單相3000kVA高溫超導(dǎo)變壓器設(shè)計(jì)技術(shù)分析

　　1)磁場(chǎng)與環(huán)流

　　與常導(dǎo)變壓器比較，在超導(dǎo)變壓器設(shè)計(jì)中，漏磁場(chǎng)及環(huán)流是需要特別考慮的兩個(gè)問(wèn)題。在常導(dǎo)變壓器中，漏磁場(chǎng)達(dá)0.2～0.3T;并繞導(dǎo)線通過(guò)適當(dāng)換位，加上繞組電阻限制環(huán)流的作用，環(huán)流可控制在允許范圍內(nèi)。但在超導(dǎo)變壓器中，漏磁場(chǎng)尤其是其徑向分量，降低繞組中的臨界電流并增加交流損耗;而且超導(dǎo)材料的零電阻特性使得繞組限制環(huán)流的能力極低，繞組各支路間漏電抗微小的不平衡可能引起相當(dāng)大的環(huán)流。環(huán)流的存在一方面增加繞組的交流損耗;另一方面使得漏磁場(chǎng)分布不均勻，從而降低臨界電流。環(huán)流的較準(zhǔn)確計(jì)算建立在漏磁場(chǎng)分析的基礎(chǔ)上。因此，超導(dǎo)變壓器的電磁設(shè)計(jì)應(yīng)涉及漏磁場(chǎng)計(jì)算內(nèi)容。

　　2)短路阻抗

　　漏抗和漏磁場(chǎng)分布有關(guān)，而繞組的安匝分布決定漏磁場(chǎng)分布。為了降低漏磁場(chǎng)，超導(dǎo)變壓器的安匝分布比較稀疏，換言之，繞組的匝間、層間或餅間的氣隙相對(duì)較大，考慮到一，二次側(cè)繞組采用不同形式，高、低壓繞組磁勢(shì)沿軸向分布不均勻，由此產(chǎn)生的橫向磁場(chǎng)對(duì)漏抗的影響不能忽略。這樣，漏抗計(jì)算不能簡(jiǎn)單套用常導(dǎo)變壓器的方法。3)優(yōu)化方法

　　關(guān)于超導(dǎo)變壓器優(yōu)化設(shè)計(jì)的研究，大多數(shù)集中在減少超導(dǎo)線材用料及降低鐵心損耗方面。其中，文獻(xiàn)[6]推導(dǎo)了以繞組匝電壓為白變量，目標(biāo)函數(shù)是關(guān)于“變壓器鐵心體積及其損耗加超導(dǎo)線材長(zhǎng)度加變壓器在一定壽命期限內(nèi)的損耗”，結(jié)果表明，當(dāng)變壓器的匝電壓約取1.1V時(shí)，上述目標(biāo)函數(shù)最優(yōu)。這個(gè)匝電壓值較常導(dǎo)變壓器的10～20V低得多。文獻(xiàn)[7]以一臺(tái)50MVA超導(dǎo)變壓器為例，研究了基于匝電壓的總體積、總損耗及阻抗電壓的優(yōu)化設(shè)計(jì)，并與同容量的常導(dǎo)變壓器進(jìn)行了比較。

　　2 、3000kVA高溫超導(dǎo)變壓器電磁設(shè)計(jì)

　　1)已知參數(shù)

　　(1)容量

　　SN1/SN2/SN3=3 000/1 275×2/450kVA

　　(2)額定電壓

　　U1/U2/U3=25 000/1 500×2/400V

　　(3)額定電流

　　I1/I2/I3=120/850×2/1 125A

　　(4)相數(shù)mp=1

　　2)鐵心結(jié)構(gòu)

　　(1)形式單柱外鐵式

　　(2)材料30QG110

　　(3)心柱直徑D=270mm

　　(4)心柱有效面積

　　AZ=5 13.76cm2(Kp=0.96)

　　3)繞組

　　一次側(cè)有2個(gè)高壓繞組(并聯(lián))，二次側(cè)為2個(gè)牽引繞組、三次側(cè)為1個(gè)輔助繞組。高壓繞組、牽引繞組及輔助繞組均呈同心式排列。

　　4)線圈絕緣結(jié)構(gòu)

　　超導(dǎo)線絕緣采用浸環(huán)氧膠與固體絕緣結(jié)合。

　　5)臨界電流

　　IC=100A(77K，自場(chǎng))

　　6)高壓繞組

　　高壓繞組取(雙)餅式，分2個(gè)線圈，沿軸向排列，2個(gè)線圈并聯(lián)。每個(gè)線圈32個(gè)單餅，每個(gè)單餅用1根導(dǎo)線繞制。

　　7)牽引繞組1(或2)

　　牽引繞組1(或2)采用螺旋式，軸向分1段，徑向分2個(gè)線圈串聯(lián)。

　　8)輔助繞組

　　輔助繞組為螺旋式，軸向分2段串聯(lián)。3 磁場(chǎng)徑向和分量云圖

　　單相3000kVA高溫超導(dǎo)變壓器仿真設(shè)計(jì)并通過(guò)Ansys軟件計(jì)算得到磁場(chǎng)徑向分量云圖和軸向分量云圖分別表示在圖1和圖2中。

　　4 結(jié)束語(yǔ)