增強型：VGS=0時，漏源之間沒有導(dǎo)電溝道，在VDS作用下無iD；耗盡型：VGS=0時，漏源之間有導(dǎo)電溝道，在VDS作用下iD。
1、結(jié)構(gòu)和符號（以N溝道增強型為例）
在一塊濃度較低的P型硅上擴散兩個濃度較高的N型區(qū)作為漏極和源極，半導(dǎo)體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個電極作為柵極。
其他MOS管符號
2、工作原理（以N溝道增強型為例）
（1） VGS=0時，不管VDS極性如何，其中總有一個PN結(jié)反偏，所以不存在導(dǎo)電溝道。
VGS =0， ID =0
VGS必須大于0
管子才能工作。
?。?） VGS》0時，在Sio2介質(zhì)中產(chǎn)生一個垂直于半導(dǎo)體表面的電場，排斥P區(qū)多子空穴而吸引少子電子。當(dāng)VGS達到一定值時P區(qū)表面將形成反型層把兩側(cè)的N區(qū)溝通，形成導(dǎo)電溝道。
VGS 》0→g吸引電子→反型層→導(dǎo)電溝道
VGS↑→反型層變厚→ VDS ↑→ID↑
（3） VGS≥VT時而VDS較小時：
VDS↑→ID ↑
VT：開啟電壓，在VDS作
用下開始導(dǎo)電時的VGS°
VT = VGS —VDS
（4） VGS》0且VDS增大到一定值后，靠近漏極的溝道被夾斷，形成夾斷區(qū)。
VDS↑→ID 不變
3、特性曲線（以N溝道增強型為例）
??場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線動畫
4、其它類型MOS管
?。?）N溝道耗盡型：制造時在柵極絕緣層中摻有大量的正離子，所以即使在VGS=0時，由于正離子的作用，兩個N區(qū)之間存在導(dǎo)電溝道（類似結(jié)型場效應(yīng)管）。
（2）P溝道增強型：VGS = 0時，ID = 0開啟電壓小于零，所以只有當(dāng)VGS 《 0時管子才能工作。
?。?）P溝道耗盡型：制造時在柵極絕緣層中摻有大量的負(fù)離子，所以即使在VGS=0 時，由于負(fù)離子的作用，兩個P區(qū)之間存在導(dǎo)電溝道（類似結(jié)型場效應(yīng)管）。
5、場效應(yīng)管的主要參數(shù)
（1） 開啟電壓VT ：在VDS為一固定數(shù)值時，能產(chǎn)生ID所需要的最小 |VGS | 值。（增強）
?。?） 夾斷電壓VP ：在VDS為一固定數(shù)值時，使 ID對應(yīng)一微小電流時的 |VGS | 值。（耗盡）
（3） 飽和漏極電流IDSS ：在VGS = 0時，管子發(fā)生預(yù)夾斷時的漏極電流。（耗盡）
（4） 極間電容 ：漏源電容CDS約為 0.1～1pF，柵源電容CGS和柵漏極電容CGD約為1～3pF。
?。?） 低頻跨導(dǎo) gm ：表示VGS對iD的控制作用。
在轉(zhuǎn)移特性曲線上，gm 是曲線在某點上的斜率，也可由iD的表達式求導(dǎo)得出，單位為 S 或 mS。
（6） 最大漏極電流 IDM
?。?） 最大漏極耗散功率 PDM
?。?） 漏源擊穿電壓 V（BR）DS 柵源擊穿電壓 V（BR）GS
什么是MOS管，MOS管的特性：
1. MOS管工作原理--MOS管簡介
MOS管，即在集成電路中絕緣性場效應(yīng)管。MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導(dǎo)體，確切的說，這個名字描述了集成電路中MOS管的結(jié)構(gòu)，即：在一定結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能，這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。
2. MOS管工作原理--Mos管的結(jié)構(gòu)特點
MOS管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示;其導(dǎo)通時只有一種極性的載流子（多子）參與導(dǎo)電，是單極型晶體管。導(dǎo)電機理與小功率MOS管相同，但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別，小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷?，功?a href="http://www.ttokpm.com/tags/mosfet/" target="_blank">MOSFET大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，又稱為VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。
其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻，該管導(dǎo)通時在兩個高濃度n擴散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道。n溝道增強型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加?xùn)艍海旁措妷簽榱悖r，就有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。
3. MOS管工作原理--MOS管的特性
3.1MOS管的輸入、輸出特性
對于共源極接法的電路，源極和襯底之間被二氧化硅絕緣層隔離，所以柵極電流為0。
當(dāng)VGS
3.2MOS管的導(dǎo)通特性
MOS管作為開關(guān)元件，同樣是工作在截止或?qū)▋煞N狀態(tài)。由于MOS管是電壓控制元件，所以主要由柵源電壓uGS決定其工作狀態(tài)。下面以NMOS管為例介紹其特性。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接地時的情況（低端驅(qū)動），只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時的情況（高端驅(qū)動）。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動，但由于導(dǎo)通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動中，通常還是使用NMOS。
4. MOS管工作原理
MOS管的工作原理（以N溝道增強型MOS場效應(yīng)管）它是利用VGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。
知識延伸
MOS管的分類
按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種;按導(dǎo)電方式：MOS管又分耗盡型與增強型，所以MOS場效應(yīng)晶體管分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類。
MOS管應(yīng)用
MOS管最顯著的特性是開關(guān)特性好，所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開關(guān)的電路中，常見的如開關(guān)電源和馬達驅(qū)動，也有照明調(diào)光。而且由MOS管構(gòu)成的CMOS傳感器為相機提供了越來越高的畫質(zhì)，成就了更多的“攝影家”