普通硅二極管和肖特基二極管的相同
兩種二極管都是單向?qū)щ?，可用于整流場合?/p>
普通硅二極管和肖特基二極管區(qū)別
區(qū)別是普通硅二極管的耐壓可以做得較高，但是它的恢復速度低，只能用在低頻的整流上，如果是高頻的就會因為無法快速恢復而發(fā)生反向漏電，最后導致管子嚴重發(fā)熱燒毀;肖特基二極管的耐壓能常較低，但是它的恢復速度快，可以用在高頻場合，故開關(guān)電源采用此種二極管作為整流輸出用，盡管如此，開關(guān)電源上的整流管溫度還是很高的。
除了型號，普通硅二極管和肖特基二極管在外形上一般沒什么區(qū)別，但可以測量正向壓降進行區(qū)別，直接用數(shù)字萬用表測（小電流）普通二極管在0.5V以上，肖特基二極管在0.3V以下，大電流時普通二極管在0.8V左右，肖特基二極管在0.5V以下; SR350就是表示3A50V。另肖特基二極管耐壓一般在100V以下，沒有150V以上的。
普通硅二極管
肖特基二極管
快恢復二極管和肖特基二極管區(qū)別
快恢復二極管是指反向恢復時間很短的二極管（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。前者反向恢復時間為數(shù)百納秒或更長，后者則在100納秒以下。
肖特基二極管是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎(chǔ)的二極管，簡稱肖特基二極管（Schottky Barrier Diode），具有正向壓降低（0.4--0.5V）、反向恢復時間很短（10-40納秒） ，而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V， 多用于低電壓場合。
這兩種管子通常用于開關(guān)電源。
快恢復二極管的優(yōu)點還有低功耗，大電流，超高速。電氣特性相差不大
快恢復二極管在制造工藝上采用摻金，單純的擴散等工藝，可獲得較高的開關(guān)速度同時也能得到較高的耐壓。目前快恢復二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件。
快恢復二極管