把一塊半導體硅片或鍺片，通過一定的工藝方法.一邊做成P型半導體，另一邊做成N型半導體，在兩者交界處就會形成一個薄層，這個薄層就是PN 結.如圖14-2 (a) 所示。這個PN 結有一個很特別的性能，就是有單方向導電的能力。
如果將P 型半導體部分連接至電源的正電極，N 型半導體部分連接電源的負電極，這種連接稱為正向連接，在電子技術中叫做正向偏置在正向偏置的條件下， N 區(qū)電壓較P 區(qū)為負，它將吸引P 區(qū)的多數(shù)載流子(空穴)，使之穿過PN 結流向N 區(qū); P 區(qū)電壓較N 區(qū)電壓為正，也將吸引N 區(qū)的多數(shù)載流子(電子)，使之穿過PN 區(qū)流向P 區(qū);同時P 區(qū)少數(shù)載流子(電子)和N 區(qū)少數(shù)載流子(空穴)受到排斥，不能穿過PN 結。兩個區(qū)中的多數(shù)載流子向對方區(qū)的運動就形成了正向電流I， 如圖14-2 (b) 所示。由于電流是由多數(shù)載流子形成的，所以PN 結表現(xiàn)出來的正向電阻很小。
若把半導體的P 區(qū)和N 區(qū)分別連接電源的負極和正極，這時的連接稱為反向連接，又稱為反向偏置。在反向偏置的條件下，僅有少數(shù)載流子穿過PN 結形成反向電流，如圖14-2(c)所示。由于少數(shù)載流子的數(shù)量很少.所能形成的電流很微弱，此時PN 結表現(xiàn)出來的反向電阻將很大。
綜上所述， PN 結的導電性能在正向、反向偏置下是不一樣的，具有單向導電的性能。半導體二極管的基本工作原理就是以PN 結的單向導電性為基礎的。