晶閘管電路
MOC3061觸發(fā)雙向晶閘管電路如圖2所示，觸發(fā)反并聯(lián)單向晶閘管電路如圖3所示。圖中R1為限流電阻，使輸入的LED電流分別為：15mA（MOC3061）、10mA（MOC3062）、5mA（MOC3063）
R1可按右式計(jì)算：R1=（VCC-VF）/IFT
式中：VF：為紅外發(fā)光二極管的正向電壓，可取1.2～1.4V；
IFT：為紅外發(fā)光二極管觸發(fā)電流，可按表2選擇，若工作溫度在25℃以下，IFT應(yīng)適當(dāng)增加。
R2：是雙向可控硅的門極電阻，當(dāng)可控硅靈敏度較高時(shí)，門極阻抗也很高，并上R2可提高抗干擾能力。
R3：是觸發(fā)功率雙向可控硅的限流電阻，其值由交流電網(wǎng)電壓峰值及觸發(fā)器輸出端允許重復(fù)沖擊電流峰值決定，可按右式選?。篟2=VP/ITSM
式中：VP為交流電路中的峰值電壓，ITSM為峰值重復(fù)浪涌電流（一般可取1A）。另外39Ω電阻和0.01μF電容組成浪涌吸收電路，防止浪涌電壓損壞雙向可控硅。建議用該電路驅(qū)動(dòng)兩個(gè)反并聯(lián)（背對(duì)背）的可控硅開(kāi)關(guān)（元件），圖中穩(wěn)壓管可選用1N4001，電阻R2和R3可選擇300Ω。
下圖是一個(gè)可簡(jiǎn)單編程的四路彩燈控制電路。電路中采用一塊時(shí)基電路產(chǎn)生一脈沖，74LS194產(chǎn)生移位循環(huán)，對(duì)它的簡(jiǎn)單編程是通過(guò)控制P0、P1、P2、P3的電平高低來(lái)實(shí)現(xiàn)的。采用MOC3061觸發(fā)晶閘管，使強(qiáng)電弱電之間在電氣上完全隔離，且可以直接可靠地觸發(fā)50A或更大的功率的晶閘管。
一個(gè)采用MOC3061過(guò)零觸發(fā)晶閘管構(gòu)成的爐溫控制系統(tǒng)。一般調(diào)節(jié)爐溫的方法都采用移相觸發(fā)晶閘管，控制晶閘管的導(dǎo)通角來(lái)控制輸出功率。觸發(fā)電路要求一定幅值且相位能改變的脈沖，而且還需要解決與主回路電壓同步的問(wèn)題，使電路較復(fù)雜；采用移相觸發(fā)晶閘管調(diào)壓裝置，在晶閘管導(dǎo)通瞬間會(huì)產(chǎn)生高次諧波干擾，造成電網(wǎng)電壓波形畸變，影響其他用電設(shè)備和通訊系統(tǒng)的正常工作。
本例中的電路采用過(guò)零觸發(fā)晶閘管導(dǎo)通與關(guān)斷的時(shí)間比值來(lái)調(diào)節(jié)送給電爐的功率。該電路由鋸齒波發(fā)生器，電壓控制占空比調(diào)節(jié)電路和光電隔離過(guò)零觸發(fā)電路組成。
圖中恒流充電電容器C4及單結(jié)晶體管VT11組成鋸齒波發(fā)生器，以單運(yùn)放IC4作比較器，將來(lái)自手動(dòng)設(shè)定器或控溫儀表的0-8V（可由0-10mA轉(zhuǎn)換而來(lái)）控制信號(hào)與鋸齒波電壓比較。在西那電壓高于鋸齒波電壓時(shí)，IC4輸出為低電平，驅(qū)動(dòng)MOC3061（三相觸發(fā)時(shí)為3個(gè)輸入端串聯(lián)）的輸入LED工作。
三相電壓按A、B、C相序，則線UAB、UBC、UCA、每隔60°順序過(guò)零。當(dāng)LED電流作用時(shí)，在三相中線電壓先過(guò)零的任意兩相將同時(shí)觸發(fā)導(dǎo)通（如UAB先過(guò)零，則A、B相先觸發(fā)導(dǎo)通）。第三相（C相）將在與其相序最近的A相電壓等于其相電壓（UCA=0）時(shí)導(dǎo)通。這就保證了無(wú)論負(fù)載是星形接法還是三角形接法，都是零電流出發(fā)導(dǎo)通。當(dāng)LED電流為零時(shí)，三相中的任意之間的電流降到保持電流以下時(shí)，這兩相將截止，剩下的一相也將在同一時(shí)刻截止。