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關(guān)于晶振電路的測(cè)量方案

2022年09月07日 09:06 硬件工程師煉成之路 作者:硬件工程師煉成之 用戶評(píng)論(0

如果看過(guò)前幾節(jié)內(nèi)容的話,應(yīng)該就對(duì)晶振比較了解了,但是還有一個(gè)問(wèn)題,那就是測(cè)試。電路設(shè)計(jì)好之后,如何測(cè)試晶振電路是否滿足設(shè)計(jì)要求呢?

關(guān)于晶振的測(cè)試,我在村田官網(wǎng)上面看到一個(gè)比較好的視頻,有5節(jié)內(nèi)容,網(wǎng)址是這個(gè):

https://www.murata.com/zh-cn/products/timingdevice/crystalu/overview/basic

5節(jié)內(nèi)容簡(jiǎn)介如下:

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視頻不長(zhǎng),每節(jié)大概3-4分鐘,不過(guò)該說(shuō)的也都說(shuō)了,還有實(shí)操部分。

按道理說(shuō)我告訴兄弟們有這個(gè)視頻就可以了,可以自己去看,不過(guò)我還是把視頻的觀點(diǎn)作為筆記寫(xiě)下來(lái)了。因?yàn)槲乙残枰獙W(xué)習(xí),相當(dāng)于再鞏固一遍,加深理解吧。另外一方面,我個(gè)人不是喜歡視頻,因?yàn)橐曨l不好不斷暫停,而通常一些觀點(diǎn)需要停下來(lái)思索一下,結(jié)合自己已經(jīng)知道的知識(shí),兩者相互印證。如果不暫停,就像沒(méi)經(jīng)過(guò)大腦,看完就完了,難以真正變成自己的知識(shí)。

下面就來(lái)看看我的文字筆記吧。

第1節(jié)、電路元件的作用

首先,我們需要評(píng)估一個(gè)晶振電路到底OK不OK,因?yàn)槿绻O(shè)計(jì)不合理,就會(huì)造成電路工作異常。

異?,F(xiàn)象一般有下面兩種:

1、晶振電路停振

2、頻率偏差過(guò)大

電路元件功能再次介紹:

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為了選擇最佳的電路參數(shù),需要對(duì)下面三項(xiàng)內(nèi)容進(jìn)行測(cè)量評(píng)估:

1、振蕩余量

2、激勵(lì)功率

3、振蕩頻率相對(duì)偏差

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第2節(jié)、振蕩余量的測(cè)量

什么是振蕩余量?

振蕩余量是一個(gè)倍數(shù),它等于晶體諧振器的負(fù)阻除以晶體諧振器的等效串聯(lián)電阻。理論上,振蕩余量有1倍以上就可以起振,但是當(dāng)振蕩余量接近1倍時(shí),偶爾可能發(fā)生不振蕩的情況。

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為了穩(wěn)定起振,一般要求振蕩余量大于5倍。

負(fù)阻可以看成是放大器放大信號(hào)的放大能力,負(fù)阻的大小需要在實(shí)際電路中測(cè)量得到。負(fù)性阻抗不是晶振的內(nèi)置參數(shù),而是振蕩電路的一項(xiàng)重要參數(shù)。

而等效串聯(lián)電阻ESRspec會(huì)消耗能量,可以理解為阻礙信號(hào)放大的阻力。ESRspc一般在晶振規(guī)格書(shū)手冊(cè)中有標(biāo)注大小。

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測(cè)量負(fù)阻方法:

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1、將電阻Rs串聯(lián)到晶體諧振器上面,逐步增大這個(gè)電阻,直到晶振還可以振蕩的極限為止,此時(shí)的阻值大小為Rsmax。

2、根據(jù)晶振手冊(cè)中的參數(shù)計(jì)算Re,Re≈ESR*(1+C0/Cs)^2。其中ESR為諧振器的等效串聯(lián)電阻,C0為晶體諧振器的shunt capacitance,Cs為晶振的負(fù)載電容,這三個(gè)參數(shù)一般都在晶體諧振器規(guī)格書(shū)手冊(cè)中有標(biāo)注。

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振蕩余量計(jì)算舉例

原視頻舉了一個(gè)例子,過(guò)程如下圖:

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但是吧,我發(fā)現(xiàn)有個(gè)bug,實(shí)例里面Re=50Ω,ESR=100Ω,可以得到:ESR>Re。而從前面的計(jì)算公式Re≈ESR*(1+C0/Cs)^2,那么肯定有ESR

那么哪里出錯(cuò)了呢?我覺(jué)得公式是沒(méi)錯(cuò)的,所以應(yīng)該是舉的實(shí)例算錯(cuò)了,兄弟們?cè)趺纯茨?

第3節(jié)、激勵(lì)功率的測(cè)量

激勵(lì)功率指的是晶體諧振器的功耗。

晶振廠家一般都會(huì)在手冊(cè)中標(biāo)注這個(gè)參數(shù)DL,如果實(shí)際電路中,晶振的實(shí)際功耗大于手冊(cè)中標(biāo)準(zhǔn)的DL,那么就過(guò)驅(qū)動(dòng)了,存在風(fēng)險(xiǎn),可能會(huì)引起頻率和等效串聯(lián)電阻的意外變化。

測(cè)量方法

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使用電流探頭,并使用示波器或頻譜分析儀等儀器,測(cè)量數(shù)據(jù)來(lái)計(jì)算上圖中a點(diǎn)的電流值。

下面圖片是村田使用頻譜儀測(cè)量的過(guò)程:

1、接入電流探頭

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2、讀取頻譜儀中的功耗,然后計(jì)算電流值

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3、計(jì)算

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問(wèn)題來(lái)了,里面那個(gè)0.2236是個(gè)什么鬼?我也沒(méi)搞懂。。。

第4節(jié)、振蕩頻率的測(cè)量方法

振蕩頻率是指晶振在電路中實(shí)際工作的頻率,決定振蕩頻率的主要因素是晶振的特性,但是,實(shí)際的振蕩頻率也受下面因素的影響:

1、芯片的特性

2、外部匹配電容的容量

3、PCB的雜散電容

面臨的一個(gè)比較大的問(wèn)題就是:如果用探頭直接接觸振蕩電路進(jìn)行測(cè)量,是無(wú)法精確測(cè)量頻率的,因?yàn)闀?huì)引入電容,所以,一定要通過(guò)非接觸式的方式來(lái)進(jìn)行測(cè)量。

測(cè)量?jī)x器:

1、頻譜分析儀

2、頻率計(jì)數(shù)器

用頻譜分析儀時(shí),使用非接觸式的天線來(lái)接收信號(hào),讀取頻譜分析儀顯示的峰值處的頻率。

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使用頻率計(jì)數(shù)器時(shí),也需要用非接觸模式來(lái)測(cè)量,但是通常需要增幅信號(hào)到計(jì)數(shù)器能讀取的水平,所以需要預(yù)備放大電路。

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振蕩頻率相對(duì)偏差

實(shí)際的振蕩頻率受下面因素的影響:

1、芯片的特性

2、外部電容的容量

3、PCB的雜散電容

所以實(shí)際在PCB上測(cè)量頻率的時(shí)候,即使使用同一個(gè)晶振,也可能跟晶振廠家的PCB上測(cè)量的頻率不一樣,這個(gè)偏差就是振蕩頻率相對(duì)偏差(并非相對(duì)晶振標(biāo)稱值頻率的頻偏)。

如果在頻率偏差較大的狀態(tài)下使用,有可能使得實(shí)際的振蕩頻率超出可以容納的范圍,進(jìn)而導(dǎo)致產(chǎn)品工作有問(wèn)題。

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如果需要較高的頻率精度,就需要格外注意頻率偏差!必須把這個(gè)相對(duì)偏差加上諧振器的規(guī)格偏差(手冊(cè)中的頻偏),來(lái)判斷是否能把頻率調(diào)整在希望的范圍內(nèi)。

如下圖:相對(duì)偏差為+5ppm,晶振規(guī)格偏差為±20ppm,所以,最終實(shí)際的頻偏應(yīng)該是:-15ppm~+25ppm。

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實(shí)際工作中,可以跟廠家要帶頻率數(shù)據(jù)的樣品,然后將樣品裝在自己的PCB板上實(shí)測(cè),測(cè)得的頻率與廠家給的頻率之間的偏差就是相對(duì)偏差。

第5節(jié)、振蕩電路與電路測(cè)試的關(guān)系

前面介紹了3個(gè)測(cè)試,分別是振蕩余量、激勵(lì)功率、振蕩頻率相對(duì)偏差。既然是測(cè)試,那么就有可能不合格,那么不合格怎么辦呢?

自然是要調(diào)整電路,能調(diào)整的器件不多,主要是2個(gè):

1、阻尼電阻Rd(串聯(lián)電阻)

2、負(fù)載電容C1/C2(匹配電容)

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那調(diào)整的目標(biāo)是什么呢?

目標(biāo):振蕩余量較大好,一般大于5倍;激勵(lì)功率較低好;振蕩頻率偏差小好;

問(wèn)題是這幾個(gè)參數(shù)之間是矛盾的,因此需要進(jìn)行平衡。

變動(dòng)負(fù)載電容(匹配電容)時(shí)

如果減小負(fù)載電容,那么振蕩頻率會(huì)上升;反之如果增大負(fù)載電容,那么振蕩頻率會(huì)下降。

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但是,另一方面,增大了負(fù)載電容,會(huì)導(dǎo)致激勵(lì)功率增加,同時(shí)振蕩余量減小,這都是不好的影響。

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如果為了降低激勵(lì)功率,減小振蕩余量去調(diào)小電容,首先會(huì)造成頻率升高。其次,如果電容太小,那么電容值本身的偏差,PCB板雜散電容的影響就會(huì)增大,造成振蕩頻率變化大。

變動(dòng)阻尼電阻Rd(串聯(lián)電阻)

首先,增大電阻,可以降低激勵(lì)功率,但是會(huì)引起振蕩余量降低,這兩個(gè)影響一好一壞,需要平衡。

另外,從下圖可以看出, Rd的變化對(duì)振蕩頻率的影響很小,從330Ω到470Ω,頻率變化0.8ppm。

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電路調(diào)整測(cè)量

結(jié)合前面的分析,電阻對(duì)振蕩頻率影響較小,振蕩頻率主要由匹配電容決定,而同時(shí)匹配電容又跟振蕩余量和激勵(lì)功率相關(guān)。

因此策略如下:

1、首先通過(guò)調(diào)整負(fù)載電容C1/C2(匹配電容)來(lái)調(diào)整振蕩頻率到合適值

2、再通過(guò)調(diào)整Rd來(lái)將振蕩余量和激勵(lì)功率調(diào)到合適的值。

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小結(jié)

以上就是視頻的主要內(nèi)容,這樣寫(xiě)下來(lái),自我感覺(jué)確實(shí)比看一遍視頻了解更多。

另外,關(guān)于晶振電路的測(cè)量,我個(gè)人其實(shí)并沒(méi)有太多的經(jīng)驗(yàn),以前實(shí)際測(cè)試也只是拿示波器直接接觸量的,并非像視頻說(shuō)的那樣使用頻譜儀來(lái)測(cè)量。不過(guò)從道理上來(lái)說(shuō),使用頻譜儀測(cè)量確實(shí)應(yīng)該更接近真實(shí)的情況。如果我們遇到晶振偶爾壞掉的問(wèn)題,個(gè)人覺(jué)得上面這一套測(cè)試方法還是比較科學(xué)的分析手段。

晶振電路,兄弟們都是怎么測(cè)試的呢?測(cè)試了哪些內(nèi)容呢?

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  審核編輯:湯梓紅
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