可能買了假的UFS閃存？ 華為P10手機(jī)遭遇“閃存門”

　　作為全球第三大智能手機(jī)廠商，華為的眼里只有三星、蘋果可與之爭，現(xiàn)在高端市場上也越來越得心應(yīng)手了。今年MWC上發(fā)布的P10、P10 Plus算是遇到了好時候——三星去年的Galaxy Note 7手機(jī)因?yàn)楸ㄍ耸?，Galaxy S8/S8 Plus上市時間一拖再拖，國行S8連發(fā)布都沒，這都給了華為P10搶占高端市場帶來了新機(jī)會。作為一款均價在4000+的高端手機(jī)，華為P10/10 Plus系列配置也很強(qiáng)大，不過現(xiàn)在華為可能高興不起來——除了前不久的屏幕涂層問題，華為P10手機(jī)現(xiàn)在還遭遇了閃存門問題，有消費(fèi)者發(fā)現(xiàn)自己買的P10手機(jī)UFS閃存速度太差，以致于很多人懷疑華為縮水變成了eMMC閃存。

　　在過去的這個周末，華為P10手機(jī)UFS閃存問題在貼吧、論壇討論了很多，問題的根源在于華為官方宣稱P10手機(jī)使用了最新的UFS 2.1閃存（麒麟960處理器技術(shù)上也支持LPDDR4、UFS 2.1），相比華為之前一直在用的eMMC閃存性能有了非常大的提高，有印象的可能還記得麒麟960發(fā)布時華為展示的存儲性能測試，如下圖所示：

　　官方公布的測試中Androbench 4.0性能

　　在這個性能測試中，麒麟960搭配UFS 2.1閃存時讀取超過800MB/s，寫入接近180MB/s，隨機(jī)讀取超過140MB/s，隨機(jī)寫入也有14MB/s左右。

　　問題在于上市后不同消費(fèi)者買到的P10、P10 Plus存儲性能表現(xiàn)不一，看了下反應(yīng)的情況，大家買到的P10系列手機(jī)在Androben測試中主要有三個級別的表現(xiàn)——以讀取為例，有的超過700MB/s，有的超過500MB/s，有的就只有200MB/s多點(diǎn)，前兩個性能還好，但200MB/s級別的就跟普通eMMC閃存沒多少區(qū)別了。

　　部分消費(fèi)者測試的P10存儲性能（來源于貼吧）

　　對于這個問題，很多人懷疑華為縮水了，從高速的UFS 2.1閃存降成了eMMC閃存，所以才導(dǎo)致不同手機(jī)的存儲性能差異如此之大。

　　PS：對于這個問題，目前能說的情況其實(shí)還很少，很多人懷疑媒體不發(fā)聲是因?yàn)槿A為的公關(guān)，其實(shí)這可能想多了，因?yàn)榇鎯π阅芫唧w表現(xiàn)有其特殊性，可能影響的地方太多了，部分消費(fèi)者的測試確實(shí)是個問題，但這些現(xiàn)象還不足以得出結(jié)論，我們先列幾個可能的影響因素：

　　·UFS 2.1閃存確實(shí)很快，但它只是一個接口標(biāo)準(zhǔn)，并不是說所有的UFS 2.1閃存速度都一樣，這就跟SSD一樣，同樣是SATA/M.2接口，各家廠商的產(chǎn)品性能差異同樣很大。

　　·華為這樣的廠商為了分散供應(yīng)鏈風(fēng)險，不同產(chǎn)品會使用不同的閃存來源，P10、P10 Plus有多種容量組合，64GB、128GB閃存可能來自不同NAND供應(yīng)商，各家產(chǎn)品也是會有性能差異的。

　　·即便是同一家NAND供應(yīng)商，不同的NAND核心搭配不同的主控帶來的性能也是不同的。

　　·測試軟件的設(shè)置或者說系統(tǒng)版本也有可能影響性能測試。

　　以上幾點(diǎn)都是可能影響存儲性能的重要因素，華為P10手機(jī)出現(xiàn)差異如此大的結(jié)果最有可能的原因是不同批次使用了不同的NAND閃存、主控等元件。至于有人懷疑華為為了降低成本而故意在后續(xù)批次使用更廉價的eMMC閃存，理論上不能排除這種可能性，畢竟目前NAND閃存不僅缺貨，而且漲價厲害，但是以華為的品控和名聲來說，這種做法不太可能發(fā)生。

　　對消費(fèi)者來說，萬一你買到的是200MB/s速度的P10，心里肯定很不舒服，畢竟這速度跟UFS 2.1確實(shí)差了挺多，但是問題的關(guān)鍵在于消費(fèi)者并不能據(jù)此找華為投訴質(zhì)量問題，存儲性能這方面并沒有什么硬性規(guī)定，而且華為官方P10規(guī)格介紹中并沒有寫UFS 2.1閃存，法理上消費(fèi)者真的是無法以質(zhì)量問題找華為退換?？床糠窒M(fèi)者的反饋，他們有的找售后換了機(jī)子，遭遇這個問題的玩家不妨試試。