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晶體硅光電池

2009年11月09日 09:22 ttokpm.com 作者:佚名 用戶評(píng)論(0
關(guān)鍵字:太陽能(112336)
晶體硅光電
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晶體硅光電池有單晶硅與多晶硅兩大類,用P型(或n型)硅襯底,通過磷(或硼)擴(kuò)散形成Pn結(jié)成制作,生產(chǎn)技術(shù)成熟,是光伏市場(chǎng)上的主導(dǎo)產(chǎn)品。采用埋層電極、表面鈍化、強(qiáng)化陷光、密柵工藝、優(yōu)化背電極及接觸電極等技術(shù),提高材料中的載流子收集效率,優(yōu)化抗反肘膜、凹凸表面、高反射背電極等方式,光電轉(zhuǎn)換效率有較大提高。單晶硅光電池面積有限,目前比較大的為 ∮10至 20cm的圓片,年產(chǎn)能力46MW/a。
??? 目前主要課題是繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)業(yè)規(guī)模,開發(fā)帶狀硅光電池技術(shù),提高材料利用率。國際公認(rèn)最高效率在AM1.5條件下為24%,空間用高質(zhì)量的效率在AMO條件約為13.5—18%地面用大量生產(chǎn)的在AM1條件下多在11—18%之間。以定向凝固法生長的鑄造多晶硅錠代替#晶硅,可降低成本,但效率較低。優(yōu)化正背電極的銀漿和鋁漿絲網(wǎng)印刷,磨圖拋工藝,千方百計(jì)進(jìn)一步降成本,提高效率,大晶粒多晶硅光電池的轉(zhuǎn)換效率最高18.6%。??

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