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獨(dú)石電容如何測(cè)量好壞

2018年02月12日 10:42 網(wǎng)絡(luò)整理 作者: 用戶評(píng)論(0
關(guān)鍵字:獨(dú)石電容(9575)

如何用數(shù)字萬用表檢測(cè)獨(dú)石電容的好壞

粗略判斷還是可以的,獨(dú)石電容的容量比較小,用數(shù)字萬能表的電阻檔測(cè)量為零或是阻值不大則是壞的,測(cè)量結(jié)果無窮大基本是好的。

104獨(dú)石電容怎么測(cè)量好壞

粗略測(cè)量的話,萬用表測(cè)它呈現(xiàn)開路狀態(tài)就可以視為好的。

詳細(xì)測(cè)量時(shí)請(qǐng)使用萬用表或電容表、電橋等設(shè)備測(cè)量其實(shí)際電容量是否與標(biāo)稱值相符。

通用型獨(dú)石電容器的測(cè)試方法

通用型獨(dú)石電容的測(cè)試項(xiàng)目有:容量、損耗角正切、絕緣電阻、耐電壓、可焊性、耐焊接熱、端頭強(qiáng)度和耐溶劑性。以下為大家一一講解各項(xiàng)目的技術(shù)要求和測(cè)試方法。

1、容量。

(1)技術(shù)要求:應(yīng)符合指定的誤差級(jí)別,也就是說容量變化必須在誤差范圍內(nèi);

(2)測(cè)試方法:測(cè)試頻率為1KHZ±10%;測(cè)試電壓為1.0±0.2V。

2、損耗角正切。

(1)技術(shù)要求:CR≥50pF;DF≤0.15%;CR≥50pF;DF≤1.5[(1.5/CR)+7]X10-4;

(2)測(cè)試頻率:1KHZ±10%;測(cè)試電壓為1.0±0.2V。

3、絕緣電阻。

(1)技術(shù)要求:C≤10nF;IR≥10000MΩ;C>10nF;R.C≥100ΩF

(2)測(cè)試方法:測(cè)試電壓為額定電壓;測(cè)試時(shí)間為60±5秒。

4、耐電壓。

(1)技術(shù)要求:不應(yīng)用介質(zhì)被擊穿或損傷

(2)端子間測(cè)試:測(cè)試電壓:I類300%額定電壓;II類250%額定電壓;充/放電電流不應(yīng)超過50mA,持續(xù)時(shí)間5±1秒;

(3)端子與外裝間:施加電壓2.5UR;持續(xù)時(shí)間1~5S;金屬制小球法:將電容器本體插入盛滿直徑為1mm的金屬小球的容器中,但保留距端處2mm的本體不插入,試驗(yàn)電壓施加在短路回路端子和金屬小球之間。

5、可焊性。

(1)技術(shù)要求:上錫率應(yīng)大于95%;

(2)測(cè)試方法:將電容器引線浸入含有25%松香的酒精溶液中,然后浸入溫度為230±5℃的金屬焊錫中2±0.5秒,注意:電容器本體底面距離錫面約1.5~2mm。

6、耐焊接熱。

(1)技術(shù)要求:外觀無可見損傷;

(2)測(cè)試方法:錫溫265±3℃,時(shí)間6(+1,0)s;浸入條件:將電容器插入厚度為1.6mm,孔徑為1.0mm析PC板;對(duì)于I類介質(zhì),試驗(yàn)后,應(yīng)在標(biāo)準(zhǔn)條件下恢復(fù)24±2小時(shí)后才測(cè)試;對(duì)于II類介質(zhì),在

試驗(yàn)前應(yīng)先進(jìn)行如下預(yù)處理150+010℃,1小時(shí),接著在標(biāo)準(zhǔn)條件下恢復(fù)48±4小時(shí);恢復(fù):對(duì)于II類

介質(zhì)試駔后在標(biāo)準(zhǔn)條件下恢復(fù)48±4小時(shí)后才測(cè)試。

7、端頭強(qiáng)度。

(1)技術(shù)要求:①抗拉強(qiáng)度,無引線斷裂,松動(dòng)等可見不良;②彎折強(qiáng)度,無引線斷裂,松動(dòng)等可見不良;

(2)測(cè)試方法:①對(duì)于軸向產(chǎn)呂,沿端子引出方向徐徐施加一2Kg的力,持續(xù)5S;②對(duì)于徑向產(chǎn)品,固定電容器本體,沿引線方向步施加力直至10N,然后保持10±1秒;③彎折強(qiáng)度測(cè)試為對(duì)電容器引出端施加-0.25Kg的力,使引線彎曲90試,持續(xù)5s,然后回到原始位置,接著反方面操作一次為一個(gè)循環(huán),共重復(fù)2次 。

8、耐溶劑性。

(1)技術(shù)要求:外觀無可見損傷或異常,標(biāo)記清晰;

(2)測(cè)試方法:溶劑溫度23±5℃,將樣品浸在溶劑中1分鐘,用脫脂棉在樣品有標(biāo)志部位刷10次,

重復(fù)3次。

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( 發(fā)表人:李倩 )

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