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高壓LED基本結構分析

2011年10月17日 15:22 本站整理 作者:秩名 用戶評論(0
關鍵字:led(642741)

 ??? 對于高功率LED的設計,目前各大廠多以大尺寸單顆低壓DC LED為主,做法有二,一為傳統(tǒng)水平結構,另一則為垂直導電結構。就第一種做法而言,其製程和一般小尺寸晶粒幾乎相同,換句話說,兩者的剖面結構是一樣的,但有別于小尺寸晶粒,高功率LED常常需要操作在大電流之下,一點點不平衡的P、N電極設計,都會導致嚴重的電流叢聚效應(Current crowding),其結果除了使得LED晶片達不到設計所需的亮度外,也會損害晶片的可靠度(Reliability)。

  當然,對上游晶片製造者/晶片廠而言,此作法製程相容性(Compatibility)高,無需再添購新式或特殊機臺,另一方面,對于下游系統(tǒng)廠而言,週邊的搭配,如電源方面的設計等等,差異并不大。但如前所述,在大尺寸LED上要將電流均勻擴散并不是件容易的事,尺寸愈大愈困難;同時,由于幾何效應的關係,大尺寸LED的光萃取效率往往較小尺寸的低。

  

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  圖:低壓二極體、交流二極體及高壓二極體驅動方式的差異。

  第2種做法較第1種復雜許多,由于目前商品化的藍光LED幾乎都是成長于藍寶石基板之上,要改為垂直導電結構,必須先和導電性基板做接合之后,再將不導電的藍寶石基板予以移除,之后再完成后續(xù)製程;就電流分布而言,由于在垂直結構中,較不需要考慮橫向傳導,因此電流均勻度較傳統(tǒng)水準結構為佳;除此之外,就基本的物理塬理而言,導電性良好的物質也具有高導熱的特質,藉由置換基板,我們同時也改善了散熱,降低了接面溫度,如此一來便間接提高了發(fā)光效率。但此種做法最大的缺點在于,由于製程復雜度提高,導致良率較傳統(tǒng)水平結構低,製作成本高出不少。

  高壓發(fā)光二極體(HV LED)基本結構及關鍵技術

  晶元光電于全球率先提出了高壓發(fā)光二極體(HV LED)作為高功率LED的解決方案;其基本架構和AC LED相同,乃是將晶片面積分割成多個cell之后串聯而成。其特色在于,晶片能夠依照不同輸入之電壓的需求而決定其cell數量與大小等,等同于做到客製化的服務。由于可以針對每顆cell加以優(yōu)化,因此能夠得到較佳的電流分布,進而提高發(fā)光效率。

  高壓發(fā)光二極體和一般低壓二極體在技術上最主要的差異有叁,第一為溝槽(Trench)。溝槽的目的在于將復數顆的晶胞獨立開來,因此其溝槽下方需要達到絕緣的基板,其深度依不同的外延結構而異,一般約在4~8um,溝槽寬度方面則無一定的限制,但是溝槽太寬代表著有效發(fā)光區(qū)域的減少,將影響HV LED的發(fā)光效率表現,因此需要開發(fā)高深寬比的製程技術,縮小製程線寬以增加發(fā)光效率。

  第二為絕緣層(Isolation),若絕緣層不具備良好的絕緣特性,將使整個設計失敗,其困難點在于必須在高深寬比的溝槽上披覆包覆性良好、膜質緊密及絕緣性佳的膜層,這也是單晶AC LED製程上的關鍵。

  第三個是晶片間的互連導線(Interconnect)。一般而言,要做到良好的連結,導線在跨接時需要一個相對平坦的表面,一個深邃的階梯狀結構將使得導線結構薄弱,在高電壓、高電流驅動下易產生毀損,造成晶片的失效,因此平坦化製程的開發(fā)就變得重要。理想的狀態(tài)是在做絕緣層時,能一併將深邃的溝槽予以平坦化,使互連導線得以平順連接。

  此外,高壓發(fā)光二極體在應用上和一般低壓二極體最主要的不同點為,它不僅僅能夠應用于定直流(Constant DC)中,只要外接橋式整流器,它也能夠應用于交流環(huán)境,非常具有彈性。在高壓發(fā)光二極體中,外部整流器捨棄AC LED採用同質氮化鎵的做法而改採用硅整流器,不僅使得耗能少,更可防止逆向偏壓過大對晶片所造成的影響;最后,因為高壓發(fā)光二極體較AC LED少了內部橋整的發(fā)光區(qū),使發(fā)光效率相對較高,耐用度也較佳。

  作為大尺寸、高功率LED的解決方案

  高壓發(fā)光二極體的效率優(yōu)于一般傳統(tǒng)低壓發(fā)光二極體,主要可歸因為小電流、多cell的設計能均勻地將電流擴散開來,進而提升光萃取效率。在一些應用當中,除了需要考慮晶片本身效率外,最終產品的售價也是一項重要指標;例如在當前照明領域中,LED燈源仍不被視為主流性產品,關鍵點在于其售價仍舊偏高。LED燈源價格高昂的塬因,除了晶片本身的價格之外,尚需要考慮整體的物料清單(Bill of material;BOM),例如由于發(fā)光二極體本質上為一具有極性的元件,必須供給一順向偏壓才得以點亮,因此一般LED照明光源內都必須附加交流轉直流(AC/DC)的電源轉換系統(tǒng),這是必須付出的成本。

  又因LED本身體積小,熱源容易集中,而造成所謂熱點(Hot spot)現象,使得發(fā)光元件本身壽命變短。為了解決熱點的問題,LED燈源上的散熱設計也不可缺少,目前散熱設計方面以金屬散熱片最為常見,但金屬散熱片除了增加燈源的重量,也增加燈源的成本。由于高壓發(fā)光二極體本身效率高,會減少廢熱及對散熱的需求,進而削減成本;從電源轉換的角度而言,高電壓小瓦數的電源轉換器如返馳拓僕式電路,除了體積小外,因為採用的元件少,成本也較低。因此,高壓發(fā)光二極體的優(yōu)點不僅在于晶片本身,它能直接或間接進一步提升整體模組的效率。

  總括而言,在應用及設計上,單晶片的高壓發(fā)光二極體有下列好處:

  1、節(jié)省變壓器能量轉換的損耗及降低成本。

  2、除了高電壓直流的應用外,利用外部橋式整流電路也可設計于交流下操作。

  3、體積小不佔空間,對封裝及光學設計都具有極佳的運用彈性。

  4、除了紅色螢光粉外,也可以運用藍、紅HV LED搭配適當的黃、綠色螢光粉製成更高效率的高CRI暖白LED。

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( 發(fā)表人:小蘭 )

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