反激式電源的開關過程分析
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關于這個論題很多人已經給出了它們的分析，不過呢寥寥幾句有時候帶給人更多的是疑惑和迷茫。參考了一些論文和分析，把我個人對這個問題的分析表述出來，可能和設計的分析會有一些誤差，不過提出一個大家看得懂的問題總是比努力去看懂一些生澀的文字要好些（這里說明一點，做的分析和示意可能并不是對的）。
我們分析的主要問題還是在Q1管子在關斷過程中的響應，至于設計電路減小這個響應的影響，方法有很多，個人以為就取值和影響合在一起做一個小專題。
在關斷過程中，如果不考慮加入抑制暫態(tài)過程的電路，我們看到的波形將不會是理想的，如下圖所示：
把上回寫的功率變壓器模型 改進模型2帶入其中分析：
Mos管關斷前的穩(wěn)態(tài)分析：
勵磁電感和漏電感中均儲存能量，同時由于二極管的結電容存在，次級電容上都存在一定的電壓，次級漏感中無電流。
然后我們把Mos管關掉，看下圖:
我們來吧上面的過程整理一下：
1.MOS管關斷后,初級電流（勵磁電感和初級漏電感和電源的綜合作用）給MOS輸出電容充電，初級電容，初次級之間電容，次級電容，次級二極管電容，負載電容則開始放電（你可以這樣理解，因為壓差小了，電容放電，也可以理解為反向充電），Mos管DS端電壓是上升的（這里可以認為是上面所涉及的分布參數之間的諧振，這個電路的Q之很小的），此時的電壓可以認為是線性上升的。
注意此時的次級的二極管是沒有導通的，因為DS端電壓比較小。
2.當DS端電壓上升，次級的電壓達到輸出電壓（這是客觀存在的，因為我們要保證輸出電壓的穩(wěn)定）+整流管的電壓后,如果沒有次級漏感，次級回路就導通了，因此DS端電壓會繼續(xù)上升，當克服了次級漏感的影響后，次級電流開始上升，在這個時候勵磁電感的能量由于有更小的阻抗通路，從初級來看，初級電流會減小。
3.這個時候起決定性作用的就變成了初級漏感，它不能耦合到次級上沒有小的阻抗通路，因此初級漏電感就和Mos管輸出電容之間和初級電容之間諧振，電壓形成幾個震蕩（如果沒有吸收和clamped電路這個過程會持續(xù)很久）。
初級漏感電流是初級電流的一部分，因此伴隨著初級漏感電流的下降的是次級電流的上升，如果沒有clamped電路，電流的下降會非?？?，如果加入clamped電路等于把這個過程拉長，電壓應力也就減小了。
看來篇幅比較大，我打算把計算和仿真的驗證放在另一博文內吧，今天周日還是好好休息半天，晚上還要看球，媳婦還有個博弈計算的政治任務，數數還真不少事情。
我們分析的主要問題還是在Q1管子在關斷過程中的響應，至于設計電路減小這個響應的影響，方法有很多，個人以為就取值和影響合在一起做一個小專題。
在關斷過程中，如果不考慮加入抑制暫態(tài)過程的電路，我們看到的波形將不會是理想的，如下圖所示：
把上回寫的功率變壓器模型 改進模型2帶入其中分析：
Mos管關斷前的穩(wěn)態(tài)分析：
勵磁電感和漏電感中均儲存能量，同時由于二極管的結電容存在，次級電容上都存在一定的電壓，次級漏感中無電流。
然后我們把Mos管關掉，看下圖:
我們來吧上面的過程整理一下：
1.MOS管關斷后,初級電流（勵磁電感和初級漏電感和電源的綜合作用）給MOS輸出電容充電，初級電容，初次級之間電容，次級電容，次級二極管電容，負載電容則開始放電（你可以這樣理解，因為壓差小了，電容放電，也可以理解為反向充電），Mos管DS端電壓是上升的（這里可以認為是上面所涉及的分布參數之間的諧振，這個電路的Q之很小的），此時的電壓可以認為是線性上升的。
注意此時的次級的二極管是沒有導通的，因為DS端電壓比較小。
2.當DS端電壓上升，次級的電壓達到輸出電壓（這是客觀存在的，因為我們要保證輸出電壓的穩(wěn)定）+整流管的電壓后,如果沒有次級漏感，次級回路就導通了，因此DS端電壓會繼續(xù)上升，當克服了次級漏感的影響后，次級電流開始上升，在這個時候勵磁電感的能量由于有更小的阻抗通路，從初級來看，初級電流會減小。
3.這個時候起決定性作用的就變成了初級漏感，它不能耦合到次級上沒有小的阻抗通路，因此初級漏電感就和Mos管輸出電容之間和初級電容之間諧振，電壓形成幾個震蕩（如果沒有吸收和clamped電路這個過程會持續(xù)很久）。
初級漏感電流是初級電流的一部分，因此伴隨著初級漏感電流的下降的是次級電流的上升，如果沒有clamped電路，電流的下降會非?？?，如果加入clamped電路等于把這個過程拉長，電壓應力也就減小了。
看來篇幅比較大，我打算把計算和仿真的驗證放在另一博文內吧，今天周日還是好好休息半天，晚上還要看球，媳婦還有個博弈計算的政治任務，數數還真不少事情。