基礎(chǔ)知識中 MOS 部分遲遲未整理，實(shí)際分享的電路中大部分常用電路都用到了MOS管，今天勢必要來一篇文章，徹底掌握mos管！
前言
雖然我把MOS管歸結(jié)為基礎(chǔ)知識一大類，但是遲遲沒有更新，正好最近博客專欄《電路小課堂》分享總結(jié)的一些電路還比較受歡迎，而其中 MOS 管都是關(guān)鍵元器件，那么正好借此機(jī)會來好好的理一理 MOS管。
既然要說，那就給他整到位了，從原理到應(yīng)用一網(wǎng)打盡。
開局一張圖（內(nèi)容用心寫！）：
一、場效應(yīng)管和MOS管
什么是MOS管？
這種基本的名詞解釋還是得用官方的話語說明一下：
MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET ?金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。
記住 MOS管有 三個(gè)引腳名稱：G：gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏極。
我們經(jīng)常提到場效應(yīng)管，MOS管是什么關(guān)系呢？
MOS管屬于場效應(yīng)管。
什么是場效應(yīng)管？
場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。它是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。
場效應(yīng)管屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。
場效應(yīng)管主要有兩種類型：
1、結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET)（不是本文討論范圍）。
2、金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）（本文的主角）。
二、MOS管分類
按溝道分類，場效應(yīng)管分為PMOS管（P溝道型）和NMOS（N溝道型）管。
按材料分類，可以分為分為耗盡型和增強(qiáng)型：
增強(qiáng)型管：柵極-源極電壓 Vgs 為零時(shí)漏極電流也為零；耗盡型管：柵極-源極電壓 Vgs 為零時(shí)漏極電流不為零。
其實(shí)歸納一下，就 4種類型的MOS管：
增強(qiáng)型 PMOS，增強(qiáng)型 NMOS，耗盡型 PMOS，耗盡型 NMOS。
在實(shí)際應(yīng)用中，以 增強(qiáng)型NMOS 和 增強(qiáng)型PMOS 為主。所以通常提到NMOS和PMOS指的就是這兩種。結(jié)合下圖與上面的內(nèi)容也能解釋為什么實(shí)際應(yīng)用以增強(qiáng)型為主，主要還是電壓為0的時(shí)候，D極和S極能否導(dǎo)通的問題
下圖列出了四種MOS管的比較：
三、MOS管原理
本文MOS管的原理說明以 增強(qiáng)型NMOS 為例。
了解MOS管的工作原理，能夠讓我們能更好的運(yùn)用MOS管，而不是死記怎么用。
為了理解 MOS管的基本原理，首先要知道更基礎(chǔ)的 N 型半導(dǎo)體 和 ?P 型半導(dǎo)體。
N 型半導(dǎo)體
N 型半導(dǎo)體也稱為電子型半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體即自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體。
P型半導(dǎo)體
P型半導(dǎo)體又稱空穴型半導(dǎo)體，是以帶正電的空穴導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體。在P型半導(dǎo)體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導(dǎo)電。摻入的雜質(zhì)越多，多子（空穴）的濃度就越高。
3.1 MOS管的制造
MOS管是怎么制造的
以P型半導(dǎo)體為襯底，在一個(gè) 低摻雜容度 的 P 型半導(dǎo)體上，通過擴(kuò)散技術(shù)做出來2塊 高摻雜容度 的 N 型半導(dǎo)體，引出去分別作為 源級（S） 和 漏極（D）。P型襯底在 MOS管內(nèi)部是和 源級（S）相連。在P型襯底和兩個(gè)N型半導(dǎo)體 之間加一層 二氧化硅（SiO?）絕緣膜，然后通過多晶硅引出引腳組成柵極（G）。
組成結(jié)構(gòu)如下圖（增強(qiáng)型N溝道為例）：
3.2 MOS管命名由來
我們前面說過MOS管全名為：金屬 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半導(dǎo)體 (Semiconductor)場效應(yīng)晶體管，為什么會叫這個(gè)名字，我們通過上面的組成結(jié)構(gòu)用圖來說明：
3.3 MOS管圖標(biāo)由來
在前言部分我們就給出了MOS管的電路圖標(biāo)，那么我們還是通過MOS管 組成結(jié)構(gòu)來說明：
3.4 MOS管原理簡析
MOS管結(jié)構(gòu)原理圖解：
Vgs電壓的強(qiáng)弱決定了反型層的厚?。?/p>
而反型層的厚薄決定了MOS管內(nèi)阻的大??！
內(nèi)阻的大小決定了D和S之間經(jīng)過電流的大?。?/p>
3.5 MOS管輸出特性曲線
對于N溝道增強(qiáng)型的MOS管，當(dāng)Vgs >Vgs(th)時(shí)，MOS就會開始導(dǎo)通，如果在 D 極和 S 極之間加上一定的電壓,就會有電流Id產(chǎn)生。在一定的Vds下，D極電流 Id 的大小是與 G極電壓Vgs有關(guān)的。
我們先來看一下MOS管的輸出特性曲線，MOS管的輸出特性可以分為三個(gè)區(qū)：夾斷區(qū)(截止區(qū))、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)。
VGS < VGS(th)時(shí)，MOS管處于夾斷區(qū)(截止區(qū))：
夾斷區(qū)在輸出特性最下面靠近橫坐標(biāo)的部分，表示MOS管不能導(dǎo)電，處在截止?fàn)顟B(tài)。電流ID為0，管子不工作。
VGS≥VGS(th)，且VDS>VGS-VGS(th)，MOS管進(jìn)入恒流區(qū)：
恒流區(qū)在輸出特性曲線中間的位置，電流ID基本不隨VDS變化，ID的大小主要決定于電壓VGS，所以叫做恒流區(qū)，也叫飽和區(qū)，當(dāng)MOS用來做放大電路時(shí)就是工作在恒流區(qū)（飽和區(qū)）。注：MOS管輸出特性的恒流區(qū)（飽和區(qū)），相當(dāng)于三極管的放大區(qū)。
VGS>VGS(th) ，且VDS < VGS - VGS(th),MOS管進(jìn)入可變電阻區(qū)：
可變電阻區(qū)在輸出特性的最左邊，Id隨著Vds的增加而上升，兩者基本上是線性關(guān)系，所以可以看作是一個(gè)線性電阻，當(dāng)VGS不同電阻的阻值就會不同，所以在該區(qū)MOS管相當(dāng)就是一個(gè)由VGS控制的可變電阻。
擊穿區(qū):
隨著VDS增大，PN結(jié)承受太大的反向電壓而被擊穿。
3.6 MOS管轉(zhuǎn)移特性曲線
根據(jù)MOS管的輸出特性曲線，可取得到相應(yīng)的轉(zhuǎn)移特性曲線。
反應(yīng)了 MOS管的特性，通過 Vgs的電壓來控制 ID(導(dǎo)通電流)， 壓控流型器件！
為什么介紹MOS管的文章都以NMOS舉例？
說白了就是NMOS相對 PMOS 來說：簡單點(diǎn)。
這個(gè)簡單點(diǎn)，包括生產(chǎn)難度，實(shí)現(xiàn)成本，實(shí)現(xiàn)方式等等。對于人類發(fā)展而言，肯定是從某個(gè)事物簡單的的部分開始深入研究發(fā)展，教學(xué)也是相同的道理，從某個(gè)簡單部分開始更能夠讓人入門了解一個(gè)事物，然后再步步深入。
究其根本原因，簡單概括如下：
我們通過原理分析可以得知，NMOS 是電子的移動，PMOS那就是空穴的移動，空穴的遷移率比電子低，尺寸與電壓相等的條件下，PMOS的跨導(dǎo)小于 NMOS，形成空穴溝道比電子溝道更難。
PMOS的閾值電壓教N(yùn)MOS高，因此需要更高的驅(qū)動電壓，充放電時(shí)間長，開關(guān)速度更低。
PMOS的導(dǎo)通電阻大，發(fā)熱大，相對NMOS來說不易通過大電流。
所以導(dǎo)致現(xiàn)在的格局：NMOS價(jià)格便宜，廠商多，型號多。PMOS價(jià)格貴，廠商少，型號少。（相對而言，其實(shí)MOS管發(fā)展到現(xiàn)在，普通的應(yīng)用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便選擇的型號）
四、MOS管特點(diǎn)
1、輸入阻抗非常高，因?yàn)镸OS管柵極有絕緣膜氧化物，甚至可達(dá)上億歐姆，所以他的輸入幾乎不取電流，可以用作電子開關(guān)。
2、導(dǎo)通電阻低，可以做到幾個(gè)毫歐的電阻，極低的傳導(dǎo)損耗，。
3、開關(guān)速度快，開關(guān)損耗低，特別適應(yīng)PWM輸出模式。
4、在電路設(shè)計(jì)上的靈活性大，柵偏壓可正可負(fù)可零，三極管只能在正向偏置下工作，電子管只能在負(fù)偏壓下工作；
4、低功耗、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強(qiáng)，制造成本低廉與使用面積較小、高整合度。
5、極強(qiáng)的大電流處理能力，可以方便地用作恒流源。
所以現(xiàn)在芯片內(nèi)部集成的幾乎都是MOS管。
6、MOS管柵極很容易被靜電擊穿，柵極輸入阻抗大，感應(yīng)電荷很難釋放，高壓很容易擊穿絕緣層，造成損壞。
前面的幾點(diǎn)也可以說是MOS管的優(yōu)點(diǎn)。最后一點(diǎn)容易擊穿也是相對來說的，現(xiàn)在的mos管沒有那么容易被擊穿，不少都有二極管保護(hù)，在大多數(shù)CMOS器件內(nèi)部已經(jīng)增加了IO口保護(hù)。
用手直接接觸CMOS器件管腳不是好習(xí)慣。
曾經(jīng)使用使用過一個(gè)運(yùn)放：TI 的 TLV70433，CMOS器件，因?yàn)楹附記]注意防護(hù)靜電，那結(jié)局真的是一言難盡。
五、MOS管參數(shù)
MOS管的參數(shù)在每一個(gè)MOS管的手冊上面都有說明，比如：
?
對于實(shí)際項(xiàng)目應(yīng)用，主要關(guān)注下面幾個(gè)參數(shù)，其他參數(shù)可以自己根據(jù)需求你查看手冊。
1、VGS(th)(開啟電壓)
當(dāng)外加?xùn)艠O控制電壓 VGS 超過 VGS(th) 時(shí)，漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道。
應(yīng)用中，常將漏極短接條件下 ID 等于 1 毫安時(shí)的柵極電壓稱為開啟電壓。此參數(shù)一般會隨結(jié)溫度的上升而有所降低。
MOS管的導(dǎo)通條件
MOS管的開關(guān)條件：
N溝道：導(dǎo)通時(shí) Vg> Vs,Vgs> Vgs(th)時(shí)導(dǎo)通；
P溝道：導(dǎo)通時(shí) Vg< Vs,Vgs< Vgs(th)時(shí)導(dǎo)通。
MOS管導(dǎo)通條件：|Vgs| > |Vgs(th)|
2、VGS(最大柵源電壓)
柵極能夠承受的最大電壓，柵極是MOS管最薄弱的地方，設(shè)計(jì)的時(shí)候得注意一下，加載柵極的電壓不能超過這個(gè)最大電壓。
3、RDS(on)(漏源電阻)
導(dǎo)通時(shí)漏源間的最大阻抗，它決定了MOSFET導(dǎo)通時(shí)的消耗功率。這個(gè)值要盡可能的小，因?yàn)橐坏┳柚灯?，就會使得功耗變大?/p>
MOS管 導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會在這個(gè)電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會減小導(dǎo)通損耗。
現(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。
4、ID(導(dǎo)通電流)
最大漏源電流。是指場效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許通過的最大電流。場效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過 ID 。
一般實(shí)際應(yīng)用作為開關(guān)用需要考慮到末端負(fù)載的功耗，判斷是否會超過 ID。
5、VDSS(漏源擊穿電壓)
漏源擊穿電壓是指柵源電壓VGS 為 0 時(shí)，場效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓。
擊穿后會使得 ID 劇增。
這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場效應(yīng)管上的工作電壓必須小于 V（BR）DSS 。
6、gfs(跨導(dǎo))
是指漏極輸出電流的變化量與柵源電壓變化量之比，
是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù),是柵源電壓對漏極電流控制能力大小的量度。
過小會導(dǎo)致 MOS 管關(guān)斷速度降低，過大會導(dǎo)致關(guān)斷速度過快， EMI特性差。
7、充電參數(shù)
柵極充電信息：
因?yàn)镸OS管的都有寄生電容，其被大多數(shù)制造廠商分成輸入電容，輸出電容以及反饋電容。
輸入電容值只給出一個(gè)大概的驅(qū)動電路所需的充電說明，而柵極充電信息更為有用，它表明為達(dá)到一個(gè)特定的柵源電壓柵極所必須充的電量。
MOS管的寄生電容
寄生電容是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。
實(shí)際上，一個(gè)電阻等效于一個(gè)電容，一個(gè)電感，一個(gè)電阻的串聯(lián)，低頻情況下表現(xiàn)不明顯，而高頻情況下，等效值會增大。
MOS管用于控制大電流通斷，經(jīng)常被要求數(shù)十K乃至數(shù)M的開關(guān)頻率，在這種用途中，柵極信號具有交流特征，頻率越高，交流成分越大，寄生電容就能通過交流電流的形式通過電流，形成柵極電流。消耗的電能、產(chǎn)生的熱量不可忽視。
加在 G 極的弱驅(qū)動信號瞬間變?yōu)楦唠娖?，但是為了“灌滿”寄生電容需要時(shí)間，就會產(chǎn)生上升沿變緩，影響開關(guān)頻率。
在MOS管的規(guī)格書中，有這么幾個(gè)電容參數(shù)：
對于這幾個(gè)電容參數(shù)，看下圖所示：
一般從單片機(jī)普通應(yīng)用來說，我們對這個(gè)開關(guān)要求沒那么高，如果不是特殊應(yīng)用場合可以不用深究。
但是不能忽略寄生電容，所以在我們的MOS使用時(shí)候，就會在GS級加上一個(gè)電阻，用來釋放寄生電容的電流。
米勒電容
這三個(gè)等效電容是構(gòu)成串并聯(lián)組合關(guān)系，它們并不是獨(dú)立的，而是相互影響，其中一個(gè)關(guān)鍵電容就是米勒電容Cgd。這個(gè)電容不是恒定的，它隨著柵極和漏極間電壓變化而迅速變化，同時(shí)會影響柵極和源極電容的充電。
額外說明一下，三極管也有米勒電容和米勒效應(yīng)，但是相對來說MOS管的米勒電容會比三極管的大很多（具體原因由于工藝問題和MOS管特性問題，阻抗大 —> 電流小 —> 充電時(shí)間長 —> 等效電容大）。
米勒效應(yīng)會嚴(yán)重增加MOS的開通損耗，因?yàn)樗娱L了MOS的開通時(shí)間，同時(shí)會降低MOS的開關(guān)速度。但因?yàn)镸OS管的制造工藝，一定會產(chǎn)生Cgd，也就是米勒電容一定會存在，所以米勒效應(yīng)不能避免，只有采用適當(dāng)?shù)姆椒p緩。
一般有四種方法：
①選擇合適的門極驅(qū)動電阻RG
②在 G 和 S 之間增加電容
③采用負(fù)壓驅(qū)動
④門極有源鉗位
如果想具體了解的朋友，詳細(xì)說明請參考這篇博文：米勒電容和米勒效應(yīng)
為什么常在MOS管GS并聯(lián)電阻？
借用我實(shí)際使用的一個(gè)電路：
其中 R1，就是我們現(xiàn)在說的GS間的并聯(lián)電阻，上文說到過，電阻的作用是用來釋放寄生電容的電流。
那么原因我們來分析一下，還是要借用一下上面的圖：
總結(jié)一下：
1、起到防ESD靜電的作用，避免處在一個(gè)高阻態(tài)。這個(gè)電阻可以把它當(dāng)作是一個(gè)泄放電阻，避免MOS管誤動作，從而 損壞MOS管的柵GS極；
2、提供固定偏置，在前級電路開路時(shí)，這個(gè)的電阻可以保證MOS有效的關(guān)斷（理由：G極開路，當(dāng)電壓加在DS端時(shí)候，會對Cgd充電，導(dǎo)致G極電壓升高，不能有效關(guān)斷）
GS端電阻阻值選擇：
建議是一般取5K至數(shù)10K左右，太大影響 MOS 管的關(guān)斷速度。太小驅(qū)動電流會增大，驅(qū)動功率增大。但是在有些地方大一點(diǎn)也無所謂，比如電源防反接等不需要頻繁開關(guān)的場合（上面示例圖）。
為什么要在MOS管G級串聯(lián)電阻？
還是在上面的示例圖，R2，就是G級的串聯(lián)電阻。這個(gè)電阻有什么作用呢？
串聯(lián)電阻還是因?yàn)榧纳娙?！在G級 串聯(lián)一個(gè)電阻，與 Ciss（Ciss = Cgd+Cgs）形成一個(gè)RC充放電電路，可以減小瞬間電流值， 不至于損毀MOS管的驅(qū)動芯片。
網(wǎng)上還有一種說法是：抑制振蕩
MOS管接入電路，也會有引線產(chǎn)生的寄生電感的存在，與寄生電容一起，形成LC振蕩電路。對于開關(guān)方波波形，是有很多頻率成分存在的，那么很可能與諧振頻率相同或者相近，形成串聯(lián)諧振電路。
串聯(lián)一個(gè)電阻，可以減小振蕩電路的Q值，是振蕩快速衰減，不至于引起電路故障。
G級電阻阻值選擇：
一般不建議太大，網(wǎng)上建議百歐以內(nèi)，會減緩MOS管的開啟與通斷時(shí)間，增加損耗，但是在有些地方大一點(diǎn)也無所謂，比如電源防反接等不需要頻繁開關(guān)的場合（上面示例圖）。
最后說明一下上面這兩個(gè)問題，具體情況要具體分析，電阻的選擇不是絕對的，比如上面示例我實(shí)際使用的電路，我 GS 的并聯(lián)電阻使用了1M，G級串聯(lián)的電阻使用了10K，對于我的防反接電路來說，也是正常的，大一點(diǎn)還能降低點(diǎn)電量工作時(shí)候的功耗。
雖然不能給出絕對的參考，但是我們分析了電阻大小對電路的影響，所以根據(jù)自己使用的場合才能最終確定自己合適的阻值。
六、MOS管的封裝
不同的封裝形式，MOS管對應(yīng)的極限電流、電壓和散熱效果都會不一樣，這里根據(jù)博主使用過的和一些常見的做一些介紹。
1、SOT-23
一般單片機(jī)方案中最常用的封裝，適于幾A電流、60V及以下電壓環(huán)境中采用。
比如：AO3401 ，BSS84
2、SOT-223
也是單片機(jī)方案中最常用的封裝，一般也是幾A電流、60V及以下電壓環(huán)境。
比如：IRFL9014TRPBF， ZXMP6A17GTA
3、TO-252
是目前主流封裝之一，電流可以到70A，電壓100V以內(nèi)（電壓與電流成反比，電流越大，電壓越?。?/p>
比如：SM4286T9RL
4、TO-220/220F
這兩種封裝樣式的MOS管外觀差不多，可以互換使用，不過TO-220背部有散熱片，其散熱效果比TO-220F要好些，價(jià)格相對也要貴些。這兩個(gè)封裝產(chǎn)品適于中壓大電流120A以下、高壓大電流20A以下的場合應(yīng)用。
比如：IRF4905PBF，NCE6050A
另外還有一些其他的封裝：TO-263，TO-3P/247，TO-251，TO-92，SOP-8，就不一一介紹了。
主要在單片機(jī)系統(tǒng)領(lǐng)域，其他的封裝用得不太多，博主確實(shí)也沒用過。
七、MOS管判別
以下圖封裝的MOS管為例說明，除了SOT-23 封裝，只要是這種類型3腳的封裝，
那么他的G、D、S一定是按照下圖所示的方向定義的（有錯(cuò)誤請指出）：
重要：如果用測量之前將MOS的3個(gè)極短接，泄放MOS管內(nèi)部電荷，確保MOS截止?。?！
判別是NMOS 還是 PMOS 以及MOS管好壞。
將萬用表調(diào)至二極管檔，將紅表筆接在MOS的S極，黑表筆接在D極，如果這時(shí)候萬用表顯示0.4V~0.9V（二極管特性，不同MOS管有一定差異）電壓值，說明這很可能是一個(gè) NMOS；如果沒有讀數(shù)，說明這很可能是一個(gè)PMOS，
為什么說很可能是，因?yàn)榈每紤]到一種情況，MOS管D和S已經(jīng)擊穿損壞或者是寄生二極管開路損壞。
所以只需要將上面的紅黑表筆返回來再測試一遍，如果情況相反，那么就能夠判斷是 NMOS 還是PMOS。
如果上面操作萬用表都顯示一定的電壓值，代表MOS管D和S已經(jīng)擊穿損壞。
如果上面操作萬用表都顯示1，代表MOS管寄生二極管開路損壞。
將萬用表調(diào)至蜂鳴器檔或者電阻檔，將紅表筆接在MOS的G極，黑表筆接在S極，蜂鳴器不會響，GS阻抗比較大，代表GS沒有擊穿損壞。
另外說明：網(wǎng)上確實(shí)有文章使用萬用表判斷一個(gè)MOS管的G，S，D級，可這里我在實(shí)際工作中，確實(shí)真沒有用到過，但并不表示我認(rèn)為沒有用。如果今后真實(shí)遇到，我會來更新此部分。
八、MOS管應(yīng)用
前面也提到過，現(xiàn)在芯片內(nèi)部集成的幾乎都是MOS管?？梢奙OS管現(xiàn)在在電子產(chǎn)品的地位，
MOS管產(chǎn)品可廣泛的應(yīng)用于電源，通訊，汽車電子，節(jié)能燈，家電等產(chǎn)品。
具體比如：開關(guān)電源應(yīng)用，恒流源，MOS管可應(yīng)用于放大，阻抗變換，可變電阻等。
MOS管的應(yīng)用 是基于 MOS管的特點(diǎn)優(yōu)勢來決定的。
我這里大話不說，針對自己的行業(yè)單領(lǐng)域，總結(jié)了幾個(gè)比較實(shí)際的應(yīng)用場合：
1、作開關(guān)管用
可參考博主電路小課堂的幾篇博文：
分享一款實(shí)用的太陽能充電電路（室內(nèi)光照可用）
聊聊電源自動切換電路（常用自動切換電路總結(jié)）
2、防反接用
相對于二極管來說，MOS管還是有很大的優(yōu)勢，我下一篇電路小課堂會更新防反接電路。
電路小課堂已經(jīng)更新：
結(jié)合實(shí)際聊聊防反接電路（防反接電路總結(jié)）
3、作電平轉(zhuǎn)換用
電路小課堂會更新電平轉(zhuǎn)換電路。
結(jié)合實(shí)際聊聊電平轉(zhuǎn)換電路（常用電平轉(zhuǎn)換電路總結(jié)）
4、彌勒平臺用于緩啟電路
請稍等……
當(dāng)然正如本節(jié)開頭所說，MOS管的應(yīng)用非常的廣，這里的列舉只是針對單片機(jī)系統(tǒng)領(lǐng)域的小型電子產(chǎn)品應(yīng)用而言。
審核編輯：劉清