為了使LED通向照明，各大廠急需解決的問題是降低成本，增加光通量。其中有效的方式是在不增加成本的情況下，如何注入大電流。本封裝適合于垂直結(jié)構(gòu)LED，工藝上取消原來的LED芯片N--面ITO電極，取代的是涂布型透明電極工藝結(jié)合PET薄膜形成無金線的封裝模式。
具體步驟如圖B，LED垂直結(jié)構(gòu)芯片(2)P--面焊接與基板(1)正電極，導(dǎo)電基材Cu(3)焊接與基板(1)負(fù)電極，LED芯片與基材Cu的高度基本一致，涂布型透明導(dǎo)電材料(4)涂布于PET薄膜(5)，涂布型透明導(dǎo)電材料(4)連接LED芯片(2)N--面與導(dǎo)電基材Cu(3) 頂部。形成三維薄膜封裝。
LED芯片結(jié)構(gòu)優(yōu)化如圖A，芯片N--面無需制作電極，無需電流擴(kuò)散，無需焊盤。取代原有ITO電極將是涂布型透明電極。
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三維封裝優(yōu)勢;1)芯片N--面的電流注入與P--面基本相似，形成等電位電流?？梢宰⑷氪箅娏?。2)電極形式優(yōu)于梳狀電極可以加大芯片尺寸，提高光效。3)增加光通量，降低成本。4)薄膜封裝實(shí)現(xiàn)輕薄化。5)無金線封裝增加器件穩(wěn)定性。6)便于模塊化生產(chǎn)。
芯片層面;1)取消電極刪，減少遮光。2)無電極制作，減化工藝。
注;涂布型透明電極是替代ITO的一種趨勢。現(xiàn)有涂布型材料透光率80%以上;包括1)涂布型ITO導(dǎo)電顆粒，2)高分子導(dǎo)電材料，3)納米銀導(dǎo)電顆粒，4)Ag絲墨。其中電阻最低的是Ag絲。方阻0.1-----0.2歐姆。優(yōu)于ITO方阻7----8歐姆。