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TLP352是可直接驅(qū)動中等容量IGBT或者功率MOSFET的DIP8封裝的IC耦合器。該產(chǎn)品的最大延遲時間為200 ns，光電耦合器之間的傳輸延遲時間差(PDD*) 為90 ns(上述延遲時間均為工作溫度範(fàn)圍內(nèi)的保證值), 能夠減少停滯時間，提高變頻電路的效率。該產(chǎn)品採用的是使用壽命非常長的新型LED，因此其工作溫度範(fàn)圍較大，在-40°C到125°C之間。該產(chǎn)品適用于許多設(shè)備，包括極端熱環(huán)境下使用的工業(yè)設(shè)備、家用光電動力系統(tǒng)、數(shù)位家用電器、測量裝置和控制裝置。
*: PDD是傳輸延遲時間差的縮寫。
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特徵
傳輸延遲時間: tpLH,tpHL=200ns (最大)
耦合器之間的傳輸延遲時間差(PDD) = ±90ns (最大)
工作溫度範(fàn)圍大: Topr = ?40°C到125°C
峰值輸出電流: IOP = ±2.5A (最大)
低輸入電流: IFHL = 5mA (最大)
耐壓: BVs = 3750Vrms (最小)
應(yīng)用
交流伺服放大器
功率調(diào)節(jié)器
通用變頻器
IH(感應(yīng)加熱)
輪廓圖
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*: 提供可選表貼式引腳類型。
電路實例
