為電子應(yīng)用中不可或缺的一部分。半導(dǎo)體元器件的需求主要受生命周期較短的消費(fèi)電子影響。
2023-10-24 16:43:51604 MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121367 功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別在于，其在設(shè)計(jì)的時(shí)候，需要多一塊區(qū)域，來承擔(dān)外加的電壓，如圖5所示，300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔(dān)高壓的部分。與沒有“N-drift”區(qū)的普通半導(dǎo)體器件[2]相比，明顯尺寸更大，這也是功率半導(dǎo)體器件的有點(diǎn)之一。
2023-10-18 11:16:21878 
一 F-200A-60V 半導(dǎo)體器件測(cè)試機(jī)專為以下測(cè)試需求研制： 二 技術(shù)參數(shù)
2023-10-12 15:38:30
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體芯片的制作和半導(dǎo)體芯片封裝的詳細(xì)資料概述
2023-09-26 08:09:42
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）晶體管是一種廣泛用于電子設(shè)備中開關(guān)和放大電子信號(hào)的半導(dǎo)體器件。
MOSFET 是一種四端子器件，具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子。MOSFET 的主體經(jīng)常連接到源極端子，因此使其成為類似于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三端器件。
2023-09-20 15:09:28791 
在日常的電源設(shè)計(jì)中，半導(dǎo)體開關(guān)器件的雪崩能力、VDS電壓降額設(shè)計(jì)是工程師不得不面對(duì)的問題，本文旨在分析半導(dǎo)體器件擊穿原理、失效機(jī)制，以及在設(shè)計(jì)應(yīng)用中注意事項(xiàng)。
2023-09-19 11:44:382578 半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-09-15 09:49:25889 半導(dǎo)體器件高低溫試驗(yàn)箱具有自動(dòng)演算的功能，可將溫濕度變化條件立即修正，使溫濕度控制更為準(zhǔn)確穩(wěn)定，控制器操作界面設(shè)中英文可供選擇，實(shí)時(shí)運(yùn)轉(zhuǎn)曲線圖可由屏幕顯示，具有100組程式、每組100段、每段可循
2023-09-12 11:49:27
安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證的全部測(cè)試。
2023-09-06 17:48:45474 近日，意法半導(dǎo)體與知名汽車Tier 1制造商博格華納達(dá)成了一項(xiàng)重要戰(zhàn)略合作協(xié)議。該協(xié)議旨在提供高性能碳化硅MOSFET器件，以升級(jí)博格華納的車規(guī)功率模塊。
2023-09-06 10:07:01140 調(diào)查結(jié)果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件，市場(chǎng)正在穩(wěn)步擴(kuò)大。
2023-09-04 15:13:24364 
半導(dǎo)體器件中性能最好的是什么?? 半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代電子技術(shù)中最為重要的組成部分之一，是連接芯片和外部電路的中間介質(zhì)。通常，半導(dǎo)體器件的性能被評(píng)價(jià)的標(biāo)準(zhǔn)是：最大電壓、最大電流、最高工作頻率、響應(yīng)速度
2023-08-29 16:19:29539 ，減少人力資源消耗，為半導(dǎo)體行業(yè)降本增效。Novator系列全自動(dòng)影像儀創(chuàng)新推出的飛拍測(cè)量、圖像拼接、環(huán)光獨(dú)立升降、圖像匹配、無接觸3D掃描成像等功能，多方面滿足客戶測(cè)量需求，解決各行業(yè)尺寸測(cè)量難題。
2023-08-21 13:38:06
先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
在電子工業(yè)的歷史中，硅(Si)已經(jīng)穩(wěn)定地成為半導(dǎo)體元器件的首選材料。從普通的晶體管到今天高度集成的芯片，硅都起到了不可替代的作用。但為什么在眾多元素和化合物中，人們會(huì)選擇硅作為制造半導(dǎo)體元器件的主要材料呢？本文將深入探討硅背后的秘密和它在半導(dǎo)體領(lǐng)域中的無與倫比的地位。
2023-08-08 10:12:354874 
隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展，芯片集成度不斷提高，封裝尺寸越來越小，半導(dǎo)體器件面臨著更高的熱應(yīng)力挑戰(zhàn)。結(jié)溫過高不僅降低了器件的電氣性能，而且增加了金屬遷移率和其他退化變化，從而導(dǎo)致芯片老化加速、故障率
2023-08-07 15:18:381962 
列。 ? ? ? ? ? 公司汽車電子事業(yè)部總監(jiān)李海鋒應(yīng)邀在會(huì)上作了《汽車電氣化中國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體的機(jī)遇和挑戰(zhàn)》主題演講。 ? ? ? 士蘭微電子功率器件中，MOSFET、IGBT大功率模塊（PIM）、肖特基管、穩(wěn)壓管、開關(guān)管、TVS管等產(chǎn)品的增長(zhǎng)較快，公司的超
2023-08-07 11:34:091676 半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料，是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路，促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會(huì)的飛速發(fā)展。
2023-08-07 10:22:031978 
MOSFET，也稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一種常見的電子器件。它是一種半導(dǎo)體器件
2023-08-04 15:24:152047 功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035043 
半導(dǎo)體功率
器件在全球
半導(dǎo)體市場(chǎng)中占有重要的位置，其在新能源、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。然而，中國(guó)的
半導(dǎo)體功率
器件產(chǎn)業(yè)與全球領(lǐng)先的
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國(guó)家相比，還存在一定的差距。本文將探討中國(guó)的
半導(dǎo)體功率
器件產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀，與國(guó)際先進(jìn)水平的差距以及未來的發(fā)展?jié)摿Α?/div>
2023-07-19 10:31:11603 
N6003NZ 數(shù)據(jù)表
2023-07-14 10:46:03
0 N6508NZ 數(shù)據(jù)手冊(cè)
2023-07-14 09:29:470 技術(shù)。 三安半導(dǎo)體專注于碳化硅、氮化鎵功率半導(dǎo)體的研發(fā)和制造，展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)展示了最新的產(chǎn)品系列，包括SiC MOSFET、SiC Schottky二極管和GaN HEMT等關(guān)鍵器件，其中自主開發(fā)的SiC MOSFET產(chǎn)品和工藝平臺(tái)備受矚目。憑借卓越的品質(zhì)和先進(jìn)的制造工藝，三安半導(dǎo)體贏得了全球
2023-07-12 21:39:14428 
2305NZ 數(shù)據(jù)表
2023-07-10 18:45:400 在現(xiàn)今電力電子領(lǐng)域，高壓（HV）分立功率半導(dǎo)體器件變得越來越重要，Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si)MOSFET產(chǎn)品系列以滿足發(fā)展中的需求。
2023-07-07 10:11:47483 
及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項(xiàng)目等。 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、銷售為主的半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管
2023-07-06 16:45:02520 
研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項(xiàng)目等。 ? 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、銷售為主的半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
據(jù)藍(lán)色空港消息，先進(jìn)半導(dǎo)體制造項(xiàng)目主要從事第三代半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造、功率器件clip先進(jìn)工程包裝、電力驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品應(yīng)用方案的開發(fā)和銷售。該項(xiàng)目總投資8億元，分三期建設(shè)，一期投資2億元，計(jì)劃建設(shè)6條clip先進(jìn)包裝生產(chǎn)線。
2023-06-27 10:31:18602 公司團(tuán)隊(duì)由來自國(guó)內(nèi)外知名半導(dǎo)體企業(yè)的成員組成，公司擁有經(jīng)驗(yàn)豐富且具有創(chuàng)新能力的國(guó)際型人才隊(duì)伍，團(tuán)隊(duì)核心成員從事半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)和工藝開發(fā)20余年，擁有業(yè)界領(lǐng)先的模組及芯片設(shè)計(jì)研發(fā)水平及完善的工藝。
2023-06-25 16:41:55337 
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無法實(shí)現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實(shí)又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布擴(kuò)充 NextPower 80/100 V MOSFET 產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供 LFPAK56E 封裝
2023-06-21 10:34:32562 （VLSI）設(shè)備采用的設(shè)計(jì)方式有極大的不同，它仍然采用了與VLSI電路類似的半導(dǎo)體加工工藝。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)從70年代的初級(jí)場(chǎng)效應(yīng)晶體管發(fā)展而來。圖1描述了MOSFET的器件原理圖，傳輸特性和器件符號(hào)。雙極結(jié)型晶體管（BJT)自身的局限性驅(qū)動(dòng)了功率
2023-06-17 14:24:52591 
廣，不管是在居民區(qū)、商業(yè)區(qū)或是高速公路服務(wù)區(qū)，都能使用充電樁為新能源電動(dòng)汽車便捷充電。安森德憑借在半導(dǎo)體功率器件和封裝領(lǐng)域的技術(shù)積累，研發(fā)出同類別性能優(yōu)異的超級(jí)結(jié)MOSFET，具備更高性能、能效和更低
2023-06-13 16:30:37
蘭奈梅亨--(美國(guó)商業(yè)資訊)--Nexperia(安世半導(dǎo)體)，分立器件、邏輯器件和 MOSFET 器件的全球領(lǐng)導(dǎo)者，今日宣布其已采用 Trench 11 技術(shù)實(shí)現(xiàn)具有史上最低導(dǎo)通阻抗
2023-06-08 13:57:21441 分立器件行業(yè)概況
半導(dǎo)體分立器件是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)及核心領(lǐng)域之一，其具有應(yīng)用領(lǐng)域廣闊、高成品率、特殊器件不可替代等特性。
從市場(chǎng)需求看，分立器件受益于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、智能家居、健康護(hù)理、安防電子
2023-05-26 14:24:29
功率半導(dǎo)體分立器件的應(yīng)用十分廣泛，幾乎覆蓋了所有的電子制造業(yè)，傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域包括消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)電機(jī)等。近年來，新能源汽車及充電系統(tǒng)、軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源發(fā)電、航空航天及武器裝備等也逐漸成為了功率半導(dǎo)體分立器件的新興應(yīng)用領(lǐng)域。
2023-05-26 09:51:40573 半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件，具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)動(dòng)、損耗低等優(yōu)勢(shì)。IGBT全稱是絕緣柵極
2023-05-18 09:51:583446 
二極管半導(dǎo)體器件的應(yīng)用和參數(shù)對(duì)比NO.1二極管種類區(qū)別按操作特性進(jìn)行比較：器件結(jié)構(gòu)說明對(duì)比：肖特基二極管由金屬與半導(dǎo)體結(jié)結(jié)形成。在電氣方面，它由多數(shù)載波進(jìn)行，具有較低的電流泄漏和正向偏置電壓(VF
2023-05-11 10:11:45221 
據(jù)統(tǒng)計(jì)，IGBT、MOS管、電源管理IC等在儲(chǔ)能逆變器里占比高、數(shù)量多，是必不可少的半導(dǎo)體器件。
2023-05-08 15:46:30862 
ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
意法半導(dǎo)體（ST）宣布與采埃孚科技集團(tuán)公司(ZF)簽署碳化硅器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。從 2025 年起，采埃孚將從意法半導(dǎo)體采購(gòu)碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51930 及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2021年我國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到3,229億元。就國(guó)內(nèi)市場(chǎng)而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 16:00:28
及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2021年我國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到3,229億元。就國(guó)內(nèi)市場(chǎng)而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 13:46:39
評(píng)估，以改善動(dòng)態(tài)特性和可靠性，并開發(fā)有助于實(shí)現(xiàn)碳中和的更具吸引力的高性能功率半導(dǎo)體器件。新研發(fā)的格子花紋嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意圖1,2kV級(jí)SiC MOSFET特性對(duì)比
2023-04-11 15:29:18
N6004NZ 數(shù)據(jù)手冊(cè)
2023-04-03 19:41:210 N6508NZ 數(shù)據(jù)手冊(cè)
2023-03-31 19:19:320 N6506NZ 數(shù)據(jù)手冊(cè)
2023-03-31 19:19:150 N6508NZ 數(shù)據(jù)表
2023-03-31 19:18:370 半導(dǎo)體分立器件是由單個(gè)半導(dǎo)體晶體管構(gòu)成的具有獨(dú)立、完整功能的器件。例如：二極管、三極管、雙極型功率晶體管(GTR)、晶閘管(可控硅)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、MOSFET)、IGBT
2023-03-28 13:10:04457 已全部加載完成
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