我們?nèi)粘Ｋ玫?a href="http://ttokpm.com/v/tag/1221/" target="_blank">數(shù)碼設備，大多數(shù)都是使用通過AC適配器生成的直流電壓作為輸入電壓，然后通過電源IC來升降電壓。在使用耗電量較高的半導體時，會特別用到100μF以上的平滑用電容器。此外，隨著半導體的低電壓化和高速化，為了保持其工作穩(wěn)定性，就需要用到低阻抗型的平滑電容器。因此，村田制作所（以下簡稱“村田”）又進一步擴充了100μF以上的大容量多層陶瓷電容器產(chǎn)品陣容?！緢D1.100μF多層陶瓷電容器（例：3.2x2.5mm尺寸：330μF）】
電容器根據(jù)其基本結構、材料的不同，大致分為圖2中的幾種。從圖中我們可以看到多層陶瓷電容器雖然在靜電容量的溫度依賴性，施加電壓導致有效容量下降（DC偏壓特性）方面略有不足，但其小型化、高可靠性、高價格競爭力、低阻抗/低ESR*1/低ESL*2等優(yōu)勢十分顯著。因此在如今小型、大容量的電容器領域，多層陶瓷電容器已經(jīng)成為主流。但超過100μF的大容量平滑用電容器，必須具備低阻抗，這些產(chǎn)品目前的主流卻是導電性聚合物電解電容器。
*1.ESR（Equivalent Series Resistance 等效串聯(lián)電阻）：電容器阻抗的實際成分。
*2.ESL（Equivalent Series Inductor 等效串聯(lián)電感）：電容器帶有的微小電感成分，諧振頻率以上的頻率領域的阻抗由ESL支配。
圖2.多層陶瓷電容器的優(yōu)勢/劣勢（出處：村田制作所）
如今，支持多層陶瓷電容器大容量化的技術正在不斷革新，村田電子已經(jīng)能保證1μm以下介質(zhì)層的高精度疊加1000層以上的穩(wěn)定量產(chǎn)生產(chǎn)技術及薄層化技術，此外，100μF以上的多層陶瓷電容器也正在量產(chǎn)中。
圖3.100μF以上陶瓷電容器（3.2x2.5mm尺寸/330μF）的內(nèi)部結構圖
由于近幾年數(shù)碼設備使用的半導體不斷低電壓化，由DC偏壓特性引起的容量下降的情況也在不斷減少，因此數(shù)碼設備也開始使用100μF以上的多層陶瓷電容器作為平滑用電容器。
目前，2.0x1.25mm/X5R/4V/100μF、3.2x1.6mm/X5R/6.3V/100μF、3.2x1.6mm/X5R/4V/220μF這三種規(guī)格的產(chǎn)品已經(jīng)商品化。此外，多個項目的100μF以上的多層陶瓷電容器（最大容量：300μF）也已實現(xiàn)商品化。
圖4.100μF以上多層陶瓷電容器的產(chǎn)品陣容（2015年8月）
在村田最新的產(chǎn)品陣容中，既有用于一般消費類市場的X5R型（工作溫度范圍：-55～85℃）產(chǎn)品，又有面向耗電量大、設備內(nèi)部溫度高的應用的X6*型（工作溫度范圍：-55～105℃），此外更大容量產(chǎn)品的開發(fā)也在計劃中。