為小功率 IGBT 和 MOSFET 提供直接驅(qū)動(dòng)，而且最高工作溫度可達(dá)到125℃。
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近幾年，隨著工業(yè)用品和消費(fèi)品中印刷電路板的組裝密度的增加，出現(xiàn)將機(jī)載半導(dǎo)體元件加熱到高溫的趨勢(shì)。對(duì)于這種半導(dǎo)體元件而言，意味著對(duì)于在工作溫度範(fàn)圍內(nèi)保證性能和高環(huán)境溫度下可靠性要求的提高。為應(yīng)對(duì)這種要求，東芝開發(fā)出兩種光電耦合器，TLP351H 和 TLP701H。除能夠直接驅(qū)動(dòng)類似的小功率 IGBT 和 MOSFET 外，這些新開發(fā)的光電耦合器保證它們當(dāng)前產(chǎn)品 TLP351 和 TLP701 的最大工作溫度為從 100℃ 至 125℃。
TLP351H (DIP8封裝)
封裝在 DIP8 封裝中的 TLP351H 光電耦合器可直接驅(qū)動(dòng)小功率 IGBT 和 MOSFET 的柵極。由于採(cǎi)用新開發(fā)的 LED，TLP351H 保證工作溫度範(fàn)圍為 -40℃ 至 125℃。與其當(dāng)前產(chǎn)品 TLP351 類似，TLP351H 使用 BiCMOS 工藝製造，因此需要不超過(guò) 2 mA 的電源電流，并具有在該行業(yè)中功率消耗最低的特點(diǎn)(注 1)。TLP351H 適用于始終在高溫條件下運(yùn)行的家用器具和工業(yè)用途。
TLP701H (SDIP6 封裝)
封裝在 SDIP6 封裝中的 TLP701H 光電耦合器可直接驅(qū)動(dòng)小功率 IGBT 和 MOSFET 的柵極。TLP701H 佔(zhàn)用 DIP8 封裝大約一半的封裝尺寸，并符合國(guó)際安全標(biāo)準(zhǔn)的強(qiáng)制絕緣要求(待 VDE 認(rèn)證)。由于採(cǎi)用與 TLP351H 相同的 LED，TLP701H 同樣保證工作溫度範(fàn)圍為 -40℃ 至 125℃。
注 1：根據(jù)東芝公司于 2010 年 5 月執(zhí)行的 IGBT/功率-MOSFET 門驅(qū)動(dòng)器光電耦合器調(diào)查。
管腳配置
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封裝尺寸
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注 2：長(zhǎng)爬電距離和表面安裝選項(xiàng)可用于引線成形。關(guān)于細(xì)節(jié)，參見其相應(yīng)的技術(shù)資料表。
注 3：長(zhǎng)爬電距離選項(xiàng)可用于引線成形。關(guān)于細(xì)節(jié)，參見其相應(yīng)的技術(shù)資料表。
與現(xiàn)有產(chǎn)品的比較
