據(jù)報(bào)道，北方華創(chuàng)微電子研發(fā)的首臺(tái)12英寸原子層沉積ALD設(shè)備成功進(jìn)駐了上海集成電路研發(fā)中心有限公司。以參與公開競(jìng)標(biāo)方式為集成電路芯片生產(chǎn)線再添助力。
近日，由北方華創(chuàng)下屬子公司北方華創(chuàng)微電子自主研發(fā)的國(guó)內(nèi)首臺(tái)12英寸原子層沉積（AtomicLayerDeposition，ALD）設(shè)備進(jìn)駐上海集成電路研發(fā)中心。北方華創(chuàng)微電子為國(guó)產(chǎn)高端裝備在先進(jìn)集成電路芯片生產(chǎn)線的應(yīng)用再添新秀。
ALD設(shè)備是先進(jìn)集成電路制造工藝中必不可少的薄膜沉積設(shè)備，ALD工藝具有工藝溫度低、薄膜厚度控制精確及臺(tái)階覆蓋率高等優(yōu)點(diǎn)。在集成電路特征線寬發(fā)展到28納米節(jié)點(diǎn)后，ALD工藝應(yīng)用日益廣泛。北方華創(chuàng)微電子自2014年開始布局ALD設(shè)備的開發(fā)計(jì)劃，歷時(shí)四年，成功推出中國(guó)首臺(tái)應(yīng)用于集成電路領(lǐng)域的量產(chǎn)型單片ALD設(shè)備——PolarisA630，應(yīng)用于沉積集成電路器件中的高介電常數(shù)和金屬柵極薄膜材料，設(shè)備的核心技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。
此次，北方華創(chuàng)微電子PolarisA630 ALD設(shè)備以參與公開競(jìng)標(biāo)方式，成功進(jìn)駐上海集成電路研發(fā)中心有限公司，同時(shí)中標(biāo)的產(chǎn)品還有北方華創(chuàng)微電子集成電路AlPad工藝的eVictorA1030物理氣相沉積系統(tǒng)。至此，北方華創(chuàng)微電子已有硅刻蝕機(jī)、單片退火設(shè)備、HardmaskPVD、AlPadPVD、單片清洗機(jī)、立式爐、ALD等集成電路設(shè)備應(yīng)用于28-14納米工藝制程，擴(kuò)展了國(guó)產(chǎn)高端裝備在集成電路先進(jìn)制程的配套應(yīng)用范圍。