目前磁性傳感器在汽車領(lǐng)域應(yīng)用中主要有霍爾效應(yīng)，各項異性磁阻效應(yīng)，巨磁阻效應(yīng)以及穿遂磁阻效應(yīng)。英飛凌是少數(shù)幾個同時掌握磁性感應(yīng)技術(shù)并應(yīng)用于產(chǎn)品中的半導(dǎo)體公司之一。
磁性傳感器廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代汽車中，如速度檢測，角度檢測，位置檢測，電流檢測等。根據(jù)磁性感應(yīng)原理，可分為霍爾原理及磁阻原理。其中磁阻式根據(jù)原理又可分為常磁阻效應(yīng)（Ordinary Magneto Resistance， OMR）、各項異性磁阻效應(yīng)（Anisotropic Magneto Resistance，AMR）、巨磁阻效應(yīng)（Giant Magneto Resistance，GMR）、超巨磁阻效應(yīng)（Colossal Magneto Resistance，CMR）、穿遂磁阻效應(yīng)（Tunnel Magneto Resistance，TMR）、巨磁阻抗效應(yīng)（Giant Magneto impedance，GMI）以及特異磁阻效應(yīng)（Extraordinary Magneto Resistance，EMR）等。
目前磁性傳感器在汽車領(lǐng)域應(yīng)用中主要有霍爾效應(yīng)，各項異性磁阻效應(yīng)，巨磁阻效應(yīng)以及穿遂磁阻效應(yīng)。英飛凌是少數(shù)幾個同時掌握有以上磁性感應(yīng)技術(shù)并應(yīng)用于產(chǎn)品中的半導(dǎo)體公司之一。
相比于霍爾效應(yīng)和各項異性磁阻效應(yīng)，巨磁阻效應(yīng)具有更好的靈敏度，更小的噪聲以及氣隙表現(xiàn)，非常適合汽車領(lǐng)域中需要高精度以及較大工作氣隙要求的應(yīng)用。目前英飛凌巨磁阻系列傳感器涵蓋速度及角度應(yīng)用
又稱特大磁電阻，即GMR（Giant Magneto Resistance），GMR磁頭是由4層導(dǎo)電材料和磁性材料薄膜構(gòu)成的：一個傳感層、一個非導(dǎo)電中介層、一個磁性的栓層和一個交換層。今天我們就來了解一下的應(yīng)用領(lǐng)域。
巨磁阻傳感器應(yīng)用
01巨磁阻傳感器應(yīng)用于硬盤
巨磁阻效應(yīng)的讀出磁頭，極大的提高了磁盤記錄密度，極大提高了硬盤的容量，同時縮小了硬盤的體積。目前硬盤最大容量已經(jīng)達(dá)到4TB，遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于應(yīng)用巨磁阻效應(yīng)前的硬盤。
02巨磁電阻隨機存取存儲器（MRAM）
這是采用納米制造技術(shù)，把沉積在基片上的SV-GMR薄膜或TMR薄膜制成圖形陣列，形成存儲單元，以相對兩磁性層的平行磁化狀態(tài)和反平行磁化 狀態(tài)分別代表信息“1”和“0”;與半導(dǎo)體存儲器一樣，是用電檢測由磁化狀態(tài)變化產(chǎn)生的電阻值之差進行信息讀出的一種新型磁存儲器。MRAM潛在的重要優(yōu) 點是非易失性，抗輻射能力強、壽命長。這些是DRAM、SRAM等半導(dǎo)體存儲器所不具備的性能。同時，它又兼有后者具有的大容量、高速存取、低成本、高集 成度等特點。因此，MRAM不僅被軍事和宇航業(yè)界所看重，而且在迅速普及的數(shù)碼照相、移動電話及多媒體信息處理等廣闊的民用市場中得到應(yīng)用。正因為如此， 美、日、歐等發(fā)達(dá)國家和地區(qū)及高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)界都十分重視這項新技術(shù)，正投巨資加快產(chǎn)品的商業(yè)化
03角度、位置傳感器
用于數(shù)控機床，汽車測速，非接觸開關(guān)，旋轉(zhuǎn)編碼器等領(lǐng)域。具有功耗小，可靠性高，體積小，價格便宜和更強的輸出信號等優(yōu)點。
04基于GMR傳感器陣列的生物檢測
GMR傳感器比電子傳感器更靈敏、可重復(fù)性強，具有更寬的工作溫度、工作電壓和抗機械沖擊、震動的優(yōu)異性能，而且GMR傳感器的工作點也不會隨 時間推移而發(fā)生偏移。GMR傳感器的制備成本和檢測成本低，對樣本的需求量很小。由GRM傳感器組成的陣列，還可以結(jié)合現(xiàn)有的IC工藝，提高整體設(shè)備的集 成度，進行多目標(biāo)的檢測，同時，對比傳統(tǒng)的熒光檢測法，磁性標(biāo)記沒有很強的環(huán)境噪聲，標(biāo)記本身不會逐漸消退，也不需要昂貴的光學(xué)掃描設(shè)備以及專業(yè)的操作人 員。