光敏電阻（photoresistor or light-dependent resistor，后者縮寫為ldr）或光導(dǎo)管（photoconductor），常用的制作材料為硫化鎘，另外還有硒、硫化鋁、硫化鉛和硫化鉍等材料。這些制作材料具有在特定波長的光照射下，其阻值迅速減小的特性。這是由于光照產(chǎn)生的載流子都參與導(dǎo)電，在外加電場的作用下作漂移運(yùn)動(dòng)，電子奔向電源的正極，空穴奔向電源的負(fù)極，從而使光敏電阻器的阻值迅速下降。
通常，光敏電阻器都制成薄片結(jié)構(gòu)，以便吸收更多的光能。當(dāng)它受到光的照射時(shí)，半導(dǎo)體片（光敏層）內(nèi)就激發(fā)出電子—空穴對，參與導(dǎo)電，使電路中電流增強(qiáng)。為了獲得高的靈敏度，光敏電阻的電極常采用梳狀圖案，它是在一定的掩膜下向光電導(dǎo)薄膜上蒸鍍金或銦等金屬形成的。一般光敏電阻器結(jié)構(gòu)如右圖所示。
光敏電阻器通常由光敏層、玻璃基片（或樹脂防潮膜）和電極等組成。光敏電阻器在電路中用字母“R”或“RL”、“RG”表示
光敏電阻常用硫化鎘（CdS）制成。它分為環(huán)氧樹脂封裝和金屬封裝兩款，同屬于導(dǎo)線型（DIP型），環(huán)氧樹脂封裝光敏電阻按陶瓷基板直徑分為?3mm、?4mm、?5mm、?7mm、?11mm、?12mm、?20mm、?25mm 。
1.光敏電阻的工作原理
在光照作用下能使物體的電導(dǎo)率改變的現(xiàn)象稱為內(nèi)光電效應(yīng)。本實(shí)驗(yàn)所用的光敏電阻就是基于內(nèi)光電效的光電元件。當(dāng)內(nèi)光電效應(yīng)發(fā)生時(shí)，固體材料吸收的能量使部分價(jià)帶電子遷移到導(dǎo)帶，同時(shí)在價(jià)帶中留下空穴。這樣由于材料中載流子個(gè)數(shù)增加，使材料的電導(dǎo)率增加。電導(dǎo)率的改變量為：
Δσ=Δp×e×μp+Δn×e×μn （1）
式中e為電荷電量；Δp為空穴濃度的改變量；Δn為電子濃度的改變量；μp為空穴的遷移率；μn為電子的遷移率。當(dāng)光敏電阻兩端加上電壓U后，光電流為
Iph=Ad×Δσ×U （2）
式中A為與電流垂直的截面積，d為電極間的距離。 用于制造光敏電阻的材料主要有金屬的硫化物、硒化物和銻化物等半導(dǎo)體材料．目前生產(chǎn)的光敏電阻主要是硫化鎘。光敏電阻具有靈敏度高、光譜特性好、使用壽命長、穩(wěn)定性能高、體積小以及制造工藝簡單等特點(diǎn)，被廣泛地用于自動(dòng)化技術(shù)中。
本實(shí)驗(yàn)光敏電阻得到的光照Φ由一對偏振片來控制。當(dāng)兩偏振片之間的夾角為α?xí)r，光照Φ為Φ=Φ0D cos2α，其中：Φ0為不加偏振片時(shí)的光照，D為當(dāng)量偏振片平行時(shí)的透明度。
2 光敏電阻的基本特性
光敏電阻的基本特性包括伏-安特性、光照特性、光電靈敏度、光譜特性、頻率特性和溫度特性等。本實(shí)驗(yàn)主要研究光敏電阻的伏-安特性和光照特性。
1. 光敏電阻的電壓U與光電流Iph的關(guān)系
表中的記錄的光電流Iph的單位是毫安（mA）
對表中數(shù)據(jù)作圖結(jié)果如下：
可以從圖表中發(fā)現(xiàn)，光敏電阻的光電流和cos2α沒有明顯的線性關(guān)系，根據(jù)偏振片的照度公式Φ=Φ0D cos2α，可知光敏電阻的光電流和光照強(qiáng)度不是線性關(guān)系，在cos2α比較小的時(shí)候；I變化較快，當(dāng)cos2α增大時(shí)，I變化趨于平穩(wěn)。因?yàn)槊恳唤M數(shù)據(jù)都是在電壓相等的情況下測量的，因此可以推斷，隨著光強(qiáng)的增大，光敏電阻的阻值會(huì)變小，而且當(dāng)光強(qiáng)較弱時(shí)，增大光強(qiáng)能夠讓光敏電阻的阻值迅速變小，而之后隨著光強(qiáng)的增大，電阻變化趨于緩慢。
分析圖像，發(fā)現(xiàn)第二部分的實(shí)驗(yàn)中每次最后一個(gè)數(shù)據(jù)總是與趨勢線有較大的偏離，猜測可能是因?yàn)閏os2α=1時(shí)，α=0，此時(shí)兩偏振鏡能透過的光線強(qiáng)度最大，導(dǎo)致光敏電阻阻值較小，由于電流表內(nèi)接的緣故影響了數(shù)據(jù)。
另一方面，通過與其他同學(xué)的實(shí)驗(yàn)報(bào)告比較后發(fā)現(xiàn)，我的第二部分實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的圖像沒有呈現(xiàn)出比較光滑的拋物線形。分析得出這是因?yàn)槲业膶?shí)驗(yàn)操作有誤造成的。在測量同一電壓下的光電流I和cos2α的關(guān)系時(shí)，中途變化了電流表的量程，不僅導(dǎo)致了實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)有效數(shù)字的差異，更導(dǎo)致電流表的內(nèi)阻發(fā)生了變化，影響了實(shí)驗(yàn)結(jié)果。