緊抓可穿戴機遇 羅姆詮釋如何從“小”做起

　　隨著性能的節(jié)節(jié)攀升，智能手機等便攜設(shè)備內(nèi)置的元器件數(shù)量也在不停地增長，這促使元件商在努力提高自家產(chǎn)品性能的同時，也不得不往“小型化、薄型化”的精品路線發(fā)展。

　　在精細至毫米級的元器件市場，想要體現(xiàn)出自身的差異化優(yōu)勢，不僅要從工藝端著手，材料上的選擇同樣十分關(guān)鍵。在功率元器件領(lǐng)域，SiC相比傳統(tǒng)的Si材料可進一步實現(xiàn)低功耗及高效化的要求，在高溫環(huán)境下仍具備優(yōu)良的工作特性，且開關(guān)損耗更低，備受業(yè)界期待。作為較早進入SiC研發(fā)領(lǐng)域的元件商，羅姆是唯一一家從材料，到器件，到模組均具備量產(chǎn)能力的廠商，在本次上海慕尼黑電子展的展臺上，記者便見識到了羅姆展出的一系列新品。

　　慕尼黑電子展上羅姆的展臺

　　在工作人員的介紹下，記者了解到羅姆本次展出的SiC器件主要包含SiC肖特基勢壘二極管、SiC-MOSFETs以及全SiC功率模塊等產(chǎn)品。目前，SiC肖特基勢壘二極管已更新至第2代，分別擁有650V和1200V兩大系列，具有低至1.35V的業(yè)界最小正向電壓；最新的第三代SiC溝槽型MOSFET產(chǎn)品目前仍在開發(fā)中，此產(chǎn)品可實現(xiàn)更低的導通電阻、更高的逆變器功率密度，以及更佳的寄生二極管反向恢復(fù)特性；全SiC功率模塊則是羅姆采用獨創(chuàng)的缺陷控制技術(shù)和篩選法，確保了其可靠性，并于全球首家確立它的量產(chǎn)體制。

　　羅姆的SiC功率器件

　　事實上，羅姆的SiC功率器件推出也有很長一段時間了，但在中國市場一直達不到理想的業(yè)績。其實就單個器件而言，SiC產(chǎn)品在成本上確實要比Si器件高出不少，但由于性能得到了不少提升，在整機設(shè)計上可以為我們省去其它一些輔助類的器件，因此從整體上看，價格與采用Si器件的方案相比基本相差無幾。

　　元件尺寸方面，為了迎合近年來高速增長的可穿戴市場，羅姆也是下了不少功夫。本次慕尼黑電子展上，羅姆展示了世界最小元器件RASMID?系列（ROHM Advances Smart Micro Device）的最新產(chǎn)品——03015尺寸貼片電阻器SMR003。據(jù)悉，SMR003通過獨家工藝技術(shù)開發(fā)，采用具有卓越腐蝕性的金電極實現(xiàn)了焊錫性以及高可靠性，實現(xiàn)了0.3×0.15（mm）的業(yè)界最小尺寸，適用于智能手機、平板電腦、DSC和超極本等設(shè)備。

　　世界最小元器件RASMID?系列（ROHM Advances Smart Micro Device）的最新產(chǎn)品——03015尺寸貼片電阻器SMR003