士蘭微電子推出高壓MOS管的原邊控制開關(guān)電源SD6853/6854

　　杭州士蘭微電子公司在綠色電源控制器領(lǐng)域繼續(xù)推出新品----內(nèi)置650V高壓MOS管的原邊控制開關(guān)電源SD6853/6854。該產(chǎn)品帶有可編程的線損補償和峰值電流補償功能，采用PFM調(diào)制技術(shù)，提供精確的恒壓/恒流(CV/CC)控制環(huán)路，具有非常高的穩(wěn)定性和平均效率。廣泛適用于手機(jī)充電器、小功率適配器、待機(jī)電源、MP3及其他便攜式設(shè)備。

　　SD6853/6854是離線式開關(guān)電源集成電路，內(nèi)置高壓MOS管、帶有線損補償和峰值電流補償?shù)母叨碎_關(guān)電源控制器，采用了士蘭微電子自主知識產(chǎn)權(quán)的專利技術(shù)。通過檢測變壓器原級線圈的峰值電流和輔助線圈的反饋電壓，間接控制系統(tǒng)的輸出電壓和電流，從而達(dá)到輸出恒壓或者恒流的目的。在一定的輸出功率范圍內(nèi)，可通過反饋電阻設(shè)定輸出電壓;可通過峰值電流采樣電阻設(shè)定輸出電流。也可以根據(jù)需要設(shè)置線損補償和峰值電流補償，以達(dá)到最佳的輸出電壓、輸出電流的調(diào)整率。

　　正常的工作周期分為峰值電流檢測和反饋電壓檢測：當(dāng)MOS管導(dǎo)通，通過采樣電阻檢測原級線圈的電流，輸出電容對負(fù)載供電，輸出電壓VOUT下降;當(dāng)原級線圈的電流到達(dá)峰值時，MOS管關(guān)斷，檢測FB端電壓，存儲在次級線圈的能量對輸出電容充電，輸出電壓VOUT上升，并對負(fù)載供電。當(dāng)同時滿足恒壓、恒流環(huán)路控制的開啟條件后，MOS管才開啟，芯片再次進(jìn)入峰值電流檢測。

　　此外，芯片內(nèi)部集成了溫度保護(hù)電路，環(huán)路開路保護(hù)、限流電路、過壓保護(hù)、欠壓鎖定等多重功能電路，以保證芯片的工作環(huán)境正常，延長其使用壽命。

　　目前，SD6853提供4.0W輸出功率(5V /800mA)，SD6854提供5.0W輸出功率(5V /1A)，平均效率大于68%(采用1.8米AWG28線纜)，待機(jī)功耗小于100mW，輸出電壓的負(fù)載調(diào)整率優(yōu)于±4.0%，輸出電壓的輸入線電壓調(diào)整率優(yōu)于±0.6%，整機(jī)對空氣的ESD能力大于±15KeV。后續(xù)SD6853提供輸出功率范圍可達(dá)到3W~5W，SD6854提供輸出功率范圍可達(dá)到5W~12W。

　　SD6853/6854基于士蘭微電子自行研發(fā)的0.8微米BiCMOS/BCD工藝制造，采用了內(nèi)置高壓MOS管的DIP-8A封裝形式，具有集成度高、占板面積小、便于整機(jī)調(diào)試等突出的特點。采用SD6853/6854設(shè)計整機(jī)系統(tǒng)，無需光耦和Y電容，可省去次級反饋控制、環(huán)路補償，僅需極少的外圍元器件即可構(gòu)成完整的電源系統(tǒng)，大幅節(jié)省了系統(tǒng)耗電并縮小了電路板體積，有利于用戶精簡設(shè)計布局，降低開發(fā)和制造成本。

　　小型充電設(shè)備今后的發(fā)展趨勢是更低的低待機(jī)功耗和更高的能量轉(zhuǎn)換效率，士蘭微電子將持續(xù)在該領(lǐng)域投入研發(fā)力量，不斷推出新品。預(yù)計2012年上半年將推出升級版SD6852/6853/6854，滿足能源之星2.0標(biāo)準(zhǔn)、LEVEL 5規(guī)格的電路，待機(jī)功耗小于30mW，平均效率可以達(dá)到70%。