磁敏二極管?
1967～1968年，日本先后研制成硅、鍺磁敏二極管。這類新型器件的轉(zhuǎn)換靈敏度比霍耳元件高數(shù)百甚至數(shù)千倍。磁敏二極管是P+-i-n+型長二極管（i表示近本征型半導(dǎo)體）。其原理是在外加電壓的作用下，由P+、n+區(qū)向i區(qū)注入載流子（空穴與電子），此時(shí)它們?nèi)羰艿酱怪庇谳d流子運(yùn)動(dòng)方向的磁場H +的作用便向復(fù)合區(qū)偏轉(zhuǎn)。載流子在復(fù)合區(qū)的復(fù)合概率高于i區(qū),因而壽命縮短,減小有效擴(kuò)展長度,使i區(qū)壓降增加，P+-i結(jié)和i-n+結(jié)的結(jié)偏壓下降,通過i區(qū)的電流減小。在相反磁場H -的作用下，上述過程則相反。因此可用以測量磁場。磁敏二極管適用于測量弱磁場（如用于地磁測量儀），可制成借助磁場觸發(fā)的無觸點(diǎn)開關(guān)。例如利用導(dǎo)線周圍的磁場制成無接觸電流表，利用磁場變化制成調(diào)制器、自動(dòng)增益控制電路和無觸點(diǎn)電位器，以及同其他器件組合制成直流無刷電機(jī)等。它在自動(dòng)化儀表中的應(yīng)用潛力很大。