電子元器件的主要失效模式包括但不限于開路、短路、燒毀、爆炸、漏電、功能失效、電參數(shù)漂移、非穩(wěn)定失效等。對于硬件工程師來講電子元器件失效是個非常麻煩的事情,比如某個半導體器件外表完好但實際上已經(jīng)半失效
2023-08-29 10:47:313743 失效分析是指研究產(chǎn)品潛在的或顯在的失效機理,失效概率及失效的影響等,為確定產(chǎn)品的改進措施進行系統(tǒng)的調(diào)查研究工作,是可靠性設計的重要組成部分。失效
2009-07-03 14:33:233510 節(jié)能燈功率管失效機理分析
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1引言
節(jié)能燈作為一種環(huán)保型的電源,在全世界得到了廣泛的
2009-07-29 12:20:19824 失效模式:各種失效的現(xiàn)象及其表現(xiàn)的形式。失效機理:是導致失效的物理、化學、熱力學或其他過程。1、電阻器的主要
2017-10-11 06:11:0012633 RLC諧振電路,分為RLC 電路的串聯(lián)諧振和并聯(lián)諧振,下面主要從這兩種諧振電路形式來具體分析。
2023-06-08 15:21:099850 失效分析(FA)是根據(jù)失效模式和現(xiàn)象,通過分析和驗證,模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象,找出失效的原因,挖掘出失效的機理的活動。
2023-09-06 10:28:051332 `失效分析與檢測技術 隨著人們對半導體產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性要求的不斷提高,失效分析工作也越來越凸顯其重要的地位,通過對產(chǎn)品進行失效分析,我們可以找出失效機理進而策劃提高產(chǎn)品成品率和可靠性的方案。 而采取
2017-12-01 09:17:03
完整性、品種、規(guī)格等方面)來劃分材料失效的類型。對機械產(chǎn)品可按照其相應規(guī)定功能來分類。 2.2 按材料損傷機理分類 根據(jù)機械失效過程中材料發(fā)生變化的物理、化學的本質(zhì)機理不同和過程特征差異
2011-11-29 16:46:42
分析委托方發(fā)現(xiàn)失效元器件,會對失效樣品進行初步電測判斷,再次會使用良品替換確認故障。如有可能要與發(fā)現(xiàn)失效的人員進行交流,詳細了解原始數(shù)據(jù),這是開展失效分析工作關鍵一步。確認其失效機理,失效機理是指失效
2020-08-07 15:34:07
的不匹配或設計與操作中的不當?shù)葐栴}。失效分析的意義主要表現(xiàn)具體來說,失效分析的意義主要表現(xiàn)在以下幾個方面: 失效分析是確定芯片失效機理的必要手段。 失效分析為有效的故障診斷提供了必要的信息。 失效分析
2016-05-04 15:39:25
`v失效:產(chǎn)品失去規(guī)定的功能。v失效分析:為確定和分析失效器件的失效模式,失效機理,失效原因和失效性質(zhì)而對產(chǎn)品所做的分析和檢查。v失效模式:失效的表現(xiàn)形式。v失效機理:導致器件失效的物理,化學變化
2011-11-29 17:13:46
丟失、數(shù)據(jù)寫入出錯、亂碼、全“0”全“F”等諸多失效問題,嚴重影響了IC卡的廣泛應用。因此,有必要結(jié)合IC卡的制作工藝及使用環(huán)境對失效的IC卡進行分析,深入研究其失效模式及失效機理,探索引起失效
2018-11-05 15:57:30
和發(fā)射極的過壓/過流和柵極的過壓/過流引起?! GBT失效機理:IGBT由于上述原因發(fā)生短路,將產(chǎn)生很大的瞬態(tài)電流——在關斷時電流變化率di/dt過大。漏感及引線電感的存在,將導致IGBT集電極
2020-09-29 17:08:58
IGBT傳統(tǒng)防失效機理是什么IGBT失效防護電路
2021-03-29 07:17:06
IGBT的失效機理 半導體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進行換效分析也是十分困難和復雜的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作區(qū)(Safe Operating Area簡稱SOA
2017-03-16 21:43:31
JFET短路失效是什么原因
2017-09-05 09:58:04
`對于LED產(chǎn)品在可靠性的視角來看,光輸出功率以及電性能隨著時間的推移逐漸退化[1-3] 為了滿足客戶對產(chǎn)品可靠性的要求,研究失效機理顯得尤為重要。 前些年有些科研人員針對負電極脫落開展失效分析工作
2017-12-07 09:17:32
分析對象的背景,確認失效現(xiàn)象,接著制定LED失效分析方案,研究LED失效原因與機理,最后提出后續(xù)預防與改進措施。 金鑒實驗室綜合數(shù)千個失效分析案例,將LED芯片失效原因歸納為以下幾類: 1.封裝
2020-10-22 09:40:09
分析對象的背景,確認失效現(xiàn)象,接著制定LED失效分析方案,研究LED失效原因與機理,最后提出后續(xù)預防與改進措施。 金鑒實驗室綜合數(shù)千個失效分析案例,將LED芯片失效原因歸納為以下幾類: 1.封裝
2020-10-22 15:06:06
。什么是雪崩失效本文的關鍵要點?當向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時,會造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。?發(fā)生雪崩擊穿時,會流過大電流,存在MOSFET失效的危險。?雪崩失效包括短路造成的失效
2022-07-26 18:06:41
及PCBA的失效現(xiàn)象進行失效分析,通過一系列分析驗證,找出失效原因,挖掘失效機理,對提高產(chǎn)品質(zhì)量,改進生產(chǎn)工藝,仲裁失效事故有重要意義。2、服務對象印制電路板及組件(PCB&PCBA)生產(chǎn)商:確認
2020-02-25 16:04:42
`請問SMT焊點的主要失效機理有哪些?`
2019-12-24 14:51:21
電場強度大于體內(nèi)pn結(jié)邊緣部分在比額定擊穿電壓低的電壓下便達到臨界電場而發(fā)生載流子倍增效應,造成pn結(jié)邊緣電流集中,功率密度過大,溫度過高而燒毀。 4、芯片裂紋 芯片裂紋是引起TVS管短路失效的一
2018-10-18 18:08:30
失效和參數(shù)漂移失效?,F(xiàn)場使用統(tǒng)計表明,電阻器失效的85%~90%屬于致命失效,如斷路、機械損傷、接觸損壞、短路、絕緣、擊穿等,只有1 0%左右的是由阻值漂移導致失效。電阻器電位器失效機理視類型不同而
2018-01-03 13:25:47
次的失效原因即是下一層次的失效現(xiàn)象。越是低層次的失效現(xiàn)象,就越是本質(zhì)的失效原因?;靖拍睢 ?.1 失效和失效分析 產(chǎn)品喪失規(guī)定的功能稱為失效。 判斷失效的模式,查找失效原因和機理,提出預防再失效
2011-11-29 16:39:42
模式和失效機理的重復出現(xiàn)。3、失效模式是指觀察到的失效現(xiàn)象、失效形式,如開路、短路、參數(shù)漂移、功能失效等。4、失效機理是指失效的物理化學過程,如疲勞、腐蝕和過應力等。失效分析的一般程序1、收集現(xiàn)場數(shù)據(jù)2
2016-12-09 16:07:04
模式是指觀察到的失效現(xiàn)象、失效形式,如開路、短路、參數(shù)漂移、功能失效等。4、失效機理是指失效的物理化學過程,如疲勞、腐蝕和過應力等。失效分析的一般程序收集現(xiàn)場場數(shù)據(jù)。電測并確定失效模式。非破壞檢查。打開
2016-10-26 16:26:27
模型法和數(shù)值參數(shù)法。對于更復雜的缺陷和失效機理,常常采用試差法確定關鍵的影響因素,但是這個方法需要較長的試驗時間和設備修正,效率低、花費高。在分析失效機理的過程中,采用魚骨圖(因果圖)展示影響因素是行業(yè)
2021-11-19 06:30:00
電子元器件在使用過程中,常常會出現(xiàn)失效和故障,從而影響設備的正常工作。文本分析了常見元器件的失效原因和常見故障。 電子設備中絕大部分故障最終都是由于電子元器件故障引起的。如果熟悉了元器件的故障類型
2018-01-02 14:40:37
的失效機理與產(chǎn)品的類型、材料的種類、結(jié)構(gòu)的差異、制造工藝及環(huán)境條件、工作應力等諸因素等有密切關系。 電容器出現(xiàn)擊穿故障非常容易發(fā)現(xiàn),但對于有多個元件并聯(lián)的情況,要確定具體的故障元件卻較為困難。電容器開路
2018-01-05 14:46:57
本文采用恒定溫度應力加速壽命試驗對功率VDMOS的可靠性進行了研究,得到較為完整的可靠性數(shù)據(jù),并分析得到引起其漏源電流IDS退化的主要失效機理是柵極擊穿,從而為功率VDMOS類型器件的加工制造及應用等方面提供有價值的數(shù)據(jù)。
2021-04-14 06:37:09
的不匹配或設計與操作中的不當?shù)葐栴}。失效分析的意義主要表現(xiàn)具體來說,失效分析的意義主要表現(xiàn)在以下幾個方面: 失效分析是確定芯片失效機理的必要手段。 失效分析為有效的故障診斷提供了必要的信息。 失效分析為
2011-11-29 11:34:20
的不匹配或設計與操作中的不當?shù)葐栴}。失效分析的意義主要表現(xiàn)具體來說,失效分析的意義主要表現(xiàn)在以下幾個方面: 失效分析是確定芯片失效機理的必要手段。 失效分析為有效的故障診斷提供了必要的信息。 失效分析為
2013-01-07 17:20:41
有人能幫我具體分析一下下面這段PID算法嗎,特別是第6和第7行,各位大神幫幫忙啊,謝謝了!01//**********PID算法******02long int ID(int setpoint
2019-07-01 22:53:12
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
IGBT失效分析大概有下面幾個方面:1、IGBT過壓失效,Vge和Vce、二極管反向電壓失效等。2、IGBT過流,一定程度
2012-12-19 20:00:59
哪位大神知道SAR ADC仿真后的具體分析參數(shù)和FFT分析步驟,十分感謝
2021-06-23 08:02:16
密切相關。4、腐蝕性失效指產(chǎn)品受到化學腐蝕、電化學腐蝕,或材料出現(xiàn)老化、變質(zhì)而造成的失效。主要由腐蝕性物質(zhì)(如酸、堿等)的侵入或殘留造成,也與外部的溫度、濕度、電壓等因素有關。通過確認失效模式、分析失效機理
2019-10-11 09:50:49
型、功能型失效模式和其他失效模式。在此針對系統(tǒng)中導致電機驅(qū)動系統(tǒng)失效,影響整車正常運行的元件或部件失效進行分析。(2)電機驅(qū)動系統(tǒng)失效機理分析針對電機控制器,選取以下幾種失效模式進行機理分析。①過壓
2016-04-05 16:04:05
`電容器的常見失效模式和失效機理【上】電容器的常見失效模式有――擊穿短路;致命失效――開路;致命失效――電參數(shù)變化(包括電容量超差、損耗角正切值增大、絕緣性能下降或漏電流上升等;部分功能失效――漏液
2011-11-18 13:16:54
`電容器的常見失效模式和失效機理【中】3.2電容器失效機理分析3.2.1潮濕對電參數(shù)惡化的影響空氣中濕度過高時,水膜凝聚在電容器外殼表面,可使電容器的表面絕緣電阻下降。此處,對于半密封結(jié)構(gòu)電容器來說
2011-11-18 13:18:38
3.2 電容器失效機理分析3.2.1潮濕對電參數(shù)惡化的影響3.2.2銀離子遷移的后果3.2.3高濕度條件下陶瓷電容器擊穿機理3.2.4高頻精密電容器的低電平失效機理3.2.5金屬化紙介電容失效機理
2011-12-03 21:29:22
目前,隨著現(xiàn)代生活中的人們對產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性要求不斷提高,芯片的失效分析、可靠性分析也越來越得到關注和重視,失效分析是通過對現(xiàn)場使用失效樣品、可靠性試驗失效樣品或篩選失效樣品的檢測與解剖分析,得出
2013-06-24 17:04:20
的不匹配或設計與操作中的不當?shù)葐栴}。失效分析的意義主要表現(xiàn)?具體來說,失效分析的意義主要表現(xiàn)在以下幾個方面: 失效分析是確定芯片失效機理的必要手段。 失效分析為有效的故障診斷提供了必要的信息。 失效
2020-04-24 15:26:46
,必須對所發(fā)生的失效案例進行失效分析?! ?b class="flag-6" style="color: red">失效分析的基本程序 要獲得PCB失效或不良的準確原因或者機理,必須遵守基本的原則及分析流程,否則可能會漏掉寶貴的失效信息,造成分析不能繼續(xù)或可能得到錯誤
2018-09-20 10:59:15
造成的,而不是內(nèi)部結(jié)構(gòu)的斷路。為了研究18650在軸向壓力下失效的機理,Juner Zhu還利用有限元軟件對其進行了分析,模型中的材料主要采用了彈塑性模型,并且考慮了各種材料的各向異性的特點,模型中
2016-12-23 17:35:56
地選擇合適的材料(表面硬度)控制正向力和使用潤滑劑來降至最低。三、連接器正向力損失對于連接器的失效,正向力的損失,會造成連接器接觸界面的機械穩(wěn)定性降低,而機械穩(wěn)定性的降低又會引起接觸界面對機械或熱誘發(fā)
2018-01-15 11:55:46
地選擇合適的材料(表面硬度)控制正向力和使用潤滑劑來降至最低。三、連接器正向力損失對于連接器的失效,正向力的損失,會造成連接器接觸界面的機械穩(wěn)定性降低,而機械穩(wěn)定性的降低又會引起接觸界面對機械或熱誘發(fā)
2018-02-26 13:21:51
地選擇合適的材料(表面硬度)控制正向力和使用潤滑劑來降至最低。三、連接器正向力損失對于連接器的失效,正向力的損失,會造成連接器接觸界面的機械穩(wěn)定性降低,而機械穩(wěn)定性的降低又會引起接觸界面對機械或熱誘發(fā)
2018-05-09 10:19:35
氧化鋅壓敏電阻器與TVS管都是ESD防護常用的器件,對提升整機的ESD性能有非常重要的作用。但是氧化鋅壓敏電阻器與TVS管的導電機理及結(jié)構(gòu)各有差異,因此在具體應用表現(xiàn)也不盡相同。本文將對二者在導電機理
2018-07-16 15:55:09
裂紋中去。這也說明在焊接的時候裂紋應該就已經(jīng)存在,并不是因為樣品的擊穿而導致裂紋的產(chǎn)生。因此電容失效的原因是,機械應力(包括高溫應力和機械應力) 造成電容開裂,內(nèi)部電極短路,從而樣品短路燒毀失效。四、參考文獻GJB 4027A-2006 軍用電子元器件破壞性物理分析方法
2019-05-05 10:40:53
阿呆在不少電路中都看到過有使用隔直電容,例如在音頻輸入輸出端一般都會加上隔直電容,例如在交流小信號放大器前后級耦合,也會使用到隔直電容,那么,到底什么是隔直電容呢?其原理是什么呢?該如何具體分析呢?
2019-05-20 12:02:08
高壓陶瓷電容器常見失效分析所謂失效,就是在正常的工作時間內(nèi)無法正常工作。電容器的主要參數(shù)有容量,即C值;損耗值即DF值;耐電壓,即TV值;絕緣電阻即IR值;還有漏電流值。一顆完美的電容器,以上參數(shù)均
2016-11-10 10:22:02
節(jié)能燈功率管的失效機理分析
節(jié)能燈作為一種環(huán)保型的電源,在全世界得到了廣泛的應用,國內(nèi)節(jié)能燈的生產(chǎn)
2009-05-13 15:25:19677 從安全工作區(qū)探討IGBT的失效機理
1、? 引言
半導體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進行換效分析也是十分困難和復雜的。其中失效的主要原因之
2010-02-22 09:32:422665 判斷失效的模式, 查找失效原因和機理, 提出預防再失效的對策的技術活動和管理活動稱為失效分析。
2012-03-15 14:21:36121 高壓IGBT關斷狀態(tài)失效的機理研究,IGBT原理,PT,NPT,Planar IGBT, Trench IGBT
2016-05-16 18:04:330 大功率白光LED的可靠性研究及失效機理分析
2017-02-07 21:04:011 電機驅(qū)動系統(tǒng)失效模式分類 根據(jù)失效原因、性質(zhì)、機理、程度、產(chǎn)生的速度、發(fā)生的時間以及失效產(chǎn)生的后果,可將失效進行不同的分類。電動觀光車常見的失效模式可以分為:損壞型、退化型、松脫型、失調(diào)
2017-03-09 01:43:231760 的不匹配或設計與操作中的不當?shù)葐栴}。 具體來說,失效分析的意義主要表現(xiàn)在以下幾個方面: 1. 失效分析是確定芯片失效機理的必要手段; 2. 失效分析為有效的故障診斷提供了必要的信息; 3. 失效分析為設計工程師不斷改進或者修
2017-09-27 14:44:4215 元器件長期儲存的失效模式和失效機理
2017-10-17 13:37:3420 元器件的長期儲存的失效模式和失效機理
2017-10-19 08:37:3432 摘要:本文闡述了各安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機理。討論了短路持續(xù)時間Tsc和柵壓Vg、集電極發(fā)射極導通電壓Vce(on)及短路電流Isc的關系。 關鍵詞:安全工作區(qū) 失效機理 短路
2017-12-03 19:17:492531 對電子元器件的失效分析技術進行研究并加以總結(jié)。方法 通過對電信器類、電阻器類等電子元器件的失效原因、失效機理等故障現(xiàn)象進行分析。
2018-01-30 11:33:4110912 電容器的常見失效模式有:――擊穿短路;致命失效――開路;致命失效――電參數(shù)變化(包括電容量超差、損耗角正切值增大、絕緣性能下降或漏電流上升等;部分功能失效――漏液;部分功能失效――引線腐蝕或斷裂;致命失效――絕緣子破裂;致命失效――絕緣子表面飛弧;
2018-03-15 11:00:1026174 本文通過大量的歷史資料調(diào)研和失效信息收集等方法,針對不同環(huán)境應力條件下的MEMS慣性器件典型失效模式及失效機理進行了深入探討和分析。
2018-05-21 16:23:456951 本文主要對變壓器線圈常見的三種失效機理進行了介紹,另外還對電感和變壓器類失效機理與故障進行了分析。
2018-05-31 14:41:529637 或者全失效會在硬件電路調(diào)試上花費大把的時間,有時甚至炸機。今天主要說的是電容器,電阻器和電感。 電容器失效模式與機理 電容器的常見失效模式有:擊穿短路;致命失效開路;致命失效電參數(shù)變化(包括電容量超差、損耗
2018-06-07 15:18:137239 電子元器件的主要失效模式包括但不限于開路、短路、燒毀、爆炸、漏電、功能失效、電參數(shù)漂移、非穩(wěn)定失效等。對于硬件工程師來講電子元器件失效是個非常麻煩的事情,比如某個半導體器件外表完好但實際上已經(jīng)半失效
2020-06-29 11:15:216642 隨著LED產(chǎn)品制造技術的逐漸成熟,成本越來越低,性價比越來越高。目前小功率LED產(chǎn)品在大屏幕戶外顯示等商用領域有很大的應用范圍,如何增加使用壽命,減少維護成本也是業(yè)界關注的要點所在。解決高成本問題的一個積極態(tài)度,就是要分析其失效機理,彌補技術缺陷,以提高LED產(chǎn)品的可靠性,提高LED的性價比。
2020-06-14 09:07:461111 零線與地線短路會不會跳閘的問題,這個要看具體情況具體分析,下面我給你做詳細講解。
2020-08-22 10:08:3529120 2mmHM連接器短路失效分析說明。
2021-04-19 09:43:332 下圖為貼片電阻結(jié)構(gòu)圖: 失效背景:電阻開路 問題分析:從失效樣品圖片來看,電阻本體沒有電應力和結(jié)構(gòu)損傷。如果沒有電應力和結(jié)構(gòu)損傷,一般是由于電極開路造成的失效,確定好失效模式和機理就可以針對性進行
2021-12-11 10:11:592702 電容器的常見失效模式有: ――擊穿短路;致命失效 ――開路;致命失效 ――電參數(shù)變化(包括電容量超差、損耗角正切值增大、絕緣性能下降或漏電流上升等;部分功能失效 ――漏液;部分功能失效 ――引線腐蝕
2021-12-11 10:13:532688 在浪涌和靜電的過壓防護中,使用TVS管已經(jīng)是一個非常普遍的解決方式,有時候在前期測試沒有什么問題,但是在實際使用中會因為個別TVS管失效導致產(chǎn)品異常的情況。這個問題如果只是去模擬失效環(huán)境來驗證,問題復現(xiàn)概率極低,此時我們可以通過分析失效器件來推斷失效環(huán)境。
2022-01-04 14:10:261329 失效模式:各種失效的現(xiàn)象及其表現(xiàn)的形式。
失效機理:是導致失效的物理、化學、熱力學或其他過程。
2022-02-10 09:49:0618 一個環(huán)節(jié)稍有疏忽,都有可能造成“冤假錯案”。
可靠性問題的一般分析思路
背景信息收集
背景信息是可靠性問題失效分析的基礎,直接影響后續(xù)所有失效分析的走向,并對最終的機理判定產(chǎn)生決定性影響。因此,失效分析之前...
2022-02-11 15:19:0126 MOSFET的失效機理 本文的關鍵要點 ?SOA是“Safety Operation Area”的縮寫,意為“安全工作區(qū)”。 ?需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSFET等產(chǎn)品。 ?有五個SOA的制約要素
2022-03-19 11:10:072544 一起貼片陶瓷電容失效事件,失效模式為短路,電容表面有裂紋,對于這顆電容進行分析失效,經(jīng)過梳理,造成器件(MLCC)的失效各種可能性。
2022-09-08 15:17:193986 的情況。通過對 TVS 篩選和使用短路失效樣品進行解剖觀察獲得其失效部位的微觀形貌特征.結(jié)合器件結(jié)構(gòu)、材料、制造工藝、工作原理、篩選或使用時所受的應力等。采用理論分析和試驗證明等方法分析導致7rvS 器件
2022-10-11 10:05:014603 失效分析是根據(jù)失效模式和現(xiàn)象,通過分析和驗證,模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象,找出失效的原因,挖掘出失效的機理的活動。失效分析是確定芯片失效機理的必要手段。失效分析為有效的故障診斷提供了必要的信息。失效分析
2022-10-12 11:08:484175 MOSFET的失效機理本文的關鍵要點?dV/dt失效是MOSFET關斷時流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB,使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。
2023-02-13 09:30:08829 介紹了TVS瞬態(tài)抑制二極管的組成結(jié)構(gòu),失效機理和質(zhì)量因素,希望對你們有所幫助。
2023-03-16 14:53:571 MOSFET等開關器件可能會受各種因素影響而失效。因此,不僅要準確了解產(chǎn)品的額定值和工作條件,還要全面考慮電路工作中的各種導致失效的因素。本系列文章將介紹MOSFET常見的失效機理。
2023-03-20 09:31:07638 防止VBUS誤觸至CC and SBU造成端口失效的TVS防護方案
2023-04-17 09:49:121290 失效率是可靠性最重要的評價標準,所以研究IGBT的失效模式和機理對提高IGBT的可靠性有指導作用。
2023-04-20 10:27:041119 。
通過對TVS篩選和使用短路失效樣品進行解剖觀察獲得其失效部位的微觀形貌特征.結(jié)合器件結(jié)構(gòu)、材料、制造工藝、工作原理、篩選或使用時所受的應力等。采用理論分析和試驗證明等方法分析導致7rvS器件短路失效的原因。
2023-05-12 17:25:483682 TVS二極管一旦發(fā)生短路失效,釋放出的高能量常常會將保護的電子設備損壞.這時TVS二極管生產(chǎn)廠家和使用方都想極力減少或避免的情況。下面臺灣佰鴻一級代理商鑫環(huán)電子通過對TVS二極管篩選和使用短路失效
2022-05-09 11:32:142907 為了防止在失效分析過程中丟失封裝失效證據(jù)或因不當順序引人新的人為的失效機理,封裝失效分析應按一定的流程進行。
2023-06-25 09:02:30315 本文通過對典型案例的介紹,分析了鍵合工藝不當,以及器件封裝因素對器件鍵合失效造成的影響。通過對鍵合工藝參數(shù)以及封裝環(huán)境因素影響的分析,以及對各種失效模式總結(jié),闡述了鍵合工藝不當及封裝不良,造成鍵合本質(zhì)失效的機理;并提出了控制有缺陷器件裝機使用的措施。
2023-07-26 11:23:15932 電阻膜腐蝕造成電阻失效的發(fā)生機理為:外部水汽通過表面樹脂保護層浸入到電阻膜層,在內(nèi)部電場作用下,發(fā)生水解反應。電阻膜表面殘留的K離子、Na離子極易溶于水,加速了電阻膜的水解反應,致使電阻膜腐蝕失效。
2023-08-18 11:41:371102 肖特基二極管失效機理? 肖特基二極管(Schottky Barrier Diode, SBD)作為一種快速開關元件,在電子設備中得到了廣泛的應用。但是,隨著SBD所承受的工作壓力和工作溫度不斷升高
2023-08-29 16:35:08971 保護器件過電應力失效機理和失效現(xiàn)象淺析
2023-12-14 17:06:45267 壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導致兩種IGBT器件的失效形式和失效機理的不同,如表1所示。本文針對兩種不同封裝形式IGBT器件的主要失效形式和失效機理進行分析。1.焊接式IGBT模塊封裝材料的性能是決定模塊性能的基礎,尤其是封裝
2023-11-23 08:10:07724 防止VBUS誤觸至CC and SBU造成端口失效的TVS防護方案
2023-11-28 14:15:43226
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