IGBT靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性分析：
1．靜態(tài)特性IGBT的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性。
IGBT的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時(shí)，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它與GTR的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1、放大區(qū)2和擊穿特性3部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT，正向電壓由J2結(jié)承擔(dān)，反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無N+緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩沖區(qū)后，反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平，因此限制了IGBT的某些應(yīng)用范圍。
IGBT模塊的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵源電壓小于開啟電壓Ugs（th）時(shí)，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分漏極電流范圍內(nèi)，Id與Ugs呈線性關(guān)系。最高柵源電壓受最大漏極電流限制，其最佳值一般取為15V左右。
IGBT模塊的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT處于導(dǎo)通態(tài)時(shí)，由于它的PNP晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，但流過MOSFET的電流成為IGBT總電流的主要部分。此時(shí)，通態(tài)電壓Uds（on）可用下式表示
Uds（on）＝Uj1＋Udr＋I(xiàn)dRoh
式中Uj1——JI結(jié)的正向電壓，其值為0.7～I(xiàn)V；
Udr——擴(kuò)展電阻Rdr上的壓降；
Roh——溝道電阻。
通態(tài)電流Ids可用下式表示：
Ids=（1+Bpnp）Imos
式中Imos——流過MOSFET的電流。不銹鋼門
由于N+區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，所以IGBT的通態(tài)壓降小，耐壓1000V的IGBT通態(tài)壓降為2～3V。
IGBT處于斷態(tài)時(shí)，只有很小的泄漏電流存在。
2．動(dòng)態(tài)特性IGBT模塊在開通過程中，大部分時(shí)間是作為MOSFET來運(yùn)行的，只是在漏源電壓Uds下降過程后期，PNP晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時(shí)間。td（on）為開通延遲時(shí)間，tri為電流上升時(shí)間。實(shí)際應(yīng)用中常給出的漏極電流開通時(shí)間ton即為td（on）tri之和。漏源電壓的下降時(shí)間由tfe1和tfe2組成。
各種典型IGBT電路分析和保護(hù)模塊：
驅(qū)動(dòng)電路的作用是將單片機(jī)輸出的脈沖進(jìn)行功率放大，以驅(qū)動(dòng)IGBT.保證IGBT的可靠工作，驅(qū)動(dòng)電路起著至關(guān)重要的作用，對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的基本要求如下：
（1）提供適當(dāng)?shù)恼蚝头聪蜉敵鲭妷?，使IGBT可靠的開通和關(guān)斷。
?。?）提供足夠大的瞬態(tài)功率或瞬時(shí)電流，使IGBT能迅速建立柵控電場(chǎng)而導(dǎo)通。
?。?）盡可能小的輸入輸出延遲時(shí)間，以提高工作效率。
?。?）足夠高的輸入輸出電氣隔離性能，使信號(hào)電路與柵極驅(qū)動(dòng)電路絕緣。
?。?）具有靈敏的過流保護(hù)能力。
第一種驅(qū)動(dòng)電路EXB841/840
EXB841工作原理如圖1，當(dāng)EXB841的14腳和15腳有10mA的電流流過1us以后IGBT正常開通，VCE下降至3V左右，6腳電壓被鉗制在8V左右，由于VS1穩(wěn)壓值是13V，所以不會(huì)被擊穿，V3不導(dǎo)通，E點(diǎn)的電位約為20V，二極管VD，截止，不影響V4和V5正常工作。
當(dāng)14腳和15腳無電流流過，則V1和V2導(dǎo)通，V2的導(dǎo)通使V4截止、V5導(dǎo)通，IGBT柵極電荷通過V5迅速放電，引腳3電位下降至0V，是IGBT柵一射間承受5V左右的負(fù)偏壓，IGBT可靠關(guān)斷，同時(shí)VCE的迅速上升使引腳6“懸空”.C2的放電使得B點(diǎn)電位為0V，則VS1仍然不導(dǎo)通，后續(xù)電路不動(dòng)作，IGBT正常關(guān)斷。
如有過流發(fā)生，IGBT的VCE過大使得VD2截止，使得VS1擊穿，V3導(dǎo)通，C4通過R7放電，D點(diǎn)電位下降，從而使IGBT的柵一射間的電壓UGE降低，完成慢關(guān)斷，實(shí)現(xiàn)對(duì)IGBT的保護(hù)。由EXB841實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)的過程可知，EXB841判定過電流的主要依據(jù)是6腳的電壓，6腳的電壓不僅與VCE有關(guān)，還和二極管VD2的導(dǎo)通電壓Vd有關(guān)。
典型接線方法如圖2，使用時(shí)注意如下幾點(diǎn)：
a、IGBT柵-射極驅(qū)動(dòng)回路往返接線不能太長(zhǎng)（一般應(yīng)該小于1m），并且應(yīng)該采用雙絞線接法，防止干擾。
b、由于IGBT集電極產(chǎn)生較大的電壓尖脈沖，增加IGBT柵極串聯(lián)電阻RG有利于其安全工作。但是柵極電阻RG不能太大也不能太小，如果RG增大，則開通關(guān)斷時(shí)間延長(zhǎng)，使得開通能耗增加；相反，如果RG太小，則使得di/dt增加，容易產(chǎn)生誤導(dǎo)通。
c、圖中電容C用來吸收由電源連接阻抗引起的供電電壓變化，并不是電源的供電濾波電容，一般取值為47F.
d、6腳過電流保護(hù)取樣信號(hào)連接端，通過快恢復(fù)二極管接IGBT集電極。
e、14、15接驅(qū)動(dòng)信號(hào)，一般14腳接脈沖形成部分的地，15腳接輸入信號(hào)的正端，15端的輸入電流一般應(yīng)該小于20mA，故在15腳前加限流電阻。
f、為了保證可靠的關(guān)斷與導(dǎo)通，在柵射極加穩(wěn)壓二極管。
第二種M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動(dòng)電路
M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動(dòng)電路采用雙電源（+15V，-10V）供電，輸出負(fù)偏壓為-10V，輸入輸出電平與TTL電平兼容，配有短路/過載保護(hù)和封閉性短路保護(hù)功能，同時(shí)具有延時(shí)保護(hù)特性。其分別適合于驅(qū)動(dòng)1200V/100A、600V/200A和1200V/400A、600V/600A及其以下的IGBT.M57959L/M57962L在驅(qū)動(dòng)中小功率的IGBT時(shí)，驅(qū)動(dòng)效果和各項(xiàng)性能表現(xiàn)優(yōu)良，但當(dāng)其工作在高頻下時(shí)，其脈沖前后沿變的較差，即信號(hào)的最大傳輸寬度受到限制。且厚膜內(nèi)部采用印刷電路板設(shè)計(jì)，散熱不是很好，容易因過熱造成內(nèi)部器件的燒毀。
日本三菱公司的M57959L集成IGBT專用驅(qū)動(dòng)芯片它可以作為600V/200A或者1200V/100A的IGBT驅(qū)動(dòng)。其最高頻率也達(dá)40KHz，采用雙電源供電（+15V和-15V）輸出電流峰值為±2A，M57959L有以下特點(diǎn)：
?。?）采用光耦實(shí)現(xiàn)電器隔離，光耦是快速型的，適合20KHz左右的高頻開關(guān)運(yùn)行，光耦的原邊已串聯(lián)限流電阻，可將5V電壓直接加到輸入側(cè)。
?。?）如果采用雙電源驅(qū)動(dòng)技術(shù)，輸出負(fù)柵壓比較高，電源電壓的極限值為+18V/-15V，一般取+15V/-10V.
?。?）信號(hào)傳輸延遲時(shí)間短，低電平-高電平的傳輸延時(shí)以及高電平-低電平的傳輸延時(shí)時(shí)間都在1.5μs以下。
?。?）具有過流保護(hù)功能。M57962L通過檢測(cè)IGBT的飽和壓降來判斷IGBT是否過流，一旦過流，M57962L就會(huì)將對(duì)IGBT實(shí)施軟關(guān)斷，并輸出過流故障信號(hào)。
（5）M57959的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示，這一電路的驅(qū)動(dòng)部分與EXB系列相仿，但是過流保護(hù)方面有所不同。過流檢測(cè)仍采用電壓采樣，電路特點(diǎn)是采用柵壓緩降，實(shí)現(xiàn)IGBT軟關(guān)斷，
避免了關(guān)斷中過電壓和大電流沖擊；另外，在關(guān)斷過程中，輸入控制信號(hào)的狀態(tài)失去作用，既保護(hù)關(guān)斷是在封閉狀態(tài)中完成的。當(dāng)保護(hù)開始時(shí)，立即送出故障信號(hào)，目的是切斷控制信號(hào)，包括電路中其它有源器件。
第三種2SD315A集成驅(qū)動(dòng)模塊
集成驅(qū)動(dòng)模塊采用+15V單電源供電，內(nèi)部集成有過流保護(hù)電路，其最大的特點(diǎn)是具有安全性、智能性與易用性。2SD315A能輸出很大的峰值電流（最大瞬時(shí)輸出電流可達(dá)±15A），具有很強(qiáng)的驅(qū)動(dòng)能力和很高的隔離電壓能力（4000V）。2SD315A具有兩個(gè)驅(qū)動(dòng)輸出通道，適合于驅(qū)動(dòng)等級(jí)為1200V/1700V極其以上的兩個(gè)單管或一個(gè)半橋式的雙單元大功率IGBT模塊。其中在作為半橋驅(qū)動(dòng)器使用的時(shí)候，可以很方便地設(shè)置死區(qū)時(shí)間。
2SD315A內(nèi)部主要有三大功能模塊構(gòu)成，分別是LDI（LogicToDriverInterface，邏輯驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)換接口）、IGD（IntelligentGateDriver，智能門極驅(qū)動(dòng)）和輸入與輸出相互絕緣的DC/DC轉(zhuǎn)換器。當(dāng)外部輸入PWM信號(hào)后，由LDI進(jìn)行編碼處理，為保證信號(hào)不受外界條件的干擾，處理過的信號(hào)在進(jìn)入IGD前需用高頻隔離變壓器進(jìn)行電氣隔離。從隔離變壓器另一側(cè)接收到的信號(hào)首先在IGD單元進(jìn)行解碼，并把解碼后的PWM信號(hào)進(jìn)行放大（±15V/±15A）以驅(qū)動(dòng)外接大功率IGBT.當(dāng)智能門極驅(qū)動(dòng)單元IGD內(nèi)的過流和短路保護(hù)電路檢測(cè)到IGBT發(fā)生過流和短路故障時(shí)，由封鎖時(shí)間邏輯電路和狀態(tài)確認(rèn)電路產(chǎn)生相應(yīng)的響應(yīng)時(shí)間和封鎖時(shí)間，并把此時(shí)的狀態(tài)信號(hào)進(jìn)行編碼送到邏輯控制單元LDI.LDI單元對(duì)傳送來的IGBT工作狀態(tài)信號(hào)進(jìn)行解碼處理，使之在控制回路中得以處理。為防止2SD315A的兩路輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)相互干擾，由DC/DC轉(zhuǎn)換器提供彼此隔離的電源供電。
2SD315使用時(shí)注意事項(xiàng)：
a、工作模式
驅(qū)動(dòng)模塊的模式選擇端MOD外接+15V電源，輸入引腳RC1和RC2接地，為直接工作模式。邏輯控制電平采用+15V，信號(hào)輸入管腳InA、InB連接在一起接收來自單片機(jī)的脈沖信號(hào)。2SD315A的SO1和SO2兩只管腳輸出通道的工作狀態(tài)。當(dāng)MOD接地時(shí)，MOD接地。通常半橋模式都是驅(qū)動(dòng)一個(gè)直流母線上的一個(gè)橋臂，為避免上下橋臂直通必須設(shè)置死區(qū)時(shí)間，在死區(qū)時(shí)間里兩個(gè)管子同時(shí)關(guān)斷。因此，RC1，RC2端子必須根據(jù)要求外接RC網(wǎng)絡(luò)來產(chǎn)生死區(qū)時(shí)間，死區(qū)時(shí)間一般可以從100n，到幾個(gè)ms.圖中所示的RC1，RC2分別連接lOk.的電阻和100pF的電容，這樣產(chǎn)生的死區(qū)時(shí)間大約是500ns.
b、端口VL/Reset
這個(gè)端子是用來定義具有施密特性質(zhì)的輸入InA和InB的，使得輸入在2/3VL時(shí)開通，在I/3VL時(shí)作為關(guān)斷信號(hào)。當(dāng)PWM信號(hào)是TTL電平時(shí)，該端子連接如圖3-5所示，當(dāng)輸入InA和InB信號(hào)為15V的時(shí)候，該端子應(yīng)該通過一個(gè)大約1K左右的電阻連接到++15V電源上，這樣開啟和關(guān)斷電壓分別應(yīng)該是lov和5V.另外，輸入U(xiǎn)L/Reset端還有另外的功能：如果其接地，則邏輯驅(qū)動(dòng)接口單元l.DI001內(nèi)的錯(cuò)誤信息被清除。
c、門極輸出端
門極輸出Gx端子接電力半導(dǎo)體的門極，當(dāng)SCALE驅(qū)動(dòng)器用15V供電的時(shí)候，門極輸出土15V.負(fù)的門極電壓由驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部產(chǎn)生。使用如圖3-6結(jié)構(gòu)的電路可以實(shí)現(xiàn)開通和關(guān)斷的速度的不一樣，增加了用戶使用的靈活性。
d、布局和布線
驅(qū)動(dòng)器應(yīng)該盡可能近的和功率半導(dǎo)體放在一起，這樣從驅(qū)動(dòng)器到電力晶體管的引線就會(huì)盡可能的短，一般來說驅(qū)動(dòng)器的連線盡量不要長(zhǎng)過10厘米。同時(shí)一般要求到集電極和發(fā)射極的引線采用絞合線，還有可以在IGBT的門極和發(fā)射極之間連接一對(duì)齊納穩(wěn)壓二極管（15~18V）來保護(hù)IGBT不會(huì)被擊穿。
驅(qū)動(dòng)模塊的模式選擇端MOD外接+15V電源，輸入引腳RC1和RC2接地，為直接工作模式。邏輯控制電平采用+15V，信號(hào)輸入管腳InA、InB連接在一起接收來自單片機(jī)的脈沖信號(hào)，進(jìn)行同步控制。2SD315A的SO1和SO2兩只管腳外接三極管和光耦用來向單片機(jī)輸出兩輸出通道的工作狀態(tài)，其輸出端結(jié)構(gòu)皆為集電極開路輸出，可以通過外接上拉電阻以適用于各種電平邏輯。在管腳SO1、SO2和電源之間，以及VisoX和LSX之間加發(fā)光二極管進(jìn)行故障指示。正常情況下SO1和SO2輸出皆為高電平，上電后D3和D4先亮，延時(shí)幾秒后熄滅，同時(shí)D8和D15發(fā)亮。
當(dāng)檢測(cè)到故障信號(hào)時(shí)，SO1和SO2的輸出電平被拉低到地，即D3和D4發(fā)亮，同時(shí)D8和D15閃爍。2SD315A是通過監(jiān)測(cè)UCE（sat）來判斷回路是否短路和過流，當(dāng)檢測(cè)到一路或兩路發(fā)生過流現(xiàn)象時(shí)，檢測(cè)電路會(huì)把異常狀態(tài)回饋到驅(qū)動(dòng)模塊，驅(qū)動(dòng)模塊內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生一個(gè)故障信號(hào)并將它鎖存，鎖存時(shí)間為1s，在這段時(shí)間內(nèi)，驅(qū)動(dòng)模塊不再輸出信號(hào)，而是將兩組IGBT及時(shí)關(guān)斷予以保護(hù)。同時(shí)，狀態(tài)輸出管腳SO1和SO2的高電平被拉低，光耦TLP521導(dǎo)通，兩路狀態(tài)信號(hào)通過或門74LS32送給單片機(jī)。為防止因關(guān)斷速度太快在IGBT的集電極上產(chǎn)生很高的反電動(dòng)勢(shì)，在門極輸出端采用如圖3.11所示的電路結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)開通和關(guān)斷速度的不同。開通時(shí)門極電阻為3.4Ω，關(guān)斷時(shí)電阻為6.8Ω，二極管采用快恢復(fù)型，這樣就使關(guān)斷速度下降到安全水平。這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放
IGBT短路失效機(jī)理
IGBT負(fù)載短路下的幾種后果
?。?）超過熱極限：半導(dǎo)體的本征溫度極限為250℃，當(dāng)結(jié)溫超過本征溫度，器件將喪失阻斷能力，IGBT負(fù)載短路時(shí)，由于短路電流時(shí)結(jié)溫升高，一旦超過其熱極限時(shí)，門級(jí)保護(hù)也相應(yīng)失效。
（2）電流擎住效應(yīng)：正常工作電流下，IGBT由于薄層電阻Rs很小，沒有電流擎住現(xiàn)象，但在短路狀態(tài)下，由于短路電流很大，當(dāng)Rs上的壓降高于0.7V時(shí)，使J1正偏，產(chǎn)生電流擎住，門級(jí)便失去電壓控制。
（3）關(guān)斷過電壓：為了抑制短路電流，當(dāng)故障發(fā)生時(shí)，控制電路立即撤去正門級(jí)電壓，將IGBT關(guān)斷，短路電流相應(yīng)下降。由于短路電流大，因此，關(guān)斷中電流下降率很高，在布線電感中將感生很高的電壓，尤其是在器件內(nèi)封裝引線電感上的這種感應(yīng)電壓很難抑制，它將使器件有過電流變?yōu)殛P(guān)斷過電壓而失效
IGBT過流保護(hù)方法
?。?）減壓法：是指在故障出現(xiàn)時(shí)，降低門級(jí)電壓。由于短路電流比例于外加正門級(jí)電壓Ug1，因此在故障時(shí)，可將正門級(jí)電壓降低。
?。?）切斷脈沖方法：由于在過流時(shí)，Uce電壓升高，我們利用檢測(cè)集電極電壓的方法來判斷是否過流，如果過流，就切斷觸發(fā)脈沖。同時(shí)盡量采用軟關(guān)斷方式，緩解短路電流的下降率，避免產(chǎn)生過電壓造成對(duì)IGBT的損壞。