片式疊層陶瓷電容器（MLCC），簡(jiǎn)稱(chēng)片式疊層電容器（或進(jìn)一步簡(jiǎn)稱(chēng)為CBB大電容貼片電容器），是由印好電極（內(nèi)電極）的陶瓷介質(zhì)膜片以錯(cuò)位的方式疊合起來(lái)，經(jīng)過(guò)一次性高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷芯片，再在芯片的兩端封上金屬層（外電極），從而形成一個(gè)類(lèi)似獨(dú)石的結(jié)構(gòu)體，故也叫獨(dú)石電容器，片式疊層陶瓷電容器是一個(gè)多層疊合的結(jié)構(gòu)，其實(shí)質(zhì)是由多個(gè)簡(jiǎn)單平行板電容器的并聯(lián)體。因此，該電容器的電容量計(jì)算公式為
C=NKA／t
式中，C為電容量；N為電極層數(shù)；K為介電常數(shù)（俗稱(chēng)K值）；A為相對(duì)電極覆蓋面積；t為電極間距（介質(zhì)厚度）。
由此式可見(jiàn)，為了實(shí)現(xiàn)片式疊層陶瓷電容器大容量和小體積的要求。只要增大N（增加層數(shù)）便可增大電容量。當(dāng)然采用高K值材料（降低穩(wěn)定性能）、增加A（增大體積）和減小t（降低電壓耐受能力）也是可以采取的辦法。
這里特別說(shuō)一說(shuō)介電常數(shù)K值，它取決于電容器中填充介質(zhì)的陶瓷材料。電容器使用的環(huán)境溫度、工作電壓和頻率、以及工作的時(shí)間（長(zhǎng)期工作的穩(wěn)定性）等對(duì)不同的介質(zhì)會(huì)有不同的影響，具體參考HTTP://WWW.HQEW.COM/TECH/DR/200010060007_142.HTML。通常介電常數(shù)（K值）越大，穩(wěn)定性、可靠性和耐用性能越差。
常用的陶瓷介質(zhì)的主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入適量的稀土類(lèi)氧化物等配制而成。其特點(diǎn)是介質(zhì)系數(shù)較大、介質(zhì)損耗低、溫度系數(shù)小、環(huán)境溫度適用范圍廣和高頻特性好，用在要求較高的場(chǎng)合（I類(lèi)瓷介電容器）中。
另一類(lèi)是低頻高介材料稱(chēng)為強(qiáng)介鐵電陶瓷，常用作Ⅱ類(lèi)瓷介電容器的介質(zhì)，一般以BaTiO3為主體的鐵電陶瓷，其特點(diǎn)是介電系數(shù)特別高，達(dá)到數(shù)千，甚至上萬(wàn)；但是介電系數(shù)隨溫度呈非線(xiàn)性變化，介電常數(shù)隨施加的外電場(chǎng)也有非線(xiàn)性關(guān)系。
目前最常用的多層陶瓷電容器介質(zhì)有三個(gè)類(lèi)型：COG或NPO是超穩(wěn)定材料，K值為10～100；X7R是較穩(wěn)定的材料，K值為2000～4000；Y5V或Z5U為一般用途的材料，K值為5000～25000。在我國(guó)的標(biāo)準(zhǔn)里則分為I類(lèi)陶瓷（CC4和CC41）及Ⅱ類(lèi)陶瓷（CT4和CT41）兩種。上述材料中，COG和NPO為超穩(wěn)定材料，在-55℃～+125℃范圍內(nèi)電容器的容量變化不超過(guò)±30ppm／℃。