電容器標(biāo)準(zhǔn)從逐批檢驗(yàn)到周期試驗(yàn)所考核的性能都是四大參數(shù)， 即電容量、 損耗角正切 值（以下簡(jiǎn)稱損耗） 、絕緣電阻和耐電壓。電容器生產(chǎn)制造過程也是緊緊圍繞著保證四個(gè)參 數(shù)符合要求而進(jìn)行的。
一、薄膜電容器結(jié)構(gòu)：
1‐nut 螺母 2‐bottom cover 外封底蓋 3‐Al case 鋁殼 4‐label 標(biāo)簽 5‐element 芯子6‐conductor plate 導(dǎo)電線 7‐core 芯棒8‐insolated plastic cover 塑料襯底蓋 9‐electrode 電極10‐plastic cover 塑料蓋
金屬化薄膜電容器的制造工藝對(duì)四參數(shù)的影響。
制造過程導(dǎo)致電容量產(chǎn)生偏差的工藝因素
卷繞型電容器的電容量 C = 0.177ε s / d
ε 為介質(zhì)的介電常數(shù) s 為極板的有效面積 d 為介質(zhì)的厚度 電容量與ε 、s 成正比，與 d 成反比。
文件雖已做了精確規(guī)定，但工藝過程中這三個(gè)參 數(shù)均會(huì)發(fā)生變化，導(dǎo)致容量偏差。工藝的重點(diǎn)是減少這些偏差，提高容量命中率。
a．卷繞工序
◎ 膜層寬度、厚度或留邊等本身有誤差。
◎ 膜的張力從大圈到小圈發(fā)生的變化，各臺(tái)卷繞機(jī)張力的誤差。
◎ 壓輥壓力太小。卷繞過程跑偏，錯(cuò)邊誤差。
◎ 空氣濕度大時(shí)導(dǎo)致芯子容量偏大。
b. 熱壓工序
◎ 芯子厚度誤差受力不均勻，造成芯子松緊不一 容量分散。
◎ 熱壓板不平整。
◎ 溫度誤差。
c. 熱處理時(shí)間或溫度誤差
d. 內(nèi)含浸
◎ 真空度誤差
◎ 時(shí)間誤差
◎ 固化溫度的誤差。
薄膜電容器的工藝介紹
一、卷繞技術(shù)
在傳統(tǒng)的生產(chǎn)工藝中，金屬化塑料薄膜電容器通過將成對(duì)薄膜卷繞在塑料芯棒上然后在電容器外包上絕緣套制作而成。
二、名詞術(shù)語
1. 標(biāo)稱容量CN：通常在電容器上標(biāo)示的已指定的容量值。
2. 額定電壓UN、和紋波電壓Ur（如下圖）。
額定直流電壓 UNDC：設(shè)計(jì)電容器時(shí)所采用的非反復(fù)型波形的任一極性的可連續(xù)運(yùn)行的最高運(yùn)行峰值電壓。
3. 非周期性浪涌電壓Us：由切換或系統(tǒng)中任何其他的擾動(dòng)所導(dǎo)致的峰值電壓，此電壓只允許出現(xiàn)有限的次數(shù)并且其持續(xù)的時(shí)間要比基本周期短。
4. 絕緣電阻Rins ：絕緣電阻為電容器充電一分鐘后所加的直流電壓和流經(jīng)電容器的漏電流值之比。
5. 絕緣電壓Ui：為電容器端子對(duì)外殼或?qū)Φ亻g的絕緣而設(shè)計(jì)的正弦波電壓的方均根值。
6. 最大峰值電流I：持續(xù)運(yùn)行期間可重復(fù)出現(xiàn)的最大峰值電流。
7. 最大電流Imax：持續(xù)運(yùn)行時(shí)的最大電流的方均根值。
8. 最大浪涌電流Is：由切換或在系統(tǒng)中任何其他的擾動(dòng)所導(dǎo)致的不可重復(fù)的峰值電流，此電流只允許出現(xiàn)有限的次數(shù)并且其持續(xù)的時(shí)間要比基本周期短。
9. 串聯(lián)電阻Rs ： 在規(guī)定的運(yùn)行條件下，電容器的導(dǎo)體的有效歐姆電阻。
10. 等效串聯(lián)電阻Resr：一個(gè)有效電阻，當(dāng)它和所探討的電容器有相等電容值的理想電容器相串聯(lián)時(shí)，在規(guī)定的運(yùn)行條件下，該電阻的損耗功率將等于該電容器中耗散的有功功率。
11. 電容器損耗角正切tan δ ：在規(guī)定的正弦交流電壓、頻率和溫度下，電容器的等效串聯(lián)電阻與其容抗間之比。
12. 電容器損耗：電容器中所消耗的有功功率。
13. 最大功率損耗Pmax ：電容器在最高外殼溫度下可運(yùn)行的最大損耗功率。
14. 外殼溫升Δθcase：外殼最熱點(diǎn)的溫度與冷卻空氣溫度之差。
15. 穩(wěn)定狀態(tài)的條件：電容器在恒定的輸出和恒定的冷卻空氣溫度下所達(dá)到的熱平衡。
16. 熱點(diǎn)溫度θhs：電容器里出現(xiàn)最高溫度的區(qū)域的溫度。
17. 熱阻Rth ：熱阻用每瓦特?zé)釗p耗導(dǎo)致電容熱點(diǎn)溫度比環(huán)境溫度升高的度數(shù)來表示。