基于IGBT的固態(tài)脈沖調(diào)制器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)：
在雷達(dá)發(fā)射機(jī)脈沖調(diào)制器中，廣泛采用的是電真空管作為開關(guān)管。這種結(jié)構(gòu)的脈沖調(diào)制器具有配套技術(shù)復(fù)雜、造價(jià)高、使用壽命短等缺點(diǎn)，尤其是其不適用于大功率、高重復(fù)頻率等工作場合的缺陷，使其已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足現(xiàn)代雷達(dá)的復(fù)雜信號(hào)處理的需求。
隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，新型功率開關(guān)器件IGBT（絕緣柵雙極晶體管）迅速占領(lǐng)了市場，滿足了人們把大功率、超高頻率開關(guān)元件實(shí)現(xiàn)固態(tài)化的期望，有著完全取代電真空管的趨勢。這也為在雷達(dá)發(fā)射機(jī)脈沖調(diào)制器中采用IGBT作為開關(guān)管以替代電真空管奠定了理論和實(shí)踐基礎(chǔ)。
1 脈沖調(diào)制器的結(jié)構(gòu)
根據(jù)脈沖調(diào)制器的任務(wù)，它基本由下列3部分組成：電源部分、能量儲(chǔ)存部分、脈沖形成部分。其結(jié)構(gòu)如圖1所示。
電源部分的作用是把初級(jí)電源（例如市電）變換成符合要求的直流電源。直流電源包括低壓電源和高壓電源兩種，低壓電源供給調(diào)制脈沖預(yù)處理電路使用，高壓電源供給調(diào)制脈沖形成電路使用。
能量儲(chǔ)存部分的作用是為了降低對(duì)于電源部分的高峰值功率要求。因?yàn)槊}沖調(diào)制器是在短促的脈沖期間給射頻發(fā)生器提能量的，而在較長的脈沖間歇期間停止工作，因此為了有效地利用電源功率，可以采用儲(chǔ)能元件在脈沖間歇期間把電源送來的能量儲(chǔ)存起來，等到脈沖期間再把儲(chǔ)存的能量放出，交給射頻發(fā)生器。常用的儲(chǔ)能元件有電容器和人工線（或稱仿真線）。
脈沖形成部分是利用一個(gè)開關(guān)，控制儲(chǔ)能元件對(duì)負(fù)載（射頻發(fā)生器）放電，以提供電壓、功率、脈沖寬度及脈沖波形等都滿足要求的視頻脈沖。常用的開關(guān)元件有真空三、四極管、氫閘流管、半導(dǎo)體開關(guān)元件（可控硅元件）和具有非線性電感的磁開關(guān)等。
真空管的通斷可由柵極電壓控制，通斷利索，這種開關(guān)稱為剛性開關(guān)，對(duì)應(yīng)的調(diào)制器稱為剛性調(diào)制器。氫閘流管、半導(dǎo)體開關(guān)元件和具有非線性電感的磁開關(guān)則只能控制其導(dǎo)通，而不能控制其關(guān)斷，這種開關(guān)元件稱為軟性開關(guān)，對(duì)應(yīng)的調(diào)制器稱為軟性調(diào)制器。
2 開關(guān)器件的比較
對(duì)傳統(tǒng)的電真空器件（氫閘流管）和現(xiàn)代電力電子器件IGBT的電氣性能進(jìn)行比較。
2.1 傳統(tǒng)電真空管器件
以真空三、四極管為調(diào)制開關(guān)的剛性調(diào)制器適應(yīng)能力強(qiáng)，能適應(yīng)各種波形、重復(fù)頻率的要求，但這也是以體積、重量、結(jié)構(gòu)和成本為代價(jià)的。為彌補(bǔ)自身不足以適應(yīng)各種工作需要，剛性調(diào)制器又分為多種類型，但都避免不了其功率小、效率低的缺陷。
以氫閘流管為開關(guān)元件的軟性調(diào)制器雖能克服剛性調(diào)制器的不足，但自身的缺陷也很突出，主要表現(xiàn)為：1）脈沖波形頂部抖動(dòng)、后沿拖長；2）對(duì)負(fù)載阻抗的適應(yīng)性差；3）對(duì)波形的適應(yīng)性也差。
可見軟性調(diào)制器只能適應(yīng)于精度要求不高、波形要求不嚴(yán)格的大功率雷達(dá)中。并且不管是剛性還是軟性調(diào)制器，其結(jié)構(gòu)的復(fù)雜都使其可靠性降低，并且維修難度大。
2.2 現(xiàn)代電力電子器件
開關(guān)元件的固態(tài)化是發(fā)展的大趨勢，尤其是電力電子器件在由傳統(tǒng)型向現(xiàn)代型轉(zhuǎn)變以后，許多新興的器件迅速應(yīng)用于這種電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。上世紀(jì)九十年代才現(xiàn)身市 場的絕緣柵雙極晶體管IGBT已成為現(xiàn)代電力電子器件發(fā)展的領(lǐng)頭軍，型號(hào)齊全，已經(jīng)出現(xiàn)了由IGBT組成的功能完善的智能化功率模塊IPM。
IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵雙極晶體管是一種工作原理復(fù)雜的集成半導(dǎo)體器件。在結(jié)構(gòu)上，集成了所有半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)。如二極管、BJT、結(jié)型場效應(yīng)管 JFET、MOSFET、SCR。工藝上利用MOS工藝進(jìn)行大面積功率集成，單元胞的體積越來越小，單元胞的數(shù)量越來越多。IGBT經(jīng)過20年的發(fā)展，技 術(shù)越來越成熟，功能越來越強(qiáng)大。從原來的平面柵型到溝槽型，又發(fā)展到非穿通型，直至現(xiàn)在的電場截至型。達(dá)到了6 000 V／600 A，通態(tài)壓降1.3 V，開關(guān)頻率達(dá)到納秒級(jí)。
IGBT在大量產(chǎn)品中的良好表現(xiàn)，證明其是一種良好的功率開關(guān)器件。其主要優(yōu)點(diǎn)表現(xiàn)在開關(guān)頻率高、承載功率大、通態(tài)壓降低、du／dt和di／dt耐量高、動(dòng)態(tài)性能高、反向恢復(fù)快等，這些性能特點(diǎn)使其特別適應(yīng)于在高頻、大功率電路中出任開關(guān)器件的重任。
3 固態(tài)調(diào)制器硬件組成
對(duì)分別以氫閘流管和IGBT為中心所構(gòu)成的兩種脈沖調(diào)制器的性能、構(gòu)造、成本、可維性及可靠性進(jìn)行比較。
3.1 真空管脈沖調(diào)制器
以氫閘流管ZQM1-350／14型為例，其參數(shù)為14 000 V／350 A，陶瓷外殼，需要12.6 V／6 A的燈絲電源。其關(guān)斷時(shí)，高壓電源經(jīng)充電電感和變壓器的原邊給仿真線充電，氫閘流管接通時(shí)，仿真線經(jīng)氫閘流管對(duì)變壓器原邊放電，在變壓器的副邊產(chǎn)生高壓脈沖去調(diào)制磁控管。氫閘流調(diào)制器的結(jié)構(gòu)如圖2所示。
充氫閘流管是由陽極、陰極、柵極（控制柵，有的還具有預(yù)點(diǎn)火柵或分壓柵等）組成，將所有電極用絕緣外殼密封，利用低壓氫氣（氘氣）作為工作及滅弧絕緣介 質(zhì)，是離子開關(guān)管中的一個(gè)分支，將觸發(fā)脈沖（正極性）加到柵極，使陰-柵間隙產(chǎn)生輝光放電，放電擴(kuò)展到陽柵間隙導(dǎo)致陽柵間隙擊穿導(dǎo)通，使外電路通過陽極- 柵極-陰極放電，而輸出脈沖電流，是具有正啟動(dòng)特性的脈沖電真空器件，具有工作電壓高，脈沖電流大，觸發(fā)電壓低，脈沖寬度窄，電流上升快，點(diǎn)火穩(wěn)定等特 點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于國防、醫(yī)療、高能激光、科學(xué)研究等領(lǐng)域或場合。
氫閘流管作為開關(guān)時(shí)，開關(guān)的接通是由控制柵極上施加正觸發(fā)脈沖來實(shí)現(xiàn)的。如果閘流管陽極具有足夠高的正向電壓，柵極一旦被觸發(fā)，陽極-陰極之間將迅速導(dǎo) 通，柵極就失去了對(duì)放電的控制作用。只有陽極電壓降得很低，不足以維持放電電流時(shí)，閘流管才會(huì)截止。閘流管在放電結(jié)束后，要經(jīng)過一段消電離時(shí)間，柵極才能 恢復(fù)原來的控制功能。因此，閘流管脈沖調(diào)制器形成的脈沖波形頂部抖動(dòng)、后沿拖長。
況且真空管調(diào)制器由于電子管的外圍電路有偏壓、簾柵、 陽極等電源，這些電源是不可缺少且體積龐大的高壓電源。調(diào)制器導(dǎo)通時(shí)的管壓降較大，調(diào)制器效率較低。電子管極間電容的存在很難實(shí)現(xiàn)窄脈沖調(diào)制。另外由于電 子管在真空度變差情況下可能會(huì)出現(xiàn)打火等現(xiàn)象，嚴(yán)重影響雷達(dá)發(fā)射機(jī)的可靠性。電子管陰極的壽命較短，也制約著電子管在調(diào)制器中的使用。
全固態(tài)調(diào)制器與電子管調(diào)制器相比具有效率高、體積小、重量輕、可靠性高、壽命長、維修費(fèi)用低等優(yōu)點(diǎn)。因此，研究固態(tài)調(diào)制器是一個(gè)極為重要的發(fā)展方向。
3.2 固態(tài)脈沖調(diào)制器
固態(tài)脈沖調(diào)制器就是以固態(tài)開關(guān)管IGBT替代電真空管的調(diào)制器。IGBT模塊采用10只IGBT串聯(lián)成網(wǎng)絡(luò)使用，單片機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊利用單片機(jī)形成統(tǒng)一的觸發(fā)脈沖，經(jīng)驅(qū)動(dòng)模塊M57962L同步觸發(fā)IGBT網(wǎng)絡(luò)。其結(jié)構(gòu)如圖3所示。
該調(diào)制器采用充電電感，屬于直流諧振充電，其自然諧振周期為：
其中：C0是仿真線的靜電容
Tch等于調(diào)制器脈沖重復(fù)周期T0兩倍，即調(diào)制器的脈沖重復(fù)頻率是固定的。因此為了適應(yīng)雷達(dá)工作于多種重復(fù)頻率的要求，可在充電電路中串入一只二極管，稱為充電二極管或保持二極管。這時(shí)只要充電電路的Tch值小于最小的脈沖重復(fù)周期就行了。
VD2和R1稱為過電壓保護(hù)電路，它的作用是防止仿真線上出現(xiàn)過高的電壓而損壞功率管。當(dāng)仿真線向接近短路的負(fù)載放電時(shí)，其上的電壓會(huì)變成負(fù)極性，由于 功率管不能反向?qū)щ?，這個(gè)負(fù)極性的電壓不會(huì)消失，在下一個(gè)脈沖重復(fù)周期充電時(shí)，這個(gè)電壓與電源電壓的極性一致，所以仿真線將會(huì)充電到一個(gè)較高的電壓值。如 果這時(shí)負(fù)載打火并未消失，那么這一過程將會(huì)繼續(xù)下去。在理論上可以證明，仿真線上的電壓將會(huì)達(dá)到電源電壓的6倍之多。當(dāng)電路中接入VD2和R1之后，只要 仿真線上出現(xiàn)負(fù)極性電壓，就可以通過VD2放掉，從而防止了仿真線上過電壓的產(chǎn)生。
R2C2稱為反肩峰電路。當(dāng)仿真線向不匹配的負(fù)載放電會(huì)在脈沖的前沿引起顯著的肩峰。R2C2電路就是為了減小這種肩峰的，其電阻通常選擇和負(fù)載阻抗相等，而電容的大小可按電路時(shí)間常數(shù)與脈沖前沿時(shí)間大致相當(dāng)來確定。
功率開關(guān)管IGBT采用高速型MG400Q1US41，其參數(shù)為1 200V／400A，其參數(shù)如圖4所示。工程中采用十管串聯(lián)的方法以適應(yīng)高電壓的要求。驅(qū)動(dòng)模塊采用M57962L，其參數(shù)為1 200 V／400 A。
十管串聯(lián)需要保證串聯(lián)的10個(gè)管子同時(shí)導(dǎo)通、同時(shí)截止，否則先導(dǎo)通或者后截止的管子就因?yàn)橐惺芨唠妷憾鴵舸?，進(jìn)一步擊穿所有的管子，而形成調(diào)制器故 障，造成不必要的損失。解決的辦法是用單片機(jī)產(chǎn)生一路觸發(fā)脈沖，同時(shí)觸發(fā)驅(qū)動(dòng)模塊。因?yàn)轵?qū)動(dòng)模塊具有較高的輸入阻抗，因此單片機(jī)的輸出電流足夠同時(shí)觸發(fā)驅(qū) 動(dòng)模塊。10個(gè)驅(qū)動(dòng)模塊被同時(shí)觸發(fā)，因其延遲的一致性，會(huì)使單片機(jī)的觸發(fā)脈沖同時(shí)加到10個(gè)IGBT的柵極。
根據(jù)調(diào)制器的要求，由單片機(jī)輸出一定重復(fù)頻率的觸發(fā)脈沖經(jīng)接口保護(hù)電路轉(zhuǎn)換后驅(qū)動(dòng)IGBT的柵極。IGBT在柵極有驅(qū)動(dòng)時(shí)接通，無驅(qū)動(dòng)時(shí)關(guān)斷，實(shí)現(xiàn)了可控的開關(guān)功能。IGBT的動(dòng)態(tài)開關(guān)曲線如圖5所示。
根據(jù)圖4所示IGBT參數(shù)可知，在VOC=600V、VGE=±15V、RG=2.4 Ω、TC=25℃、IC=400 A時(shí)，ton=0.25μs，toff=0.7μs。從圖5的UCE-t曲線圖看，IGBT的開關(guān)曲線比氫閘流管的開關(guān)曲線更好，更適合于作為脈沖調(diào)制器的開關(guān)管使用。
由于單片機(jī)的采用，就可以使調(diào)制器的保護(hù)采用軟件保護(hù)，這在減少調(diào)制器的體積與重量方面可以做出重大貢獻(xiàn)。
單個(gè)固態(tài)調(diào)制器的制造成本比氫閘流管調(diào)制器稍高，但是其使用壽命長，也就是說性價(jià)比高，況且在性能、構(gòu)造、可維性及可靠性方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)勝于氫閘流管調(diào)制器。
4 仿真過程及結(jié)果
仿真軟件使用流行的SIMNLINK。
設(shè)觸發(fā)脈沖周期為2 ms，脈沖寬度為2μs，如圖6中的第一示波器（圖 的下部），仿真線前端的波形如圖6中的第二示波器（圖的上部）。由第二示波器可見，當(dāng)觸發(fā)脈沖到來時(shí)，即IGBT網(wǎng)絡(luò)導(dǎo)通時(shí)，仿真線迅速放電，放電速率為 5 000 V／6μs（即從滿電壓5 000 V至放電完成時(shí)間約為6μs），并且無反沖。當(dāng)觸發(fā)脈沖過去時(shí)，即IGBT網(wǎng)絡(luò)斷開時(shí)，仿真線迅速充電，放電速率為5 000 V／3μs（即從充電開始至滿電壓5 000 V的時(shí)間約為3μs），并且無反沖。
由此可見，由IGBT網(wǎng)絡(luò)替代的脈沖開關(guān)，完全能滿足脈沖調(diào)制器的要求，其指標(biāo)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了氫閘流管脈沖調(diào)制器。
5 結(jié)論
器件固態(tài)化是系統(tǒng)發(fā)展的趨勢，固態(tài)脈沖調(diào)制器正是在這一趨勢的啟發(fā)下提出來的。所設(shè)計(jì)的固態(tài)脈沖調(diào)制器具有結(jié)構(gòu)簡單、性價(jià)比高的特點(diǎn)，可以快速、方便地對(duì)現(xiàn)有雷達(dá)的脈沖調(diào)制器進(jìn)行改裝。改裝成本低、周期短，具有很高的實(shí)用價(jià)值。
使用電阻控制IGBT開關(guān)的方法剖析：
1 前言
用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓（VG（on）），IGBT導(dǎo)通，負(fù)輸出電壓為-5V～-15V時(shí)，IGBT關(guān)斷。IGBT的動(dòng)態(tài)性能可通過柵極電阻值來調(diào)節(jié)。柵極電阻影響IGBT的開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗及各種其他參數(shù)，從電磁干擾EMI到電壓和電流的變化率。因此，柵極電阻必須根據(jù)具體應(yīng)用的參數(shù)非常仔細(xì)地選擇和優(yōu)化。
2 柵極電阻RG對(duì)IGBT開關(guān)特性的影響
IGBT開關(guān)特性的設(shè)定可受外部電阻RG的影響。由于IGBT的輸入電容在開關(guān)期間是變化的，必須被充放電，柵極電阻通過限制導(dǎo)通和關(guān)斷期間柵極電流（IG）脈沖的幅值來決定充放電時(shí)間（見圖1）。由于柵極峰值電流的增加，導(dǎo)通和關(guān)斷的時(shí)間將會(huì)縮短且開關(guān)損耗也會(huì)減少。減小RG（on）和RG（off）的阻值會(huì)增大柵極峰值電流。當(dāng)減小柵極電阻的阻值時(shí)，需要考慮的是當(dāng)大電流被過快地切換時(shí)所產(chǎn)生的電流上升率di/dt。電路中存在雜散電感在IGBT上產(chǎn)生大的電壓尖峰，這一效果可在圖2所示的IGBT關(guān)斷時(shí)波形圖中觀察到。圖中的陰影部分顯示了關(guān)斷損耗的相對(duì)值。集電極-發(fā)射極電壓上的瞬間電壓尖峰可能會(huì)損壞IGBT，特別是在短路關(guān)斷操作的情況下，因?yàn)閐i/dt比較大?？赏ㄟ^增加?xùn)艠O電阻的值來減小Vstray。因此，消除了由于過電壓而帶來的IGBT被損毀的風(fēng)險(xiǎn)?？焖俚膶?dǎo)通和關(guān)斷會(huì)分別帶來較高的dv/dt和di/dt，因此會(huì)產(chǎn)生更多的電磁干擾（EMI），從而可能導(dǎo)致電路故障。表1顯示不同的柵極電阻值對(duì)di/dt的影響。
3 對(duì)續(xù)流二極管開關(guān)特性的影響
續(xù)流二極管的開關(guān)特性也受柵極電阻的影響，并限制柵極阻抗的最小值。這意味著IGBT的導(dǎo)通開關(guān)速度只能提高到一個(gè)與所用續(xù)流二極管反向恢復(fù)特性相兼容的水平。柵極電阻的減小不僅增大了IGBT的過電壓應(yīng)力，而且由于IGBT模塊中diC/dt的增大，也增大了續(xù)流二極管的過壓極限。通過使用特殊設(shè)計(jì)和優(yōu)化的帶軟恢復(fù)功能的CAL（可控軸向壽命）二極管，使得反向峰值電流減小，從而使橋路中IGBT的導(dǎo)通電流減小。
4 驅(qū)動(dòng)器輸出級(jí)的設(shè)計(jì)
柵極驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)器輸出級(jí)是一種典型的設(shè)計(jì)，采用了兩個(gè)按圖騰柱形式配置的MOSFET，如圖3所示。兩個(gè)MOSFET的柵極由相同的信號(hào)驅(qū)動(dòng)。當(dāng)信號(hào)為高電平時(shí)，N通道MOSFET導(dǎo)通，當(dāng)信號(hào)為低電平時(shí)，P通道MOSFET導(dǎo)通，從而產(chǎn)生了兩個(gè)器件推挽輸出的配置。MOSFET的輸出級(jí)可有一路或兩路輸出。據(jù)此可實(shí)現(xiàn)具有一個(gè)或兩個(gè)柵極電阻（導(dǎo)通，關(guān)斷）的用于對(duì)稱或不對(duì)稱柵極控制的解決方案。
5 柵極電阻的計(jì)算
對(duì)于低開關(guān)損耗，無IGBT模塊振蕩，低二極管反向恢復(fù)峰值電流和最大dv/dt限制，柵極電阻必須體現(xiàn)出最佳的開關(guān)特性。通常在應(yīng)用中，額定電流大的IGBT模塊將采用較小的柵極電阻驅(qū)動(dòng)；同樣的，額定電流小的IGBT模塊，將需要較大的柵極電阻。也就是說，IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中所給的電阻值必須為每個(gè)設(shè)計(jì)而優(yōu)化。IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)指定了柵極電阻值。然而，最優(yōu)的柵極電阻值一般介于數(shù)據(jù)手冊(cè)所列值和其兩倍之間。IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中所指定的值是最小值。在指定條件下，兩倍于額定電流可被安全地關(guān)斷。在實(shí)際中，由于測試電路和各個(gè)應(yīng)用參數(shù)的差異，IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中的柵極電阻值往往不一定是最佳值。上面提到的大概的電阻值（即兩倍的數(shù)據(jù)表值）可被作為優(yōu)化的起點(diǎn)，以相應(yīng)地減少柵級(jí)電阻值。確定最優(yōu)值的唯一途徑是測試和衡量最終系統(tǒng)，使應(yīng)用中的寄生電感最小很重要。這對(duì)于保持IGBT的關(guān)斷過電壓在數(shù)據(jù)手冊(cè)的指定范圍內(nèi)是必要的，特別是在短路情況下。柵極電阻決定柵極峰值電流IGM。增大柵極峰值電流將減少導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間，以及開關(guān)損耗。柵極峰值電流的最大值和柵極電阻的最小值分別由驅(qū)動(dòng)器輸出級(jí)的性能決定。
6 設(shè)計(jì)、布局和疑難解答
為了能夠經(jīng)受住應(yīng)用中出現(xiàn)的大負(fù)載，柵極電阻必須滿足一定的性能要求并具有一定的特性。由于柵極電阻上的大負(fù)載，建議使用電阻并聯(lián)的形式。這將產(chǎn)生一個(gè)冗余，如果一個(gè)柵極電阻損壞，系統(tǒng)可臨時(shí)運(yùn)行，但開關(guān)損耗較大。選擇錯(cuò)誤的柵極電阻，可能會(huì)導(dǎo)致問題和不希望的結(jié)果。所選的柵極電阻值太大，將導(dǎo)致?lián)p耗過大，應(yīng)減小柵極電阻值。過高的柵極電阻值可能會(huì)導(dǎo)致IGBT在開關(guān)期間長時(shí)間運(yùn)行在線性模式下，最終導(dǎo)致柵極振蕩。然而，萬一電阻的功耗和峰值功率能力不夠，或者使用了非防浪涌電阻，都會(huì)導(dǎo)致柵極電阻過熱或燒毀。運(yùn)行期間，柵極電阻不得不承受連續(xù)的脈沖電流，因此，柵極電阻必須具有一定的峰值功率能力。使用非常小的柵極電阻，會(huì)帶來更高的dv/dt 或di/dt，但也可能會(huì)導(dǎo)致EMI噪聲。
應(yīng)用（直流環(huán)節(jié)）中的電感過大或者使用的柵極電阻小，將導(dǎo)致更大的di/dt，從而產(chǎn)生過大的IGBT電壓尖峰。因此，應(yīng)盡量減小電感或者增大柵極電阻值。為減小短路時(shí)的電壓尖峰，可使用軟關(guān)斷電路，它可以更緩慢地關(guān)斷IGBT。柵極電阻和IGBT模塊之間的距離應(yīng)盡可能短。如果柵極電阻和IGBT模塊之間的連線過長，將會(huì)在柵極-發(fā)射極的通道上產(chǎn)生較大的電感。結(jié)合IGBT的輸入電容，該線路電感將形成一個(gè)LC振蕩電路?？珊唵蔚赝ㄟ^縮短連線或者用比最小柵極電阻值RG（min）≥2√Lwire/Cies大的柵極電阻來衰減這種振蕩。